2SB1236中文资料
2SB1274中文资料
* : The 2SBB1274 / 2SD1913 are classified by 0.5A hFE as follows :
Rank
Q
R
S
hFE
70 to 140 100 to 200 140 to 280
min 70* 20
(--)60 (--)60
(--)6
Ratings typ
100 (60)40 (--)0.4 (--)0.8
Applications
• General power amplifier.
Package Dimensions
unit : mm 2041A
Features
• Wide ASO (Adoption of MBIT process). • Low saturation voltage. • High reliability. • High breakdown voltage. • Micaless package facilitating mounting.
2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0
Collector Current, IC -- A
23 5 IT02826
Base-to-Emitter Saturation Voltage, VBE(sat) -- V
Collector-to-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) -- V
10
7
5 5 0.01 2 3 5
0.1 2 3 5
1.0 2 3 5
Collector Current, IC -- A
IT02823
VCE(sat) -- IC
2
2SB1386中文资料(secos)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
V I /I = -4A/-0.1A
*
V = -2V, I = -0.5A
*
MHz V = -6V, I = -50mA, f=30MHz
pF V = -20V, I =0, f=1MHz
10-Dec-2010 版本B
第1页3
芯片中文手册,看全文,戳 特性曲线
转换频率 输出电容
*测量
采用脉冲电流.
(T A = 25°C除非另有说明）
符号
V V V
I I V h f C
Min.
Typ.
-30
-
-20
-
-6
-
-
-
-
-
-
-
82
-
-
120
-
60
Max.
-0.5 -0.5 -1.0 390 -
单元
测试条件
V IC=-50µA
V I = -1mA
V I = -50µA
2SB1386
-5A, -30V PNP硅低频晶体管
10-Dec-2010 版本B
分页：1 2 3
芯片中文手册,看全文,戳 特性曲线
2SB1386
-5A, -30V PNP硅低频晶体管
10-Dec-2010 版本B
第3页3
(T A = 25°C除非另有说明）
符号
额定值
V
-30
V
-20
V
-6
I
-5 -10
P
0.5 2
T ,T
150, -55~150
单元 V V V
A(DC) A（脉冲）
W
°C
2SB系列三极管参数
2SB系列三极管参数2SB1009 SI-P 40V 2A 10W 100MHz |2SB1010 SI-P 40V 2A 0.75W 100MHz2SB1012K P-DARL 120V 1.5A 8W |2SB1013 SI-P 20V 2A 0.7W2SB1015 SI-P 60V 3A 25W 0.4us |2SB1016 SI-P 100V 5A 30W 5MHz2SB1017 SI-P 80V 4A 25W 9MHz |2SB1018 SI-P 100V 7A 30W 0.4us2SB1020 P-DARL+D 100V 7A 30W 0.8us |2SB1023 P-DARL+D 60V 3A 20W B=5K2SB1035 SI-P 30V 1A 0.9W 100MHz |2SB1039 SI-P 100V 4A 40W 20MHz2SB1050 SI-P 30V 5A 1W 120MHz |2SB1055 SI-P 120V 6A 70W 20MHz2SB1065 SI-P 60V 3A 10W | 2SB1066 SI-P 50V 3A 1W 70MHz2SB1068 SI-P 20V 2A 0.75W 180MHz |2SB1071 SI-P 40V 4A 25W 150MHz2SB1077 P-DARL 60V 4A 40W B>1K |2SB1086 SI-P 160V 1.5A 20W 50MHz2SB1098 P-DARL+D 100V 5A 20W B=80 |2SB1099 P-DARL+D 100V 8A 25W B=6K2SB1100 P-DARL+D 100V 10A 30W B=6 |2SB1109 SI-P 160V 0.1A 1.25W2SB1109S SI-P 160V 0.1A 1.25W |2SB1117 SI-P 30V 3A 1W 280MHz2SB1120 SI-P 20V 2.5A 0.5W 250MHz |2SB1121T SI-P 30V 2A 150MHz2SB1123 SI-P 60V 2A 0.5W 150MHz |2SB1132 SI-P 40V 1A 0.5W 150MHz2SB1133 SI-P 60V 3A 25W 40MHz |2SB1134 SI-P 60V 5A 25W 30W2SB1135 SI-P 60V 7A 30W 10MHz |2SB1136 SI-P 60V 12A 30W 10MHz2SB1140 SI-P 25V 5A 10W 320MHz |2SB1141 SI-P 20V 1.2A 10W 150MHz2SB1143 SI-P 60V 4A 10W 140MHz |2SB1146 P-DARL 120V 6A 25W2SB1149 P-DARL 100V 3A 15W B=10K |2SB1151 SI-P 60V 5A 20W2SB1154 SI-P 130V 10A 70W 30MHz |2SB1156 SI-P 130V 20A 100W2SB1162 SI-P 160V 12A 120W |2SB1163 SI-P 170V 15A 150W2SB1166 SI-P 60V 8A 20W 130MHz |2SB1168 SI-P 120V 4A 20W 130MHz2SB1182 SI-P 40V 2A 10W 100MHz |2SB1184 SI-P 60V 3A 15W 70MHz2SB1185 SI-P 50V 3A 25W 70MHz |2SB1186 SI-P 120V 1.5A 20W 50MHz2SB1187 SI-P 80V 3A 35W | 2SB1188 SI-P 40V 2A 100MHz2SB1202 SI-P 60V 3A 15W 150MHz |2SB1203 SI-P 60V 5A 20W 130MHz2SB1204 SI-P 60V 8A 20W 130MHz |2SB1205 SI-P 25V 5A 10W 320MHz2SB1212 SI-P 160V 1.5A 0.9W 50MHz |2SB1223 P-DARL+D 70V 4A 20W 20MHz2SB1236 SI-P 120V 1.5A 1W 50MHz |2SB1237 SI-P 40V 1A 1W 150MHz2SB1238 SI-P 80V 0.7A 1W 100MHz |2SB1240 SI-P 40V 2A 1W 100MHz2SB1243 SI-P 60V 3A 1W | 2SB1254 P-DARL 160V 7A 70W2SB1255 P-DARL 160V 8A 100W B>5K |2SB1258 P-DARL+D 100V 6A 30W B>1K2SB1274 SI-P 60V 3A 30W 100MHz |2SB1282 P-DARL+D 100V 4A 25W 50MHz2SB1292 SI-P 80V 5A 30W | 2SB1302 SI-P 25V 5A 320MHz2SB1318 P-DARL+D 100V 3A 1W B>200 |2SB1326 SI-P 30V 5A 0.3W 120MHz2SB1329 SI-P 40V 1A 1.2W 150MHz |2SB1330 SI-P 32V 0.7A 1.2W 100MHz2SB1331 SI-P 32V 2A 1.2W 100MHz |2SB1353E SI-P 120V 1.5A 1.8W 50MHz2SB1361 SI-P 150V 9A 100W 15MHz |2SB1370 SI-P 60V 3A 30W 15MHz2SB1373 SI-P 160V 12A 2.5W 15MHz |2SB1375 SI-P 60V 3A 25W 9MHz2SB1382 P-DARL+D 120V 16A 75W B>2 |2SB1393 SI-P 30V 3A 2W 30MHz2SB1420 SI-P 120V 16A 80W 50MHz |2SB1425 SI-P 20V 2A 1W 90MHz2SB1429 SI-P 180V 15A 150W 10MHz |2SB1434 SI-P 50V 2A 1W 110MHz2SB1468 SI-P 60/30V 12A 25W |2SB1470 P-DARL 160V 8A 150W B>5K2SB1490 P-DARL 160V 7A 90W B>5K |2SB1493 P-DARL 160/140V 7A 70W 202SB1503 P-DARL 160V 8A 120W B>5K |2SB1556 P-DARL 140V 8A 120W B>5K2SB1557 P-DARL 140V 7A 100W B>5K |2SB1559 P-DARL 160V 8A 80W B>5K2SB1560 P-DARL 160V 10A 100W 50MHz |2SB1565 SI-P 80V 3A 25W 15MHz2SB1587 P-DARL+D 160V 8A 70W B>5K |2SB1624 P-DARL 110V 6A 60W B>5K2SB206 GE-P 80V 30A 80W | 2SB324 GE-P 32V 1A 0.25W2SB337 GE-P 50V 7A 30W LF-POWER |2SB407 GE-P 30V 7A 30W2SB481 GE-P 32V 1A 6W 15KHz |2SB492 GE-P 25V 2A 6W2SB511E SI-P 35V 1.5A 10W 8MHz |2SB524 SI-P 60V 1.5A 10W 70MHz2SB527 SI-P 110V 0.8A 10W 70MHz |2SB531 SI-P 90V 6A 50W 8MHz2SB536 