电子技术基础试题库

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电子技术基础与技能试题库+参考答案

电子技术基础与技能试题库+参考答案一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、数码寄存器的输入、输出方式为A、并行输入、并行输出B、串行输入、串行输出C、串行输入、并行输出D、并行输入、串行输出正确答案：A2、在相同的时钟脉冲作用下，同步计数器与异步计数器比较，前者的工作速度A、较慢B、一样C、不确定D、较快正确答案：D3、二极管正极电位为9V，负极电位为5V，则该管处于A、零偏B、正偏C、击穿D、反偏正确答案：B4、如果三极管的基极电流是40μA ，集电极电流是2mA ，则三极管的电流放大系数为A、20B、50C、200D、500正确答案：B5、逻辑电路中，低电平应A、低于B、低于C、高于D、高于正确答案：A6、在三个输入量只有1个为1或3个全为1时，输出为1，实现这一功能的组合逻辑电路是A、奇校验器B、数据比较器C、编码器D、加法器正确答案：A7、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越A、和放大倍数无关B、小C、大D、以上都不对正确答案：C8、半导体中导电的载流子是A、电子B、离子C、电子和空穴D、空穴正确答案：C9、描述放大器对信号电压的放大能力，通常使用的性能指标是A、功率放大倍数B、电流放大倍数C、电压放大倍数D、电流增益正确答案：C10、当七段共阳数码管当abcdefg分别为0110000，则显示为A、3B、6C、ED、b正确答案：C11、下列叙述中正确的是A、十进制数11用8421BCD码表示为1001B、8421BCD码0001表示的十进制数为2C、8421BCD码0111比十进制数5大D、8421BCD码0011比二进制数10小正确答案：C12、用不同数制的数字来表示十进制数2007，位数最少的是A、八进制数B、十六进制数C、二进制数D、十进制数正确答案：B13、甲乙类功放电路最大理想效率为A、60%B、75%C、50%D、78.5%正确答案：D14、十进制数5转换为二进制数为A、110B、101C、011D、100正确答案：B15、把射极输出器用作多级放大器的中间级，是利用它的A、有一定的电流和功率放大能力B、输出阻抗低C、电压跟随特性好，使放大性能稳定D、输入阻抗高正确答案：C16、下列关于电容滤波电路的叙述中，正确的是A、电路的滤波，利用了电容器的B、电路的滤波，利用了电容器的C、电容器充电时，输出电压下降；D、电容量C越大，滤波效果越差。

电子技术基础试题及答案10套

电子技术基础试题及答案10套1.PN结具有单向导电特性。

2.晶体三极管的电流放大系数一般随温度的增加而增大。

3.射极输出器放在中间级可以兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。

4.阻抗匹配是指只有当负载电阻RL和信号源的内阻rs相等时，负载获得的功率最大的现象。

5.运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。

6.功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有甲类功放、乙类功放和甲乙类功放电路。

7.甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流IBQ，以减少交越失真。

8.带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和调整元件四个部分组成。

9.逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、逻辑加和逻辑非。

10.主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。

选择题：1.若晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于正偏。

2.当晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏时，当基极电流减小时，集电极电流减小。

3.某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数为A^3V。

4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是保证电路满足振幅平衡条件。

5.甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是有交越失真。

6.有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是7.5V。

7.为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流。

9、二进制数1011的十进制表示为11.10、在逻辑电路中，与门的输出只有当所有输入都为1时才为1，否则为0.二、简答题(每题5分，共25分)1、什么是放大电路的增益？如何计算放大电路的增益？答：放大电路的增益是指输出信号与输入信号之间的比值。

电子技术基础试题库(1~6章)

电子技术基础第一学期试题库（1~6章）一、填空题：（每空1分）1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为，和三类。

答：导体、半导体、绝缘体。

2、半导体具有特性，特性和特性。

答：热敏、光敏、掺杂。

3、PN结具有特性，即加正向电压时，加反向电压时。

答：单向导电、导通、截止。

4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。

答：0.7V、0.3V。

（中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。

答：最大整流电流、最高反向工作电压。

5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性。

答：小于、较好。

6、发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转换成信号。

答：电、光、光、电。

7、三极管有三个电极，即极、极和极。

答：集电极、基极、发射极。

8、半导体三极管有型和型。

答：NPN、PNP。

（中）9、三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流I C的较大变化，这说明三极管具有作用。

答：电流放大。

10、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管的死区电压约v。

晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为v，锗管约为v。

答：0 .5、0.2、0.7、0.3。

11、三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是。

答：I C=βI B。

（中）25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管的。

答：增加、小。

12、三极管的极限参数分别是，，和。

答：集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。

（中）13、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。

答：放大、开关。

14、放大电路按三极管连接方式可分为，和。

答：共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。

15、放大电路设置静态工作点的目的是。

答：使放大器能不失真地放大交流信号。

16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指，和。

电子技术基础试题

电子技术基础试题库（第四版）第一章:半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。

导体、绝缘体、半导体2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。

单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。

0.7、0.34、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。

最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________小、好6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。

