东芝高速光耦大全,高速光耦TLP现货

TLP152原装东芝光藕中文资料及电路图

应用பைடு நூலகம்
家用光伏电源微型逆变器等离子平板显示器（ＰＤＰ）通用逆变器、ＡＣ伺服驱动器工业缝纫机
电路实例
轮廓图
ＴＯＳＨＩＢＡ深圳部：恒信宇
1
2012-09-14 Rev.3.0
ＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴ栅极驱动耦合器：ＴＬＰ１５２
ＴＬＰ１５２是ＳＯ６封装的ＩＣ光耦，可以直接驱动中型ＩＧＢＴ或功率ＭＯＳＦＥＴ。本产品可以达到ＳＯ６封装的工业最低输出电流２．５Ａ。与现有的产品ＴＬＰ７００（ＳＤＩＰ）相比，本产品的安装面积降低了５０％。而且，由于本产品与前一型号的产品相比，其工作电源电压从１５Ｖ（最小值）降到１０Ｖ（最小值），所以其功耗有所下降。凭借着可以保证的５ｍｍ的最小间隙和爬电距离以及０．４ｍｍ的内部绝缘厚度，该产品符合加强绝缘类的海外安全标准。本产品可以应用于众多要求减少尺寸的产品中，包括光伏电源微型逆变器、数码家电、工业设备以及控制器件，本产品有助于减小产品组件大小和降低成本。＊：由功率器件直接驱动的光耦，截止于２０１２年９月（根据东芝的调查）
特征
峰值输出电流：ＩＯＰ＝±２．５Ａ（最大值）传播延迟时间：ｔｐＨＬ＝１９０ｎｓ（最大值），ｔｐＬＨ＝１７０ｎｓ（最大值）宽广的工作温度范围保证：Ｔｏｐｒ＝－４０°Ｃ至１００°Ｃ工作电源电压：ＶＣＣ＝１０至３０Ｖ隔离电压：ＢＶｓ＝３７５０Ｖｒｍｓ已取得ＥＮ６０７４７－５－５标准认证

PS2801-1,TLP181,TLP121,FODM121,SFH690T迷你封装晶体管输出光耦参数应用原理

PS2801-1,TLP181,TLP121,FODM121,SFH690型号库存产商封装包装PS2801-1 77130 Toshiba SOP-4 3K/REELTLP181 95000 Toshiba SOP-4 3K/REELTLP121 77130 Toshiba SOP-4 3K/REEL FODM121 25000 Fairchild SOP-6 2.5K/REEL SFH690 17000 Vishay SOP-4 2K/REEL这几款是采用Mini型封装的晶体管输出光电耦合器，TLP181,TLP121,FODM121,SFH690采用的是SOP封装，PS2801-1采用的则是更小的SSOP封装。

SSOP SOP他们与普通4 PIN DIP封装的PC817，TLP521一样，采用红外线LED+光敏三极体的形式实现基本的隔离功能，因此，在隔离需求不是特别高达到四、五千伏的情况下，这些采用SSOP,SOP封装的光耦是可以完全替代PC817，LP521等DIP封装光耦的，因为他们的功能是完全一样的。

相比之下，他们采用的Mini型封装具有自己的优势，SOP相比DIP能节省42%的PCB面积，而SSOP相比DIP更是能节省近60%的PCB面积，为客户在成本与设计上提供能更大的空间。

基本参数PS2801-1 TLP121 TLP181 FODM121 SFH690封装SSOP SOP SOP SOP SOP隔离电压BVs 2500 Vrms 3750 Vrms 3750 Vrms 3750 Vrms 3750 Vrms崩溃电压BVce 80 V 80 V 80 V 80V 80 V需要注意的是，晶体管输出光耦一般属于线性光耦，但是其电流传输比（CTR）随输入电流的变化是很大的，而厂商给出的CTR值一般是在IF=5mA，VCE=5V的条件下的测试值，而根据下面CTR与IF的曲线，为了保证CTR的波动不会太大，建议IF在5-15mA的范围内。

光耦简介及常见型号

常用光耦简介及常见型号光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。

光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。

常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。

非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。

线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。

开关电源中常用的光耦是线性光耦。

如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。

由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

同时电源带负载能力下降。

在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。

常用的4脚线性光耦有PC817A----C。

PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。

常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。

经查大量资料后，以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比(CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。

