二极体之基础知识
二极体分类及作用基础整理
二极体分类及作用基础整理
常用：in400x系列
续流二极体（fwd）：
续流二极体”由于在电路中起到续流的作用而得名，一般选择快速恢复二极体或者肖特基二极体来作为“续流二极体”，它在电路中一般用来保护元件不被感应电压击穿或烧坏，以并联的方式接到产生感应电动势的元件两端，并与其形成迴路，使其产生的高电动势在迴路以续电流方式消耗，从而起到保护电路中的元件不被损坏的作用。
检波二极体：
检波通常为解调。
用于把迭加在高频载波上的低频讯号检出来的器件，它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
检波二极体一般可选用点接触型锗二极体，例如2ap系列等。
选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极体。
限幅二极体
就是将讯号的幅值限制在所需要的範围之内。
注意限幅与钳位的区别。
二极体工作原理
二极体工作原理二极体是一种具有两个电极的电子元件，也被称为二极管。
它是半导体器件中最简单的一种，具有许多重要的应用。
二极体的工作原理是基于PN结的特性。
PN结是指由P型半导体和N型半导体组成的结构。
P型半导体中的杂质原子通常是三价元素，如硼(B)；而N型半导体中的杂质原子通常是五价元素，如磷(P)。
当P型和N型半导体材料接触在一起时，形成了PN结。
PN结的形成使得P区和N区之间形成了一个电势差，从而形成了一个电场。
在静止状态下，由于P区和N区的电荷分布不均，P区中存在着多余的空穴，而N区中存在着多余的电子。
这种电荷分布不均会导致电子和空穴的扩散，从而形成扩散电流。
当在PN结上加上外加电压时，就会发生二极体的工作。
根据外加电压的极性，可以将外加电压分为正向偏置和反向偏置两种情况。
当外加电压为正向偏置时，即P区连接到正电压端，N区连接到负电压端，这时电场的作用会加强电子和空穴的扩散，导致电流增大。
P区中的空穴会向N区移动，而N区中的电子会向P区移动。
这种情况下，二极体处于导通状态，称为正向偏置。
当外加电压为反向偏置时，即P区连接到负电压端，N区连接到正电压端，这时电场的作用会抵消电子和空穴的扩散，导致电流减小。
此时，P区中的空穴会被电场吸引向P区内部，N区中的电子会被电场吸引向N区内部。
这种情况下，二极体处于截止状态，称为反向偏置。
二极体的正向偏置和反向偏置的导电特性是不同的。
在正向偏置下，二极体的电阻很小，几乎相当于导线，电流可以顺畅地通过。
而在反向偏置下，二极体的电阻很大，几乎相当于开断，电流无法通过。
二极体的工作原理使得它在电路中具有许多重要的应用。
其中最常见的是用作整流器。
在交流电路中，由于交流电流的方向会周期性地改变，因此需要将交流电转换为直流电。
这时，可以使用二极体作为整流器，只允许电流在一个方向上通过，从而实现电流的整流。
二极体还可以用作开关。
在数字电路和模拟电路中，二极体可以作为开关来控制电流的通断。
二极体基本介绍 20100814
報告人 : 業務部 洪培修 副理
概念
半導體二極體又稱晶體二極體,簡稱二極體(diode) ;它
只往一個方向傳送電流的電子零件。 接合的2個端子的器件，按照外加電壓的方向，使 電流只能流通單一方向的性質。
二極體的應用
幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二极管，它 在許多的電路中起着重要的作用，它是誕生最早的半導
短，適合用於高頻率的整流。一般而言漏電流較多，突
波耐受度較低。也有針對此缺點做改善的品種推出。
變容二極體（variable capacitance diode、varactor diode） 施加逆向電壓的場合，二極體PN接合的空乏層厚度會
變化，利用靜電容量（接合容量）的變化的可變容量蓄
電器。沒有機械零件所以可靠度高，廣泛應用於VCO或 可變電壓濾波器，也是電視接收器和行動電話不可缺少
的零件。
穩壓二極體(Reference Diode)（常用稱法：稽納二極
體(Zener Diode))
.發光二極體(Light Emitting Diode. LED) 發光二極體是一種在通過順向電流時，能夠發光的二 極體，通常我們簡稱 為LED。當順向偏壓時，發光二極 體的順向電壓為１〃６Ｖ，然而電流則並不 是很重要 的因素，一般的LED，所允許的電流範圍大多設定在１ ０－２０mA之 間。在TTL的電路中，通常LED必須串聯 一個小電阻，以限制過量的電流。