导体，绝缘体，半导体7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结_________。

单向导电性，导通，截止二，判断题１、半导体随温度的升高，电阻会增大。

（）N２、二极管是线性元件。

（）N３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。

（）N４、二极管具有单向导电性。

（）Y５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。

（）N６、二极管加正向压时一定导通（）N7、晶体二极管是线性元件。

（）N8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。

（）Y三、选择题１、ＰＮ结的最大特点是具有（）CＡ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）CＡ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）AＡ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小4、半导体中传导电流的载流子是（）。

电子技术基础试题库及参考答案

电子技术基础试题库及参考答案试卷一一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共13小题，总计34分)1、(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为 ( )。

(a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门2、(本小题2分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。

(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大，反向电阻小(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍(d) 正、反向电阻都等于无穷大3、(本小题2分)运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( ) 。

(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈(b) RF1和RF2引入的均为负反馈(c) RF1和RF2引入的均为正反馈(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为正反馈4、(本小题2分)振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在（）。

(a) O 点(b) A 点(c) B 点(d) C 点5、(本小题2分)电容三点式振荡电路如图所示，其振荡频率为（）。

(a)fL C C C Co ≈+121212π()(b) fLC CC Co≈+121212π()(c) fLC CC Co≈+11212()6、(本小题2分)整流电路如图所示，直流电压表V（内阻设为无穷大）的读数均为90 V，二极管承受的最高反向电压为141 V 的电路是下列图中（）。

7、(本小题2分)若晶闸管的控制电流由小变大，则正向转折电压（）。

(a) 由大变小 (b) 由小变大(c) 保持不变8、(本小题2分)某数/模转换器的输入为8 位二进制数字信号（D7 ~ D0），输出为 0~ 的模拟电压。

若数字信号的最低位是“1”其余各位是“0”，则输出的模拟电压为( )。

(a) (b) (c)9、(本小题3分)电路如图所示，已知U CC＝12V，RC＝3k，β＝40且忽略U BE,若要使静态时U C E＝9V，则R B应取（）。

电子技术基础考试试题及参考答案

B电子技术基础考试试题及参考答案试题一、填空题（每空 1 分，共 30 分）1. 硅二极管的死区电压为 V ，锗二极管的死区电压为V 。

2. 常用的滤波电路主要有、和三种。

3. 晶体三极管的三个极限参数为、和。

4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小，相位的信号电压。

5. 互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为电路，并有通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为电路，输出直接连接负载，而不需要。

6.功率放大器主要用作，以供给负载。

7. 集成稳压电源 W7905 的输出电压为伏。

8. 异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为 0，另一个为 1 时，输出为；而两个输入端均为 0 或均为 1 时，输出为。

9．(1111)2+(1001) 2=( ) 2 (35)10=( ) 2(1010) 2–(111)2=( ) 2 (11010)2=( ) 10(1110)2×(101) 2=( ) 2 10. 逻辑函数可以用、、等形式来表示。

11. 组合逻辑电路包括、、和加法器等。

二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“× 。

全打“√”或全打“×”不给分。

每小题 1 分，共 10 分） ” 1. 放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。

（） 2. 小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大 RI 减小，从而使工作点下降到所需要的位置。

