FQPF10N20C中文资料

合集下载

FQP13N50C中文资料

--
--
IGSSF IGSSR
Gate-Body Leakage Current, Forward VGS = 30 V, VDS = 0 V Gate-Body Leakage Current, Reverse VGS = -30 V, VDS = 0 V
--
--
--
--
--
--
1 10 100 -100
FQP13N50C FQPF13N50C
500
13
13 *
8
8*
52
52 *
± 30
860
13
19.5
4.5
195
48
1.56
0.39
-55 to +150
300
Units V A A A V mJ A mJ
V/ns W
W/°C °C
°C
Thermal Characteristics
Symbol RθJC RθJS RθJA
2.0 --
4.0
V
VGS = 10 V, ID = 6.5 A
-- 0.39 0.48
Ω
VDS = 40 V, ID = 6.5 A
(Note 4) --
15
--
S
Dynamic Characteristics
Ciss
Input Capacitance
Coss
Output Capacitance
Crss
Drain Current - Continuous (TC = 25°C)
- Continuous (TC = 100°C)
IDM
Drain Current - Pulsed

fqpf9n90场效应管参数

场效应管参数一、场效应管概述场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种使用电场控制电流的半导体器件，是现代电子技术中应用广泛的一种元件。

与双极型晶体管相比，场效应管具有输入电阻高、输入电容小、噪声系数低、体积小、功耗低等优点，因此在各种电子设备中得到了广泛的应用。

二、场效应管参数1. 饱和漏-源电流（IDSS）饱和漏-源电流IDSS是指在栅极和源极之间的电压为零时，漏极和源极之间的最大电流。

IDSS是场效应管的最大漏-源电流，也是场效应管的一个重要参数。

2. 静态工作点（Q点）静态工作点就是场效应管在直流状态下的工作点，通常用静态栅-源电压Ugsq和静态漏-源电流Idsq来描述。

静态工作点的选择直接影响着场效应管的放大特性和工作稳定性。

3. 灵敏度场效应管的灵敏度是指当栅-源电压变化时，漏-源电流的变化量与栅-源电压的变化量之比。

灵敏度越大，表示场效应管对栅-源电压的变化更为敏感。

4. 饱和电流饱和电流是指当场效应管的栅-源电压足够大时，漏-源电流达到最大值。

饱和电流的大小决定了场效应管的输出功率。

5. 输入电容（Ciss）输入电容是指场效应管的栅-源电容和栅-漏电容之和。

输入电容的大小直接影响了场效应管的输入电阻。

6. 输、输出电阻输、输出电阻分别是指场效应管的输入电阻和输出电阻。

输、输出电阻的大小直接影响了场效应管的放大特性和匹配特性。

7. 开启电压（VGS（th））开启电压是指当场效应管的栅-源电压大于一定值时，场效应管开始导通。

开启电压的大小直接影响了场效应管的饱和电流和输出功率。

8. 最大耗散功率（Pd）最大耗散功率是指场效应管在允许工作条件下所能承受的最大功率。

超过最大耗散功率会导致场效应管损坏。

三、场效应管参数的选取原则1. 静态工作点的选择原则静态工作点的选择应根据具体应用来确定，一般应使得静态漏-源电流较大，但不能太大。

2. 灵敏度的选择原则灵敏度的大小直接影响了场效应管在信号放大时的放大倍数，应根据具体应用需求来确定。

FQP10N20C中文资料

VGS = 0 V, ID = 250 µA
200 --
ID = 250 µA, Referenced to 25°C -- 0.28
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS = 200 V, VGS = 0 V VDS = 160 V, TC = 125°C
--
VGS = 0 V, IS = 9.5 A,
-- 158
--
ns
Qrr
Reverse Recovery Charge
dIF / dt = 100 A/µs
(Note 4) -- 0.97
--
µC
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature 2. L = 3.5mH, IAS = 9.5A, VDD = 50V, RG = 25 Ω, Starting TJ = 25°C 3. ISD ≤ 9.5A, di/dt ≤ 300A/µs, VDD ≤ BVDSS, Starting TJ = 25°C 4. Pulse Test : Pulse width ≤ 300µs, Duty cycle ≤ 2% 5. Essentially independent of operating temperature
VGS(th) RDS(on)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
gFS
Forward Transconductance
VDS = VGS, ID = 250 µA