光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。

光耦参数及资料

光电耦合器 ( 光耦 ) 参数及资料市场常见光耦内部图：4-Pin Phototransistor Output; GaAs InputCTR @BV BV V t / tOFF型号CEO CBO CE (sat)ON V 厂牌10 mA I F (%)(V)(V)(V)(uS)ISO (规格 )AC[RMS]min max min max max maxTLP521-1TOSHIBA506005570.42/3 2.5kV TLP521-2TOSHIBA506005570.42/3 2.5kV TLP521-4TOSHIBA1006005570.42/3 2.5kV TLP621-1TOSHIBA506005570.42/310kV TLP721TOSHIBA506005570.43/3 4.0kV PS2501NEC806008070.33/5 5.0kV PS2561NEC804008070.33/5 5.0kV 817(KP1010)COSMO506003560.218/18 5.0kV PC817SHARP506003560.218/18 5.0kVPC817A SHARP801603560.218/18 5.0kV PC817B SHARP1302603560.218/18 5.0kV PC817C SHARP2004003560.218/18 5.0kV PC817D SHARP3006003560.218/18 5.0kV H11A817FSC506003560.218/18 5.3 kV H11A817A FSC801603560.218/18 5.3 kV H11A817B FSC1302603560.218/18 5.3 kV H11A817C FSC2004003560.218/18 5.3 kV H11A817D FSC3006003560.218/18 5.3 kV 4-Pin Phototransistor Output; GaAs AC InputCTR @BV BV V t / tOFFPart CEO CBO CE (sat)ON V ISO厂牌10 mA I(%)(V)(V)(V)(uS)Number F AC[RMS]min max min min max maxTLP320TOSHIBA20805570.43/3 5.0KVTLP620TOSHIBA506005570.43/3 5.0kVPC814SHARP203003560.24/18 5.0kVPC814A SHARP501503560.24/18 5.0kVH11AA814QT203003560.2-- 5.3 kVH11AA814A QT501503560.2-- 5.3 kV光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。