（）3. 对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。

（）4. 交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。

（）5. 同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。

（）6. 只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。

（）7. 多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。

（）8. TTL 集成电路的电源电压一般为 12 伏。

电子技术基础试题及答案

电子技术基础试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑“与”门的输出为“1”的条件是：A. 所有输入都为“1”B. 至少有一个输入为“0”C. 至少有一个输入为“1”D. 所有输入都为“0”答案：A2. 下列哪个元件不是半导体器件？A. 二极管B. 三极管C. 电容D. 场效应管答案：C3. 在模拟电路中，放大器的增益通常指的是：A. 输入电压与输出电压之比B. 输入电流与输出电流之比C. 输入功率与输出功率之比D. 输出电压与输入电流之比答案：A4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 随机噪声答案：D5. 在数字电路中，逻辑“或”门的输出为“0”的条件是：A. 所有输入都为“1”B. 所有输入都为“0”C. 至少有一个输入为“1”D. 至少有一个输入为“0”答案：B6. 以下哪种材料通常用于制作二极管的PN结？A. 硅B. 铜C. 铁D. 铝答案：A7. 一个理想的运算放大器具有以下哪个特性？A. 有限的输入阻抗B. 有限的输出阻抗C. 无限的输入阻抗D. 无限的输出阻抗答案：C8. 在数字电路中，D触发器的输出状态取决于：A. 当前时钟脉冲B. 上一个时钟脉冲C. 初始状态D. 外部输入答案：B9. 以下哪种波形的频率是固定的？A. 正弦波B. 随机噪声C. 锯齿波D. 方波答案：A10. 在模拟电路中，滤波器的作用是：A. 放大信号B. 抑制噪声C. 产生振荡D. 转换信号答案：B二、多项选择题（每题3分，共15分，每题至少有两个正确选项）1. 下列哪些元件可以用于整流电路？A. 二极管B. 三极管C. 电容D. 电感答案：A D2. 在数字电路中，下列哪些逻辑门可以实现逻辑“与”功能？A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：A3. 以下哪些因素会影响二极管的正向导通电压？A. 材料B. 温度C. 电流D. 反向电压答案：A B C4. 在模拟电路中，以下哪些元件可以用于信号放大？A. 运算放大器B. 电阻C. 电容D. 二极管答案：A D5. 以下哪些波形属于非周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 随机噪声答案：D三、填空题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑“非”门的输出是输入的________。

电子技术基础测试题(含答案)

电子技术基础测试题（含答案）一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真A、交越B、截止。

C、饱和。

正确答案：C2、与门的逻辑功能是。

A、全高为高。

B、部分高为高。

C、全低为高。

正确答案：A3、射极跟随器的特点是。

A、输入电阻大，输出电阻小。

B、输入电阻小，输出电阻大。

C、输入电阻大，输出电阻大。

正确答案：A4、JK触发器具有（）种逻辑功能。

A、4B、2C、3正确答案：A5、三极管的反向电流ICBO是由（）组成的。

A、多数载流子B、少数载流子。

C、多数载流子和少数载流直。

正确答案：B6、稳压电源是一种将交流电转化成稳定直流电的电路。

A、✔B、×正确答案：A7、多谐振荡器是一种无稳态触发器。

A、×B、✔8、为使电路输入电阻高，输出电阻低，应引入（）A、电流并联负反馈。

B、电流串联负反馈。

C、电压串联负反馈。

正确答案：C9、TTL器件输入脚悬空相当于输入（）电平A、负B、高C、低正确答案：B10、将二进制数1111011写成八进制数应是（）A、173B、1323C、177正确答案：A11、组合逻辑电路的输出与电路的原状态（）A、有关B、无关C、不一定正确答案：A12、PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）A、既有多数载流子又有少数载流子。

B、少数载流子。

C、多数载流子。

正确答案：C13、逻辑代数运算于普通代数运算结果（）A、有的相同，有的不相同。

B、不想同C、相同正确答案：A14、集成运放在开环情况下，一定工作在非线性区。

A、×B、✔15、数字电路比模拟电路抗干扰能力（）A、强B、相同C、差正确答案：A16、同步二进制计数器一般由t触发器组成。

A、×B、✔正确答案：B17、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。

（）A、电压比较器。

B、差值放大器。

C、反相放大器。

正确答案：A18、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真A、截止。

电子技术基础考试试题

电子技术基础考试试题一、选择题（每题2分，共20分）1. 以下哪个不是基本的电子元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 变压器2. 欧姆定律的公式是：A. V = I * RB. V = I / RC. I = V / RD. I = R / V3. 一个电路的总电阻为100Ω，当并联一个50Ω的电阻时，总电阻将：A. 大于100ΩB. 小于100ΩC. 等于100ΩD. 无法确定4. 以下哪个是半导体材料？A. 铜B. 银C. 硅D. 铁5. 一个电路的电流为2A，电压为10V，根据功率公式，该电路的功率是：A. 20WB. 5WC. 10WD. 40W6. 以下哪个不是数字逻辑门？A. ANDB. ORC. NOTD. XOR7. 一个正弦波的频率为50Hz，其周期是：A. 0.02秒B. 0.2秒C. 20秒D. 200秒8. 以下哪个是模拟信号？A. 数字电视信号B. 无线电广播信号C. 计算机数据信号D. 所有选项都是9. 一个电路的功率因数为0.8，其有效功率是视在功率的：A. 80%B. 100%C. 120%D. 200%10. 以下哪个是集成电路的分类？A. 模拟集成电路B. 数字集成电路C. 混合信号集成电路D. 所有选项都是二、填空题（每空2分，共20分）11. 电阻的单位是________。

