大工19秋《电力电子技术》在线作业2答卷

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大工19秋《电力电子技术》在线作业1满分答卷

【2019奥鹏】-大工19秋《电力电子技术》在线作业1-0001
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 6 道试题,共 30 分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（）V。

A.5-10
B.15-20
C.10-15
D.0-5
[解析提示：认真完成本题作答，参考001]
标准解析参考答案:C
2.静电感应晶体管的英文缩写是（）。

A.SITH
B.SIT
C.PIC
D.IGCT
[解析提示：认真完成本题作答，参考001]
标准解析参考答案:B
3.整流二极管多用于开关频率在（）Hz以下的整流电路中。

A.5k
B.500
C.1k
D.10k
[解析提示：认真完成本题作答，参考001]
标准解析参考答案:C
4.（）指的是电力二极管所能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。

A.额定电流
B.浪涌电流
C.正向平均电流
D.反向重复峰值电流
[解析提示：认真完成本题作答，参考001]
标准解析参考答案:B
5.（）的英文缩写是GTR。

A.门极可关断晶闸管
B.电力晶体管
C.电力场效应晶体管
D.电力二极管
[解析提示：认真完成本题作答，参考001]
标准解析参考答案:B
6.电力电子器件采用的主要材料是（）。

大工19春《电力电子技术》在线作业11答案

大工19春《电力电子技术》在线作业1-0001试卷总分:100 得分:0一、单选题(共6 道试题,共30 分)1.（）是将电力MOSFET与晶闸管SCR组合而成的复合型器件。

A.MCTB.SITC.SITHD.IGCT正确答案:A2.电力电子器件采用的主要材料是（）。

A.铁B.钢C.银D.硅正确答案:D3.电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节，电气隔离一般采用（）隔离。

A.光B.油C.水D.气正确答案:A4.全控型器件在较高频率下工作，当器件关断时，因正向电流的迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压称为（）。

A.操作过电压B.雷击过电压C.换相过电压D.关断过电压正确答案:D5.下列不是晶闸管的主要参数的选项是（）。

A.额定电压B.额定电流C.静态参数D.维持电流正确答案:C6.整流二极管多用于开关频率在（）Hz以下的整流电路中。

A.500B.1kC.5kD.10k正确答案:B二、多选题(共6 道试题,共30 分)1.按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）A.耗尽型B.增强型C.P沟道D.N沟道正确答案:CD2.导通缓冲电路，（）。

A.可以用于吸收器件导通时的电流过冲和di/dtB.可以用于抑制器件导通时的电流过冲和di/dtC.可以减小器件的关断损耗D.可以减小器件的导通损耗正确答案:BD3.采用性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，会带来下列哪些优点？（）A.缩短开关时间B.拉长开关时间C.减小开关损耗D.增大开关损耗正确答案:AC4.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（）。

A.尽量采用特性一致的元器件进行并联B.尽量采用特性不一致的元器件进行并联C.安装时尽量使各并联器件具有对称的位置D.安装时不能使各并联器件具有对称的位置正确答案:BD5.晶闸管门极说法正确的是（）。

大工19秋《电力电子技术》在线作业2 辅导答案

大工19秋《电力电子技术》在线作业2
一、单选题（共 6 道试题，共 30 分。

）
1. 单相电流型逆变电路要求（）。

A. 负载电流超前于负载电压
B. 负载电流滞后于负载电压
C. 负载电流和负载电压同时
D. 以上都不正确
正确答案：A
2. 在正弦电路中，电路的平均功率和下列哪项是同一概念？（）
A. 无功功率
B. 有功功率
C. 视在功率
D. 以上都不正确
正确答案：B
3. 在采用电力MOSFET的电路中，采用（）方式换流。

A. 器件换流
B. 电网换流
C. 负载换流
D. 强迫换流
正确答案：A
4. 三相电流型桥式逆变电路中六个晶闸管VT1到VT6每隔（）度依次导通。

A. 30
B. 60
C. 90
D. 120
正确答案：B
5. 带电阻性负载三相半波可控整流电路在一个工作周期中，3个二极管轮流导通，各导通（）度。

A. 60
B. 90
C. 120
D. 180
正确答案：C
6. 电流型逆变电路交流侧输出电流波形为（）。

A. 锯齿波
B. 正弦波
C. 矩形波
D. 三角波。

大工19秋《电工及电子技术》在线作业2满分答卷

大工19秋《电工及电子技术》在线作业2
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.有关三相异步电动机的特点,说法错误的是()。

