光刻缺陷检查培训英文版(ppt 47页)
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光刻缺陷检查培训英文版
Magnifying glass or microscope examination
Use a magnifying glass or microscope to magnify the surface of a wafer for more accurate identification and classification of defects. This method improves the accuracy and reliability of detection, but still requires manual operation.
Traditional defect inspection methods often have limitations in accuracy and efficiency, and cannot meet the needs of modern semiconductor manufacturing Therefore, it is necessary to provide training on literacy defect inspection to improve the ability of inspectors
workspace, and handling of the graphic substructure
02
Chemical factors
Residuals can be caused by the use of cancer chemicals during
processing that may not be completely removed from the
Analysis of lithography
Use a magnifying glass or microscope to magnify the surface of a wafer for more accurate identification and classification of defects. This method improves the accuracy and reliability of detection, but still requires manual operation.
Traditional defect inspection methods often have limitations in accuracy and efficiency, and cannot meet the needs of modern semiconductor manufacturing Therefore, it is necessary to provide training on literacy defect inspection to improve the ability of inspectors
workspace, and handling of the graphic substructure
02
Chemical factors
Residuals can be caused by the use of cancer chemicals during
processing that may not be completely removed from the
Analysis of lithography
KLA缺陷检查培训ppt
➢24.Corrosion : Caused by etch strip chamber or bad environment. This type defect is 100% killer defect.
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Page: 24
➢10.Residue ：Always happen after wet station clean.
➢11.Patten abnormal : Roughness,Defocus,Patten shift and so on.
Roughness
Defocus
Patten shift
Patten Abnormal
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➢8.Ring like defect: Such as defects caused by ARC splash, usually related to PHOTO.
Poly
Metal
➢9.Grape like defect:Induces by PHOTO PU.
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Page: 20
➢20. Slurry:
➢21. PR /Polymer_remain :PR has not been stripped completely, typically contains Carbon
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➢22.Arcing: ➢23.Line open:
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➢12.Concave: COP（ Crystal oriented pits ）, Oxide Loss，Pits. ➢13.Peeling : Pattern shift or missing（W plug is one of peeling,always appear at wafer edge.）
光刻缺陷检查培训英文版
• 典型PA 4： V1PA • 外观：圆形突起, 一般外围有凹痕 • 成因： SOG process引入的particle. • OM figure: VIPA
PB：PR burn
• 外观：PR内缩，黑色残留物，不易去除。 • 成因： 高能量过程导致光阻烧焦。 • OM figure:
PI：Pits
MA：mis-alignment
• 外观：图形便移，与其他图形重叠 全批/单片重复性缺陷 • 成因： Layer to layer mis-alignment 或REWORK 图形残留 • OM figure:
NU：Non-uniform
• 外观： VIA层有液滴或条状突起 • 成因：（ a, SOG涂布时湿度控制不良，造成泡沫状或条状突起。 ） ？？
