自然空间环境中总剂量电离辐射引起的MOS器件性能衰降
合集下载
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
自然空间环境中总剂量电离辐射引起的MOS器件性能衰降K.F.Galloway;R.D.Schrimpf;黄益全
【期刊名称】《微电子学》
【年(卷),期】1991(21)1
【摘要】本文详细地综述了自然空间环境中总剂量电离辐照引起的MOS器件性能衰降;MOS介质经受电离辐射期间产生的界面和氧化物电荷使得大量器件电特性发生变化;所观察到的辐射影响包括MOSFET的阈值电压漂移、沟道迁移降低、驱动性能损失和漏泄电流增大;在自然空间环境中,当总剂量以非常低的剂量率积累时,界面和氧化物俘获电荷之间可以综合折衷。
【总页数】7页(P46-52)
【关键词】MOS器件;电离辐照;性能衰降;MOSFET
【作者】K.F.Galloway;R.D.Schrimpf;黄益全
【作者单位】亚利桑那大学电气与计算机工程系
【正文语种】中文
【中图分类】TN386.1
【相关文献】
1.12位LC2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应 [J], 王信;陆妩;郭旗;吴雪;席善斌;邓伟;崔江维;张晋新
2.剂量率对MOS器件总剂量辐射性能的影响 [J], 朱小锋;周开明;徐曦
3.90nm浮栅型P-FLASH器件总剂量电离辐射效应研究 [J], 朱少立;汤偲愉;刘国
柱;曹立超;洪根深;吴建伟;郑若成
4.高压SOIp LDMOS器件电离辐射总剂量效应研究 [J], 马阔;乔明;周锌;王卓
5.总剂量辐射对硅双极和MOS器件性能的影响 [J], 蔡俊;傅义珠
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。