A.运行可靠
B.维护方便
C.结构复杂
D.价格便宜
[标准参考解析]
正确选择是:C
2.随着电力电子技术和微机控制技术的发展,()起动成为三相异步电动机的起动方法,它功能完善、性能优越。

A.软起动器
B.自耦减压
C.直接
D.星形-三角形减压
[标准参考解析]
正确选择是:A
3.熔断器的基本文字符号是()。

A.SA
B.KM
C.FU
D.FR
[标准参考解析]
正确选择是:C
4.有关自锁和互锁说法错误的是()。

A.自锁能保证两个交流接触器的线圈不会在同一时间内都处于导通状态
B.自锁利用动合辅助触点
C.互锁环节与另一交流接触器的线圈串联
D.互锁利用动断辅助触点
[标准参考解析]
正确选择是:A
5.时间继电器的组成里不包括()。

A.线圈
B.延时闭合动合触点
C.延时断开动合触点
D.刀开关
[标准参考解析]
正确选择是:D。

电力电子技术练习题及参考答案

《电力电子技术》练习题一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L________I H。

2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。

3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM________U BO。

4、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于________，设U2为相电压有效值。

5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________。

6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值________。

7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施。

8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有________二种方式。

9、抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。

10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在________的上、下二个开关元件之间进行。

11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变________的幅值。

12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。

13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。

14、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为______。

16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较______的规化值。

17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用_____标定。

18、晶闸管的导通条件是：晶闸管______和阴极间施加正向电压，并在______和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。

电力电子技术_习题集(含答案)

《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有（）PN结。

A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有（）个PN结。

A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）电极。

A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。

A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。

A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是（）。

A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。

A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。

A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。

A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好。

A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。

A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相( )。

A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。

A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相 ( )。

A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于（）负载。

A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。

A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（）。

电力电子技术题库及答案整理版

电力电子技术题库及答案整理版《电力电子技术》习题&答案一、填空（每项1分，共50分）1、对同一晶闸管，维持电流ih与擎住电流il在数值大小上有il__大于__ih。

2.功率集成电路的Pic可分为两类，一类是高压集成电路，另一类是高压集成电路_________智能功率集成电路。

3.晶闸管关闭状态下的不重复电压UDSM和转向电压UBO的值应为，UDSM_u_________________。

在带电阻负载的三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压UFM等于UFM？是相电压的有效值。

5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。

6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______下降______。

7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻r是_____________静态均压________________措施。

8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___y形和△形___二种方式。

9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。

10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。

11、改变spwm逆变器中的调制比，可以改变_________________输出电压基波________的幅值。

12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。

13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。

14.为了使二极管的功率与二极管的开关时间相匹配，需要使用功率晶体管缓冲保护电路中的二极管。

15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：_____________________维持电流_______________________。

电力电子技术试题及答案(精编文档).doc

系别_________________ 班级____________________________ 考试号__________________ 姓名______________……………………………密……………………………封…………………………………线……………………………【最新整理，下载后即可编辑】德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷题号一二三四合计分数阅卷人得分1.5分，共60分） 1、晶闸管内部有（）个PN 结。

A 、1 B 、2 C 、3 D 、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。

A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。

A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。

A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（） A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（） A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET 适于在（）条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A 、在栅极加正电压B 、在集电极加正电压C 、在栅极加负电压D 、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管 A 、稍高于 B 、低于 C 、远高于 D 、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V ，反向重复峰值电压为825V ，则该晶闸管的额定电压为（） A 、700V B 、750V C 、800V D 、850V 16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单 A 、普通晶闸管 B 、可关断晶闸管 C 、电力晶体管 D 、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（） A 、一定导通 B 、超过死区电压才导通 C 、超过0.3V 才导通 D 、系别_________________ 班级____________________________ 考试号__________________ 姓名______________……………………………密……………………………封…………………………………线……………………………超过0.7V 才导通 18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO 器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR 器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET 器件电路符号的是（） 21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A 、截止区B 、负阻区C 、饱和区D 、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。