SI-P 130V 1.5A 20W 40MHz |2SB537 SI-P 130V 1.5A 20W 60MHz2SB541 SI-P 110V 8A 80W 9MHz |2SB544 SI-P 25V 1A 0.9W 180MHz2SB546A SI-P 200V 2A 25W 5MHz |2SB549 SI-P 120V 0.8A 10W 80MHz2SB557 SI-P 120V 8A 80W |2SB560 SI-P 100V 0.7A 0.9W 100MHz2SB561 SI-P 25V 0.7A 0.5W |2SB564 SI-P 30V 1A 0.8W2SB598 SI-P 25V 1A 0.5W 180MHz |2SB600 SI-P 200V 15A 200W 4MHz2SB601 P-DARL 100V 5A 30W |2SB605 SI-P 60V 0.7A 0.8W 120MHz2SB621 SI-N 25V 1.5A 0.6W 200MHz |2SB621A SI-N 50V 1A 0.75W 200MHz2SB631 SI-P 100V 1A 8W | 2SB632 SI-P 25V 2A 10W 100MHz2SB633 SI-P 100V 6A 40W 15MHz |2SB637 SI-P 50V 0.1A 0.3W 200MHz2SB641 SI-P 30V 0.1A 120MHz |2SB647 SI-P 120V 1A 0.9W 140MHz2SB649A SI-P 160V 1.5A 1W 140MHz |2SB656 SI-P 160V 12A 125W 20MHz2SB673 P-DARL+D 100V 7A 40W 0.8us |2SB676 P-DARL 100V 4A 30W 0.15us2SB681 SI-N 150V 12A 100W 13MHz |2SB688 SI-P 120V 8A 80W 10MHz2SB700 SI-P 160V 12A 100W |2SB703 SI-P 100V 4A 40W 18MHz2SB705 SI-P 140V 10A 120W 17MHz |2SB707 SI-P 80V 7A 40W POWER2SB709 SI-P 45V 0.1A 0.2W 80MHz |2SB716 SI-P 120V 0.05A 0.75W2SB720 SI-P 200V 2A 25W 100MHz |2SB727 P-DARL+D 120V 6A 50W B>1K2SB731 SI-P 60V 1A 10W 75MHz |2SB733 SI-P 20V 2A 1W >50MHz2SB734 SI-P 60V 1A 1W 80MHz |2SB739 SI-P 20/16V 2A 0.9W 80MHz2SB740 SI-P 70V 1A 0.9W | 2SB744 SI-P 70V 3A 10W 45MHz2SB750 P-DARL+D 60V 2A 35W B>100 |2SB753 SI-P 100V 7A 40W 0.4us2SB764 SI-P 60V 1A 0.9A 150MHz |2SB765 P-DARL+D 120V 3A 30W B>1K2SB766 SI-P 30V 1A 200MHz | 2SB772 SI-P 40V 3A 10W 80MHz2SB774 SI-P 30V 0.1A 0.4W 150MHz |2SB775 SI-P 100V 6A 60W 13MHz2SB776 SI-P 120V 7A 70W 15MHz |2SB788 SI-P 120V 0.02A 0.4W 150MHz2SB791 P-DARL+D 120V 8A 40W B>10 |2SB794 P-DARL+D 60V 1.5A 10W B=72SB795 P-DARL+D 80V 1.5A 10W B<3 |2SB808 SI-P 20V 0.7A 0.25W 250MHz2SB810 SI-P 30V 0.7A 0.35W 160MHz |2SB815 SI-P 20V 0.7A 0.25W 250MHz2SB816 SI-P 150V 8A 80W 15MHz |2SB817 SI-P 160V 12A 100W2SB817F SI-P 160V 12A 90W 15MHz |2SB819 SI-P 50V 1.5A 1W 150MHz2SB822 SI-P 40V 2A 0.75W 100MHz |2SB824 SI-P 60V 5A 30W 30 MHz2SB825 SI-P 60V 7A 40W 10MHz |2SB826 SI-P 60V 12A 40W 10MHz2SB827 SI-P 60V 7A 80W 10MHz |2SB828 SI-P 60V 12A 80W 10MHz2SB829 SI-P 60V 15A 90W 20MHz |2SB857 SI-P 50V 4A 40W NF/S-L2SB861 SI-P 200V 2A 30W | 2SB863 SI-P 140V 10A 100W 15MHz2SB865 P-DARL 80V 1.5A 0.9W |2SB873 SI-P 30V 5A 1W 120MHz2SB882 P-DARL+D 70V 10A 40W B>5K |2SB883 P-DARL+D 70V 15A 70W B=5K2SB884 P-DARL 110V 3A 30W B=4K |2SB885 