务必到ETCH 后再CHECK。如有RE则为Pits，判断是否报废，如无RE ，则非Pits • 请注意判断RE所在FILM，及MET 1/ MET2 上是否有同样defect • 成因：在凹洞之中的顆粒狀核心即為Theta Phase （AlOCu ）析出 。黄光显影液腐蚀，ACT槽
腐蚀，或MET FILM process 温度过低。 • OM figure: M2PI
SC：scratch
• 典型SC 3：MET ETCH后 SC • 外观: a，金属线条有损伤，刮伤边缘有金属被带出；
b, 刮伤区域较为干净，不会产生很多碎屑。 c, 请注意区分MET1 MET2 • 成因：人为不规范操作，机台异常 ，叠片，斜插，OM 操作不当。 • OM figure: M1SC
RE：Residue (ETCH)
• 典型RE ：TIW RE • 外观: 金属层非金属区域的异常图形块，无金属颜色。 • 成因：金属蚀刻时，8330 机台的ALSICU / TIW切换source 时，POLYMAR 掉到WAFER上，
PB：PR burn
• 外观：PR内缩，黑色残留物，不易去除。 • 成因： 高能量过程导致光阻烧焦。 • OM figure:
PI：Pits
MA：mis-alignment
• 外观：图形便移，与其他图形重叠 全批/单片重复性缺陷 • 成因： Layer to layer mis-alignment 或REWORK 图形残留 • OM figure:
NU：Non-uniform
• 外观： VIA层有液滴或条状突起 • 成因：（ a, SOG涂布时湿度控制不良，造成泡沫状或条状突起。 ） ？？
务必到ETCH 后再CHECK。如有RE则为Pits，判断是否报废，如无RE ，则非Pits • 请注意判断RE所在FILM，及MET 1/ MET2 上是否有同样defect • 成因：在凹洞之中的顆粒狀核心即為Theta Phase （AlOCu ）析出 。黄光显影液腐蚀，ACT槽
腐蚀，或MET FILM process 温度过低。 • OM figure: M2PI
SC：scratch
• 典型SC 3：MET ETCH后 SC • 外观: a，金属线条有损伤，刮伤边缘有金属被带出；
b, 刮伤区域较为干净，不会产生很多碎屑。 c, 请注意区分MET1 MET2 • 成因：人为不规范操作，机台异常 ，叠片，斜插，OM 操作不当。 • OM figure: M1SC
RE：Residue (ETCH)
• 典型RE ：TIW RE • 外观: 金属层非金属区域的异常图形块，无金属颜色。 • 成因：金属蚀刻时，8330 机台的ALSICU / TIW切换source 时，POLYMAR 掉到WAFER上，
KLA缺陷检查培训解读
19.Grain : Including poly or metal grain.
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20. Slurry:
21. PR /Polymer_remain :PR has not been stripped completely, typically contains Carbon
4.In film particle : Particle was contained in film, such as poly, HDP, metal and so on.
HDP
Poly
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5.Scratch : Especially for scratch caused by robot , other tool parts or man-made. Defect map :
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Defect Sort
1.False : Found nothing after review with inspection data. 2.Unkown : Defects were found but there is no suitable defect code to assign. 3.Fall on particle : Particle on surface of patten.
KLA Basic Operation
Overview
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21xx Capabilities
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Run Overview
光刻和刻蚀工艺PPT培训课件
图形曝光与刻蚀
刻蚀
由图形曝光所形成的抗蚀剂图案，并不是电路 器件的最终部分，而只是电路图形的印模。为 了产生电路图形，这些抗蚀剂图案必须再次转 移至下层的器件层上。
这种图案转移（pattern transfer）是利用腐 蚀（etching）工艺，选择性地将未被抗蚀剂 掩蔽的区域去除。
光阻上
目的：
确定图案的精确形状和尺寸 完成顺序两次光刻图案的准确套制
曝光后烘焙（PEB）
驻波效应
定义：入射光与反射光间的相长和相消干涉造 成的效应
影响：曝光过程中，在曝光区与非曝光区边界 将会出现驻波效应，影响显影后所形成的图形 尺寸和分辨率
改善措施：曝光后烘焙
4、显影（Development）
低 过高的温度会使光刻胶中的感光剂发生反应，使光刻
胶在曝光时的敏感度变差
3、曝光（Exposure）
紫外光 掩模版
（3）曝光
光刻胶 SiO2
Si
3、曝光（Exposure）
曝光
光通过掩模版照射，使照射到的光刻胶起光化学反应 感光与未感光的光刻胶对碱性溶液的溶解度不同 掩模版上的图案，完整地传递(Transfer)到晶片表面的
光刻工艺过程
涂胶 coating 前烘 prebaking 曝光 exposure 显影 development 坚膜 postbake 刻蚀 etch 去胶 strip 检验 inspection
1、涂胶
SiO2
Si （1）氧化、清洗
光刻胶 SiO2
Si （2）涂胶、前烘
1、涂胶
光刻胶 SiO2
Si （4）显影、坚膜
4、显影（Development）
KLA缺陷检查培训
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➢14.Blind : CT or Via have not been opened.
➢15.Patten damage :
Metal damage
➢Poly broken is patten damage too,always happen during High Imp.