12. 电流的国际单位是________。

13. 电压源的符号是________。

14. 一个电路的功率因数定义为________与________的比值。

15. 半导体材料的导电性介于________和________之间。

16. 逻辑门的输出状态只有两种，即高电平或________。

17. 一个周期性信号在一个周期内的平均值为________。

18. 模拟信号与数字信号的主要区别在于模拟信号是________变化的，而数字信号是离散的。

19. 集成电路按功能可分为________和________。

电子技术基础试题及答案

电子技术基础试题及答案第一部分：选择题1. 关于电子元器件的描述，以下哪个是正确的？A. 电容器是一种用于储存电能的元器件。

B. 电感是一种用于放大电信号的元器件。

C. 二极管是一种只允许电流单向通过的元器件。

D. 三极管是一种只允许电流双向通过的元器件。

答案：C2. 下列哪个元器件可以实现电流放大功能？A. 二极管B. 电容器C. 电感D. 可变电阻答案：D3. 以下哪个单位用于表示电压？A. 安培B. 瓦特C. 伏特D. 欧姆答案：C4. 下列哪个元器件可以实现电流的控制？A. 二极管B. 三极管C. 电容器D. 电阻答案：B5. 下列哪个元器件可以将交流电转换为直流电？A. 二极管B. 三极管C. 变压器D. 可变电阻答案：A第二部分：填空题1. 控制电流的元器件是________。

答案：晶体管2. 电容器的单位是________。

答案：法拉3. 电路中电流的取向是从______极流向______极。

答案：正，负4. 二极管的一端为________极，另一端为________极。

答案：正，负5. 电阻的单位是________。

答案：欧姆第三部分：解答题1. 简述电流、电压和电阻的关系。

答案：根据欧姆定律，电流等于电压与电阻的比值。

即I = U/R，其中I表示电流，U表示电压，R表示电阻。

2. 请说明什么是直流电和交流电，并提供各自的应用场景。

答案：直流电是电流方向始终不变的电流形式，如电池输出的电流。

交流电是电流方向周期性改变的电流形式，如家庭用电。

直流电在电子设备中常用于供电，如计算机、手机等；交流电在家庭中用于照明、家电使用等。

3. 请简述二极管的工作原理及其应用领域。

答案：二极管是一种具有单向导电特性的元器件。

当二极管正向偏置时，电流能够流动；当反向偏置时，电流无法通过。

其工作原理是利用P型半导体和N型半导体形成的PN结，当正向电压大于二极管的压降时，电流才能够通过。

二极管的应用领域非常广泛，包括通信、电源、光电、调制解调等领域。

《电子技术基础》(晶体管+集成运放)试题集+答案

《电子技术基础》（晶体管+集成运放）试题集+答案一．填空题：（22题）1.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位高。

2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。

3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。

4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。

5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。

6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。

7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。

8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 0+9.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。

10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。

11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。

12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。

13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。

14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。

15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。

16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。

17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。

18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。

19.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端电位差=0。

20.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端的电流=0。

21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。

22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。

二．是非题：（正确=“+”，错误=“—”）（共26题）1.（+）发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。

2.（—）三极是电压放大器件。

3.（+）3DA1型三极管是硅管高频大功率晶体管。

4.（—）变压器也能把电压升高，所以变压器也是放大器。

5.（+ ）放大器工作时，电路同时存在直流和交流分量。

6.（—）对放大器来说一般希望输入电阻小、输出电阻大。

7.（+ ）固定偏置放大器的缺点是静态工作点不稳定。

8.（—）实际放大电路常采用分压式偏置，是因为U i大。

9.（+ ）多级放大电路总的增益等于各级增益之和。

电子技术基础试题库(1-6章)

电子技术基础第一学期试题库（1~6章）一、填空题：（每空1分）1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为，和三类。