P-DARL+D 110V 3A 35W B=4K2SB891 SI-P 40V 2A 5W 100MHz |2SB892 SI-P 60V 2A 1W2SB895A P-DARL 60V 1A B=8000 |2SB897 P-DARL+D 100V 10A 80W B>12SB908 P-DARL+D 80V 4A 15W 0.15us |2SB909 SI-P 40V 1A 1W 150MHz2SB922 SI-P 120V 12A 80W 20MHz |2SB926 SI-P 30V 2A 0.75W2SB938A P-DARL+D 60V 4A 40W B>1K |2SB940 SI-P 200V 2A 35W 30MHz2SB941 SI-P 60V 3A 35W POWER |2SB945 SI-P 130V 5A 40W 30MHz2SB946 SI-P 130V 7A 40W 30MHz |2SB950A P-DARL+D 80V 4A 40W B>1K2SB953A SI-P 50V 7A 30W 150MHz |2SB955 P-DARL+D 120V 10A 50W B=42SB975 P-DARL+D 100V 8A 40W B>6K |2SB976 SI-P 27V 5A 0.75W 120MHz2SB985 SI-P 60V 3A 1W 150MHz | 2SB986 SI-P 60V 4A 10W 150MHz2SB988 SI-P 60V 3A 30W <400/2200。
2S系列三级管参数手册
140MHz 140MHz 20MHz 0.8us 0.15us 13MHz 10MHz
2SB700 2SB703 2SB705 2SB707 2SB709 2SB716 2SB720 2SB727 2SB731 2SB733 2SB734 2SB739 2SB740 2SB744 2SB750 2SB753 2SB764 2SB765 2SB766 2SB772 2SB774 2SB775 2SB776 2SB788 2SB791 2SB794 2SB795 2SB808 2SB810 2SB815 2SB816 2SB817 2SB817F 2SB819 2SB822 2SB824 2SB825 2SB826 2SB827 2SB828 2SB829 2SB857 2SB861 2SB863 2SB865 2SB873 2SB882
SI-P 0.5W 2.5A 20V
250MHz
SI-P
2A
30V
150MHz
SI-P 0.5W 2A
60V
150MHz
SI-P 0.5W 1A
40V
150MHz
SI-P 25W
3A
60V
40MHz
SI-P 25W
5A
60V
30W
SI-P 30W
7A
60V
10MHz
SI-P 30W
12A
60V
10MHz
7A 8A 8A 7A 8A 10A 3A 8A 6A 30A 1A 7A 7A 1A 2A 1.5A 1.5A 0.8A 6A 1.5A 1.5A 8A 1A 2A 0.8A 8A 0.7A 0.7A 1A 1A 15A 5A 0.7A 1.5A 1A 1A 2A 6A 0.1A 0.1A 1A 1.5A 12A 7A 4A 12A 8A
2SB1236A资料
TransistorsRev.A 1/3Power Transistor (−160V , −1.5A)2SB1275 / 2SB1236Az Features1) High breakdown voltage.(BV CEO = −160V) 2) Low collector output capacitance. (Typ. 30pF at V CB = 10V)3) High transition frequency .(f T = 50MH Z ) 4) Complements the 2SD1918 / 2SD1857A.z Absolute maximum ratings (T a = 25°C)ParameterSymbol V CBO V CEO V EBO I CP C Tj TstgLimits −160−160−5−1.511150−55∼+150Unit V V V A(DC)−3∗2∗1A(Pulse)W(Tc =25°C)W 102SB12752SB1236A °C °CCollector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collectorpowerdissipation Junction temperature Storage temperature1 Single pulse Pw =100ms2 Printed circuit board 1.7mm thick, collector plating 1cm 2 or larger.