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➢24.Corrosion : Caused by etch strip chamber or bad environment. This type defect is 100% killer defect.
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KLA Basic Operation
➢Overview
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➢21xx Capabilities
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Run Overview
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Run one wafer
Inspection Queue
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Page: 9
Stopping the Inspection
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Defect Overview
Why monitor defects ?
➢ To improve production yields, defects need to be monitored and statistically analyzed at each stage of wafer production.
tftCF常用中英文培训PPT课件
宏微观检查
Inspection
CD after develop 显影后关键尺寸检查
Total pitch TP 长寸测量
PR strip
光刻胶剥离
类别
英文缩写 英文全称
中文全称
部门缩写 CS
Customer service 客户服务
FAB
Fabrication
工厂制造
OQC R&D
Outgoing Quality 出货品质控制 Control Research & Design 研发
专业术语 6s CF
Seiri,
整理,整顿,清扫,清
Seiton,Seiso,Seiketsu,Shits 洁,素质,安全
uke,Safety
Color filter
彩色滤光片
LCD
Liquid Crystal Display 液晶显示器
LCM
Liquid Crystal Module 液晶显示模组
预烘 光刻胶涂布
ITO层氧化铟锡
PR Vacuum DryVCD
Indium-TБайду номын сангаасn Oxide Exposure
光刻胶低压干燥 曝光
Gate 栅电极层
S/D 源/漏电极
ITO层氧化铟锡
Title expose
打标曝光
Develop
显影
PR hard bake 坚膜
AOI
显影后自动光学检测
Mic/Mac
类别 专业术语
英文缩写 NG SPEC TFT WIP
英文全称
中文全称
Not Good 不合格
Specification 规格
2024版KLA缺陷检查培训PPT课件
KLA缺陷检查培训PPT课件•缺陷检查概述•缺陷检查方法与技巧•常见缺陷类型及案例分析•缺陷识别与评估标准目•缺陷处理流程与改进措施•培训总结与展望录01缺陷检查概述缺陷定义与分类缺陷定义缺陷分类保证产品质量提高生产效率优化工艺流程030201缺陷检查重要性KLA公司及其产品介绍KLA公司简介KLA公司是全球领先的半导体制造设备供应商之一，专注于提供先进的缺陷检查、量测和分析解决方案。
KLA产品系列包括光学检测、电子束检测、X射线检测等多种技术平台，可广泛应用于不同工艺节点和芯片类型的缺陷检查。
KLA技术优势高分辨率、高灵敏度、高速度、高自动化等，能够满足客户对于缺陷检查的精准度和效率要求。
02缺陷检查方法与技巧观察外观检查颜色观察光泽度摩擦听声敲击听音在产品表面摩擦，听是否有异响或杂音，判断表面质量。
旋转听声边缘触感触摸产品边缘，检查有无毛刺、锐边等缺陷，防止使用过程中造成伤害。
表面触感用手触摸产品表面，感受表面粗糙度、平滑度等，判断表面质量。
硬度测试通过硬度计等工具测试产品硬度，判断材料性能是否符合要求。
综合运用各种方法多角度观察01对比分析02记录与报告0303常见缺陷类型及案例分析表面瑕疵包括划痕、凹陷、气泡、颜色不均等。
尺寸偏差产品尺寸超出允许公差范围。
标识不清产品标签、标志、文字等模糊不清或缺失。
功能失效操作不便兼容性差性能下降稳定性差耐用性差安全隐患类缺陷产品存在触电、短路、过热等风险。
产品存在锐边、尖角、不稳定等机械伤害风险。
产品使用有害化学物质或材料，存在毒害、污染等风险。
