32F1电源图纸

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TCL-L32F1510B(MS28ET)

TCL-L32F1510B(MS28ET)

LOGO 5VAIN
KEY
KEY_IN
1 +3_3VSTB
B
DIM_OUT R172 33K R173 1K NC C159 NC 2U2 DGND DGND DGND DGND R184 0R NC DIM_DC DIM_DC T F2 C156 0.1U
C157 1000P R165/C157 CLOSE TO IC
DESIGNATION
TCL Thomson Electronics Singapore Pte. Ltd. 8 Jurong Hall Road #28-01/06 The JTC Summit SINGAPORE 609434 Tel (65) 63092900 Fax (65) 63092999 DRAWN ON: BY:
8 7 6 5 R109 68K
L105 4.7UH
DGK9 C116 330P 220U 16V
C195 10U
C172 10U
C173 0.1U
G
NC
TPS54331 U100 f=570KHz
AO4822A Q105
C105 3300P
10R R113
DGND R115 680R
C154 0.1U U107 AS1117-2.5
VIN 3 4 4
GND/ADJ1
16 VIN3
15 EN
14 PWRGD
13 BOOT
C136 0.1U PH3 PH2 PH1 12 11 10 9 C137 10N DGND DGND L106 1UH 22U C142 0.1U 22U C197 10U C188 C140
C203 0.1U DGND DGND

开关电源各模块原理实图讲解

开关电源各模块原理实图讲解

开关电源原理一、开关电源的电路组成:开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器(EMI)、整流滤波电路、功率变换电路、PWMFDG1组成的电路进行保护。

当加在压敏电阻两端的电压超过其工作电压时,其阻值降低,使高压能量消耗在压敏电阻上,若电流过大,F1、F2、F3会烧毁保护后级电路。

②输入滤波电路:C1、L1、C2、C3组成的双π型滤波网络主要是对输入电源的电磁噪声及杂波信号进行抑制,防止对电源干扰,同时也防止电源本身产生的高频杂波对电网干扰。

当电源开启瞬间,要对C5充电,由于瞬间电流大,加RT1(热敏电阻)就能有效的防止浪涌电流。

因瞬时能量全消耗在RT1电阻上,一定时间后温度升高后RT1阻值减小(RT1是负温系数元件),这时它消耗的能量非常小,后级电路可正常工作。

③整流滤波电路:交流电压经BRG1整流后,经C5滤波后得到较为纯净的直流电压。

若C5容量变小,输出的交流纹波将增大。

通。

如果C8漏电或后级电路短路现象,在起机的瞬间电流在RT1上产生的压降增大,Q1导通使Q2没有栅极电压不导通,RT1将会在很短的时间烧毁,以保护后级电路。

三、 功率变换电路:1、MOS 管的工作原理:目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET (MOS 管),是利用半导体表面的电声效应进行工作的。

也称为表面场效应器件。

由于它的栅极处于不导电状态,所以输入电阻可以大大提高,最高可达105欧姆,MOS 管是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。

2、常见的原理图:3、工作原理:R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2组成缓冲器,和开关MOS 管并接,使开关管电压应力减少,EMI 减少,不发生二次击穿。

在开关管Q1关断时,变压器的原边线圈易产生尖峰电压和尖峰电流,这些元件组合一起,能很好地吸收尖峰电压和电流。

从R3测得的电流峰值信号参与当前工作周波的占空比控制,因此是当前工作周波的电流限制。

32寸LG.PHILIPS 屏电源原理与维修

32寸LG.PHILIPS 屏电源原理与维修
2、电流模式控制.
每次开关周期的电流检测,以防止初级过电流引起开关变压器的磁芯饱和而烧毁器件。
3、临界模式、准谐振工作.
所谓临界是指在任何输入、输出条件下,电源变换器都不会进入电流连续模式.它的实现是通过辅助绕组来检测过零电压, 这样确保开关变压器的磁芯完全复位;通过附加响应延迟电路,再重新开启MOSFET管,此时MOSFET是在最小电压下开通,称此种开关方式为准谐振工作.在这种工作方式中,因MOSFE管是在最小电压下开通,在应用中减小了开关损耗的同时也减小了电磁干扰.
过压保护电路在正常状态时,Q121截止,其C极高电位。当出现交流电压过高、TP6取样电压超过8V时,其通过D122和C124整理滤波电压将超过8.2V,此时ZD121齐纳击穿,Q121饱和导通,D124接着导通(这时D121也同时导通,下面PFC电源保护部分将描述),U121 R极电压被钳位至2V左右,K、A开路,PC151截止,和上述欠压状态一样电源进入保护状态。
U601(1)脚是PFC电压取样输入端,稳定输入电压、(2)脚是取样放大输出滤波、(3)脚是功率因素乘法器输入电压采样端、(4)脚是过流保护检测端口。
【五、VS电源】
VS电路由IC802/ NCP1207、Q801、Q803、T801、U851和PC801、D851、C860等组成。
接到Vs_on开机指令,CPU(20)脚由高电平跳变为低电平,光藕PC802导通,Q804截止,释放对IC802/ NCP1207(2)脚FB的对地短路控制,(5)脚输出PWM驱动信号,Q801、Q803和T801投入工作,VS电源启动,U851、PC801构成稳压取样反馈。
4、PFC电源过压欠压保护:PFC电压通过R146、R145、R126、R127、R136、R128、R130组成分压电路,在上面选择两个位置作为保护电压取样点,其中R128和R130接点是欠压保护取样点,正常电压是2.6V,R136和R128是过压保护取样点,正常电压是11.6V。