∗∗z External dimensions (Unit : mm)EIAJ : SC-63ROHM : CPT3ROHM : ATV2SB1236A2SB12750.45(2) Collector 1.05(3) BaseTaping specifications(1) Emitter 0.5(1)0.65Max.2.54(2)2.54(3)6.81.014.50.94.4 2.52.30.51.00.59.52.50.8Min.1.56.52.3(2)(3)C0.50.650.9(1)0.752.30.91.55.5(3) Emitter(Source)(2) Collector(Drain)(1) Base(Gate)5.1z Packaging specifications and h FEType 2SB1275CPT3P TL 25002SB1236AATV PQ TV22500Package h FECodeBasic ordering unit (pieces)z Electrical characteristics (T a = 25°C)TransistorsRev.A 2/3z Electrical characteristics curvesC O L L E C T O R C U R R E N T :I C (A )COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V CE (V)Fig.1 Ground emitter output characteristics−−−−−BASE TO EMITTER VOLTAGE : V BE (V)C O LL E C T O R C U R R E N T : I C (A )Fig.2 Ground emitter propagation characteristics −−−−−−−−−−COLLECTOR CURRENT : I C (A)D C C U R RE N T G A I N : hF EFig.3 DC current gain vs. collector current ( )−COLLECTOR CURRENT : I C (A)C O L L E C T O R S A T U R A T IO N V O L T A G E : V C E (s a t ) (V )Fig.5 Collector-emitter saturation voltage vs. collector current−−−−−−−−−−−COLLECTOR CURRENT : I C (A)B A S E S A T U R A T I O N V O L T A G E : V B E (s a t ) (V )C O L L E C T O R S A T U R A T I O N V O L T A G E : V C E (s a t ) (V ) Fig.6 Collector-emitter saturation voltageBase-emitter saturation voltage vs. collector current−−−−−−−−−−−COLLECTOR CURRENT : I C (A)D C C U R RE N T G A I N : hF EFig.4 DC current gain vs. collector current ( )−COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V CB (V)C O L L E C T O R O U T P U T C A P A C I T A N C E : C o b (p F )Fig.8 Collector output capacitance vs. collector-base voltageFig.9 Safe operating area (2SB1236A)COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V CE (V)C O L L E C T O R C U R R EN T : I C (A )−−−−−−−−−−−−−EMITTER CURRENT : I E (mA)T R A N S I T I O N F R E Q U E N C Y : f T (M H z )Fig.7 Resistance raito vs. emmiter currentTransistorsRev.A 3/3Fig.10 Safe operating area (2SB1275)COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V CE (V)C O L L E C T O R C U R RE N T : I C (A )−−−−−−−−−−−−−AppendixAbout Export Control Order in JapanProducts described herein are the objects of controlled goods in Annex 1 (Item 16) of Export T rade ControlOrder in Japan.In case of export from Japan, please confirm if it applies to "objective" criteria or an "informed" (by MITI clause)on the basis of "catch all controls for Non-Proliferation of Weapons of Mass Destruction.Appendix1-Rev1.1。
晶体管数据手册
2SA1242 SI-P 35V 5A 1W 170MHz
2SA1249 SI-P 180V 1.5A 10W 120MHz
2SA1262 SI-P 60V 4A 30W 15MHz