2、反向特性测试 把萬且表的红探棒搭觸二極體的正極，黑探棒搭觸 二極管的負極，若表針指在無窮大值或接近無窮大值， 二極體就是合格的。
橋式整流器
PN二極體
稽納(穩壓) 二極體
二极体的结构及性能特点有哪些
二極體的結構及性能特點有哪些?（一）半導體、晶體與PN結1．半導體半導體是導電能力介於導體（例如，金、銀、銅、鐵、鋁等材料）和絕緣體（例如，塑膠、橡膠、陶瓷、環氧樹脂、雲母等材料）之間的物質，具有熱敏特性、光敏特性和摻雜特性。
常用的半導體材料有矽、鍺、硒、砷化鎵及金屬的氧化物、硫化物等。
純淨的、不含任何雜質的半導體材料（例如矽、鍺等四價元素）稱爲本征半導體。
2．晶體自然界的一切物質都是由很小的物質微粒—原子構成的。
按照原子排列形式的不同，物質又可分爲晶體和非晶體兩類。
晶體通常都具有規則的幾何形狀，其內部的原子按照一定的晶格結構有規律地整齊排列羊，而非晶體內部的原子排列則無規律，雜亂無章。
本征半導體屬於理想的晶體，在熱激發的作用下，其內部會産生載流子（指自由電子和空穴）。
3．N型半導體在矽或鍺等本征半導體材料中摻入微量的磷、銻、砷等五價元素，就變成了以電子導電爲主的半導體，即N型半導體。
在N型半導體中，電子（帶負電荷）叫多數載流子，空穴（帶正電荷）叫少數載流子。
4．P型半導體在矽或鍺等本征半導體材料中摻入微量的硼、銦、鎵或鋁等三價元素，就就成了以空穴導電爲主的半導體，即P型半導體。
在P型半導體中，空穴（帶正電荷）叫多數載流子，電子（帶負電荷）叫少數載流子。
5．PN結通過特殊的“擴散”製作工藝，將一塊本征半導體的一半摻入微量的五價元素、變成P型半導體，而將其另一半摻入微量的三價元素、變成N型半導體，在P型半導體區和N 型半導體區的交界面處就會形成一個具有特殊導電性能的薄層，這就是PN結，它對P型區和N 型區中多數載流子的擴散運動産生了阻力。
6．單向導電性PN結主要的特性就是其具有單方向導電性，即在PN加上適當的正向電壓（P區接電源正極，N區接電源負極），PN結就會導通，産生正向電流。
若在PN結上加反向電壓，則PN結將截止（不導通），正向電流消失，僅有極微弱的反向電流。
當反向電壓增大至某一數值時，PN結將擊穿（變爲導體）損壞，使反向電流急劇增大。
高中物理二极管基础知识
高中物理二极管基础知识
二极管是有源半导体器件，是由三层半导体结构组成的，它是电路中的重要部件，在半导
体电路设计中发挥着重要作用。
首先，二极管由N型半导体和P型半导体两层半导体物质组成，中间嵌入绝缘物质，形
成由N型半导体和P型半导体组成的多层结构。
其次，二极管有两种类型，分别是P-N结晶和P-N增强型二极管，P-N结晶型二极管是最简单的。
其工作效果为：当正向电压小于反向电压时二极管为关闭状态，反之大于时开启。
由此可见，二极管的工作原理很简单，它的作用是对电路输入电压的开启和关闭。
此外，二极管还具有反向阻抗性能。
当二极管处于开启状态时，反向电阻很大，这样即使
反向电流流入，也不会把正向电源电压拉低，因此二极管具有很好的反向阻抗性能。
再者，由于二极管的集成有限，其功能和能量损耗也很小，因此是用于移动电源供电非常
有用的装置。
总而言之，通过介绍可以认识到二极管几乎可以应用于所有的半导体电路中，其工作原理简单，反向阻抗性能好，功能及能量损耗也较小，应用面很广，可以很好地满足工程师们在日常工作中的需要。
何谓发光二极体
何謂發光二極體一個典型的發光二極體，包含晶粒、封裝體、金線、支架等，主要發光的部分則是封裝體裡面的晶粒。
封裝體的主要成分是環氧樹酯，用來固定支架，且可以把封裝體的頂端製成可聚光的透鏡，以控制LED 的發光角度。
金線是把電流由支架導入發光晶粒，聚光碗杯則是把LED 發出的光線反射至上方出光，以增加發光效率。
隨著應用的不同，封裝體可以任意改變成為不同的型態。
一顆LED 的主要發光源是晶粒，而晶粒依材料不同會發出不同波長，也就是不同顏色的光。
可見光的波長範圍從400 奈米到700 奈米，依序是紫、靛、藍、綠、黃、橙、紅。
以氮化鎵LED 為例，它可以發出藍光或綠光，鋁銦鎵磷LED 則可以發出紅光、綠光或黃光。
諸如此類，可以利用材料的選擇製作出不同色光的發光二極體。
LED的發光原理LED是利用電能轉化為光能的方式發光。
發光二極體晶粒的組成材料是半導體，其中含有帶正電的電洞比率較高的稱為P 型半導體，含有帶負電的電子比率較高的稱為N 型半導體。