东芝TLP620,TLP620-2,TLP620-4光耦合器说明书

TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−TransistorTLP620, TLP620−2, TLP620−4Programmable ControllersAC / DC−Input ModuleTelecommunicationThe TOSHIBA TLP620, −2 and −4 consists of a photo−transistoroptically coupled to two gallium arsenide infrared emitting diodeconnected in inverse parallel.The TLP620−2 offers two isolated channels in an eight lead plastic DIP,while the TLP620−4 provides four isolated channels in a sixteen plasticDIP.· Collector−emitter voltage: 55V (min.)· Current transfer ratio: 50% (min.)Rank GB: 100% (min.)Pin Configurations (top view)TLP6201 2431 : ANODECATHODE2 : CATHODEANODE3 : EMITTER4 : COLLECTOR1, 3 : ANODECATHODE2, 4 : CATHODEANODE5, 7 : EMITTER6, 8 : COLLECTOR234561, 3, 5, 7 : ANODE, CATHODE2, 4, 6, 8 : CATHODE, ANODE9, 11, 13, 15 :EMITTER10, 12, 14, 16 : COLLECTORTOSHIBA 11−5B2Weight: 0.26 gTOSHIBA 11−10C4Weight: 0.54 gTOSHIBA 11−20A3Weight: 1.1 gUnit in mmMade In Japan Made In Thailand UL recognized E67349 *1E 152349 *1BSI approved7426, 7427*27426, 7427*2*1 UL 1577*2 BS EN60065: 1994, BS EN60950: 1992· Isolation voltage: 5000V rms (min.)· Option (D4) typeVDE approved: DIN VDE0884 / 06.92, certificate no. 68384 Maximum operating insulation voltage: 890V PK Highest permissible over voltage: 8000V PK(Note) When a VDE0884 approved type is needed,please designate the “Option(D4)”.· Creepage distance: 6.4mm (min.)Clearance: 6.4mm (min.)Insulation thickness: 0.4mm (min.)Maximum Ratings (Ta = 25°C)RatingCharacteristic SymbolTLP620TLP620-2 TLP620-4UnitForward current I F (RMS) 60 50 mAForward current derating ∆I F / °C -0.7 (Ta ≥ 39°C)-0.5 (Ta ≥ 25°C)mA / °CPulse forward current I FP 1 (100µs pulse, 100pps) APower dissipation (1 circuit) P D 100 70 mW Power dissipation derating ∆P D / °C-1.0-0.7 mW / °CL E DJunction temperature T j125 °CCollector -emitter voltage V CEO 55 VEmitter -collector voltage V ECO 7 VCollector currentI C 50 mA Collector power dissipation (1 circuit)P C 150 100 mW Collector power dissipation derating (1 circuit) (Ta ≥ 25°C) ∆P C / °C-1.5-1.0 mW / °CD e t e c t o rJunction temperature T j 125 °CStorage temperature range T stg -55~125 °COperating temperature range T opr-55~100 °CLead soldering temperature T sold 260 (10s) °C Total package power dissipation P T 250 150 mW Total package power dissipation derating (Ta ≥ 25°C, 1 circuit) ∆P T / °C-2.5-1.5 mW / °CIsolation voltageBV S 5000 (AC, 1 min., RH ≤ 60%)V rmsRecommended Operating ConditionsCharacteristic Symbol Min.Typ.Max.UnitSupply voltage V CC ― 5 24 V Forward current I F (RMS) ― 16 20 mA Collector current IC ― 110 mAOperating temperatureT opr-25― 85 °CIndividual Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitForward voltage V F I F = ±10mA 1.01.151.3 VFoward currentI FV F = ±0.7V ― 2.5 20 µA L E DCapacitance C T V = 0, f = 1MHz ― 60 ― pF Collector -emitterbreakdown voltage V (BR) CEO I C = 0.5mA55―― VEmitter -collector breakdown voltage V (BR) ECOI E = 0.1mA 7 ― ― V V CE = 24V―10100nACollector dark current I CEO V CE = 24V, Ta = 85°C ― 2 50 µA D e t e c t o rCapacitance(collector to emitter)C CEV CE = 0, f = 1MHz―10― pFCoupled Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition MIn. Typ. Max.Unit50 ― 600Current transfer ratioI C / I FI F = ±5mA, V CE = 5V Rank GB100― 600%― 60 ― Saturated CTRI C / I F (sat)IF = ±1mA, V CE = 0.4V Rank GB30 ――%I C = 2.4mA, I F = ±8mA―― 0.4― 0.2 ― Collector -emitter saturation voltageV CE (sat)I C = 0.2 mA, I F = ±1 mA Rank GB― ― 0.4 VOff -state collector current I C (off) V F = ± 0.7V, V CE = 24V ― 110 µACTR symmetryI C (ratio)I C (I F = -5mA) / I C (I F = +5mA)0.331 3 ―Isolation Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitCapacitance input tooutputC S V S = 0, f = 1MHz ― 0.8 ― pF Isolation resistanceR SV S = 500V 1×1012 1014 ― Ω AC, 1 minute5000 ― ― AC, 1 second, in oil ― 10000 ― V rms Isolation voltageBV SDC, 1 minute, in oil―10000―V dcSwitching Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitRise time tr ― 2 ―Fall time t f ― 3 ― Turn -on time t on ― 3 ― Turn -off time t off V CC = 10V I C = 2mA R L = 100Ω― 3 ― µsTurn -on time t ON ― 2 ― Storage time t s ―15―Turn -off timet OFFR L = 1.9k Ω (Fig.1)V CC = 5V, I F = ±16mA ― 25 ―µsFig. 1 Switching time test circuitI FV CCV CECCTLP620-2 TLP620-4 I F – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e f o r w a r d c u r r e n t I F (R M S ) (m A )100-2060400 20 40 60 80 100 8020120TLP620 P C – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e c o l l e c t o r p o w e r d i s s i p a t i o n P C (m W )240-20 4016060100120080200120204080TLP620-2 TLP620-4 P C – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e c o l l e c t o r p o w e r d i s s i p a t i o n P C (m W )1200-20400 40 10080602020 60 80 100 120TLP620 I FP – D RDuty cycle ratio D R A l l o w a b l e p u l s e f o r w a r d c u r r e n t I F P (m A )1 310311 3 3TLP620-2 TLP620-4 I FP – D RDuty cycle ratio D RA l l o w a b l e p u l s e f o r w a r d c u r r e n t I FP (m A )111 310 310 3100103TLP620 I F – TaAmbient temperature Ta (°C) A l l o w a b l e f o r w a r d c u r r e n t I F (R M S ) (m A )0-208040200 20 40 60 8010060100120∆V F / ∆Ta – I FForward current I F (mA)F o r w a r d v o l t a g e t e m p e r a t u r e c o e f f i c i e n t ∆V F / ∆T a (m V/ °C ) 1-2.8-2.4-2.0-1.6-1.2-0.8-0.40.10.331030I D – T aAmbient temperature Ta (°C)C o l l e c t o r d a r k c u r r e n t ID (µA )4080120160101010-10-10-10-I FP – V FPPulse forward voltage V FP (V)P u l s e f o r w a r d c u r r e n t I F P (m A )1100.40.81.21.6 2.01 2.4C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )I C – V CECollector-emitter voltage V CE (V)C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )24610I F – V FForward voltage V F (V) F o r w a r d c u r r e n tI F (m A )110.0.40.60.81.01.21.41.6I C – V CECollector-emitter voltage V CE(V)1100.40.61.4V F – I FForward voltage V F (V)F o r w a r d v o l t a g e I F (m A )-- 20.313103010011I C / I F – I FForward current I F (mA)C u r r e n t t r a n s f e r r a t i o I C / I F (%)I C – V FForward voltage V F (V)C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )110.0.0I C – I FForward current I F (mA) C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )110.I C – TaAmbient temperature Ta (°C)110. C o l l e c t o r c u r r e n t I C (mA )1111R L – Switching TimeLoad resistance R L (k Ω)S w i t c h i n g t i m e (µs )V CE (sat) – TaAmbient temperature Ta (°C)C o l l e c t o r -e m i t t e r s a t u r a t i on v o l t a g e V C E (s a t ) (V )2040600.10.10· TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. 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东芝高速光耦TLP105数据表