2SA1265N SI-P 140V 10A 100W 30MHz
2SA1624 SI-P 300V 0.1A 0.5W 70MHz
2SA1626 SI-P 400V 2A 1W 0.5/2.7us
2SA1643 SI-P 50V 7A 25W 75MHz
2SA1668 SI-P 200V 2A 25W 20MHz
2SA1671 SI-P 120/120V 8A 75W 20MHz
晶体管数据手册.txt每天早上起床都要看一遍“福布斯”富翁排行榜，如果上面没有我的名字，我就去上班。谈钱不伤感情，谈感情最他妈伤钱。我诅咒你一辈子买方便面没有调料包。Transistor Caracteristicas Transistor Caracteristicas
2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz
2N3904 SI-N 60V 0.2A .35W 300MHz
2N3963 SI-P 80V 0.2A 0.36W >40MHz
2N4001 SI-N 100V 1A 15W 40MHz
2N4036 SI-P 90V 1A 1W 60MHz
2N4236 SI-P 80V 3A 1W >3MHz
2SA1112 SI-P 180V 1A 20W 200MHz
2Sห้องสมุดไป่ตู้1124 SI-P 150V 50mA 1W 200MHz
2SB546中文资料
Absolute maximum ratings (Ta=25 )
2
元器件交易网
SavantIC Semiconductor Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
PACKAGE OUTLINE
2SB546
Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm)
3
元器件交易网
SavantIC Semiconductor Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SB546
4
2SB546
SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat ICBO IEBO hFE fT V V V
-1.0 -50 -50 240
V µA µA
MHz
hFE classifications R 40-80 O 70-140 Y 120-240
SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25 CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -200 -150 -5 -2 25 150 -55~150 UNIT V V V A W
晶体管的封装外形
PT-1型和TO-66型封装外形与国产管的F-1型封装外形基本相同。
2．塑料封装外形 采用塑料封装的晶体管有TO-92型、TO-92L型、TO-92LS型、TO-220型、TO-220FP型、TO-220FN型、TO-126型、TO-126FP型、TO-247型、TO-3P型、TO-202型、ATR型、ATV型、CPT型、MRT型、HRT型、SPT型、FTR型、FTL型、CPT F5型、PSD型、SMT型、MPT型、EM3型、UMT型等多种。
D型封装结构分为D-1型和D-2型，表5-22是其外形尺寸及代表型号，图5-22是其外形及引脚排列。
采用E型封装结构的晶体管有3DA86、3DK10等型号，图5-23是其外形尺寸及引脚排列。
F型封装结构主要用于各种低频大功率晶体管，它又分为F-0型~F-4型五种规格，其中F-2型封装结构应用最多。
S-8型封装外形有S-8A~S-8C等规格。其中S-8A型封装的散热片两侧带豁口，而S-8B型和S-8C型封装的散热片为平齐状，如图5-33所示。表5-29是S-8型封装晶体管的外形尺寸及代表型号。
F3型封装晶体管主要是作为彩色电视机等产品中的各种高反压大功率晶体管，它又分为F3-04A、43-04B等规格，如图5-34所示。采用F3型封装的晶体管有D1403、D1426等。
E3-01A型封装用于片状晶体管（表面安装器件），其外形尺寸及引脚排列见图5-35。
3．其它类型封装结构及外形 国产晶体管除金属和塑料封装结构外，还有极少数的晶体管采用陶瓷、环氧树脂或玻璃等材料封装。
采用陶瓷与环氧树脂封装的为超小型晶体管，有3DG13A~3DG13D、3DG14和CF104~CF106等型号，图5-36是3DG系列和CF系列陶瓷环氧树脂封装晶体管的外形尺寸。
B1236中文使用手册
多语言电子名片屏(用户参考手册)Type：B1236Version: 5.031．综述:1.1组成本名片屏的组成如下图所示, 由名片屏B1236U、USB通讯与充电线套件、CD-ROM软件光盘组成.1.2本名片屏的特点1) 12 x 36 点阵,可以显示三个中文/日文/韩文2) 6条文本信息,每条可以显示250个英文或120个中文/日文/韩文.3) 2条图像信息(最大 12 x 384 像素), 可以使用本信息显示公司LOGO, 印度文,泰文等…4) 11个生动的动画图标:5) 多语言,可以显示中文/繁体中文/日文/韩文/俄文/英文.6) 内置两个按键, 一个键选择播放8条信息中的某一条或8条信息连播, 另一个键选择显示屏的亮度,共有四级亮度可调 (25%, 50%, 75%, 100%).7) 强大的计算机管理软件平台,可以支持 RS232 /或USB 通讯.8) 内置大容量聚合物锂电池, 充电2个小时,可以连续使用16个小时(25%亮度).1.3 认识您手中的名片屏:如下图所示,名片屏的左边(背面看)有一个通讯/充电USB接口和一个电源开关,而名片屏的右边有两个按键,一个调节显示屏的亮度,另一个是信息选择按键.特别注意：USB线端口较为脆弱,插上RS232端口充电或通迅时，请勿用力插拔，避免损坏RS232端口,否刚将引起通讯或充电不正常。