P 型半導體與N 型半導體相接處的接面稱作PN 接面。
在發光二極體的正負極兩端施予電壓，當電流通過時，會使得電子與電洞結合，結合的能量便以光的形式發出，依使用材料的能階高低決定發光的波長，因此就會發出不同顏色的光。
大多數的發光二極體歸類於三五族半導體，因為它們的組成元素屬於周期表中的三族及五族，三族元素如鋁、鎵、銦等，五族元素如砷、氮、磷等。
磷化鎵與鋁砷化鎵，因為亮度低，開發時間早，且內含2種或3 種元素，多稱為傳統二元或三元LED。
而鋁銦鎵磷因發光亮度較高，且由4種元素組成，多稱為四元LED。
氮化鎵材料則因為可以發出以上材料不能發出的藍光，一般另稱為氮化物LED。
LED的製作方法發光二極體主要由晶粒發光，在此以氮化鎵LED 為例，簡介其中晶粒的製作方法發光二極體是半導體材料，需要先進行磊晶成長，也就是在基板上成長P型及N型半導體。
氮化鎵LED 多成長在藍寶石基板上，成長的方法以有機金屬化學氣相沉積法（metal organic chemical －vapor deposition,MOCVD）為大宗。
二极体的物理性质及特性
傳
導
矽矽矽矽矽矽
帶
矽矽矽矽矽矽
價
矽矽矽矽矽矽
電 帶
自由電子
電洞
能隙（矽晶體 約為1.1eV）
熱 能
▲ 圖2-4 矽晶體結構的電子電洞對的產生 ▲ 圖2-5 電子電洞對的能量示意圖
A15155D適用
2-5
電子流
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在本質半導體上外加一電壓，則位於傳導帶的自由電子將 受到正電壓吸引而往正極移動，並在半導體的內部形成電 子流來傳導。
2 - 14
二極體的V-I特性
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KVD
VD
二極體的電流： I D I S (e TK 1) I S (eVT 1)
ID (mA) 鍺
矽
ID
+A
+
+
VD
V
ID +A
+
+
VD
V
0.3V
0.7V
VD (V)
A15155D適用
(A)
▲ 圖2-15 二極體的V-I特性曲線
半導體
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半導體是一個四價元素，有4個價電子，其導電性質介 於導體與絕緣體之間。
本質半導體（純矽或純鍺晶體製成）
半導體
N型
外質半導體（含其他雜質）
P型
A15155D適用
2-1
原子核（質子與中子）
矽晶體
4個價電子在 最外層軌道
+14
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▲ 圖2-1 矽原子結構
A15155D適用
矽
矽
電洞
A15155D適用
二极管基础知识
二极管基础知识二极管基础知识二极管是一种简单但非常重要的电子器件。
它有许多不同的应用和用途，从电源管理到通信系统。
了解二极管的基础知识对于理解现代电子学至关重要。
下面，我们将介绍二极管的基础知识，包括如何工作以及构建与使用二极管的一些提示。
一、什么是二极管二极管是一种电子器件，通常由半导体材料制成。
它由两个区域组成，其中一个区域富余电子，另一个区域缺乏电子（空穴）。
在合适的电路中，二极管允许电流在一个方向上流通，而在反向时则阻止电流的流动。
二、如何工作当一个电压施加在二极管的导电区域上，就会形成一个电场。
如果施加的电压超过了二极管的阈值电压（约为0.6V至0.7V），这个电场就足以克服材料的禁带宽度，泵出电子和空穴从而在二极管中形成电流。
这种电流流向负电极，因为负电极是阴极，它吸引了电子。
当反向电压施加在二极管的导电区域上时，由于没有足够的电场来克服禁带宽度，电子和空穴在二极管中不会产生电流。
这时，没有电流流过二极管，所以它会用来作为开关和保护元件。
三、常见的二极管种类1. 硅二极管（Si）硅二极管广泛使用于大多数应用中，包括通信、消费电子、电源管理和自动化控制。
硅二极管还在宽温度范围内，具有良好的性能和尺寸优势。
2. 锗二极管（Ge）锗二极管又称电子对管，已逐渐被硅二极管所取代。
锗二极管具有较低的噪声水平和敏感性，用于特殊应用，如电视机中的高频放大器。
3. 隧道二极管隧道二极管是一种狭义二极管，它可以在负温度系数区域实现高速，超高频和超低功率操作。
隧道二极管还可以用于数字电路中，如超高速运算放大器，高速开关和定时器中。