答：导体、半导体、绝缘体。

2、半导体具有特性，特性和特性。

答：热敏、光敏、掺杂。

3、PN结具有特性，即加正向电压时，加反向电压时。

答：单向导电、导通、截止。

4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。

答：0.7V、0.3V。

（中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。

答：最大整流电流、最高反向工作电压。

5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性。

答：小于、较好。

6、发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转换成信号。

答：电、光、光、电。

7、三极管有三个电极，即极、极和极。

答：集电极、基极、发射极。

8、半导体三极管有型和型。

答：NPN、PNP。

（中）9、三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流I C的较大变化，这说明三极管具有作用。

答：电流放大。

10、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管的死区电压约v。

晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为v，锗管约为v。

答：0 .5、0.2、0.7、0.3。

11、三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是。

答：I C=βI B。

（中）25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管的。

答：增加、小。

12、三极管的极限参数分别是，，和。

答：集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。

（中）13、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。

答：放大、开关。

14、放大电路按三极管连接方式可分为，和。

答：共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。

15、放大电路设置静态工作点的目的是。

答：使放大器能不失真地放大交流信号。

16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指，和。

电子技术基础试题

电子技术基础试题
一、选择题
1.以下哪个是典型的半导体材料？ A. 铜 B. 铁 C. 硅 D. 铝
2.以下哪个是最简单的电子元器件？ A. 二极管 B. 电容器 C. 电感 D. 三极管
3.唐古拉铁塔是由以下哪种材料制成的？ A. 黄铜 B. 高纯铜 C. 不锈钢 D. 铝合金
4.以下哪个是数字电路中的基本逻辑门？ A. 与门 B. 或门 C. 非门 D. 异或门
5.以下哪个是电磁波频率最低的？ A. X射线 B. 可见光 C. 微波 D. 无线电波
二、填空题
1.电阻的单位是_________。