电力电子技术试题及答案(分章节的)

电力电子技术试题（第一章）一、填空题1、普通晶闸管内部有PN结,，外部有三个电极，分别是极极和极。

1、两个、阳极A、阴极K、门极G。

2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。

2、正向、触发.3、、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。

3、阻断、导通、阻断.4、某半导体器件的型号为KP50-7的，其中KP表示该器件的名称为，50表示,7表示.4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。

5、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。

5、维持电流。

6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会.6、减小。

7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为性负载，性负载和负载三大类。

7、电阻、电感、反电动势.8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。

8、减小、并接、续流二极管。

9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。

要求管子的额定电流值要些。

9、小、脉冲、小、大。

10、单结晶体管的内部一共有个PN结,外部一共有3个电极，它们分别是极、极和极。

10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。

11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通；低于电压时就截止.11、峰点、谷点。

12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发，才能得到稳定的直流电压。

12、同步、时刻。

13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。

13、正弦波、锯齿波。

14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加，利用改变的大小,来实现移相控制.14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。

15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。

15、关断过电压。

16、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。

电力电子技术试题及答案

.考试十二一、选择题：（本题共10小题，每小题2分，共20分）1、晶闸管的伏安特性是指( ) A.阳极电压与门极电流的关系 B.门极电压与门极电流的关系 C.阳极电压与阳极电流的关系D.门极电压与阳极电流的关系2、晶闸管电流的波形系数定义为( )A.T dTf I I K =B.dTT f I I K =C. K f =I dT ·I TD.K f =Id T -I T3、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的( ) A.转折电压B.反向击穿电压C.阈值电压D.额定电压4、单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为( )A.2U 221B.2U 2C.2U 22D.2U 65、在三相桥式不可控整流电路中，整流输出电压的平均值为( )A.22U 34.2U 63≈π或B.22U 17.1U 263≈π或C ．22U 56.1U 62≈π或D.22U 78.0U 6≈π或6、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( ) A.有源逆变器 B.A/D 变换器 C.D/A 变换器D.无源逆变器7、全控桥式变流器直流电动机卷扬机拖动系统中，当降下重物时，Ud 与Ed 的比值为( )A.1E U dd> B.1E U dd< C.1E U dd= D.0E U dd=8、三相全控桥式有源逆变电路，晶闸管电流的有效值I T 为( ).A.d I 31B.dI 31C.d I 32D.I d9、三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是( )A.3π=αB.2π<α C.4π=αD.2π>α10、触发电路中的触发信号应具有（） A.足够大的触发功率 B.足够小的触发功率 C.尽可能缓的前沿D.尽可能窄的宽度二、问答题：（本题共4小题，每小题5分，共20分）1、什么是控制角а？导通角θ？为什么一定要在晶闸管承受正向电压时触发晶闸管？（5分）2、什么是有源逆变？实现有源逆变的条件是什么？哪些电路可以实现有源逆变？（5分）3、为什么半控桥的负载侧并有续流管的电路不能实现有源逆变？（5分）4、用单结晶体管的触发电路,当移相到晶闸管达到某一导通角时,再继续调大导通角时,忽然晶闸管变成全关断是何原因?（5分）三、计算题：（本题共1小题，共10分）1、具有续流二极管VDR 半波可控整流电路，对发电机励磁绕组供电。