轴承代号含义接触器型号含义

轴承代号含义-接触器型号含义施耐德接触器型号施耐德接触器型号220V线圈型号LC1D09M7C| LC1D12M7C| LC1D18M7C| LC1D25M7C| LC1D32M7C| LC1D38M7C| LC1D40M7C| LC1D50M7C| LC1D65M7C| LC1D80M7C| LC1D95M7C| LC1D11500M7C| LC1D15000M7C| LC1D205M7C| LC1D245M7C| LC1D300M7C| LC1D410M7C| LC1D475M7C| LC1D620M7C380V线圈型号LC1D09Q7C| LC1D12Q7C|LC1D18Q7C| LC1D25Q7C| LC1D32Q7C| LC1D38Q7C| LC1D40Q7C| LC1D50Q7C| LC1D65Q7C| LC1D80Q7C| LC1D95Q7C| LC1D11500Q7C| LC1D15000Q7C| LC1D205Q7C| LC1D245Q7C| LC1D300Q7C| LC1D410Q7C| LC1D475Q7C| LC1D620Q7C施耐德热继电器型号LR2-D1301|LR2-D1302|LR2-D1303|LR2-D1304|LR2-D1305|LR2-D1306|LR2-D13 07|LR2-D1308|LR2-D1310|LR2-D1312|L R2-D1314|LR2-D1316|LR2-D1321|LR2-D1322|LR2-D2353|LR2-D3353|LR2-D33 55|LR2-D3357|LR2-D3359|LR2-D3361|L R2-D3363|LR2-D3365|LR2-D4365|LR2-D4367|LR2-D4369施耐德断路器NSE100E3025C65N 1P C1A C65N 1P D1A VIGIC65 1P+N 40A ELE C32H-DC 1P 1A C65N 1P C2A C65N 1P D2A VIGIC65 1P+N 63A ELE C32H-DC 1P2A C65N 1P C4A C65N 1P D4A VIGIC65 2P 40A ELE C32H-DC 1P 3A C65N 1P C6A C65N 1P D6A VIGIC65 2P 63A ELE C32H-DC 1P 6A C65N 1P C10A C65N 1P D10A VIGIC65 3P 40A ELE C32H-DC 1P 10A C65N 1P C16A C65N 1P D16A VIGIC65 3P 63A ELE C32H-DC 1P 16A C65N 1P C20A C65N 1P D20A VIGIC65 4P 40A ELE C32H-DC 1P 20A C65N 1P C25A C65N 1P D25A VIGIC65 4P 63A ELE C32H-DC 1P 25A C65N 1P C32A C65N 1P D32A VIGIC65 G 1P+N 40A ELE C32H-DC 1P 32A C65N 1P C40A C65N 1P D40A VIGIC65 G 1P+N 63A ELE C32H-DC 1P 40AC65N 1P C50A C65N 1P D50A VIGIC65 G 2P 40A ELE C32H-DC 2P 1A C65N 1P C63A C65N 1P D63A VIGIC65 G 2P 63A ELE C32H-DC 2P 2A C65N 2P C1A C65N 2P D1A VIGIC65 2P 32A ELM C32H-DC 2P 3A C65N 2P C2A C65N 2P D2A VIGIC65 2P 40A ELMC32H-DC 2P 6A C65N 2P C4A C65N 2P D4A VIGIC65 2P 63A ELM C32H-DC 2P 10A C65N 2P C6A C65N 2P D6A VIGIC65 3P 32A ELM C32H-DC 2P 16A C65N 2P C10A C65N 2P D10A VIGIC65 3P 40A ELM C32H-DC 2P 20A C65N 2P C16A C65N 2P D16A VIGIC65 3P 63A ELM C32H-DC 2P 25A C65N 2P C20A C65N 2P D20A VIGIC65 4P 32A ELM C32H-DC 2P 32A C65N 2P C25A C65N 2P D25A VIGIC65 4P 40A ELM C32H-DC 2P 40A C65N 2P C32A C65N 2P D32A VIGIC65 4P 63A ELM VIGINC100 2P 30MA C65N 2P C40A C65N 2P D40A NC100H 断路器VIGINC100 2P 300MA C65N 2P C50A C65N 2P D50A NC100H C 1P 63A VIGINC100 2P 500MA C65N 2P C63A C65N 2P D63A NC100H C 1P 80A VIGINC100 2P 300MA S C65N 3P C1A C65N 3P D1A NC100H C 1P 100A VIGINC100 3P 30MA C65N 3P C2AVIGINC100 3P 300MA C65N 3P C4A C65N 3P D4A NC100H C 2P 80A VIGINC100 3P 500MA C65N 3P C6A C65N 3P D6A NC100H C 2P 100A VIGINC100 3P 300MA S C65N 3P C10A C65N 3P D10A NC100H C 3P 63A VIGINC100 4P 30MA C65N 3P C16A C65N 3P D16A NC100H C 3P 80A VIGINC100 4P 300MA C65N 3P C20A C65N 3P D20A NC100H C 3P 100A VIGINC100 4P 500MA C65N 3P C25A C65N 3P D25A NC100H C 4P 63A VIGINC100 4P 300MA S C65N 3P C32A C65N 3P D32A NC100H C 4P 80A NC125H 断路器C65N 3P C40A C65N 3P D40A NC100H C 4P 100A NC125H C 1P 125A C65N 3P C50A C65N 3P D50A NC100H D 1P 63A NC125H C 2P 125A C65N 3P C63A C65N 3P D63A NC100H D 1P 80A NC125H C125A 3P C65N 4P C1ANC125H C 4P 125A C65N 4P C2A C65N 4P D2A NC100H D 2P 63A C65H 3P D20AC65N 4P C4A C65N 4P D4A NC100H D 2P 80A C65H 3P D25AC65N 4P C6A C65N 4P D6A NC100H D 2P 100A C65H 3P D32A C65N 4P C10A C65N 4P D10A NC100H D 3P 63A C65H 3P D40A C65N 4P C16A C65N 4P D16A NC100H D 3P 80A C65H 3P D50A C65N 4P C20A C65N 4P D20A NC100H D 3P 100A C65H 3P D63A C65N 4P C25A C65N 4P D25A NC100H D 4P 63A C65H 1P D20A C65N 4P C32A C65N 4P D32A NC100H D 4P 80A C65H 1P D25A C65N 4P C40A C65N 4P D40A NC100H D 4P 100A C65H 1P D32A C65N 4P C50A C65N 4P D50A C65L 3P D50A C65H 1P D40AC65N 4P C63A C65N 4P D63A C65L3P D63A C65H 1P D50A 互感器的型号含义互感器的型号含义由字母符号及数字组成，通常表示电流互感器绕组类型、绝缘种类、使用场所及电压等级等。