1.4 如何打开/关闭名片屏首先,请确认名片屏的电池仍然有电量, 把上图所示的开关置于“打开”的状态, 则预先输入的节目信息就会显示出来. 当把开关置于“关闭”状态时,或电池电量耗尽时, 显示屏则会自动关闭.1.5 如何使用您的名片屏名片屏的背后有一个磁铁片, 可以取下来, 放置在被挂物品(衣服)的里面, 把名片屏背后的铁片对准接近,则利用磁铁的吸力,就可以把名片屏牢牢地挂在物品上面了.用力把磁铁片拉开正确穿戴后的效果也可以使用本产品配套的支架,与磁铁进行组合,如图所示:2. 软件操作说明USB 通讯计算机管理软件允许您通过一台PC机向名片屏输入您编辑的信息.附件中的光盘,内部部件如图所示：双击Install.exe安装程序后，将出现如下图所示安装指南界面：2.1 第一步: 请安装 USB驱动程序,这个程序使您的计算机增加一个虚拟的串行通讯接口，安装界面如下显示：2.2 第二步: 安装B1236名片屏程序，安装完毕后在桌面将出现如下快捷图标.双击这个图标，将启动本软件的操作界面：2.3如果显示的语言为英文,请选择右下角的箭号图标, 进行语言及显示字体的设置, 出现如下图所示：在信息1-6中,可以编辑250x6个的英文/数字/符号或675个东亚语言, 在信息7, 8 可以输入您需要输入的LOGO图标，单个LOGO最大约12*384像素.可以把不常用的语言以图标LOGO的方式，做到本软件中，实现特殊语言的输入。
2SB1572 PDF规格书
5 10
PNP Transistors 2SB1572
■ Typical Characterisitics
VCE(sat) - Collector Saturation Voltage - mV
1000 500
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE vs. COLLECTOR CURRENT
tf
Collector output capacitance
Cob VCB= -10V, IE= 0,f=1MHz
Transition frequency
fT
VCE= -10V, IE= 300 mA
■ Classification of hfe(2)
Type
2SB1572-X
2SB1572-Y
2SB1572-Z
COLLECTOR CURRENT vs. BASE TO EMITTER VOLTAGE 10 VCE = 2 V 5
2 1 0.5
0.2 0.1 0.05
0.02 0.01 0.005
0.002 0.001
300
500 700
900 1100
VBE - Base to Emitter Voltage - mV
0˚C
25˚C
10
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
IC - Collector Current - A
5 10
VCE(sat) - Collector Saturation Voltage - mV
IC - Collector Current - A TA = 125˚C 75˚C 25˚C
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
2SB1123中文资料
100 7 5
3 2
4.5
1.6
1.5
1.0 2.5 4.25max
0.4
0.5
3 1.5 2
1
3.0
0.75
0.4
1 : Base 2 : Collector 3 : Emitter
SANYO : PCP
Parameter Collector-to-Base Voltage Collector-to-Emitter Voltage Emitter-to-Base Voltage Collector Current Collector Current (Pulse)
Symbol
VCBO VCEO VEBO
IC ICP
Collector Dissipation
PC
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature
Tstg
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Conditions Mounted on a ceramic board (250mm2!0.8mm)
Rank
R
S
T
U
hFE 100 to 200 140 to 280 200 to 400 280 to 560 Marking 2SB1123 : BF
2SD1623 : DF
min
100* 40
Ratings
Unit
typ
max
(--)100
nA
(--)100
nA
560*
Continued on next page.
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0