2.数字电路中，由多个逻辑门组成的集成电路称为_________。

3.中国的峨眉山海拔约_________米。

4.晶体管有_________个引脚。

5.1千赫兹等于_________兆赫兹。

三、简答题
1.什么是电流？电流的单位是什么？
2.解释一下导体和绝缘体的区别。

3.什么是放大器？放大器的作用是什么？
4.请解释一下二极管的工作原理。

5.简要介绍一下数字电路中的与门和或门的逻辑表达式和真值表。

四、计算题
1.如果一个电阻器的阻值为100欧姆，通过它的电流为50毫安，求该电阻器两端的电压是多少伏特？
2.如果一个电容器的容值为10微法，通过它的电流为1毫安，求该电容器两端的电压是多少伏特？
五、编程题
请编写一个Python代码片段，计算并输出2的10次方的值。

```python # 计算2的10次方 result = 2 ** 10 print(。

2023年电工电子技术基础试题库

一、填空题1. 已知图中 U1＝2V, U2＝-8V, 则UAB＝ -10 。

2. 电路的三种工作状态是通路、断路、短路。

3. 有三个6Ω的电阻, 若把它们串联, 等效电阻是 18 Ω；若把它们并联, 等效电阻 2Ω；若两个并联后再与第三个串联, 等效电阻是 9 Ω。

4. 用电流表测量电流时, 应把电流表串联在被测电路中；用电压表测量电压时, 应把电压表与被测电路并联。

5. 电路中任意一个闭合途径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。

6．电路如图所示, 设U=12V、I=2A、R=6Ω, 则UAB= -24 V。

7. 直流电路如图所示, R1所消耗的功率为2W, 则R2的阻值应为 2 Ω。

8. 电路中电位的参考点发生变化后, 其他各点的电位均发生变化。

9. 在直流电路中, 电感可以看作短路 , 电容可以看作断路。

9. 我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。

10. 三相对称负载作三角形联接时, 线电流IL与相电流IP间的关系是: IP＝ IL。

11. 电阻元件是耗能元件, 电容元件是储能元件。

12. 已知一正弦电压u=311sin(628t-60º)V, 则其最大值为 311 V, 频率为 100 Hz, 初相位为 -60º。

13．在纯电阻交流电路中, 已知电路端电压u=311sin(314t-60º)V, 电阻R=10Ω, 则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0º , 电阻消耗的功率P= 4840 W。

14．三角形联结的三相对称负载, 若线电压为380 V, 则相电压为 380 V；若相电流为10 A, 则线电流为 17.32 A。

15. 式QC=I2XC是表达电容元件在正弦电路中的无功功率计算公式。

16. 正弦交流电压的最大值Um与其有效值U之比为。

17. 电感元件是一种储能元件, 可将输入的电能转化为磁场能量储存起来。

18. 若三相电动势依次达成最大值的顺序为e1—e2—e3, 则称此种相序为正序。

(完整版)电子技术基础(含答案)

一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。

A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。

A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。

A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。

A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。

A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。

A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。

A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是（）。

电子技术基础试题库

１电子技术基础(模拟篇)第一章半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。

A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。

A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（）A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（）。

A B CD5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。

A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。

A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。

A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（）构成。

A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（）。

A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不同量程时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。

A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（）。

电子技术基础

电子技术基础一、选择题(每题1分)1、当加在硅二极管两端的正向电压从O开始逐渐增加时，硅二极管()。

A．立即导通B．到才开始导通C．超过死区电压时才开始导通D．不导通2、把电动势为的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管()。

A．基本正常B．将被击穿C．将被烧坏D．电流为零3、用万用表R×100Ω挡来测试二极管，如果二极管()说明管子是好的。

A．正、反向电阻都为零B．正、反向电阻都为无穷大C．正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D．反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧4、用万用表的电阻挡判断小功率二极管管脚极性时，应选用()挡。

A．R×10和R×100B．R×1和R×1kC．R×1k和R×100D．R×10k和R×1k5、在测量二极管正向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会()。

A．变大B．变小C．不变化D．不能确定6、在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是()。

A．NPN管的集电极B．PNP管的集电极C．NPN管的发射极D．PNP管的基极7、晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将()。

A．随基极电流的增加而增加B．随基极电流的增加而减小C．与基极电流变化无关，只取决于Ucc和Rc8、三极管输出特性曲线中，当I B=0时，I C等于()。

A．ICMB．ICBOC．ICEOD．09、当硅二极管加上正向电压时，该二极管相当于()。

A．很小的电阻B．很大的电阻C．短路D．电阻10、某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压()。

A．约等于150VB．略大于150VC．等于300VD．等于75V11、当环境温度升高时，二极管的反向电流将()。

A．增大B．减小C．不变D．先变大后变小12、测量小功率二极管的好坏时，一般把万用表欧姆挡拨到()。

A．R×10和R×1kB．R×1k和R×100C．R×1和R×1kD．R×10k和R×1k13、交通信号灯采用的是()管。

电子技术基础与技能试题库与答案

电子技术基础与技能试题库与答案一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、十进制数19与二进制数1111比较大小的结果是A、二进制数1111大B、无法比较C、十进制数19大D、一样大正确答案：C2、下列触发器中，没有克服空翻现象的有A、维持组塞D触发器B、JK触发器C、同步RS触发器D、主从RS触发器正确答案：C3、在主从RS触发器中，当CP=1时A、主、从触发器均被打开B、主、从触发器均被封锁C、从触发器被封锁D、主触发器被封锁正确答案：C4、OTL电路中，输出电容起到了双电源电路中的( )作用。

A、正电源B、输入信号C、负电源D、消除高次谐波正确答案：C5、描述放大器对信号电压的放大能力，通常使用的性能指标是A、电压放大倍数B、电流放大倍数C、功率放大倍数D、电流增益正确答案：A6、在整流电路中将高压转变成低压的元器件是A、电容B、电感C、二极管D、变压器正确答案：D7、移位寄存器可能是A、双向移位寄存器B、右移寄存器C、左移寄存器D、都可能正确答案：D8、下列所述中，属于串联型稳压电路的特点的是A、调试方便B、输出电压稳定度高且可调节C、输出电压不可调D、输出电流小正确答案：B9、常用的74×× 系列是指A、TTL器件B、CMOS器件C、NMOS器件D、PMOS器件正确答案：A10、若输入信号有8个，则经过3位二进制编码器编码之后，输出信号位数为A、6B、8C、4D、3正确答案：D11、最能直观反映逻辑函数的值与输入变量取值之间的关系的是A、逻辑函数表达式B、真值表C、逻辑电路图D、波形图正确答案：B12、十进制数码4用8421BCD码表示为A、0100B、0011C、0011D、1111正确答案：A13、下列关于电容滤波电路的叙述中，正确的是A、电路的滤波，利用了电容器的B、电路的滤波，利用了电容器的C、电容器充电时，输出电压下降；D、电容量C越大，滤波效果越差。