4. 光电二极管光电二极管是一种特殊类型的二极管，它是利用光电效应来转换光能为电能或电能为光能的半导体器件，广泛用于光通信、自动光控制、光电转换、机器视觉和人工智能等领域。
四、二极管的应用由于二极管在电路中具有单向导电性的特点，所以它可以被用于很多不同的应用，例如：1. 整流器二极管可以用作整流器，使交流电信号转化为直流电信号。
二极体的物理性质及特性
第二章 二極體的物理性質及特性Ⅰ.一.1.半導體→二極體→電晶體 2.半導體(Semi conductor )(1)semi 半 (2)conductor 導體 3.電阻率(ρ，resistivity ，Ω-cm )，A導體 半導體 絕緣體10-6~10-410-3~108 108~1018(Ω-cm ) (Ω-cm ) (Ω-cm )4.半導體是一種材料，它的導電能力介於導體(低電阻率)與絕緣體(極高電 阻率)之間 二.半導體材料1.元素半導體：鍺(Ge )、矽(Si ) (1)鍺(Germanium )，1950年代 缺點：①高溫下產生很大漏電流②氧化物是水溶性，製造上相當困難 (2)矽(Silicon )，自1960年代初期起，矽大多取代了鍺 ☆主要原因：①含量佔地球表層元素41（量豐） ②漏電流較低（低漏） ③價格低（便宜）④高品質SiO 2，可直接由加熱產生，製造容易而經濟（又好做）2.化合物半導體：許多化合物半導體，具有矽所沒有的光和電特性 如：GaAs (砷化鎵)①電子遷移率(mobility )特高②吸、放光效率高三.四.半導體特性1.溫度：負溫電阻係數，T↑R↓2.雜質(外加的元素)：微量(1：108)的雜質，對半導體的導電性有極大的 影響3.光、磁場：加光或磁場，可以改變半導體的電阻率(ρ) Ⅱ.原子結構 1.原子2.電子組態(1) 矽(Si )原子序：14⇒電子數：14 (2) 鍺(Ge )原子序：32⇒電子數：32(3) 原子最外層殼(shell )上的電子稱為價電子價電子＜4⇒容易失去電子(金屬＋) ＞4⇒容易得到電子(非金屬－) ＝4⇒矽、鍺 (4) 矽(Si )、鍺(Ge )的結構①價電子都是4個原子核電子(－) 質子(＋) 中子(中性)(1)矽原子(2)鍺原子②每個矽(鍺)原子，都與其相鄰的4個原子各共用一個價電子使每個矽(鍺)原子序最外層有8個價電子而達到穩定(八隅體學說：一原子的價電子數=8時，呈穩定狀態)③利用共同分享(sharing)價電子，使原子結合在一起的方式，稱為共價結合(convalent bonding)3. 本(純)質(intrinsic)半導體：四價(未加雜質) 如：矽(Si)、鍺(Ge)(1)以E G判斷導電特性：①絕緣體：E G＞6eV②半導體：E G≈1~1.5 eV③導體：E G≈0V(2)T↑R↓(2)電子伏特(Electron V olts；eV)①能量單位②一個電子(帶能量1.6×10-19庫侖)通過1V電位差的電場所需的能量③1eV=1.6×10-19庫侖×1V=1.6×10-19焦耳(Joule )五.1.矽的結構圖2.矽的結構(1)本質(純)半導體在絕對溫度0°K ，價電子都被共價鍵束縛 →沒有傳導的自由載子 →猶如絕緣體載子(carrier )：搬運電荷者（自由電子和電洞，都是半導體內的載子）(2)室溫時，價電子從熱、光……吸收能量，熱振動而使共價鍵斷裂，價電子脫離後形成自由電子(3)脫離的電子在原來共價鍵上留下了一個空位後，此空位稱為電洞(4)這空位，也可被鄰近的電子所填滿，於是填滿電子的行為，就好 像空位往反方向移動，電洞可以視為新的帶正電的載子，此正電 荷的大小與電子相等，極性相反① 自由電子、電洞必成對出現② 電洞流與電子流大小相等、方向相反，先有電子流才會有電洞流 ③ 速度：電子速度比電洞速度快 共價鍵 共同分享 價電子的鍵 價電子(未脫離)自由電子(脫N P(5)當自由電子移動到電洞附近會被吸引而結合在一起，此現象稱為再結合(複合)(6)本質半導體共價鍵因熱振動斷裂，不斷產生新的電子-電洞對(7)其它電子-電洞對也會因再結合而成對消失(8)所以在本質(純)半導體中，電洞數目恰等於自由電子數目n=p=N in：自由電子的濃度p：電洞的濃度N i：本質載子濃度＜Ex1＞純半導體中最常使用的材料為Ge和Si，兩皆為幾價元素？