DC,1 minute,in oil
― 10000 ―
Vdc
Note 5: A ceramic capacitor (0.1 μA) should be connected from pin 6 to pin 4 to stabilize the operation of the high gain linear amplifier. Failure to provide the bypassing may impair the switching property. The total lead length between capacitor and coupler should not exceed 1 cm.
Truth Table
Input H L
LED ON OFF
Tr1 ON OFF
Tr2 OFF ON
Output H L
Pin Configuration (top View)
1
VCC 6 1:ANODE
3:CATHODE
5 4:GND
5:VO(Output)
3
GND SHIELD
4
6:VCC
Schematic
MIN.
1.45
―
― ― ―
2.7 17.4
― ― ― ―
15 20 -5 -10
―
0.8
―
TYP.
1.57
-2.0
―
100 0.2 4.0 19.0
― ― ― ―
80 90 -15 -20
0.4
―
0.05
TLP105
MAX. UNIT
1.75
V
― mV/°C

常用光耦简介及常见型号

常用光耦简介及常见型号普通的线性光耦有PC111 、TLP521、PC817、TLP632 、TLP532 、PC614 、PC714 、2031等，但要看用在哪里，因为其线性并不能满足各类要求，其优点是价格便宜，货源好.更好的属精密线性光耦如LOC211、HCNR200、HCNR201。

2011-03-24 23:25常用光耦简介及常见型号光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。