正确答案：B14、CP有效时，若JK触发器状态由0翻转为1，则此时JK输入端必定有A、J=0B、J=1C、K=0D、K=1正确答案：B15、下列关于低频功率放大器的各种叙述中，错误的是A、甲类功放电路只需一只功放管B、功率放大器不允许有信号失真C、乙类功放电路的最高效率可达78.5%D、音响设备中肯定有功放电路正确答案：B16、把射极输出器用作多级放大器的最后一级，是利用它的A、电压放大倍数略小于1，电压跟随特性好B、输入电阻高C、输出电阻低D、有一定的电流和功率放大能力正确答案：C17、下列命题正确的是A、若AB=AC，则B=CB、若A+B=A+C，则B=CC、若A+B=A+C，AB=AC，则B=CD、若A=B，则1+AB=A正确答案：C18、逻辑电路中，低电平应A、低于B、高于C、低于D、高于正确答案：A19、在通常情况下，要改变串联型稳压电源的输出电压大小，可以通过调A、比较放大器的放大倍数B、取样电路中的电位器C、基准电路的稳压值D、调整管的放大倍数正确答案：B20、主从JK触发器中，当JK取不同值时，则Q等于A、1B、JC、0D、K正确答案：B21、D触发器当D=1时，实现的逻辑功能是A、置0B、置1C、保持D、翻转正确答案：B22、下列叙述中正确的是A、十进制数11用8421BCD码表示为1001B、8421BCD码0001表示的十进制数为2C、8421BCD码0111比十进制数5大D、8421BCD码0011比二进制数10小正确答案：C23、放大器的通频带指的是A、频率响应曲线B、下限频率以上的频率范围C、放大器上限频率和下限频率之间的频率范围D、以上均不正确正确答案：C24、开关稳压电源按不同的控制方式可分为A、调频型和调幅型B、调宽型和调频型C、自激式和他激式D、串联型和并联型正确答案：B25、钟控同步RS触发器状态的翻转发生在CP脉冲的A、上升沿B、下降沿C、CP=1期间D、=正确答案：C26、乙类推挽功放电路与甲类功放电路相比主要优点是A、输出功率大B、不用输出变压器C、无交越失真D、效率高正确答案：D27、甲乙类功放电路最大理想效率为A、50%B、78.5%C、75%D、60%正确答案：B28、有二进制异步计数器从0计到十进制数100，至少需要的触发器的个数为A、8个B、7个C、6个D、5个正确答案：B29、理想运放电路接成反相器，其输入电压为4V，则输出电压约为A、-2VB、-4VC、4VD、2V正确答案：B30、在串联型稳压电路中，取样电路电阻器的温度系数越小，其输出电压受温度的影响A、越小B、与温度系数无关C、越大D、成正比增大正确答案：A31、若逻辑函数L=(A+BCD )AB，则L可简化为A、L=AB、L=BCDC、L=ABD、L=A+BCD正确答案：C32、功率放大电路的输出是指A、负载上的直流功率B、直流信号和交流信号叠加的功率C、电源共给的功率D、负载上的交流功率正确答案：D33、JK触发器，若J=K=0，则可实现的逻辑功能是A、置1B、置0C、保持D、翻转正确答案：C34、主从RS触发器状态的翻转发生在CP脉冲的A、上升沿B、下降沿C、CP=1期间D、=正确答案：B35、当七段共阳数码管当abcdefg分别为0110000，则显示为A、3B、EC、bD、6正确答案：B36、二进制数11转换为十进制数为A、4B、3C、1D、2正确答案：B37、下列关于扇出系数描述正确的是A、门电路输出电压由0跳变到1时的传输延迟时间B、门电路正常工作时能驱动同类门的数目C、门电路输出电压由1跳变到0时的传输延迟时间D、门电路的输出电压正确答案：B38、十进制数5转换为二进制数为A、101B、110C、100D、011正确答案：A39、以下关于理想集成运放的各种表述中，错误的是A、线性应用时，有“虚断”概念B、开环共模电压放大倍数无穷大C、共模抑制比无穷大D、线性应用时，有“虚短”概念正确答案：B40、用二进制异步计数器从0计到十进制数100，至少需要的触发器个数为A、5B、6C、8D、7正确答案：D二、多选题（共10题，每题1分，共10分）1、下列运放中，输出电压与输入电压同相的是A、同相输入加法器B、倒相放大器C、电压跟随器D、反相输入加法器正确答案：AC2、下列关于真值表描述中正确的有A、真值表是列出了部分输入值组合及其对应输出值的表格B、真值表包括了全部可能的输入值组合及其对应的输出值C、真值表中的数值“0”和“1”表示实际大小D、真值表是一种表明逻辑门电路输入状态和输出状态对应关系的表格正确答案：BD3、三端固定式集成稳压器，它们都有三个管脚，分别是A、输入端B、接地端C、输出端D、公共端正确答案：ACD4、在谐振功率放大器中，LC谐振回路起到的作用是A、提高功率放大倍数B、增宽同频带C、阻抗匹配D、选频滤波正确答案：CD5、要使74LS161的输出状态保持不变，需要满足的条件是A、CLR=1B、LD=1C、ET=0D、ET?EP=0正确答案：ABD6、带有放大环节的稳压电路一般其组成部分有A、采样电路B、调整元件C、比较放大电路D、基准电路正确答案：ABCD7、常用的LED数码有A、共阴接法B、共阳接法C、单相接法D、双向接法正确答案：AB8、表示门电路的逻辑功能的方法有A、逻辑图B、真值表C、逻辑函数表达式D、波形图正确答案：ABCD9、阻容耦合放大器通频带中，低频端放大倍数下降的原因有A、结电容的存在B、β值随频率上升而减小C、耦合电容的存在D、射极旁路电容的存在正确答案：CD10、中等职业学校规定机电专业的学生至少取得车工( )、钳工( )、电工( )中级技能证书中的任意两种，才允许毕业，下面各选项几个同学获得的证书代码，则能毕业的有A、AB、ABC、ACD、ABC正确答案：BCD三、判断题（共50题，每题1分，共50分）1、射极输出器的输入电阻小，输出电阻大。

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电子技术基础(模拟篇)第一章半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。

A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。

5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。

A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。

A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。

A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（）构成。

A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（）。

A B C D11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不同量程时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。

A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈，反向饱和电流I S ≈，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（）。

A U th≈，I S≈B U th≈，I S≈C U th≈，I S≈D U th≈，I S≈二、判断题1. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）2.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。

（）3.二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。

（）4.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。

（）5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（）6.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）7.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。

（）三、填空题1.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。

2.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。

3.二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。

4.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。

5. PN结在时导通，时截止，这种特性称为。

6.光电二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。

7.发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。