①五價②三價③四價④二價⑤以上皆非................................Ans：③＜Ex2＞純矽在絕對零度時①其性能如同導體②其性能如同絕緣體③其性能如同半導體④以上皆非........................................................Ans：②＜Ex3＞電洞即為①帶正電荷之粒子②帶負電荷之粒子③電子脫離原子軌道所留下之空位④帶正電之離子所留下之空位.............................Ans：③＜Ex4＞一庫侖電量含有①9.11×10-31②1.602×10-19③6.25×1018④1.672×10-27個電子.........................................................Ans：③＜Ex5＞鍺原子序為32，則其它電子層之電子數分配為①2.8.18.4②2.8.16.4③4.8.16.4④4.16.8.4...........................................................Ans：①＜Ex6＞半導體的原子結構中，最外層軌道上的電子數為①少於4個②等於4個③多於4個④不一定........................................................Ans ：② ＜Ex 7＞電子軌道中，每一主層所能容納之最多電子數目為①n 個②n 2個③2n 個 ④2n 2個.........................................................................Ans ：④ ＜Ex 8＞矽半導體的能階值為1.1電子伏特(eV )，則在矽晶體中，要使電子由共價 鍵釋放出來，而成自由電子，至少需要多少能量？①1.6×10-19庫侖 ②1.6×10-19格爾③1.76×10-19焦耳④1.76×10-19瓦特...................Ans ：③ ＜Ex 9＞純矽在絕對溫度時，其性質如同①導體②半導體③絕緣體④以上皆非 ..................................................................................Ans ：③ 六.本質(intrinsic )半導體四價元素 純元素 (Si 、Ge)摻雜(doping) 1：108外(雜)質(extrinsic ，外在的)半導體加三價(電洞)(硼B 、鋁Al 、鎵Ga 、銦In )（騙你甲煙(台)）加五價(電子)(磷P 、砷As 、銻Sb )（淋身體(國)）多一個電洞／原子核多數載子：電洞少數載子：自由電子(受體)雜質三價多一個自由電子／原子核多數載子：自由電子 少數載子：電洞(施體)雜五價P型(Positive)半導體N型(Negative)半導體摻雜N型P型電洞自由電子整塊P型半導體：中性(純矽、純硼：中性)整塊N型半導體：中性(純矽、純磷：中性) 多一個電洞／原子核多一個自由電子／原子核多數載子：電洞少數載子：自由電子多數載子：自由電子少數載子：電洞三價受體雜質五價受體雜質（本質半導體）＜Ex1＞在本質半導體中，摻入下列何項雜質元素，即可成為P型半導體？①磷②硼③砷④銻...........................................................Ans：②＜Ex2＞在N型半導體中，導電的主要載子是①電子②電洞③離子④以上皆是 ...................................................................................Ans：①＜Ex3＞N型半導體所加之雜質為①二價②三價③四價④五價..............Ans：④＜Ex4＞在P型半導體中，導電的主要載子是①電子②電洞③離子④以上皆是 ...................................................................................Ans：②＜Ex5＞P型半導體所加之雜質為①二價②三價③四價④五價..............Ans：②＜Ex6＞P型半導體中主要電荷載子是電洞，其傳導電流是①電子傳導②電洞傳P型(Positive) N型(Negative)正離子負離子此區沒有電洞或自由電子(摻雜價元素)(純矽)少數載子：電子空乏區P型(中性) N型(中性)PN接面導③電子、電洞都有傳導④不是電子也不是電洞傳導..............Ans ：③ ＜Ex 7＞N 型半導體中，主要載子濃度與施體離子的正電荷濃度關係為①主要載 子濃度大的多②大約相等③施體離子濃度大的多④不一定........Ans ：② ＜Ex 8＞整塊N 型半導體是呈現①負電性②正電性③電中性④視雜質原子序而定..................................................................................Ans ：③＜Ex9＞下列何者對外質半導體的陳述錯誤①P 型半導體的多載子是電洞②P 型 半導體所加入之雜質稱為受體③導電性較本質半導體好④P 型半導體是 摻入五價之元素..............................................................Ans ：④＜Ex10＞半導體材料的導電性隨溫度的下降而①增加②減少③不變④成為超導 體...............................................................................Ans ：② ＜Ex11＞下列哪一項不做二極體材料①鍺②雲母③矽④砷化鎵.............Ans ：②七.1.(1)因濃度不均P 型電洞濃度↑ N 型電洞濃度↓ N 型電子濃度↑ P 型電子濃度↓(2)因外加電壓→產生電場→漂移電流2.(1)因為濃度不同→產生擴散(2)自由電子與電洞在接面處結合，形同消失 (3)造成接面處①P 型：只有受體負離子 N 型：只有施體正離子 ②沒有可移動的自由電子和電洞產生擴散濃度低電洞：由P →N電子：由N →P(4)稱此區域為空乏區3.空乏區P型負離子、N型正離子所形成的電位差，稱障壁電壓(=接觸電位(勢)=切入電壓=膝點電壓)＜Ex1＞下列敘述何者正確？①電源正端接P，負端接N，稱為逆向偏壓②P端接負，N端接正，稱為逆向偏壓③外加逆向偏壓時，空乏區的寬度加大④外加順向偏壓時，空乏區寬度維持不變.............................Ans：③＜Ex2＞二極體反向偏壓愈大，則空乏區厚度①變大②變小③不變④不一定 ...................................................................................Ans：①＜Ex3＞PN二極體接面附近所形成之接觸電勢的極性是①視偏壓而定②視溫度而定③P端為正，N端為負④P端為負，N端為正...................Ans：④＜Ex4＞一般矽質PN二極體導通時，兩端的電位差約為①1.2V②0.9V③0.6V④0.2V...........................................................................Ans：③＜Ex5＞半導體PN接合面，在P型之空乏區出現①正電性②負電性③中性④以上皆非....................................................................Ans：②＜Ex6＞障壁電壓其區域內有①電子②電洞③正離子及負離子④正負電壓 ...................................................................................Ans：③＜Ex 7＞在PN 二極體中，較容易產生電子流的方向是①由P 型至N 型區 ②由N 型至P 型區③兩方都很容易④兩方都很難....................Ans ：②＜Ex 8＞矽製PN 二極體之順向電壓(25℃)約為①0.25V ~0.3V ②0.65V ~0.7V ③1V ④1.5V ....................................................................Ans ：② ＜Ex 9＞擴散電流之產生是①半導體內載子濃度不同②半導體內出現外加電壓 ③半導體內出現溫度差④以上皆非......................................Ans ：①4.