赛米控IGBT模块命名规律赛米控型号数字字母含义

赛米控IGBT模块命名规律赛米控型号数字字母含义
赛米控IGBT模块命名规律赛米控型号数字字母含义
作者：微叶科技时间：2015-07-14 11:04
如型号SKM100GB123DL 为了区分和更好的对比我们把该型号分为八个单元—第一单元“SK”，第二单元“M”，第三单元“D”，第四单元“G”，第五单元“B”，第六单元“12”，第七单元“3”，第八单元“D”和“L”。

第一单元：SK表示SEMIKRON元件。

第二单元：M表示:MOS技术。

D表示七单元模块（三相整流桥加IGBT斩波器）
第三单元：“100”表示集电路电流等级（T case=25℃时的Ic/A）。

第四单元：“G”表示IGBT开关。

第五单元：“A”表示单只开关。

“AL”表示斩波器模块(igbt加集电极端续流二极管)。

“AR”表示斩波器模块(igbt加发射极端续流二极管)。

“AH”表示非对称H桥。

“AY”表示单只IGBT加发射极端串联二极管（反向阻断）。

“AX”表示单只IGBT加集电极端串联二极管（反向阻断）。

“B”表示两单元模块（半桥）。

“BD”表示两单元模块（半桥）加串联二极管（反向阻断）。

“D”表示六单元（三相桥）。

“DL”表示七单元（三相桥加AL斩波器）。

“H”表示单相全桥。

“M”表示两只IGBT在集电极端相连。

第六单元：“12”代表集电极发射极电压等级（VCE/V/100）
第七单元：IGBT系列号
“0”表示第一代IGBT产品（1988-1991，集电极额定电流为Tcase=80℃时值）
“1”、“2”表示第一代IGBT产品（1992-1996，集电极额定电流为T case=25℃时值）;600V产品：集电极额定电流为Tcase=80℃时值。

“3”表示第二代IGBT产品（600V和1200V：高密度NPT型IGBT）；1700V为第一代NPT型IGBT.CAL二极管。

600V产品：集电极额定电流为T case=80℃时值。

1200V与1700V产品：集电极额定电流为Tcase=25℃时值。

“4”表示高密度、低保和压降NPT型IGBT（1200V、1700V）。

“5”表示高密度、高速NPT型IGBT（600V、1200V）。

“6”表示沟道式NPT型IGBT。

第八单元：表示IGBT模块特点，
“D”表示快速回复二极管。

“K”表示SEMIKRON五号外壳带螺栓端子。

“L”表示六单元外壳带焊接端子。

上一篇： IGBT模块与MOSFET的工作原理相同和不同
下一篇： IGBT与MOSFET的区别。