数控车床电路图纸

数控车床电路图纸

比 例
数控车床电气原理图
批 准




D-3
NC接口
CN6
P4
P1
P17 P18
P5
P13 P6 P14 P8 P21
P9
P15 P22
P10
T4
P3
T5 T6 O1 O2 O3 TO O4 O5
P16
P23
P11
P24
T1
T2
T3
O6
O7
08
KA1
KA3
KA5
KA7
刀架接口
SB0
KA2
KA4
KA6
倪惠明 2003年1月
审 核 工 艺
标准化
阶 段 标 记
重 量
比 例
数控车床电气原理图
批 准




D-5
X轴伺服联接
R S T r t G U V W U V W
R
S
T
伺 服 电 G 机
CNC
23 37 4 6 B` C C` +24 SG
SG
பைடு நூலகம்1 A A` B
伺 服 驱 动 器 X
2 4 5 6 9 12 13 14 8 30 3 5 7 21 20
一拖装备公司精密制造车间
倪惠明 2003年1月
审 核 工 艺
标准化
阶 段 标 记
重 量
比 例
数控车床电气原理图
批 准




D-7
5
KM2
10 13
KM1
KM1
KM5
KM4
19
4

TCL王牌40-IPL32L-PWH1XG电源板图纸

TCL王牌40-IPL32L-PWH1XG电源板图纸
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
背光亮一下就保护
总部技改(QS1 取消,RS48,RS58 改为10K,DS2 更换) RS48,RS58实际3.5K
背光亮一下就保护
原因与分析:背光亮一下就保护以前都是电源背光板有问题引起, 服务商把板返后台维修时发现电源背光板上的QS1已经损坏,将此 板按总部的技改(QS1 取消,RS48,RS58 改为10K,DS2 更换) 后试机,故障排除,将板发给服务商去安装时服务商打电话过来 说故障没有排除,因此机型由于电源板有问题可能导致把屏的灯管 损坏,我告诉他可能是屏坏了,于是他们把整机返后台维修,在维 修过程中,先用电源背光板强行开机(BL-ON/OFF,DIM 直接3.3V) 能正常点亮,说明屏的灯管没有问题,再断开接数字板试机时,背 光亮一下就保护,在背光保护时测数字板上的DIM 电压时发现只有 0.56V,正常在2-3V,关机测该脚的对地正反电阻,只有几十欧了, 然后对着图纸查,DIM 控制电压由主芯片U501 的76 脚输出经R178, R137送到P100 的第11 脚去控制电源背光板上的高压振动OZ99760, 断开R178 测U501 的76 脚时,该脚阻值还是几十欧,更换U501 (MSTM181VS)后试机,故障排除,修此机型的数字板上的DIM 脚对 地阻值变小的有十几块。

STM32F1与STM32F2之间的兼容性

STM32F1与STM32F2之间的兼容性

QFP64 STM32F20x F10x
5 6 31 47
F20x
5 6 31 47
3
PH0 - OSC_IN PH1 - OSC_OUT VCAP1 VCAP2
LQFP100封装兼容板
对于STM32F1芯片,零欧 姆电阻连到VSS 对于STM32F2芯片,零欧 姆电阻连到VDD 直接接地即可 对于STM32F1芯片,这里放置零欧姆电 阻或者焊接桥接通; 对于STM32F2芯片,这里直接断开即可
2
12 31 31 47 47 63 63
20 49 73 74 99
LQFP64封装兼容板
对于STM32F1芯片,这里放置零欧姆电阻或 者焊接桥接通 对于STM32F2芯片,这里直接断开即可
引脚名称 STM32F10x
PD0 - OSC_IN PD1 - OSC_OUT VSS_1 VSS_2
STM32F10x系列
工作电压 2.0V ~ 3.6V
STM32F2xx系列
1.8V(1.65V) ~ 3.6V
CPU最高工作频率
片上SRAM容量 片上闪存容量 外部存储器接口(FSMC) 备份SRAM
72MHz
高达96K字节 高达1M字节 100引脚及以上封装有 无
120MHz
高达128K字节 高达1M字节 100引脚及以上封装有 有4K字节
引脚名称 STM32F10x
PD0 - OSC_IN
PD1 - OSC_OUT VSSA VSS_1 VSS_3
QFP100 STM32F20x F10x
12
13 19 49 99
F20x
12
13 19 49 99
4
PH0 - OSC_IN

32寸康佳液晶电视EEFL高压电源板电路原理图纸

32寸康佳液晶电视EEFL高压电源板电路原理图纸

2
1
D751 BAV70 2
1 2 3
R751
3 1
10 2
D
R752 T751 DRV1 C709 100n/50V DRV2 10K
R753 10
Q751 18NK50
华升---全国液晶电视维修行业全能核心技术提供商: www.hslcd.com
ZCS
C781 472
R787 CON2_0 3k
D
7 3 8
IS1 R780 91 R781 R783 91 C782 12p,6kv VCS2 C783 472 IS2 R792 10K 91 R782 91
R784 100
4
6 5 8
D752 BAV70 22 R754
R785 NC XS782 D709
2 3 1
Q752 18NK50 C752 2.2N/450v
TW901 EER28L
3
DW951 MBR20100
+12.2V
1
LW902 FB
12 11 10 2 4 9 8 7
6
1
1 2 3
DW952 MBR20100 CW953 1000u/25V
CW955 1000u/25V
VST
4 2 1
DW905 CW904 473 2
FB
Drain
1
CW907 221
DF904
2
RF910 390K RF911 20K UF901
3 1
BAV70
RF907 22R/1206
2 1
3
2
820k/1W
3
B
COMP ZCD MOT GND