空乏區寬度Q － ﹦Q ＋ Q －：N 型區電量 Q ＋：P 型區電量∴ e D N A n W ﹦e A N A p We ：每個離子的電荷N D (onor )：N 型半導體單位體積的正離子數 N A (cceptor )：P 型半導體單位體積的負離子數 A ：接合處的截面積W n ：接面處深入N 型的空乏深度 W p ：接面處深入P 型的空乏深度 故N D W n ﹦N A W p可知：所摻雜濃度與空乏區寬度成反比，摻雜濃度越高，該側寬度越窄 (空乏區整個寬度約0.5~1μm) 八.符號九.外加偏壓(bias ) (直流電壓)W nW p P NPNP N P N1.順向偏壓(P 接＋，N 接－)(1)V ＜V B (Barrier ，障壁、柵欄)①無法導通②空乏區變小(順向偏壓)，順向→P 接正，N 接負＜Ex 1＞二極體若加順向偏壓則①障壁電壓降低，空乏區寬度減少②障壁電壓增 加，空乏區寬度減小③障壁電壓增加，空乏區寬度增加④障壁電壓降低， 空乏區寬度增加..............................................................Ans ：① ＜Ex 2＞二極體以逆向電壓時仍有小電流，是因①多數載子的流動所導致②少數 載子的流動所導致③主、副載子同時流動所導致④以上皆非.....Ans ：② ＜Ex 3＞一般PN 二極體兩端順向偏壓隨溫度變化的情形是①C 2.5mV -︒ ②C 2.5m V ︒+③C 25mV ︒④C 25m V -.................................Ans ：① ＜Ex4＞何謂逆向偏壓①P 接＋，N 接－②P 接－，N 接＋③P 接＋，N 接＋ ④P 接－，N 接－............................................................Ans ：② ＜Ex5＞PN 二極體是①線性元件②非線性元件③拋物線元件④以上皆非 ...................................................................................Ans ：② ＜Ex6＞PN 接面二極體的接合處兩側空乏區中①有自由電子②有自由電洞③有 正負離子④什麼都沒有.....................................................Ans ：④(0.7V)(2) V ＞V B (障壁電壓) ①導通 ②電流2.逆向偏壓(P 接－，N 接＋) (1)無法導通 (2)空乏區變大 十.二極體特性 1.特性曲線2.理想二極體順偏：立即導通逆偏：不導通＜Ex ＞D 為理想二極體，則流過的電流I 及D 兩端的電壓為①1mA ，0V ②1mA ，5V ③0mA ，5V ④0mA ，0V .....................................Ans ：③自由電子電洞0.7V 崩潰電壓逆偏順偏Si障壁電壓 (切入電壓)實際二極體(非線性)(短路) (開路)5V2K5V 0V(1)第一近似(理想二極體) (2)第二近似(障壁電壓=0.7V)(3)第三近似障壁電壓=0.7V順向電阻=XXΩ(R S)逆向電阻=∞3.實際二極體(1)順向順向電流：I=I o(T VVeη–1)I：二極體電流I o：逆向飽和電流V：二極體兩端外加電壓(〝＋〞：順，〝－〞：逆)e：自然對數的底(=2.718)η：常數(矽=2，鍺=1)V T=qKT=19--23101.6)T10(1.38⨯⨯=11600T(伏特) ≒25mV（室溫）K：波兹曼常數=-23101.38⨯JT：絕對溫度(K︒) T=273＋X℃(2)逆向①逆向飽和電流(I o)I o大小與(i)材料(Si、Ge) (ii)溫度有關與逆向偏壓幾乎無關(i)當RV=–1V(逆向)01I=25mV2-1(eI⨯⨯–1) =200e1(I⨯–1)≒(I0–1) =–I(ii)當RV=–10V(逆向)02I=25mV2-10(eI⨯⨯–1) =2000e1(I⨯–1)≒(I0–1) =–I②原因：因熱振動產生的少數載子所產生的逆向電流順偏：逆偏：P NR S攝氏0V3K③※ 矽漏電流很小，∴矽取代鍺＜Ex ＞矽在溫度20℃，0I =5mA ，若溫度上升到50℃，0I =①30②40③50④60 mA .....................................................................................Ans ：②＜Sol ＞50°–20°=30° 5m ⨯32=40mA (3)崩潰電壓十一.電容效應※Q=CV十二.