FQPF2N60C资料

100
150℃ 25℃
※ Notes :
1. 2.
2V5GS0μ=s0VPulse
Test
10-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VSD, Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
VGS = 0 V, IS = 2 A,
-- 230
--
ns
Qrr
Reverse Recovery Charge
dIF / dt = 100 A/µs
(Note 4) --
1.0
--
µC
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
Parameter Thermal Resistance, Junction-to-Case Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ. Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
FQP2N60C 2.32 0.5 62.5
FQPF2N60C 5.5 -62.5
元器件交易网
FQP2N60C/FQPF2N60C
FQP2N60C/FQPF2N60C
600V N-Channel MOSFET
QFET TM
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

磷锡青铜10sn退火温度

磷锡青铜10sn退火温度
磷锡青铜10sn的退火温度通常控制在200℃左右，具体温度还需根据材料成分、厚度等因素进行调整。

退火可以消除材料内部的应力，提高材料的塑性和韧性，从而改善材料的加工性能和使用性能。

在退火过程中，需要注意控制温度和时间，避免材料过烧或欠烧。

在退火过程中，磷锡青铜10sn会经历一系列的物理和化学变化。

随着温度的升高，材料内部的原子开始振动，分子结构逐渐松散。

当温度达到一定的水平时，这些原子能够克服彼此之间的引力，发生位置上的变化，从而实现动态再结晶的过程。

动态再结晶的过程对于磷锡青铜10sn的性能至关重要。

在这个过程中，新的晶粒会在原有的晶粒内部形成，这些晶粒通常具有更加均匀和细小的尺寸，这有助于提高材料的强度和韧性。

退火过程中温度的控制至关重要。

如果温度过高，可能导致材料过烧，产生氧化、蒸发等不良现象，从而影响材料的性能。

如果温度过低，则可能无法充分消除材料内部的应力，达不到预期的退火效果。

因此，在退火过程中，需要根据具体的材料成分、厚度等因素，制定合理的退火工艺，包括退火温度、时间、冷却速度等参数。

同时，还需要对退火后的材料进行详细的检测和分析，以确保其性能符合要求。

总之，磷锡青铜10sn的退火温度是一个关键参数，需要精确控制。

合理的退火工艺可以有效地提高材料的性能，满足各种应用场景
的需求。

12CWQ10FN中文资料

SCHOTTKY RECTIFIER12 Amp12CWQ10FNBulletin PD-20548 rev. F 01/03Major Ratings and Characteristics D-Pak (TO-252AA)12CWQ10FN2Bulletin PD-20548 rev. F 01/03V FMMax. Forward Voltage Drop 0.80V @ 6A (Per Leg) * See Fig. 1(1)0.95V @ 12A 0.65V @ 6A 0.78V @ 12A I RMMax. Reverse Leakage Current 1mA T J = 25 °C (Per Leg) * See Fig. 2(1)4mA T J = 125 °CV F(TO)Threshold Voltage 0.47VT J = T J max.r t Forward Slope Resistance20.68m ΩC T Typ. Junction Capacitance (Per Leg)183pF V R = 5V DC , (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25°C L STypical Series Inductance (Per Leg)5.0nHMeasured lead to lead 5mm from package bodyT J Max. Junction Temperature Range (*)-55 to 150°C T stgMax. Storage Temperature Range-55 to 150°CR thJC Max. Thermal Resistance (Per Leg)3.0°C/W DC o peration * See Fig. 4Junction to Case (Per D evice)1.5wtApproximate Weight 0.3 (0.01)g (oz.)Case S tyleD-Pak Similar to TO-252AAThermal-Mechanical SpecificationsT J = 25 °C T J = 125 °C Electrical Specifications(1) Pulse Width < 300µs, Duty Cycle <2%V R = rated V RPart number12CWQ10FNV RMax. DC Reverse Voltage (V)V RWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)Voltage Ratings100Parameters12CWQ...UnitsConditionsParameters12CWQ...UnitsConditionsI F(AV)Max. Average Forward(Per Leg)6A50% duty cycle @ T C = 135°C, rectangular wave form Current * See Fig. 5(Per D evice)12I FSM Max. P eak O ne C ycle N on-Repetitive 3305µs Sine or 3µs Rect. pulseSurge Current * See Fig. 7(Per Leg)11010ms Sine or 6ms Rect. pulse E AS Non-Repetit. A valanche E nergy (Per L eg)6mJ T J = 25 °C, I AS = 1 Amps, L = 12 mHI ARRepetitive A valanche C urrent(Per L eg)1A Current decaying linearly to zero in 1 µsecFrequency limited by T J max. V A = 1.5 x V R typicalAbsolute Maximum RatingsFollowing any rated load condition and withrated V RRM appliedA < thermal runaway condition for a diode on its own heatsink (*) dPtot1dTjRth( j-a)Parameters12CWQ...UnitsConditions12CWQ10FN312CWQ10FN4Bulletin PD-20548 rev. F 01/03Fig. 7 - Max. Non-Repetitive Surge Current (Per Leg)Fig. 5 - Max. Allowable Case Temperature Vs. Average Forward Current (Per Leg)Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics(Per Leg)(2)Formula used: T C = T J - (Pd + Pd REV ) x R thJC ;Pd = Forward Power Loss = I F(AV) x V FM @ (I F(AV) / D) (see Fig. 6);Pd REV = Inverse Power Loss = V R1 x I R (1 - D); I R @ V R1 = 80% rated V R1201251301351401451500123456789A l l o w a b l e C a s e T e m p e r a t u r e - (°C )F(AV)Average Forward Current - I (A)01234560123456789A v e r a g e P o w e r L o s s - (W a t t s )F(AV)Average Forward Current - I (A)10100100010000F S MN o n -R e p e t i t i v e S u r g e C u r r e n t - I (A )pSquare Wave Pulse Duration - t (microsec)12CWQ10FN5 5K3A12CWQ10FN6Bulletin PD-20548 rev. F 01/03IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105TAC Fax: (310) 252-7309Visit us at for sales contact information. 01/03Data and specifications subject to change without notice.This product has been designed and qualified for Industrial Level.Qualification Standards can be found on IR's Web site.。