海尔平板电视P32R1电源板原理与维修

海尔平板电视P32R1电源板原理与维修

海尔平板电视P32R1电源板原理与维修一、P32R1电源介绍海尔2008年推出的P32R1等离子电视,分辨率1024*720,32寸LG模组使用的电源,与早期三星模组使用电源相比:输出电压不同,原理基本相同,此电源主要由待机STB_5V形成电路,功率因素校正电路,VS、VA电压形成电路,5V、9V、16V电压形成电路、CPU电路及保护电路等组成。

二、P32R1电源外观图:1、电源板正面图片,如图一所示:2、电源板反面图片,如图二所示:三、P32R1电源原理介绍:1、方框图2、EMI滤波电路EMI滤波器又称电磁干扰滤波器,它滤除电网输入设备的干扰和电子设备产生的噪声返回电网。

从噪声特点来看,噪声干扰分为差模干扰和共模干扰两种。

差模干扰是两条电源线之间的噪声;共模干扰则是两条电源线对地的噪声。

因此,EMI滤波器应对差模干扰和共模干扰都有滤波作用。

P32R1机器的EMI滤波电路是由C101、F101、C105、C104、LF102组成双π型滤波网络,滤除电网或电自身产生的对称干扰信号。

在共模干扰时,干扰电路在共模线圈内产生的磁通相反,对共模信号产生抑制作用。

而对差模干扰并没有抑制作用。

EMI滤波电路图如下:3、待机开关电源电路这部分电路使用的开关集成电路为IC151(NCP1271),它是安森美新一代固定频率PWM电流模式的发激振荡器。

该器件集成高压启动软跳过模式,实现了较低的待机功耗。

从图一可以看出,IC151(NCP1271)第6脚(VCC)是VCC供电脚,第8脚(HV)是启动电路。

当300V电压经R152,送到IC151第8脚内部高压恒流源电路向IC151第6脚外接电路C154充电。

当C154充电电压逐渐升高至5.8V时内部振荡器开始工作,从IC151第5脚(DRV)输出PWM驱动脉冲,经灌流电路R154、R156、D151加到场效应管Q151,使Q151导通,300V不稳定直流电压经T201的第6、7脚绕阻,场效应Q151的漏极(D)/源极(S)及R158到地,使T201第6、7脚绕阻储存能量;当场效应Q151截止时,T201第6、7脚绕阻储存的磁能经次级绕阻感应放电,次级绕阻感应产生的脉冲经整流输出不同的直流电压。