大工19秋《电子工程》在线作业2答卷

大工19秋《电子工程》在线作业2答卷
题目1
电阻和电是电子电路中常见的两种元件。

它们有什么区别和作用？
电阻和电是电子电路中常用的被动元件。

它们的区别主要体现在以下几个方面：
1. 作用：电阻器用于阻碍电流的流动，将电能转化为热能；而电则用于储存电荷并释放电荷。

2. 特性：电阻器的特性可以通过电阻值来描述，电阻值越大，阻碍电流的能力越强；而电的特性可以通过电容值来描述，电容值越大，储存电荷的能力越强。

3. 时间响应：电阻器没有时间延迟响应，对电流的变化没有影响；而电存在时间延迟响应，对电流和电压的变化会有一定的滞后效应。

题目2
探针是用于测量电路中电压和电流的重要工具。

请简要介绍以下几种常用的探针：
1. 电压探针：用于测量电路中的电压，一般连接到电路的测量点上，可以直接读取电路的电压数值。

2. 电流探针：用于测量电路中的电流，一般需要与电路的测量点相连，并插入电路中的串联元件中，通过测量电路中的电压变化来计算电流数值。

3. 示波器探头：用于测量电路中的电压波形，一般可以连接到示波器上进行显示和观测，可以帮助分析电路中的信号变化情况。

4. 逻辑分析仪探头：用于测量数字电路中的逻辑信号，可以通过连接到逻辑分析仪上进行信号采集和分析，帮助分析数字电路中的工作状态和逻辑关系。

以上是几种常用的探针，它们在电子工程中的应用非常广泛，能够帮助工程师们进行电路测量和故障分析。

东北大学19秋学期《电力电子电路》在线平时作业2满分资料

19秋学期《电力电子电路》在线平时作业2试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)1.三相半波可控整流电路一共有（）只晶闸管。

A.4B.3C.2D.1答案:B2.场效应管三个电极分别为( )。

A.阴极，门极，阳极。

B.第一基极，发射极，第二基极；C.源极，栅极，漏极；D.发射极，基极，集电极；答案:C3.单相全波可控整流电路一共有（）只晶闸管。

A.4B.3C.2D.1答案:C4.120°导电型交-直-交电流变频器，任意时刻有（）导通。

A.四只开关管B.两只开关管C.三只开关管D.一只开关管答案:B5.绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。

A.阴极，门极，阳极。

B.源极，栅极，漏极；C.发射极，栅极，集电极；D.发射极，基极，集电极；答案:C6.三相半波共阳极组可控整流电路，晶闸管在换相时（）。

A.总是从阴极电位高的那相换到阴极电位低的那相B.总是从阴极电位低的那相换到阴极电位高的那相C.总是从阳极电位高的那相换到阳极电位低的那相D.总是从阳极电位低的那相换到阳极电位高的那相答案:A7.三相全控桥式反并联可逆电路，存在（）环流通路。

A.4条B.3条C.2条D.1条答案:C8.三相半波可控整流电路，电阻性负载，脉冲的移相范围是（）。

A.90°B.180°C.150°D.120°答案:C9.单相半波可控整流电路一共有（）只晶闸管。

A.4B.3C.2D.1答案:D10.电压与电流波形相同的是（）。

A.带续流二极管的单相半控桥式整流电路，电感性负载B.单相全控桥式整流电路，电感性负载C.三相半波整流电路，电阻性负载D.三相半波整流电路，电感性负载答案:C二、判断题 (共 10 道试题,共 50 分)11.P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。

答案:正确12.输出星形连接方式的三相交-交变频电路，其电源进线必须隔离。

电力电子技术习题库(附答案)

电力电子技术习题库（附答案）一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。

A、60度B、30度C、90度D、120度正确答案：C2.1957年美国通用电气（GE）公司研制出第一只（），它标志着电力电子技术的诞生。

A、电子管B、晶闸管C、MOSFETD、IGBT正确答案：B3.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成（）A、可关断晶闸管B、双向晶闸管C、逆阻型晶闸管D、大功率三极管正确答案：C4.IGBT是一个复合型的器件，它是（）A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO正确答案：B5.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与门极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、门极电压与阳极电流的关系D、阳极电压与门极电流的关系正确答案：B6.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、180°B、120°C、90°D、150°正确答案：C7.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°D、交流相电压的过零点正确答案：B8.逆变电路是一种（）变换电路。

A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC正确答案：B9.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。

A、增大输出幅值B、减小输出谐波C、减小输出幅值D、减小输出功率正确答案：B10.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。

A、90°B、120°C、150°D、180°正确答案：B11.目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。