FCPF20N60 PDF规格书

FCP20N60 / FCPF20N60 600V N-Channel MOSFETFCP20N60 / FCPF20N60 600V N-Channel MOSFETPackage Marking and Ordering InformationElectrical Characteristics T C= 25°C unless otherwise notedNotes:1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature2. I AS = 10A, V DD = 50V, R G = 25Ω, Starting T J = 25°C3. I SD ≤ 20A, di/dt ≤ 200A/µs, V DD ≤ BV DSS , Starting T J = 25°C4. Pulse Test: Pulse width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%5. Essentially Independent of Operating Temperature Typical CharacteristicsDevice MarkingDevicePackageReel SizeTape WidthQuantityFCP20N60FCP20N60TO-220--50FCPF20N60FCPF20N60TO-220F--50SymbolParameterConditionsMinTypMax UnitsOff Characteristics BV DSS Drain-Source Breakdown Voltage V GS = 0V, I D = 250µA, T J = 25°C 600----V V GS = 0V, I D = 250µA, T J = 150°C --650--V ∆BV DSS / ∆T J Breakdown Voltage Temperature CoefficientI D = 250µA, Referenced to 25°C --0.6--V/°C BV DS Drain-Source Avalanche Breakdown VoltageV GS = 0V, I D = 20A --700--V I DSS Zero Gate Voltage Drain Current V DS = 600V, V GS = 0V V DS = 480V, T C = 125°C --------110µA µA I GSSF Gate-Body Leakage Current, Forward V GS = 30V, V DS = 0V ----100nA I GSSR Gate-Body Leakage Current, Reverse V GS = -30V, V DS = 0V -----100nA On CharacteristicsV GS(th)Gate Threshold Voltage V DS = V GS , I D = 250µA 3.0-- 5.0V R DS(on)Static Drain-Source On-ResistanceV GS = 10V, I D = 10A --0.150.19Ωg FS Forward Transconductance V DS = 40V, I D = 10A (Note 4)--17--S Dynamic CharacteristicsC iss Input Capacitance V DS = 25V, V GS = 0V,f = 1.0MHz--23703080pF C oss Output Capacitance--12801665pF C rss Reverse Transfer Capacitance --95--pF C oss Output CapacitanceV DS = 480V, V GS = 0V, f = 1.0MHz --6585pF C oss eff.Effective Output Capacitance V DS = 0V to 400V, V GS = 0V --165--pF Switching Characteristicst d(on)Turn-On Delay Time V DD = 300V, I D = 20A R G = 25Ω(Note 4, 5)--62135ns t r Turn-On Rise Time --140290ns t d(off)Turn-Off Delay Time --230470ns t f Turn-Off Fall Time --65140ns Q g Total Gate Charge V DS = 480V, I D = 20A V GS = 10V(Note 4, 5)--7598nC Q gs Gate-Source Charge --13.518nC Q gd Gate-Drain Charge--36--nC Drain-Source Diode Characteristics and Maximum RatingsI S Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current ----20A I SM Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ----60A V SD Drain-Source Diode Forward Voltage V GS = 0V, I S = 20A---- 1.4V t rr Reverse Recovery Time V GS = 0V, I S = 20AdI F /dt =100A/µs (Note 4)--530--ns Q rrReverse Recovery Charge--10.5--µCTRADEMARKSThe following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.FCP20N60 / FCPF20N60 600V N-Channel MOSFETDISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:1. Life support devices or systems are devices or systems which,(a) are intended for surgical implant into the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling,can be reasonably expected to result in significant injury to the user.2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of TermsDatasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationFormative or In Design This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.PreliminaryFirst ProductionThis datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.No Identification Needed Full ProductionThis datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.Obsolete Not In ProductionThis datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor.The datasheet is printed for reference information only.FAST ®FASTr™FPS™FRFET™GlobalOptoisolator™GTO™HiSeC™I 2C™i-Lo ™ImpliedDisconnect™IntelliMAX™ISOPLANAR™LittleFET™MICROCOUPLER™MicroFET™MicroPak™MICROWIRE™MSX™MSXPro™OCX™OCXPro™OPTOLOGIC ®OPTOPLANAR™PACMAN™POP™Power247™PowerEdge™PowerSaver™PowerTrench ®QFET ®QS™QT Optoelectronics™Quiet Series™RapidConfigure™RapidConnect™µSerDes™SILENT SWITCHER ®SMART START™SPM™Stealth™SuperFET™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8SyncFET™TinyLogic ®TINYOPTO™TruTranslation™UHC™UltraFET ®UniFET™VCX™Wire™ACEx™ActiveArray™Bottomless™Build it Now™CoolFET™CROSSVOLT ™DOME™EcoSPARK™E 2CMOS™EnSigna™FACT™FACT Quiet Series™Across the board. Around the world.™The Power Franchise ®Programmable Active Droop™。