光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。

常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。

非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。

线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。

开关电源中常用的光耦是线性光耦。

如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。

由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

同时电源带负载能力下降。

在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。

常用的4脚线性光耦有PC817A----C。

PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。

常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。

经查大量资料后，以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。

TLP250中文资料-datasheet

TLP250中文资料-datasheet东芝光电耦合器砷化镓铝集成红外光电二极管TLP250(INV) TLP250(INV)晶体反相器栅极驱动IGBT调节器大功率MOSFET栅极驱动东芝TLP250(发票)由GaAlAs发光二极管和集成的光电探测器.单位 mm.本芯片是8脚DIP封装TLP250(INV) 适用于栅极驱动的IGBT管和大功率MOSFET管? 输入阈值电流 ? 电源电流(ICC) ? 电源电压(VCC) ? 输出电流(IO) ? 隔离电压 ? UL 认证 ? 期权(D4)VDE 核准 : 德标 VDE0884/06.92 76823号证书最大绝缘工作电压 : 630VPK 允许的最高过电压: 4000VPK(注):当需要一个VDE0884认可类型, 请指定命名为“期权(D4)”? 爬电距离空隙: 6.4mm(最小) : 6.4mm(最小) : IF=5mA(最大) : 11mA(最大) : 10~35V :±2.0A(最大) : 2500Vrms: UL1577,E67349号文件? 开关转换时间(tpLH/tpHL) : 0.5μs(最大)东芝重: 0.54 g11?10C4TRUTH TABLE管脚排列(俯视图) 输入 LED 开关１记录 2 ８７６５1:空置. 2: 正极 3:负极 4:空置. 5:地6: 电压输出 7:电压输出 8:电源记录 1 开关２关开３４SCHEMATICIF 2 + ICC （Tr1） 8VCCVF3 -一个0.1uF的旁路电容应该和8脚和5脚连接起来（见注释5） . VO ７ VO IO 6 （Tr２） GND 512002-06-27极限工作范围 (工作温度=25°C时)TLP250(INV) 典型参数正向电流正向电流变化率 (工作温度≥70℃) LED 浪涌电流反向电压节点温度符号 IF ?IF /?Ta (注释1) IFPT VR Tj 极限值 20 ?0.36 1 5 125 ?1.5 单位mA mA /°C A V °C “H” 峰值输出电流脉冲宽度≤2.5μs , 频率≤15 kHz 脉冲宽度≤1.0μs , 频率≤15 kHz (注释2) A IOPH ?2.0 “L” 峰值输出电流脉冲宽度≤2.5μs , 频率≤15 kHz 脉冲宽度≤1.0μs , IOPL +1.5+2.0 A 探测器频率≤15 kHz 输出电压供电电压 (工作温度≤70°C) (工作温度=85°C) (工作温度≤70°C) (工作温度=85°C) VO 35 24 V VCC 35 24 V 输出电压变化率(工作温度≥70°C) 供电电压变化率(工作温度≥70°C) 节点温度工作频率工作温度范围存储温度范围引脚焊接温度(10s) 隔离电压 (交流,1分钟., 相对湿度≤60%,工作温度=25°C)?VO /?Ta ?VCC /?Ta Tj （注释3) f Topr Tstg Tsol (注释4) BVS ?0.73 ?0.73 125 25 ?20~85 ?55~125 260 2500 V /°C V /°C °C kHz °C °C °C V（有效值）(注释1) : 脉宽≤1μs,300pps (Note 2) : 浪涌(注释3) : 浪涌波形IOPH≤?1.0A (≤2.5μs) , IOPL≤+1.0A (≤2.5μs) (注释4) : 双端驱动 : 1,2,3 ,4 脚短接；5,6,7 ,8 脚短接.(注释5): 用一个0.1μF陶瓷电容应该连接在8脚和5脚之间来获得稳定的放大增益。

光耦简介及常见型号

光耦简介及常见型号光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。

光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。

常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。

非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。

线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。

开关电源中常用的光耦是线性光耦。

如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。

由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

同时电源带负载能力下降。

在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。

常用的4脚线性光耦有PC817A----C。

PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。

常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。

经查大量资料后，以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。

光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。

常用光耦型号

常用光耦型号（转）默认分类2009-05-04 09:02:16 阅读527 评论0 字号：大中小100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）另外，台湾COSMO公司的KP7010在RL选值为300欧左右时，我根据其数据手册所载数值计算，速率可达100Kbit/S，且为6脚封装，比同级的6N138、6N139小巧，价格也较低。

CTR的定义光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比(CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。

光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。

可控硅型光耦还有一种光耦是可控硅型光耦。

例如：moc3063、IL420；它们的主要指标是负载能力；例如：moc3063的负载能力是100mA；IL420是300mA；光耦的部分型号产品名称型号规格性能说明光电耦合4N25 晶体管输出4N25MC 晶体管输出4N26 晶体管输出4N27 晶体管输出4N28 晶体管输出4N29 达林顿输出4N30 达林顿输出4N31 达林顿输出4N32 达林顿输出4N33 达林顿输出4N33MC 达林顿输出4N35 达林顿输出4N36 晶体管输出4N37 晶体管输出4N38 晶体管输出4N39 可控硅输出6N135 高速光耦晶体管输出6N136 高速光耦晶体管输出6N137 高速光耦晶体管输出6N138 达林顿输出6N139 达林顿输出MOC3020 可控硅驱动输出MOC3021 可控硅驱动输出MOC3023 可控硅驱动输出MOC3030 可控硅驱动输出MOC3040 过零触发可控硅输出MOC3041 过零触发可控硅输出MOC3061 过零触发可控硅输出MOC3081 过零触发可控硅输出TLP521-1 单光耦TLP521-2 双光耦TLP521-4 四光耦TLP621 四光耦TIL113 达林顿输出TIL117 TTL逻辑输出PC814 单光耦PC817 单光耦H11A2 晶体管输出H11D1 高压晶体管输出H11G2 电阻达林顿输。