stm32f10x参考手册

stm32f10x参考手册

STM32F10x参考手册第一版STM32F10x参考手册1文档中的约定 (1)1.1寄存器描述中使用的缩写列表 (1)2存储器和总线构架 (2)2.1系统构架 (2)2.2存储器组织 (3)2.3存储器映像 (4)2.3.1外设存储器映像 (5)2.3.2嵌入式SRAM (6)2.3.3位段 (6)2.3.4嵌入式闪存 (6)2.4启动配置 (8)3电源控制(PWR) (9)3.1电源 (9)3.1.1独立的A/D转换器供电和参考电压 (9)3.1.2电池备份 (9)3.1.3电压调节器 (10)3.2电源管理器 (10)3.2.1上电复位(POR)和掉电复位(PDR) (10)3.2.2可编程电压监测器(PVD) (10)3.3低功耗模式 (11)3.3.1降低系统时钟 (12)3.3.2外部时钟的控制 (12)3.3.3睡眠模式 (12)3.3.4停止模式 (13)3.3.5待机模式 (14)3.3.6低功耗模式下的自动唤醒(AWU) (15)3.4电源控制寄存器 (16)3.4.1电源控制寄存器(PWR_CR) (16)3.4.2电源控制/状态寄存器 (17)3.5PWR寄存器映像 (18)4复位和时钟控制 (19)4.1复位 (19)4.1.1系统复位 (19)4.1.2电源复位 (19)4.2时钟 (20)4.2.1HSE时钟 (22)4.2.2HSI时钟 (22)4.2.3PLL (23)4.2.4LSE时钟 (23)4.2.5LSI时钟 (23)4.2.6系统时钟(SYSCLK)选择 (24)4.2.7时钟安全系统(CSS) (24)4.2.8RTC时钟 (24)4.2.9看门狗时钟 (24)4.2.10时钟输出 (25)4.3RCC寄存器描述 (26)4.3.1时钟控制寄存器(RCC_CR) (26)4.3.2时钟配置寄存器(RCC_CFGR) (27)4.3.3时钟中断寄存器 (RCC_CIR) (29)4.3.4APB2外设复位寄存器 (RCC_APB2RSTR) (32)4.3.5APB1外设复位寄存器 (RCC_APB1RSTR) (33)4.3.6AHB外设时钟使能寄存器 (RCC_AHBENR) (35)4.3.7APB2外设时钟使能寄存器(RCC_APB2ENR) (36)4.3.8APB1外设时钟使能寄存器(RCC_APB1ENR) (37)4.3.9备份域控制寄存器 (RCC_BDCR) (39)4.3.10控制/状态寄存器 (RCC_CSR) (40)4.4RCC寄存器映像 (43)5通用和复用功能I/O(GPIO和AFIO) (44)5.1GPIO功能描述 (44)5.1.1通用I/O(GPIO) (45)5.1.2单独的位设置或位清除 (45)5.1.3外部中断/唤醒线 (46)5.1.4复用功能(AF) (46)5.1.5软件重新映射I/O复用功能 (46)5.1.6GPIO锁定机制 (46)5.1.7输入配置 (46)5.1.8输出配置 (47)5.1.9复用功能配置 (48)5.2GPIO寄存器描述 (50)5.2.1端口配置低寄存器(GPIOx_CRL) (x=A..E) (50)5.2.2端口配置高寄存器(GPIOx_CRH) (x=A..E) (51)5.2.3端口输入数据寄存器(GPIOx_IDR) (x=A..E) (52)5.2.4端口输出数据寄存器(GPIOx_ODR) (x=A..E) (52)5.2.5端口位设置/复位寄存器(GPIOx_BSRR) (x=A..E) (53)5.2.6端口位复位寄存器(GPIOx_BRR) (x=A..E) (53)5.2.7端口配置锁定寄存器(GPIOx_LCKR) (x=A..E) (54)5.3复用功能I/O和调试配置(AFIO) (55)5.3.1把OSC_IN/OSC_OUT引脚作为GPIO端口PD0/PD1 (55)5.3.2BXCAN复用功能重映射 (55)5.3.3JTAG/SWD复用功能重映射 (55)5.3.4定时器复用功能重映射 (56)5.3.5USART复用功能重映射 (57)5.3.6I2C 1 复用功能重映射 (58)5.3.7SPI 1复用功能重映射 (58)5.4AFIO寄存器描述 (59)5.4.1复用重映射和调试I/O配置寄存器(AFIO_MAPR) (60)5.4.2外部中断配置寄存器1(AFIO_EXTICR1) (62)5.4.3外部中断配置寄存器2(AFIO_EXTICR2) (62)5.4.4外部中断配置寄存器3(AFIO_EXTICR3) (63)5.4.5外部中断配置寄存器4(AFIO_EXTICR4) (63)5.5GPIO 和AFIO寄存器地址映象 (64)5.5.1GPIO寄存器地址映象 (64)5.5.2AFIO寄存器地址映象 (65)6中断和事件 (66)6.1嵌套向量中断控制器(NVIC) (66)6.1.1系统嘀嗒(SysTick)校准值寄存器 (66)6.1.2中断和异常向量 (66)6.2外部中断/事件控制器(EXTI) (68)6.2.1主要特性 (68)6.2.2框图 (69)6.2.3唤醒事件管理 (69)6.2.4功能说明 (69)6.2.5外部中断/事件线路映像 (71)6.3EXTI 寄存器描述 (72)6.3.1外部中断/事件寄存器映像 (75)7DMA 控制器(DMA) (76)7.1简介 (76)7.2主要特性 (76)7.3功能描述 (77)7.3.1DMA处理 (77)7.3.2仲裁器 (77)7.3.3DMA 通道 (78)7.3.4错误管理 (79)7.3.5DMA请求映像 (79)7.4DMA寄存器 (82)7.4.1DMA中断状态寄存器(DMA_ISR) (82)7.4.2DMA中断标志清除寄存器(DMA_IFCR) (82)7.4.3DMA通道x配置寄存器(DMA_CCRx)(x = 1...7).. (83)7.4.4DMA通道x传输数量寄存器(DMA_CNDTRx)(x = 1...7) (85)7.4.5DMA通道x外设地址寄存器(DMA_CPARx)(x = 1...7).. (85)7.4.6DMA通道x存储器地址寄存器(DMA_CPARx)(x = 1...7).. (85)7.5DMA寄存器映像 (86)8实时时钟(RTC) (88)8.1简介 (88)8.2主要特性 (88)8.3功能描述 (88)8.3.1概述 (88)8.3.2复位过程 (90)8.3.3读RTC寄存器 (90)8.3.4配置RTC寄存器 (90)8.3.5RTC标志的设置 (90)8.4RTC寄存器描述 (91)8.4.1RTC控制寄存器高位(RTC_CRH) (91)8.4.2RTC控制寄存器低位(RTC_CRL) (92)8.4.3RTC预分频装载寄存器(RTC_PRLH/RTC_PRLL) (93)8.4.4RTC预分频分频因子寄存器(RTC_DIVH / RTC_DIVL) (94)8.4.5RTC计数器寄存器 (RTC_CNTH / RTC_CNTL) (95)8.4.6RTC闹钟寄存器(RTC_ALRH/RTC_ALRL) (95)8.5RTC寄存器映像 (97)9备份寄存器(BKP) (98)9.1简介 (98)9.2特性 (98)9.3侵入检测 (98)9.4RTC校准 (98)9.5BKP寄存器描述 (99)9.5.1备份数据寄存器x(BKP_DRx) (x = 1 ... 