HGTP10N120BN中文资料

Absolute Maximum Ratings
TC = 25oC, Unless Otherwise Specified HGTG10N120BN HGTP10N120BN HGT1S10N120BNS Collector to Emitter Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .BVCES Collector Current Continuous At TC = 25oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IC25 At TC = 110oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IC110 Collector Current Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ICM Gate to Emitter Voltage Continuous. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VGES Gate to Emitter Voltage Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VGEM Switching Safe Operating Area at TJ = 150oC (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . SSOA Power Dissipation Total at TC = 25oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . PD Power Dissipation Derating TC > 25oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Forward Voltage Avalanche Energy (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . EAV Operating and Storage Junction Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TJ, TSTG Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TL Package Body for 10s, see Tech Brief 334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Tpkg Short Circuit Withstand Time (Note 3) at VGE = 15V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .tSC Short Circuit Withstand Time (Note 3) at VGE = 12V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .tSC 35 17 80 ±20 ±30 55A at 1200V 298 2.38 80 -55 to 150 300 260 8 15 W W/oC mJ

NTN轴承代号大全

/（n）标准轴承的特殊内径尺寸，如6210/49.5表示/0G 无润滑脂的双面密封或双面防尘盖求轴承/15A 润滑脂代号，Shell生产的AlvaniaRS润滑脂/1E 润滑脂代号，ESSO生产的Andok润滑脂，使用温度：-20～120℃/1K 润滑脂代号，Kyodo Yushi生产的Multemp PS NO2润滑脂，特点是低温（-50℃），小扭矩/1W 润滑脂代号，Anderson生产的Windsor Lube 1-245X润滑脂/2A 润滑脂代号，Shell生产的Alvania N02润滑脂，温度：-25～120℃，应用广泛的普通润滑脂/2E 润滑脂代号，ESSO生产的Tornprex N3脂，温度：-30~160℃，应用于高温环境/2M 润滑脂代号，Maaruzen生产的WR-3润滑脂，温度：-40~150℃，应用于广泛的高温环境/3A 润滑脂代号，Shell生产的Alvania N0.3脂，温度：-25~135℃，稠度比/2A低的普通润滑脂/3E 润滑脂代号，ESSO生产的Beacon325润滑脂，应用于低温（可达到-55℃）小扭矩的场合/3L 润滑脂代号，Toraay Silicone生产的SH33L脂，使用温度：-70~120℃，用于极低温场合/3T 润滑脂代号，NTN生产的DVL-2润滑脂/4A 润滑脂代号，Shell生产的Alvania RA润滑脂，使用温度-70~120℃/4E 润滑脂代号，ESSO生产的Andok260润滑脂，使用温度：不大于150℃/4M 润滑脂代号，Toraay Silicone生产的SH44M脂，应用于中温或者高温（可达到160℃）/4S 润滑脂代号，Shell生产的Acroshell 5润滑脂，使用温度：0`120℃/5C 润滑脂代号，Chevron生产的Chevron SR1-2润滑脂，使用温度：-30`180℃，高速高温/5K 润滑脂代号，Kyodo Yushi生产的Multemp SRL脂，使用温度：-40~150℃，宽的应用范围/5S 润滑脂代号，Shell生产的Aeroshell 7润滑脂，使用温度：60~150℃，低速，低摩擦力/5T 润滑脂代号，NTN生产的TSA润滑脂。