产品存在电磁辐射、激光辐射等超出安全标准的风险。
电气安全机械安全化学安全辐射安全04缺陷识别与评估标准1 2 3外观缺陷结构性缺陷功能性缺陷识别不同类型缺陷客观性原则全面性原则可操作性原则评估标准应基于客观事实和数据，避免主观臆断。
评估标准制定原则缺陷尺寸通过测量缺陷的长度、宽度、深度等参数来评缺陷数量统计单位面积或体积内的缺陷数量，以评估产品缺陷位置视觉评估无损检测功能性测试具体评估指标和方法05缺陷处理流程与改进措施发现并记录缺陷信息缺陷识别缺陷记录缺陷报告分析原因并制定解决方案原因分析解决方案制定方案评估与选择实施解决方案并跟踪效果方案实施效果跟踪问题反馈总结经验教训并持续改进经验总结预防措施制定持续改进06培训总结与展望本次培训成果回顾掌握了KLA缺陷检查的基本原理和流程学会了使用KLA设备进行实际操作提高了缺陷识别和分析能力未来发展趋势预测KLA设备将不断更新升级01缺陷检查将更加智能化02对人员素质要求将更高03对个人职业发展建议不断学习和提升专业技能积极参与行业交流和培训注重团队协作和沟通能力培养THANKS 感谢观看。
EL测试和电池片缺陷培训专题培训课件
EL: electro luminescence为d电 致发光，利用光生伏特效应的 逆过程，给太阳电池通电，电 子在太阳电池内部与空穴复合 复合过程发射光子，即电致发 光。太阳电池电致发光的波长 范围在800nm---1300nm。
EL测试原理
EL(Electroluminescence)与PL(Photoluminescence)优缺点对比
2. CCD相机 对片源发光进行拍照
3. 电池片平台 放置被测试电池片
4. 气缸开关 气缸开关的抬起和下 落对应测试探针的的升 起和下落
暗室门电源 开关
CCD相机
电池片平台 气缸开关
电池片平台
1. 探针阵列 上部电极，可移动 拆卸，分别测试125 单晶两栅，156三栅 及两栅电池。
2. 铜质底盘 底部电极，放置被 测试电池片。
在电池片中的应用 断线或虚印片
大面积虚印
表现：加正向电流时表面有暗线。 原因：浆料干、网板堵塞或印刷参数欠妥。 措施：使用浆料稀释剂稀释浆料并搅拌均匀；擦拭网板堵孔；调节印刷参
数。
烧结支点
在电池片中的应用
烧结支点
烧结支点
表现：表面有平行或是交错相对的黑点，黑点距与烧结网带的凸点对应。 原因：网带凸点与背场接触，烧结时由于过热导致PN结点状破坏。 措施：难以避免消除。电流调节电压调节设备使用
测试流程
6. 注意事项 6.1 禁止触碰相机及镜头 6.2 不可随意触动探针栅线及探针 6.3 保持暗室及EL机构清洁，保持铜质底盘清洁 6.4 在测试不同规格片源时注意限位块的位置 6.5 如果一段时间不适用设备，请关闭相机软件及CCD相机冷却电源
7. 要求 7.1 会对电池片进行正向电流/反向偏压测试 7.2 会根据片源规格调节探针阵列位置及数目，分别为125两栅、156两栅及 156三栅电池片 7.3 会对测试图像进行命名及保存 7.4 会调节测试参数，增益、电流、电压等。 7.5 熟悉设备注意事项
EL测试原理
EL(Electroluminescence)与PL(Photoluminescence)优缺点对比
2. CCD相机 对片源发光进行拍照
3. 电池片平台 放置被测试电池片
4. 气缸开关 气缸开关的抬起和下 落对应测试探针的的升 起和下落
暗室门电源 开关
CCD相机
电池片平台 气缸开关
电池片平台
1. 探针阵列 上部电极，可移动 拆卸，分别测试125 单晶两栅，156三栅 及两栅电池。
2. 铜质底盘 底部电极，放置被 测试电池片。
在电池片中的应用 断线或虚印片
大面积虚印
表现：加正向电流时表面有暗线。 原因：浆料干、网板堵塞或印刷参数欠妥。 措施：使用浆料稀释剂稀释浆料并搅拌均匀；擦拭网板堵孔；调节印刷参
数。
烧结支点
在电池片中的应用
烧结支点
烧结支点
表现：表面有平行或是交错相对的黑点，黑点距与烧结网带的凸点对应。 原因：网带凸点与背场接触，烧结时由于过热导致PN结点状破坏。 措施：难以避免消除。电流调节电压调节设备使用
测试流程
6. 注意事项 6.1 禁止触碰相机及镜头 6.2 不可随意触动探针栅线及探针 6.3 保持暗室及EL机构清洁，保持铜质底盘清洁 6.4 在测试不同规格片源时注意限位块的位置 6.5 如果一段时间不适用设备，请关闭相机软件及CCD相机冷却电源
7. 要求 7.1 会对电池片进行正向电流/反向偏压测试 7.2 会根据片源规格调节探针阵列位置及数目，分别为125两栅、156两栅及 156三栅电池片 7.3 会对测试图像进行命名及保存 7.4 会调节测试参数，增益、电流、电压等。 7.5 熟悉设备注意事项
KLA缺陷检查培训
➢16.W Residue : 1). Caused by Oxide Loss;
2). Caused by CMP.