10) (99)9.5.2RTC时钟校准寄存器(BKP_RTCCR) (99)9.5.3备份控制寄存器(BKP_CR) (99)9.5.4备份控制/状态寄存器(BKP_CSR) (100)9.6BKP寄存器映像 (101)10独立看门狗(IWDG) (103)10.1简介 (103)10.1.1硬件看门狗 (103)10.1.2寄存器访问保护 (103)10.1.3调试模式 (104)10.2IWDG寄存器描述 (104)10.2.1键寄存器(IWDG_KR) (104)10.2.2预分频寄存器(IWDG_PR) (105)10.2.3重装载寄存器(IWDG_RLR) (106)10.2.4状态寄存器(IWDG_SR) (106)10.3IWDG寄存器映像 (107)11窗口看门狗(WWDG) (108)11.1简介 (108)11.2主要特性 (108)11.3功能描述 (108)11.4如何编写看门狗超时程序 (109)11.5调试模式 (110)11.6寄存器描述 (111)11.6.1控制寄存器(WWDG_CR) (111)11.6.2配置寄存器(WWDG_CFR) (111)11.6.3状态寄存器(WWDG_SR) (112)11.7WWDG寄存器映像 (113)12高级控制定时器(TIM1) (114)12.1简介 (114)12.2主要特性 (114)12.3框图 (115)12.4功能描述 (116)12.4.1时基单元 (116)12.4.2计数器模式 (117)12.4.3重复向下计数器 (125)12.4.4时钟选择 (126)12.4.5捕获/比较通道 (129)12.4.6输入捕获模式 (131)12.4.7PWM输入模式 (132)12.4.8强置输出模式 (132)12.4.9输出比较模式 (133)12.4.10PWM 模式 (134)12.4.11互补输出和死区插入 (136)12.4.12使用刹车功能 (138)12.4.13在外部事件时清除OCxREF信号 (139)12.4.14六步PWM的产生 (140)12.4.15单脉冲模式 (141)12.4.16编码器接口模式 (143)12.4.17定时器输入异或功能 (144)12.4.18与霍尔元件的接口 (145)12.4.19定时器和外部触发的同步 (146)12.4.20定时器同步 (149)12.4.21调试模式 (149)12.5TIM1寄存器描述 (150)12.5.1控制寄存器1(TIM1_CR1) (150)12.5.2控制寄存器2(TIM1_CR2) (151)12.5.3从模式控制寄存器(TIM1_SMCR) (153)12.5.4DMA/中断使能寄存器(TIM1_DIER) (154)12.5.5状态寄存器(TIM1_SR) (156)12.5.6事件产生寄存器(TIM1_EGR) (157)12.5.7捕获/比较模式寄存器1(TIM1_CCMR1) (158)12.5.8捕获/比较模式寄存器2(TIM1_CCMR2) (161)12.5.10计数器(TIM1_CNT) (165)12.5.11预分频器(TIM1_PSC) (165)12.5.12自动重装载寄存器(TIM1_ARR) (165)12.5.13周期计数寄存器(TIM1_RCR) (166)12.5.14捕获/比较寄存器1(TIM1_CCR1) (166)12.5.15捕获/比较寄存器2(TIM1_CCR2) (167)12.5.16捕获/比较寄存器3(TIM1_CCR3) (167)12.5.17捕获/比较寄存器(TIM1_CCR4) (168)12.5.18刹车和死区寄存器(TIM1_BDTR) (168)12.5.19DMA控制寄存器(TIM1_DCR) (170)12.5.20连续模式的DMA地址(TIM1_DMAR) (170)12.6TIM1寄存器图 (171)13通用定时器(TIMx) (173)13.1概述 (173)13.2主要特性 (173)13.3框图 (174)13.4功能描述 (175)13.4.1时基单元 (175)13.4.2计数器模式 (176)13.4.3时钟选择 (183)13.4.4捕获/比较通道 (185)13.4.5输入捕获模式 (187)13.4.6PWM输入模式 (187)13.4.7强置输出模式 (188)13.4.8输出比较模式 (188)13.4.9PWM 模式 (189)13.4.10单脉冲模式 (191)13.4.11在外部事件时清除OCxREF信号 (193)13.4.12编码器接口模式 (193)13.4.13定时器输入异或功能 (195)13.4.14定时器和外部触发的同步 (195)13.4.15定时器同步 (198)13.4.16调试模式 (202)13.5TIMx寄存器描述 (203)13.5.2控制寄存器2(TIMx_CR2) (205)13.5.3从模式控制寄存器(TIMx_SMCR) (206)13.5.4DMA/中断使能寄存器(TIMx_DIER) (207)13.5.5状态寄存器(TIMx_SR) (209)13.5.6事件产生寄存器(TIMx_EGR) (211)13.5.7捕获/比较模式寄存器1(TIMx_CCMR1) (212)13.5.8捕获/比较模式寄存器2(TIMx_CCMR2) (215)13.5.9捕获/比较使能寄存器(TIMx_CCER) (216)13.5.10计数器(TIMx_CNT) (218)13.5.11预分频器(TIMx_PSC) (218)13.5.12自动重装载寄存器(TIMx_ARR) (218)13.5.13捕获/比较寄存器1(TIMx_CCR1) (219)13.5.14捕获/比较寄存器2(TIMx_CCR2) (220)13.5.15捕获/比较寄存器3(TIMx_CCR3) (220)13.5.16捕获/比较寄存器(TIMx_CCR4) (221)13.5.17DMA控制寄存器(TIMx_DCR) (221)13.5.18连续模式的DMA地址(TIMx_DMAR) (222)13.6TIMx寄存器图 (223)14控制器局域网(bxCAN) (225)14.1简介 (225)14.2主要特点 (225)14.3总体描述 (225)14.3.1CAN 2.0B内核 (226)14.3.2控制、状态和配置寄存器 (226)14.3.3发送邮箱 (226)14.3.4接收过滤器 (226)14.3.5接收FIFO (227)14.4工作模式 (228)14.4.1初始化模式 (228)14.4.2正常模式 (228)14.4.3睡眠模式(低功耗) (228)14.4.4测试模式 (229)14.4.5静默模式 (229)14.4.6环回模式 (229)14.4.7环回静默模式 (230)14.5功能描述 (230)14.5.1发送处理 (230)14.5.2时间触发通信模式 (232)14.5.3接收管理 (232)14.5.4标识符过滤 (234)14.5.5报文存储 (238)14.5.6出错管理 (239)14.5.7位时间特性 (239)14.6中断 (241)14.7寄存器访问保护 (243)14.8CAN 寄存器描述 (243)14.8.1控制和状态寄存器 (243)14.8.2邮箱寄存器 (255)14.8.3CAN过滤器寄存器 (260)14.9bxCAN寄存器列表 (264)15I2C接口 (267)15.1介绍 (267)15.2主要特点 (267)15.3概述 (268)15.4功能描述 (269)15.4.1I2C从模式 (269)15.4.2I2C主模式 (271)15.4.3错误条件 (274)15.4.4SDA/SCL线控制 (275)15.4.5SMBus (275)15.4.6DMA请求 (277)15.4.7包错误校验(PEC) (278)15.5中断请求 (279)15.6I2C寄存器描述 (281)15.6.1控制寄存器1(I2C_CR1) (281)15.6.2控制寄存器2(I2C_CR2) (283)15.6.3自身地址寄存器1 (I2C_OAR1) (284)15.6.4自身地址寄存器2(I2C_OAR2) (285)15.6.5数据寄存器(I2C_DR) (285)15.6.6状态寄存器1(I2C_SR1) (285)15.6.7状态寄存器2 (I2C_SR2) (288)15.6.8时钟控制寄存器(I2C_CCR) (289)15.6.9TRISE寄存器(I2C_TRISE) (290)15.7I2C寄存器地址映象 (291)16串行外设接口(SPI) (292)16.1简介 (292)16.2主要特征 (292)16.3功能描述 (292)16.3.1概述 (292)16.3.2SPI从模式 (295)16.3.3SPI主模式 (296)16.3.4单向通信 (297)16.3.5状态标志 (297)16.3.6CRC计算 (298)16.3.7利用DMA的SPI通信 (299)16.3.8错误标志 (299)16.3.9中断 (300)16.4SPI寄存器描述 (300)16.4.1SPI控制寄存器1(SPI_CR1) (300)16.4.2SPI控制寄存器2(SPI_CR2) (302)16.4.3SPI 状态寄存器(SPI_SR) (303)16.4.4SPI 数据寄存器(SPI_DR) (304)16.4.5SPI CRC多项式寄存器(SPI_CRCPR) (304)16.4.6SPI Rx CRC寄存器(SPI_RXCRCR) (305)16.4.7SPI Tx CRC寄存器(SPI_TXCRCR) (305)16.5SPI 寄存器地址映象 (306)17USART收发器(USART) (307)17.1介绍 (307)17.2概述 (308)17.2.1框图 (309)17.2.2USART 特征描述 (310)17.2.3发送器 (310)17.2.4接收器 (312)17.2.5分数波特率的产生 (315)17.2.617.2.6 多处理器通信 (316)17.2.7校验控制 (317)17.2.8LIN(局域互联网)模式 (318)17.2.9USART 同步模式 (320)17.2.10单线半双工通信 (322)17.2.11智能卡 (322)17.2.12IrDA SIR ENDEC 功能块 (324)17.2.13利用DMA连续通信 (325)17.2.14硬件流控制 (326)17.3中断请求 (327)17.4USART寄存器描述 (329)17.4.1状态寄存器(USART_SR) (329)17.4.2数据寄存器(USART_DR) (330)17.4.3波特比率寄存器(USART_BRR) (331)17.4.4控制寄存器1 (USART_CR1) (331)17.4.5控制寄存器2(USART_CR2) (333)17.4.6控制寄存器3(USART_CR3) (335)17.4.7保护时间和预分频寄存器(USART_GTPR) (336)17.5USART寄存器地址映象 (338)18USB全速设备接口(USB) (339)18.1导言 (339)18.2主要特征 (339)18.3方框图 (339)18.4功能描述 (340)18.4.1USB功能模块描述 (341)18.5编程中需要考虑的问题 (342)18.5.1通用USB设备编程 (342)18.5.2系统复位和上电复位 (342)18.5.3双缓冲端点 (346)18.5.4同步传输 (347)18.5.5挂起/恢复事件 (348)18.6USB寄存器描述 (350)18.6.1通用寄存器 (350)18.6.2端点寄存器 (355)18.6.3缓冲区描述表 (358)18.7USB寄存器映像 (361)19模拟/数字转换(ADC) (363)19.1介绍 (363)19.2主要特征 (363)19.3引脚描述 (365)19.4功能描述 (365)19.4.1ADC开关控制 (365)19.4.2ADC时钟 (365)19.4.3通道选择 (365)19.4.4单次转换模式 (366)19.4.5连续转换模式 (366)19.4.6时序图 (367)19.4.7模拟看门狗 (368)19.4.8扫描模式 (368)19.4.9注入通道管理 (369)19.4.10间断模式 (369)19.5校准 (370)19.6数据对齐 (371)19.7可编程的通道采样时间 (371)19.8外部触发转换 (371)19.9DMA请求 (372)19.10双ADC模式 (372)19.10.1同时注入模式 (374)19.10.2同时规则模式 (374)19.10.3快速交替模式 (375)19.10.4慢速交替模式 (375)19.10.5交替触发模式 (376)19.10.6独立模式 (377)19.10.7混合的规则/注入同步模式 (377)19.10.8混合的同步规则+交替触发模式 (377)19.10.9混合同步注入+交替模式 (378)19.11温度传感器 (378)19.12中断 (379)19.13ADC寄存器描述 (381)19.13.1ADC状态寄存器(ADC_SR) (381)19.13.2ADC控制寄存器1(ADC_CR1) (382)19.13.3ADC控制寄存器2(ADC_CR2) (384)19.13.4ADC采样时间寄存器1(ADC_SMPR1) (387)19.13.5ADC采样时间寄存器2(ADC_SMPR2) (387)19.13.6ADC注入通道数据偏移寄存器x (ADC_JOFRx)(x=1..4) (388)19.13.7ADC看门狗高阀值寄存器(ADC_HTR) (388)19.13.8ADC看门狗低阀值寄存器(ADC_LRT) (388)19.13.9ADC规则序列寄存器1(ADC_SQR1) (390)19.13.10ADC规则序列寄存器2(ADC_SQR2) (390)19.13.11ADC规则序列寄存器3(ADC_SQR3) (391)19.13.12ADC注入序列寄存器(ADC_JSQR) (391)19.13.13ADC 注入数据寄存器x (ADC_JDRx) (x= 1..4) (392)19.13.14ADC规则数据寄存器(ADC_DR) (392)19.14ADC寄存器地址映像 (394)20调试支持(DBG) (396)20.1概况 (396)20.2ARM参考文献 (397)20.3SWJ调试端口(serial wire and JTAG) (397)20.3.1JTAG-DP和SW-DP切换的机制 (397)20.4引脚分布和调试端口脚 (398)20.4.1SWJ调试端口脚 (398)20.4.2灵活的SWJ-DP脚分配 (398)20.4.3JTAG脚上的内部上拉和下拉 (399)20.4.4利用串行接口并释放不用的调试脚作为普通I/O口 (400)20.5STM32F10x JTAG TAP 连接 (400)20.6ID 代码和锁定机制 (401)20.6.1MCU DEVICE ID编码 (401)20.6.2TMC TAP (401)20.6.3Cortex-M3 TAP (401)20.6.4Cortex-M3 JEDEC-106 ID代码 (401)20.7JTAG调试端口 (402)20.8SW调试端口 (403)20.8.1SW协议介绍 (403)20.8.2SW协议序列 (403)20.8.3SW-DP状态机(Reset, idle states, ID code) (404)20.8.4DP和AP读/写访问 (404)20.8.5SW-DP寄存器 (405)20.8.6SW-AP寄存器 (405)20.9对于JTAG-DP或SWDP都有效的AHB-AP (AHB 访问端口) (405)20.10内核调试 (406)20.11调试器主机在系统复位下的连接能力 (407)20.12FPB (Flash patch breakpoint) (407)20.13DWT(data watchpoint trigger) (407)20.14ITM (instrumentation trace macrocell) (408)20.14.1概述 (408)20.14.2时间戳包,同步和溢出包 (408)20.15MCU调试模块(MCUDBG) (409)20.15.1低功耗模式的调试支持 (409)20.15.2支持定时器和看门狗和bxCAN的调试 (409)20.15.3调试MCU配置寄存器 (410)20.16TPIU (trace port interface unit) (411)20.16.1导言 (411)20.16.2跟踪引脚分配 (412)20.16.3TPUI格式器 (414)20.16.4TPUI帧异步包 (414)20.16.5同步帧包的发送 (415)20.16.6同步模式 (415)20.16.7异步模式 (415)20.16.8TRACECLKIN在STM32F10x内部的连接 (415)20.16.9TPIU寄存器 (416)20.16.10配置的例子 (416)20.17DBG寄存器地址映象 (417)STM32F10x参考手册第一版文档中的约定1 文档中的约定1.1 寄存器描述中使用的缩写列表在对寄存器的描述中使用了下列缩写:read / write (rw) 软件能读写此位。