8.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。

9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。

10.半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。

11.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。

12. PN结正偏是指P区电位 N区电位。

13.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。

14.普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。

15.构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。

16.纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。

17.在PN结形成过程中，载流子扩散运动是作用下产生的，漂移运动是作用下产生的。

18. PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。

19.发光二极管通以就会发光。

光电二极管的随光照强度的增加而上升。

20.硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。

四、计算分析题1. 电路如图（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝4V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。

试分别画出u O1和u O2的波形。

(a)(b)(c)2. 已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝3mA ，最大值I ZM ＝20mA ，试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作，U O1和U O2各为多少伏。

(a)(b)3. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。

设二极管的导通压降为。

o(c)(d)o4. 已知稳压管的稳定电压U Z = 6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA ，最大功耗P ZM =150mW 。

试求稳压管正常工作时电阻R 的取值范围。

+－O5. 如图所示电路中，发光二极管导通电压U D ＝1V ，正常工作时要求正向电流为5～15mA 。

试问：（1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光（2）R 的取值范围是多少+V DD (+5V)R VS6. 二极管双向限幅电路如图所示，设tV u i ωsin 10=，二极管为理想器件，试画出输出u i 和u o 的波形。

7. 电路如图所示，二极管导通电压U D ＝，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV ，试问二极管中流过的交流电流有效值是多少Ci D8. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。

设二极管的导通压降为。

Vo(a)V(b)o9. 电路如图（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，设二极管导通电压可忽略。

试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。

V 2u ou I1u I2+5V（a ）u I1/V u I2/V 50.350.3tt（b ）10. 下图所示电路中，稳压管的稳定电压Uz = 12V ，图中电压表流过的电流忽略不计，试求：（1）当开关S 闭合时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少（2）当开关S 断开时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少U i R 2ΩS11. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A 点的电位。

设二极管的正向压降为。

500Ω2k V12. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A 点的电位。

设二极管的正向压降为。

R V 3k 10k 32k Ω第二章半导体三极管一、单选题1. （）具有不同的低频小信号电路模型。

A. NPN 管和PNP 管B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管 D. 三极管和二极管2. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（）。

A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。

A. 增强型PMOSB. 增强型NMOSC. 耗尽型PMOSD. 耗尽型NMOS 4. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =，则此时三极管工作于（）状态。

A. 饱和B. 截止C. 放大D. 无法确定5. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（）。

A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定 6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（）状态。

A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定7. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（）。

A. mA 10,V 3C CE ==I UB. mA 40,V 2C CE ==I UC. mA 20,V 6C CE ==I UD. mA 2,V 20C CE ==I U8. 下面的电路符号代表（）管。

A. 耗尽型PMOSB. 耗尽型NMOSC. 增强型PMOSD. 增强型NMOS9. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（）。

A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>10. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（）。

A.C B E I I I +=B. B C I I β≈C. CEO CBO I I )1(β+=D. βααβ=+11. （）情况下，可以用H 参数小信号模型分析放大电路。

A. 正弦小信号B. 低频大信号C. 低频小信号D. 高频小信号12. 场效应管本质上是一个（）。

A 、电流控制电流源器件B 、电流控制电压源器件C 、电压控制电流源器件D 、电压控制电压源器件二、判断题1. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。

2. I DSS 表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS =0时的漏极电流。

3. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。

4. 三极管工作在放大区时，若i B 为常数，则u CE 增大时，i C 几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。

5. 对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H 参数小信号模型替代。

6. 三极管的C 、E 两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C 、E 两个电极互换使用。

7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。

8. 双极型三极管由两个PN 结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。

9. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。

10. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。

11. 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。

12. 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。

三、填空题1. 双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别_______和2. β反映态时集电极电流与基极电流之比；β反映态时的电流放大特性。