TOSHIBA光耦TLP系列的部分光耦的应用

TLP112‎A东芝小型扁平‎耦合器TLP‎112A是一‎个小外型耦合‎器，适用于贴片安‎装。

TLP112‎A包含一个高‎输出功率的砷‎化镓铝发光二‎极管，该二极管光耦‎合到一个高速单‎片光电晶体管‎探测器。

TLP112‎A（P112A）特性∙隔离电压：2500Vr‎m s（最小）∙转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）（R L=1.9kΩ）∙兼容TTL∙UL 认证：UL1577‎,file no.E67349‎TLP112‎A（P112A）应用∙晶体管逆变器‎∙数字逻辑隔离‎∙线路接收器∙电源控制，反馈控制∙开关式电源TLP113‎A概述：东芝小型扁平‎耦合器TLP‎113是一个‎小外型耦合器‎，适用于贴片安‎装。

TLP113‎（包含一个高输‎出功率的砷化‎镓铝发光二极‎管，该二极管光耦‎合到一个高增‎益，高速单片光探‎测器。

探测器的输出‎为肖特基钳位‎晶体管，集电极开路输‎出。

TLP113‎A特性：∙输入电流阀值‎：IF=10mA（最大）∙转换速度：10MBd（典型值）∙兼容TTL / LSTTL：Vcc=5V∙性能保证温度‎范围：0～70℃∙隔离电压：2500Vr‎m s（最小）∙UL 认证：UL1577‎file no.E67349‎TLP113‎A应用：∙隔离线路接收‎器∙单/多路数据传输‎∙计算机外设接‎口∙微处理器系统‎接口∙A/D,D/A转换数字隔‎离TLP114‎A东芝小型扁平‎耦合器TLP‎114A是一‎个小外型耦合‎器，适用于贴片安‎装。

TLP114‎A含有一个高‎输出功率的砷‎化镓铝发光二‎极管，该二极管光耦‎合到一个高速‎单片光电晶体‎管探测器。

TLP114‎A特性∙隔离电压：3750Vr‎m s（最小）∙转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）（RL=1.9kΩ）∙兼容TTL UL∙认证：UL1577‎,file no.E67349‎TLP114‎A应用∙数字逻辑隔离‎∙线路接收器∙电源控制，反馈控制∙开关式电源∙晶体管逆变器‎TLP115‎A概述：东芝小型扁平‎耦合器TLP‎115A是一‎个小外型耦合‎器，适用于贴片安‎装。

TLP521中文资料

TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。

该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值）经常转移的比例： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。

Recommended Operating Conditions建议操作条件*1: Ex. rank GB: TLP521−1 (GB)(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数(Ta = 25℃)Coupled Electrical Characteristic 耦合电气特性参数s(Ta = 25℃)Isolation Characteristic 耦合电气特性参数(Ta = 25℃)Switching Characteristic 开关特性参数(Ta = 25℃)图3 TLP521-1 封装图图4 TLP521-2 封装图图5 TLP521-4 封装图图6 开关时间测试电路特性曲线图：应用电路：图7 打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图74HC04 特性:∙缓冲输入∙传输延迟(典型值): 6ns at V CC = 5V, C L = 15pF, T A= 25°C ∙扇出（驱动）能力： (在温度范围内)- 标准输出 . . . . . . . . . . . . . . . 10 LSTTL Loads- 总线驱动 . . . . . . . . . . . . . . . 15 LSTTL Loads ∙宽工作温度范围 . . . –55°C to 125°C∙对称的传输延迟和转换时间∙相对于LSTTL逻辑IC，功耗减少很多∙HC Types- 工作电压：2V到6V- 高抗扰度: NIL = 30%, NIH= 30% of VCCat VCC= 5V∙HCT Types- 工作电压：4.5V到5.5V- 兼容直接输入LSTTL逻辑信号, VIL = 0.8V (Max), VIH= 2V (Min)- 兼容CMOS逻辑输入, Il 1μA at VOL, VO该74HC04/74HCT04是高速CMOS器件，低功耗肖特基的TTL(LSTTL)电路。