STM32F10x参考手册参考手册参考手册参考手册

STM32F10x参考手册参考手册参考手册参考手册
表表31低功耗模式低功耗模式一览一览表表低功耗模式低功耗模式一览一览对对18v18v区域区域对对vddvdd区域时区域时对对18v18v区域区域对对vddvdd区域时区域时模式模式进入操作进入操作唤醒唤醒电压调节器电压调节器模式模式进入操作进入操作唤醒唤醒电压调节器电压调节器时钟的影响时钟的影响钟的影响钟的影响时钟的影响时钟的影响钟的影响钟的影响睡眠wfi任一中断cpu时钟关对其sleepnow或他时钟和adc时钟开sleeponexitwfe唤醒事件无影响在低功耗模式下可pdds和lpds位任一外部中断在外部进行开关设置停机sleepdeep位wfi或wfe中断寄存器中设置所有使用18v的无依据电源控制寄存区域的时钟都已器pwrcr的设定关闭hsi和hsewkup引脚的上升沿pdds位的振荡器关闭rtc警告事件nrst引待机sleepdeep位关脚上的外部复位iwdgwfi或wfe复位762007stm32f10x参考手册参考手册第一版第一版电源控制电源控制pwr参考手册参考手册第一版第一版电源控制电源控制331降低系统时钟降低系统时钟降低系统时钟降低系统时钟在运行模式下通过对预分频器的寄存器进行编程可以降低任意一个系统时钟sysclkhclkpclk1pclk2的速度
进入停止模式
关于如何进入停止模式,详见表 3-4。 在停止模式下,通过设置电源控制寄存器(PWR_CR)的 LPDS 位使内部调节器进入低功耗 模式,能够降低更多的功耗。
如果正在进行 Flash 编程,直到对内存访问完成,系统才进入停止模式。 如果正在进行对 APB 的访问,直到对 APB 访问完成,系统才进入停止模式。 可以通过对独立的控制位进行编程,可选择以下功能:
全部丢失。
电源管理器
上电复位(POR)和掉电复位(PDR)