➢17.Under_Pat ：Under layer pattern fail issue.
NORMAL
ABNORMAL
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➢18. Salicide_abnormal:Salicide poor formation. ➢19.Grain : Including poly or metal grain.
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➢8.Ring like defect: Such as defects caused by ARC splash, usually related to PHOTO.
Poly
Metal
➢9.Grape like defect:Induces by PHOTO PU.
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KLA Basic Operation
➢Overview
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➢21xx Capabilities
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Run Overview
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Run one wafer
Inspection Queue
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Defect Sort
➢1.False : Found nothing after review with inspection data. ➢2.Unkown : Defects were found but there is no suitable defect code to assign. ➢3.Fall on particle : Particle on surface of patten.
光刻缺陷检查培训英文版(ppt 47页)
• 外观：发生在Nitride 层，强光灯下可见雾状物，OM下为密集的细小PA （暗区检查较好）。 • 成因：SIN反应中固体产物抽离不及，落在WAFER 上。 • OM figure: SNHZ
16
LD：local defocus
• 外观：OM下图形有基本形貌，但不同程度变形 • 成因： defocus (机台异常或WAFER 底部不平坦) • OM figure:
• 外观: OM 下 颗粒状密集 PA， SIZE较小 • 成因：CVD机台副产物 • OM figure: COPW
32
RE：Residue (ETCH)
• 外观: 非正常图形的FILM图形。 • 成因：a, 蚀刻时终结点（etching point）侦测错误或提早捉到；
b, 蚀刻前有异物或particle覆盖在光阻或薄膜上形成etching mask，阻挡蚀刻的进行。 c, FILM 厚度异常导致ETCH 未净 • OM figure: M2RE
PITS ON MET
Pits on street
27
PM：polymer
• 外观： Pad Contact边缘有丝状或颗粒状残留物。 • 成因：a, 电浆蚀刻（Plasma Etching）后作为侧壁保护或未饱和分子体（Unsaturated）形成的
高分子聚合物（Polymer）未能去除干净而造成的残留。 • OM figure:
23
PA：particle
• 典型PA 3： PAPA • 外观：a, 不会导致金属变形桥接
b, PA较大且于护层中引入，导致PAD 定义时变形，且PA周围有护层残留。 • 成因： Passivation process引入的particle. • OM figure: PAPA
16
LD：local defocus
• 外观：OM下图形有基本形貌，但不同程度变形 • 成因： defocus (机台异常或WAFER 底部不平坦) • OM figure:
• 外观: OM 下 颗粒状密集 PA， SIZE较小 • 成因：CVD机台副产物 • OM figure: COPW
32
RE：Residue (ETCH)
• 外观: 非正常图形的FILM图形。 • 成因：a, 蚀刻时终结点（etching point）侦测错误或提早捉到；
b, 蚀刻前有异物或particle覆盖在光阻或薄膜上形成etching mask，阻挡蚀刻的进行。 c, FILM 厚度异常导致ETCH 未净 • OM figure: M2RE
PITS ON MET
Pits on street
27
PM：polymer
• 外观： Pad Contact边缘有丝状或颗粒状残留物。 • 成因：a, 电浆蚀刻（Plasma Etching）后作为侧壁保护或未饱和分子体（Unsaturated）形成的
高分子聚合物（Polymer）未能去除干净而造成的残留。 • OM figure:
23
PA：particle
• 典型PA 3： PAPA • 外观：a, 不会导致金属变形桥接
b, PA较大且于护层中引入，导致PAD 定义时变形，且PA周围有护层残留。 • 成因： Passivation process引入的particle. • OM figure: PAPA
无损检测缺陷分析PPT课件
（2）Dialectical analysis of process defects
①The absoluteness of defect generation— —In actual production, the acquirement of the products without any defects is quite difficult； It is not economical or even impossible to make the products produced in batches without any defects.