329j光耦规格书

329j光耦规格书摘要：1.光耦简介与作用2.329J光耦规格书解析3.329J光耦性能特点4.应用领域与选型建议正文：一、光耦简介与作用光耦，又称光电耦合器，是一种将电信号转换为光信号，再将光信号转换为电信号的器件。

它具有抗干扰、高隔离、低漂移、高速度等优点，广泛应用于各种电子设备中，实现信号传输、电平转换、开关控制等功能。

二、329J光耦规格书解析329J光耦是东芝（T oshiba）公司生产的一款光电耦合器，其规格书详细介绍了产品的各项性能参数。

以下是329J光耦的主要规格：1.输出光功率：5mW2.接收光灵敏度：0.5A（IF=5mA，VCE=5V）3.正向通态电压：1V4.反向阻断电压：5V5.输入电流：5mA6.输出电流：50mA7.隔离电压：500V8.温度范围：-40℃~+105℃三、329J光耦性能特点1.高隔离电压：329J光耦的隔离电压高达500V，能够有效抑制电磁干扰，保证信号传输的稳定性。

2.低功耗：329J光耦的输入电流仅为5mA，输出电流为50mA，低功耗设计使其在长时间运行过程中能够节省能源。

3.高速响应：329J光耦具有高速响应特性，可满足高速信号传输需求。

4.宽温度范围：329J光耦的工作温度范围为-40℃~+105℃，适应各种恶劣环境。

四、应用领域与选型建议1.应用领域：329J光耦广泛应用于工业控制、通信设备、家电产品等领域，实现信号传输、电平转换、保护等功能。

2.选型建议：在选择329J光耦时，应根据实际应用需求，考虑隔离电压、传输速率、功耗等性能参数，确保光耦能满足系统要求。

总之，329J光耦作为一款高性能的光电耦合器，凭借其优秀的抗干扰能力、低功耗、高速响应等特点，在众多领域发挥着重要作用。

TLP中文资料datasheet

TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。

该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值）经常转移的比例： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。

Recommended Operating Conditions建议操作条件*1: Ex. rank GB: TLP521−1 (GB)(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数(Ta = 25℃)Coupled Electrical Characteristic 耦合电气特性参数s(Ta = 25℃)Isolation Characteristic 耦合电气特性参数(Ta = 25℃)Switching Characteristic 开关特性参数(Ta = 25℃)图3 TLP521-1 封装图图4 TLP521-2 封装图图5 TLP521-4 封装图图6 开关时间测试电路特性曲线图：应用电路：图7 打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图74HC04 特性:∙缓冲输入∙传输延迟(典型值): 6ns at V CC = 5V, C L = 15pF, T A= 25°C∙扇出（驱动）能力： (在温度范围内)- 标准输出 . . . . . . . . . . . . . . . 10 LSTTL Loads- 总线驱动 . . . . . . . . . . . . . . . 15 LSTTL Loads ∙宽工作温度范围 . . . –55°C to 125°C∙对称的传输延迟和转换时间∙相对于LSTTL逻辑IC，功耗减少很多∙HC Types- 工作电压：2V到6V- 高抗扰度: N IL = 30%, N IH= 30% of V CC at V CC = 5V∙HCT Types- 工作电压：4.5V到5.5V- 兼容直接输入LSTTL逻辑信号, V IL= 0.8V (Max), V IH = 2V (Min)- 兼容CMOS逻辑输入, I l1μA at V OL, V O该74HC04/74HCT04是高速CMOS器件，低功耗肖特基的TTL(LSTTL)电路。

高速光耦芯片选型大全

通讯用高速光藕型号大全
100K bit/S:
6N138、6N139、PS8703
1M bit/S:
6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）
10M bit/S:
6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）
另外，台湾COSMO公司的KP7010在RL选值为300欧左右时，我根据其数据手册所载数值计算，速率可达100Kbit/S，且为6脚封装，比同级的6N138、6N139小巧，价格也较低。