FQP12N60C中文资料

©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, October 2003
元器件交易网
FQP12N60C/FQPF12N60C
Typical Characteristics
V Top : 15.0GSV
10.0 V 8.0 V 7.0 V 6.0 V 5.5 V 5.0 V 101 Bottom : 4.5 V
(Note 2)
IAR
Avalanche Current
(Note 1)
EAR
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
PD
Power Dissipation (TC = 25°C)
- Derate above 25°C
Figure 5. Capacitance Characteristics
Capacitance [pF]
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
VGS, Gate-Source Voltage [V]
IDR, Reverse Drain Current [A]
2.0 --
4.0
V
VGS = 10 V, ID = 6 A
-- 0.53 0.65
Ω
VDS = 40 V, ID = 6 A
(Note 4) --
13
--
S
Dynamic Characteristics
Ciss
Input Capacitance
Coss

fqpf10n60c场效应管参数

FQPF10N60C场效应管参数简介场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种三极管，它的工作原理是通过控制栅极电压来调节源极与漏极之间的电流。

FQPF10N60C是一款常见的N沟道增强型场效应管，广泛应用于电子设备中。

参数说明FQPF10N60C的参数可以分为静态参数和动态参数两部分。

静态参数1.额定电压：FQPF10N60C的额定电压为600V，这意味着它可以承受最大600V的电压。

2.额定电流：FQPF10N60C的额定电流为10A，表示它可以通过最大10A的电流。

3.静态工作点：在静态工作点下，FQPF10N60C的栅极电压（Vgs）和漏极电流（Id）之间的关系可以用静态特性曲线来表示。

静态工作点的选择需要根据具体应用的要求来确定。

动态参数1.输入电容（Ciss）：FQPF10N60C的输入电容是指在给定电压下，栅极与源极之间的电容。

它影响着场效应管的输入阻抗和频率响应。

2.输出电容（Coss）：FQPF10N60C的输出电容是指在给定电压下，漏极与源极之间的电容。

它影响着场效应管的输出阻抗和频率响应。

3.反馈电容（Crss）：FQPF10N60C的反馈电容是指栅极与漏极之间的电容。

它会影响到场效应管的放大性能和稳定性。

4.开关时间：开关时间是指FQPF10N60C从关断状态到导通状态或从导通状态到关断状态的时间。

它包括上升时间（turn-on time）和下降时间（turn-off time），是评估场效应管开关速度的重要指标。

应用领域由于FQPF10N60C具有高电压和大电流的特点，它广泛应用于各种电子设备中，包括： 1. 电源：FQPF10N60C可以作为开关电源中的开关管，用于控制电源的输出。

2. 电机驱动：FQPF10N60C可以用于驱动各种类型的电机，如直流电机、步进电机等。

3. 逆变器：FQPF10N60C可以用于逆变器中，将直流电转换为交流电。

c10200铜的密度

c10200铜的密度C10200铜的密度C10200铜是一种高纯度无氧铜，也被称为OFHC铜（Oxygen-Free High Conductivity Copper），它具有优异的导电性能和良好的可加工性。