数不当、坡口清理不干净等。
第14页/共23页
Holes
• 危害：影响外观，结合强度等； • 产生原因：焊接材料，气体介质、焊丝和母材表面上的油锈等，金蒸发等第15页/共23页
Undercut-咬边
• 危害：造成局部应力集中。 • 产生原因：焊接工艺参数选择不当
第16页/共23页
焊缝超高
第17页/共23页
第18页/共23页
第19页/共23页
• 电弧擦伤-不允许 第20页/共23页
第21页/共23页
第22页/共23页
感谢您的观看！
第23页/共23页
第3页/共23页
Examples
• 比如： Excessive reinforcement，属于焊 缝形状不良，严重时可以Grinding；必要 时grinded the reinforcement smooth。
• 再如：sand inclusion on the surface of casting，可以通过repair welding来修复。
lamellar tearing； • The porosity in welded joint：
①The absoluteness of defect generation— —In actual production, the acquirement of the products without any defects is quite difficult； It is not economical or even impossible to make the products produced in batches without any defects.
数不当、坡口清理不干净等。
第14页/共23页
Holes
• 危害：影响外观，结合强度等； • 产生原因：焊接材料，气体介质、焊丝和母材表面上的油锈等，金蒸发等第15页/共23页
Undercut-咬边
• 危害：造成局部应力集中。 • 产生原因：焊接工艺参数选择不当
第16页/共23页
焊缝超高
第17页/共23页
第18页/共23页
第19页/共23页
• 电弧擦伤-不允许 第20页/共23页
第21页/共23页
第22页/共23页
感谢您的观看！
第23页/共23页
第3页/共23页
Examples
• 比如： Excessive reinforcement，属于焊 缝形状不良，严重时可以Grinding；必要 时grinded the reinforcement smooth。
• 再如：sand inclusion on the surface of casting，可以通过repair welding来修复。
lamellar tearing； • The porosity in welded joint：
相关主题
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DC：Dis-color
• 外观：强光灯或肉眼下可见WAFER表面颜色不均匀，OM下街道颜色不均匀 • 成因：Film 厚度不均匀 • OM figure: OXDC
DM：Damaged （silicon damage）
• 外观：圆圈状，水滴状，如出现在Silicon裸露的街道为聚集的水滴状，向街道交叉处聚集。 • 成因：制程中Silicon 裸露时，被氨水damage • OM figure: WADM
Visual Defect Introduction
E1-INT3
XY05 Cross section (bipolar):
Layer Code
• In-line hold 货如是defect原因，请按照右表格式key in comment.