STM32 F1-F2-F4 比较

STM32 F1-F2-F4 比较

768K
STM32F207IF STM32F407IE STM32F207IE STM32F417IE STM32F217IE
STM32F101RF STM32F103RF STM32F101VF STM32F103VF
STM32F407VE STM32F417VE STM32F407ZE STM32F417ZE STM32F207VE STM32F217VE STM32F207ZE STM32F217ZE
APB2
* 红色标注的外设为该系列所特有的 * 下划线标注的外设是所有系列共有,但内部映射位置发生变化 7
声明: 本演讲稿中若有与数据手册不相符合的内容,请以数据手册为准。
片上SRAM存储器比较
F4系列
内置SRAM 电池备份域SRAM 112K+64K+16K 4K 字节
F2系列
112KSTM32F205RE STM32F215RE STM32F205VE STM32F215VE STM32F205ZE STM32F215ZE STM32F101RE STM32F101RD STM32F205RC STM32F101VE STM32F101VD STM32F101ZE STM32F101ZD STM32F207IC STM32F100RE STM32F103RE STM32F100VE STM32F103VE STM32F100ZE STM32F103VE
STM32 F4系列:具DSP功能的高性能产品(STM32F405/415/407/417) Cortex-M4 多达 多达 2个USB 3相电机 2个CAN 168MHz 192K字节 1M字节 2.0 OTG 2.0B 定时器 DSP+FPU SRAM Flash 全速/高速 STM32 F2系列:高性能产品(STM32F205/215/207/217) 多达 多达 2个USB Cortex-M3 3相电机 2个CAN 2.0 OTG 128K字节 1M字节 120MHz 2.0B 定时器 SRAM Flash 全速/高速 STM32 F1系列:互联型产品(STM32F105/107) 多达 多达 Cortex-M3 USB 2.0 3相电机 2个CAN 64K字节 256K字节 72MHz 2.0B OTG全速 定时器 SRAM Flash STM32 F1系列:增强型产品(STM32F103) 多达 多达 Cortex-M3 USB 2.0 96K字节 1M字节 72MHz 全速设备 SRAM Flash STM32 F1系列:USB基本型产品(STM32F102) 多达 多达 Cortex-M3 USB 2.0 16K字节 128K字节 48MHz 全速设备 SRAM Flash STM32 F1系列:基本型产品(STM32F101) 多达 多达 Cortex-M3 80K字节 1M字节 36MHz SRAM Flash STM32 F1系列:超值型产品(STM32F100) 多达 多达 Cortex-M3 3相电机 32K字节 512K字节 24MHz 定 时器 SRAM Flash SDIO 2个I2S 照相机接口 SDIO 2个I2S 照相机接口 以太网 IEEE 1588v2 以太网 IEEE 1588v2 以太网 IEEE 1588v1 加密/哈希 处理器 随机数发生器 加密/哈希 处理器 随机数发生器

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4。

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+
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R904 1.5 MOHM +-5% 1/4W R909 1.5 MOHM +-5% 1/4W R905 1.5 MOHM +-5% 1/4W B+_390V R906 560KOHM +-5% 1/8W R973 100 OHM 1/4W R970 100 OHM 1/4W D970 R996 100K OHM 1/4W B+ R924 1M OHM 1% 1/4W Q925 KTA1273 2 1 C935 1000PF2KV C940 NC R997 100K OHM 1/4W 3
R977 100 OHM 1/4W R951 C957 100 OHM 1/4W C952
C946 470uF/25V
R988 1.8K OHM 1/4W
C948 0.1uF A5V
MTZJ T-72 15B
1N4148 R981 100 OHM 1/8W
!
3 L901 2 SG901 NC 4 13mH C901 0.47uF/275V 1
电源板 L32N01 电源适配器 715G3332P01H20003M
D904 B+_390V FB901 1 BEAD 2 1 2 5 6 L906 C910 1uF/450V 8 7 310uH IN5408 D902 FMN-1106S RV902 NC FB902 1 BEAD C911 10nF R920 680K OHM +-1% 1/4W D905 1R 1/8W 5% R910 300K OHM 1/4W VCC R911 R932 20K OHM 1/4W 1N4148 2 1 3 Q901 2SK4087LS VCC R921 680K OHM +-1% 1/4W + 10 OHM 1/8W R913 C912 100pF 1 2 2 1 BEAD C925 10nF FB903 2 R948 0.1 ohm B+ B+ C932 R993 1000PF2KV R991 100K OHM 1/4W 100K OHM 1/4W C930 NC R994 100K OHM 1/4W R992 100K OHM 1/4W D930 SARS01-V1 D932 Q921 KTD1691P 1 3 R939 10K OHM 1/4W R962 4.7M OHM 1/4W 1N4148 IC902 4 3 2 1 FB/OLP VCC GND BR D/ST S/OCP D/ST A6069H 5 7 8 4 R954 100 OHM 1/4W R960 1K OHM R957 8.2KOHM +-1% 1/8W ON/OFF PDIM +12V CN902 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1 JUMPER D931 AU02Z C937 10uF/50V 2 D903 R931 5 1
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