密度是物质的质量和体积之比，它是一个重要的物理性质，可以用来描述物质的致密程度。

本文将围绕C10200铜的密度展开讨论，从不同角度介绍这种铜的密度特性。

一、C10200铜的密度C10200铜的密度为8.96克/立方厘米。

密度是物质的质量和体积之比，表示单位体积内所含质量的多少。

C10200铜的密度相对较高，这也是它具有较高质量和稳定性的重要原因之一。

C10200铜的密度与其他纯铜材料相比并没有显著差异，但相对于其他金属而言，它的密度较大。

二、C10200铜的应用领域C10200铜是一种高导电性铜材料，广泛应用于电子器件、电力设备、电气工程、通信设备等领域。

由于C10200铜具有良好的导电性能和热传导性能，它被广泛用于制造导线、连接器、电极等电子元件。

其密度较大的特点也使得C10200铜在一些需要重量稳定性的场合得到应用，如航空航天、核能装置等领域。

三、C10200铜的密度对材料性能的影响1. 密度与材料的质量：C10200铜的密度较大，意味着相同体积的材料，它的质量也会相对较大。

这样可以确保在一些需要较高质量的应用场合，C10200铜能够提供稳定的性能。

2. 密度与材料的强度：密度与材料的强度有一定关系，一般情况下，密度较大的材料具有较高的强度。

C10200铜的密度较大，相对来说，它的强度也较高。

这使得C10200铜在一些对强度要求较高的应用中具备优势。

3. 密度与材料的加工性能：密度也会对材料的加工性能产生影响。

C10200铜具有良好的可加工性，即使密度较大，也不会影响其加工性能。

这使得C10200铜在制造过程中更加便于加工和成型。

四、C10200铜的密度测量方法测量C10200铜的密度可以使用传统的质量和体积法。

无氧铜标号

无氧铜标号无氧铜标号是指根据国际标准对无氧铜进行分类和命名，用于在铜材生产和应用过程中标识和区分不同牌号和性能的铜材。

无氧铜是一种纯度高、导电性能优良的铜材料，具有广泛的应用领域。

以下是对无氧铜标号的详细介绍。

首先，无氧铜标号是按照不同元素含量和纯度来划分的。

无氧铜的最常见的标号为C10100，也被称为C1020。

其中的“C”代表无氧铜材料，“10”代表铜材的纯度达到了99.99%，表示该材料为高纯度铜材。

不同的标号还会表示其他的特殊要求和含量，例如C10200代表高含氧无氧铜。

其次，无氧铜标号的含氧量是其命名中的重要指标。

含氧量是用来衡量无氧铜材料中氧含量的指标，同时它也对无氧铜的导电性能有着重要影响。

通常情况下，无氧铜的含氧量在0.02-0.05%之间。

含氧量越低，无氧铜的导电性能越好，因此在某些特殊领域对导电性能要求较高的应用中，需要使用含氧量极低的无氧铜材料。

此外，无氧铜标号还可以表示不同的热处理状态。

热处理是对无氧铜进行加热和冷却等处理过程，以改善材料的性能和特征。

常见的热处理状态有H和O两种。

H表示无氧铜经过冷加工后进行固溶处理和时效处理，提高其强度和硬度。

O表示无氧铜未经过热处理，保持了材料的软硬度。

最后，无氧铜标号还可以表示不同的形状和规格。

无氧铜根据其形状和用途的不同，可以分为板材、棒材、线材等不同的产品形态。

标号中的后缀数字通常用来标识无氧铜的规格尺寸。

总结来说，无氧铜标号是对无氧铜材料进行分类和命名的一种标识体系。

它包括了无氧铜材料的牌号、纯度、含氧量、热处理状态以及形状和规格等信息。

通过标号，我们可以准确地识别和选择适合不同应用要求的无氧铜材料，确保其满足相关的性能需求。

无氧铜作为一种重要的工程材料，在电子、电力、航空航天等领域有着广泛的应用前景。

优质碳素结构钢各牌号的主要用途解析

优质碳素结构钢各牌号的主要用途碳素工具钢的主要用途化学成分及力学性能的符号解释≤小于或等于≥大于或等于≮不小于≯不大于比例极限用σp表示σp= P p(规定比例极限负荷)/F o(试样原横截面面积)╳ MP a(MP a为兆帕代号）弹性极限用σe表示屈服点或屈服极限，用σs表示σs= P s (材料屈服的负荷)/ F o(试样原横截面面积╳MP a屈服强度或条件屈服极限用σ0.2表示σ0.2= P0.2(相应于所求应力的负荷)/ F o(试样原横截面面积)╳MP a抗拉强度用σb表示σb= P b(相应于所求应力的负荷)/F o(试样原横截面面积)╳MP a抗弯强度帮σpp表示抗压强度以原面积除负荷断面缩减率用Ψ表示Ψ=[ F o(试样原横截面面积，毫米2)- F1(试样断裂处的最小横截面面积，毫米2)/F o (试样原横截面面积，毫米2)]╳100%伸长率用δ表示δ=[L1(拉断后试样原标距长度，毫米)- L0(试样原标距长度，毫米)/L o(试样原标距长度，毫米)]╳100%弹簧钢牌号及用途举例合金结构钢的主要用途不锈钢的牌号特性和用途我国和外国钢号对照表耐热钢的特性和用途低合金结构钢主要用途低合金结构钢主要用途合金结构钢的主要用途上海宝山钢铁厂热、冷轧钢板、钢带牌号及用途注：因宝钢引进国际八十年代先进工艺技术和装备，因此产品也采用日本、德国及其他国外先进标准制订宝钢企业标准，现将其冷、热轧钢板及钢带的牌号及用途专编如下：牌号钢种及用途StW22 适用于冷成型加工零件的热连轧钢板和钢带。

StW23 适用于冷成型加工零件的热连轧钢板和钢带。

StW24SPHC 适用于冷成型加工零件的热连轧钢板和钢带。

SPHD 适用于冷成型加工零件的热连轧钢板和钢带。

SPHE 适用于冷成型加工零件的热连轧钢板和钢带。

SS34 SS41 一般结构用热连轧钢板和钢带。

SS55 SS50 一般结构用热连轧钢板和钢带。

St37-2 RSt37-2 一般结构用热连轧钢板和钢带。

100720awg与101520awg的规格

UL1015
UL1015电子线
正规线材导体规格：
UL 1015电子线为电器设备内部连线，目前，在生产UL1015电子线领域，国内较为出名的有东莞胜牌电线（前身为承兴电线CHENGXING E249743）以及新亚电线，国外品牌的有住友电线，日立电线等。通用标称是以AWG（American Wire Gauge）为单位，常用正规线材的线径规格见下表：
UL Style
&
CSA Type
导体
Conductor
绝缘导体
Lnsulation
Thickness
完成外径
Overall
Dimeter
标准长度
Stand Put-up
导体电阻
Conductor
Resistance at20℃
线号
线数/线径
公制
AWG
NO/mm
mm
mm
M/coil
Ω/km
28
7/0.127
包含绝缘层，导体两部分，外被为PVC绝缘层，PVC中文全名为聚氯乙烯；内部导体按正常标准应分裸铜和镀锡铜两种。
产品要求：
额定温度：105°C，额定电压：600V，必须通过UL VW-1及CSA Ft1垂直耐燃测试，绝缘厚度均匀。
UL1007
UL1007电子线
正规线材导体规格：
UL 1007电子线为电器设备内部连线，目前，在生产UL1007电子线领域，国内较为出名的有东莞胜牌电线电缆有限公司（前身为承兴电线CHENGXING E249743）以及新亚电线，国外品牌的有住友电线，日立电线等。通用标称是以AWG（American Wire Gauge）为单位，常用正规线材的线径规格见下表：
型号线规线数/线径外径绝缘厚度导线外径