AC：Arcing
• 外观：金属表面呈烧焦及熔岩状，而且沿着金属线路熔毁。或圆形爆炸状 • 成因：在电浆（Plasma）环境中，高浓度的带正电离子经由电弧（ARC）对晶片表面容易蓄积电荷
•
b.護層龜裂 护层应力不协调 或外物DAMAGE。
• OM figure: V1CK
C3：Si fragment
• 外观：有棱角，片岩状碎屑。 • 成因：晶片破片，叠片以及刮伤等。 • OM figure: PAC3
CO：contamination
• 外观：不规则状物 • 成因：晶片制程中引入（机台异常或人为操作不当），多数清洗不掉 • OM figure: PACO
或导电部位放电时所产生的高热熔毁金属线路。 • OM figure: M1AC
BC / BV：Blind Contact / Blind VIA
• 外观： Contact（连接M1/Poly) / VIA (连接M1/M2)的大小变小或完全消失不见。 • 成因： a, Photo焦距偏差（defocus），以至于contact /VIA部位曝光不足，而无法曝开；
C2 ：Foreign contamination
• 外观：不规则状，非透明物，一般呈现条状。 • 成因：晶片后续操作中引入，多数在可以清洗掉 • OM figure: PAC2
CR ：corrosion
• 外观： Metal Line侧边有泡状/多颗泡状衍生物，造成金属凹陷。 • 成因： a,金属蚀刻后的氯（Cl）残留，遇水气后形成盐酸（HCL）而继续腐蚀金属，包
括制程异常造成大量氯残留，PR/Polymer残留氯，放置时间太久； b,其它酸腐蚀（如BPSG中的P遇水气形成磷酸）。
• OM figure: M1CR M2CR
CK：Crack
பைடு நூலகம்
• 外观：非正常图形定义线条，如护层龟裂，破裂處金屬光澤較強烈（即較亮）
• 成因：a. VIA龜裂可能SOG不均 或护层结构异常
b, 洗边时，洗边液IPA （压力流量控制不稳）滴入SOG film上。 • OM figure:
OE：over etch
• 外观： 金属线路变窄 • 成因： 金属ETCH时 ，polymer 未保护好侧壁导致金属线ETCH 过多，变形 • OM figure:
PA：particle
• 典型PA 1： COPA • 外观：a, 多存在于T2位置，呈竖列分布；
HL：Hillock
• 外观：在金属表面或测边 a,原形平顶突起 b,尖顶状突起 c,多角形平頂突起。 • 成因：金属原子在热循环（Thermal Cycle）中，因热膨胀系数不同而产生的应力之作用而
形成的丘状突起。 • OM figure: M2HL
Size > 3 um, OOS.
HZ：Nitride haze
MA：mis-alignment
• 外观：图形便移，与其他图形重叠 全批/单片重复性缺陷 • 成因： Layer to layer mis-alignment 或REWORK 图形残留 • OM figure:
NU：Non-uniform
• 外观： VIA层有液滴或条状突起 • 成因：（ a, SOG涂布时湿度控制不良，造成泡沫状或条状突起。 ） ？？
b, 簇状分布，颗粒size较小且分布相对集中； c, metal会被particle顶起，且突起部分呈现metal色泽。 • 成因： BPSG process 中产生 • OM figure: COPA （check after BPSG）
PA：particle
• 典型PA 1： COPA • 外观：a, 多存在于T2位置，呈竖列分布；
• 外观：发生在Nitride 层，强光灯下可见雾状物，OM下为密集的细小PA （暗区检查较好）。 • 成因：SIN反应中固体产物抽离不及，落在WAFER 上。 • OM figure: SNHZ
LD：local defocus
• 外观：OM下图形有基本形貌，但不同程度变形 • 成因： defocus (机台异常或WAFER 底部不平坦) • OM figure:
b, PA 附近MET1下CONTACT / MET2 下VIA 不变形 c, 此种defect一般会造成金属桥接或者是线条扭曲。 • 成因：MET sputter chamber 中产生或TIW TARGET 产生，造成PHOTO PR 定义不良， 导致ETCH RE 和图形变形。 • OM figure: M1PA M2PA
b, 簇状分布，颗粒size较小且分布相对集中； c, metal会被particle顶起，且突起部分呈现metal色泽。 • 成因： BPSG process 中产生 • OM figure: COPA （check after MET）
PA：particle
• 典型PA 2： M1PA M2PA • 外观：a, 不规则块状金属残留，中央有黑色外来物；泪滴状金属残留；
b, Photo 光阻涂布不良，使底层被蚀刻掉。 • OM figure: COBC V1BV
BR ：bridge
• 外观： 图形桥接 • 成因： PHOTO defocus • OM figure:
C1：Tape residue
• 外观：胶带残留，只发生在最上层，可以擦掉。（背面磨薄制程中，胶带粘表面） • 成因：透明胶状物 • OM figure: • Remark:目前SinoMOS尚未涉及到晶背研磨，故不会出现C1的defect.