速度要求不高的情况下，可以用廉价的低速光耦搭配2只廉价的三级管来提高速度。

上次我做一个SPI通信的系统，并且要求不能共地，SPI总线的频率100K左右，我就用一个廉价的TLP521加了一只C1815,一只A1015实现了。

作技术总结时，为了验证通信的可靠性，我将该电路单独搭出来测试，轻松过300K，做了100只光耦，全部通过300K测试。

要看做什么样的通信,如果对边沿要求高的话,可以涮掉好大一部分.。

常用光耦简介

常用光耦简介光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。

常用的4N系列光耦属于非线性光耦,常用的线性光耦是PC817A-C系列。

非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。

线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。

常用的4脚线性光耦有PC817A-C、PC111、TLP521等，常用的六脚线性光耦有：TLP632、TLP532、PC614、PC714、PS2031等，常用的4N25、4N26、4N35、4N36均属于非线性光耦。

光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。

光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。

可控硅型光耦还有一种光耦是可控硅型光耦。

如MOC3063、IL420；它们的主要指标是负载能力；例如：MOC3063的负载能力是100mA；IL420是300mA；光耦的部分型号型号规格输出模式4N25 晶体管输出4N25MC 晶体管输出4N26 晶体管输出4N27 晶体管输出4N28 晶体管输出4N29 达林顿输出4N30 达林顿输出4N31 达林顿输出4N32 达林顿输出4N33 达林顿输出4N35 达林顿输出4N36 晶体管输出4N37 晶体管输出4N38 晶体管输出4N39 可控硅输出6N135 高速光耦晶体管输出6N136 高速光耦晶体管输出6N137 高速光耦晶体管输出6N138 达林顿输出6N139 达林顿输出MOC3020 可控硅驱动输出MOC3021 可控硅驱动输出MOC3023 可控硅驱动输出MOC3030 可控硅驱动输出MOC3040 过零触发可控硅输出MOC3041 过零触发可控硅输出MOC3061 过零触发可控硅输出MOC3081 过零触发可控硅输出TLP521-1 单光耦TLP521-2 双光耦TLP521-4 四光耦TLP621 四光耦TIL113 达林顿输出TIL117 TTL逻辑输出PC814 单光耦PC817 单光耦H11A2 晶体管输出H11D1 高压晶体管输出H11G2 电阻达林顿输*过零触发意思是在零电压和零电流状态下导通可控硅，免除了电流和电压对可控硅的冲击，对可控硅的使用寿命有很好的保护作用。

东芝光耦命名规律

东芝光耦命名规律发布时间：2010-12-21 下午3:53发帖人：流氓末末发送消息等级：遁门入道积分： 295分回复引用关注推荐收藏现在市场上各种IC 型号层出不穷，对于一些老手来说数万个型号信口拈来，连封装，年份可以说是倒背如流了，但是对于一些新手来说就是件很苦闷的差事了。

最近光耦炒的很热，价格也是翻了好几番，有的档位市场上根本就很难问到货。

现在就东芝光耦型号命名规律跟大家分享下。

我们以型号TLP176A为例来说明1. TLP means photo coupler / photo sensor.2. Package type, etc.This section shows a product's package type, safety standard status, etc.( Details are shown in the following table. )Number Package, etc.1 Mini flat type2 Various types3 DIP type4 HOOP line products5 DIP type6 DIP type7 DIP type, SDIP type(8 to 12) (Photo interrupter)30 to 99( note 2 ) Various types3. Output styleThis section expresses output style.( It is an exception when there is "30" to section 2 )00 - 09: IC coupler / Photorelay∙10 - 19: IC coupler∙20 - 29: 4 Pin∙30 - 39: 6 Pin∙40 - 49: Thyristor output∙50 - 59: IC output∙60 - 69: Triac output∙70 - 79: Darlington Transistor output∙80 - 89: Transistor output∙90 - 99: MOSFET output / Photo voltaic output∙4.Withstand voltage level, etc.( It is an exception when there is a "30" to section 2 )Details are as follows.(a) Photo relay∙A: 60V∙B: 100V∙D: 200V∙G: 350 or 400V(b) Photo triac, Photo coupler∙G: 300 or 400V∙J: 600V∙L: 800VLetters other than G and J : it shows that there were some changes。