高碳钢丝规格

高碳钢丝规格
高碳钢丝是由高质量碳素钢制成，具有高硬度、高强度和耐磨性能突出的特点。

它被广泛应用于建筑、冶金、汽车、交通、工程机械等领域。

高碳钢丝的规格主要包括直径、拉力和弯曲性能。

直径通常为
0.15mm~10mm，拉力在800MPa~3000MPa之间，弯曲性能可按客户需求进行调整。

其中，0.15mm~0.8mm的细丝用于制作钢丝绳、铜线、橡胶管和滤网等；1mm~8mm的中粗丝广泛应用于电力传输、无线电通讯、起重运输和冶金工业等；10mm以上的粗丝常用于桥梁、船舶、高层建筑及其他机械设备的建造。

在使用高碳钢丝过程中，需要注意以下几点：
1. 保持干燥。

高碳钢丝易吸湿，因此要保持干燥，避免在潮湿环境下使用。

2. 避免过度拉伸。

高碳钢丝对拉伸有一定的限制，过度拉伸会使其失去弹性和强度。

3. 维护。

注意高碳钢丝的定期润滑和清洗，及时更换老化、损坏的部件。

4. 注意安全。

在使用高碳钢丝时，要戴防护手套和护目镜，避免碰撞和扭曲造成危险。

总之，高碳钢丝是一种高质量的建筑材料，其规格和使用要注意以上几点，方能保证其高效、安全、可持续地使用。

1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。

Notes:1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature2. L =3.5mH, I AS = 9.5A, V DD = 50V, R G = 25 Ω, Starting T J = 25°C 3. I SD ≤ 9.5A, di/dt ≤ 300A/µs, V DD ≤ BV DSS, Starting T J = 25°C4. Pulse Test : Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤2%5. Essentially independent of operating temperatureV GS(th)Gate Threshold Voltage V DS = V GS , I D = 250 µA 2.0-- 4.0V R DS(on)Static Drain-Source On-ResistanceV GS = 10 V, I D = 4.75 A--0.290.36Ωg FSForward TransconductanceV DS = 40 V, I D = 4.75 A (Note 4)-- 5.5--SDynamic CharacteristicsC iss Input Capacitance V DS = 25 V, V GS = 0 V, f = 1.0 MHz--395510pF C oss Output Capacitance--97125pF C rssReverse Transfer Capacitance--40.553pFSwitching Characteristicst d(on)Turn-On Delay Time V DD = 100 V, I D = 9.5 A,R G = 25 Ω(Note 4, 5)--1130ns t r Turn-On Rise Time --92190ns t d(off)Turn-Off Delay Time --70150ns t f Turn-Off Fall Time --72160ns Q g Total Gate Charge V DS = 160 V, I D = 9.5 A,V GS = 10 V(Note 4, 5)--2026nC Q gs Gate-Source Charge -- 3.1--nC Q gdGate-Drain Charge--10.5--nCDrain-Source Diode Characteristics and Maximum RatingsI S Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current ----9.5A I SM Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current----38A V SD Drain-Source Diode Forward Voltage V GS = 0 V, I S = 9.5 A ---- 1.5V t rr Reverse Recovery Time V GS = 0 V, I S = 9.5 A,dI F / dt = 100 A/µs (Note 4)--158--ns Q rrReverse Recovery Charge--0.97--µCFQP10N20C/FQPF10N20CDISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body,or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user.2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of TermsDatasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationFormative or In Design This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.PreliminaryFirst ProductionThis datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.No Identification Needed Full ProductionThis datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.Obsolete Not In ProductionThis datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor.The datasheet is printed for reference information only.TRADEMARKSThe following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.FACT™FACT Quiet series™FAST ®FASTr™FRFET™GlobalOptoisolator™GTO™HiSeC™I 2C™ImpliedDisconnect™ISOPLANAR™LittleFET™MicroFET™MicroPak™MICROWIRE™MSX™MSXPro™OCX™OCXPro™OPTOLOGIC ®OPTOPLANAR™PACMAN™POP™Power247™PowerTrench ®QFET™QS™QT Optoelectronics™Quiet Series™RapidConfigure™RapidConnect™SILENT SWITCHER ®SMART START™SPM™Stealth™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8SyncFET™TinyLogic ®TruTranslation™UHC™UltraFET ®VCX™ACEx™ActiveArray™Bottomless™CoolFET™CROSSVOLT ™DOME™EcoSPARK™E 2CMOS™EnSigna™Across the board. Around the world.™The Power Franchise™Programmable Active Droop™。