一种基于倾斜垂直磁各向异性TbCo薄膜及制备方法[发明专利]

专利名称：一种基于倾斜垂直磁各向异性TbCo薄膜及制备方法
专利类型：发明专利
发明人：庄燕山,骆泳铭,周铁军,冯重舒,于长秋
申请号：CN202111444000.7
申请日：20211130
公开号：CN114156042A
公开日：
20220308
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种基于倾斜垂直磁各向异性TbCo薄膜及制备方法。

本发明可以简单分成三层：缓冲层、合金层和保护层。

通过共溅射工艺的优化，以及Tb和Co溅射功率的调节，可以实现TbCo垂直各向异性的控制，实现倾斜垂直各向异性。

本发明提供了这种基于TbCo合金的倾斜垂直磁各向异性工艺方法，相比于其他实现材料体系，其实现方法更加适用于产业化的晶圆级尺寸样品生长，且更加经济高效。

在未来的磁存储行业中有着很大的应用前景。

申请人：杭州电子科技大学
地址：310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
国籍：CN
代理机构：杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：杨舟涛
更多信息请下载全文后查看。