稽納二極體(Zener Diode ) 1.又名曾(齊、然)納二極體2.又稱崩潰二極體or 參考二極體，專門工作於逆向崩潰區3.主要功能：(1)電壓調整(穩壓) (2)電壓參考(3)截波電路4.當逆向電壓超過Z V 以上，Zener 會產生大量電流，但兩端電壓幾乎 始終保持Z V (崩潰電壓)不變，且在Z P (最大損耗功率)功率內，Zener不會燒毀，但一般二極體一但在崩潰點立即燒毀 5.十三.電阻效應1.靜態電阻：直流電阻dc R =)(I )(V D D 所產生的直流電壓外加的直流電壓2.動態電阻：交流電阻ac r =D D I V ∆∆=D DI d V d＊ ac r =mAI 26mAD＜推導＞D I =TD V V 0e(I η–1)動態電阻TV V 0D D D DV e I V d I dV I r 1TDη==∆∆=η IDD ID VQ(工作點)斜率=dcD D R 1V I = 斜率=ac D D D D r 1V d I d V I ==∆∆ 順偏：與一般二極體相同。
二极管三极管的基础知识
二极管三极管的基础知识二极管和三极管是电子领域中常见的两种元件，它们在电路中起着重要的作用。
本文将从二极管和三极管的基础知识入手，介绍它们的结构、工作原理以及在电子设备中的应用。
一、二极管的基础知识二极管是一种具有两个电极的半导体器件，通常由P型半导体和N 型半导体组成。
它的主要作用是允许电流在一个方向上流动，而阻止电流在另一个方向上流动。
二极管的一个电极称为阳极（Anode），另一个电极称为阴极（Cathode）。
二极管的工作原理是基于PN结的特性。
PN结是指P型半导体和N 型半导体的结合处。
当P型半导体的电子与N型半导体的空穴相遇时，会发生电子与空穴的复合，形成一个带电的区域，这个区域被称为耗尽区。
在耗尽区的两端会形成一个电势差，这个电势差被称为势垒。
当二极管正向偏置时，即阳极连接正极，阴极连接负极，势垒将变得较小，电流可以流过二极管。
而当二极管反向偏置时，即阳极连接负极，阴极连接正极，势垒将变得较大，电流无法流过二极管。
二极管有很多种不同的类型，例如常用的正向工作电压为0.7伏的硅二极管和正向工作电压为0.3伏的锗二极管等。
它们在电子设备中广泛应用，如整流器、稳压器、电压调节器等。
二、三极管的基础知识三极管是一种具有三个电极的半导体器件，通常由P型半导体、N 型半导体和另一种掺杂物较少的P型半导体组成。
它的主要作用是放大电流和控制电流。
三极管的三个电极分别为基极（Base）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）。
基极用于控制电流，发射极用于发射电子，集电极用于收集电子。
三极管有两种类型，NPN型和PNP型，它们的构造和工作原理基本相同，只是P型半导体和N型半导体的位置相反。
三极管的工作原理是基于PNP结和NPN结的特性。
当三极管的基极电流较小时，三极管处于截止区，电流无法通过三极管。
当基极电流增大时，会使三极管进入饱和区，电流可以从发射极流向集电极。
三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现的，当基极电流变化时，发射极到集电极的电流也会相应变化。
二极管基础知识点总结初中
二极管基础知识点总结初中一、二极管的结构二极管由P型半导体和N型半导体材料组成。
P型半导体具有正电荷载流子（空穴），N型半导体具有负电荷载流子（电子）。
当P型半导体和N型半导体通过PN结垂直的连接在一起，就形成了二极管结构。
二、二极管的工作原理1. PN结的形成当P型半导体和N型半导体连接在一起形成PN结时，P型半导体中的少数载流子（空穴）会向N型半导体扩散，N型半导体中的少数载流子（电子）也会向P型半导体扩散，形成空间电荷区。
2. 二极管导通状态当二极管的P端加正电压，N端加负电压时（正电压），电场的作用下，空间电荷区变窄，少数载流子得以跨越空间电荷区，PN结上游电压升高，二极管PN结变窄，载流子数量增多，导通电阻减小，从而使电流得以流通，此时二极管处于导通状态。
3. 二极管截止状态当二极管的P端加负电压，N端加正电压时（反电压），电场的作用下，空间电荷区变宽，形成了势垒，少数载流子不能越过势垒，从而不能进行导通，此时二极管处于截止状态。
三、二极管的特性1. 导通特性二极管具有导通方向和截止方向，正向电压下导通，反向电压下截止。
2. 截止电压二极管的截止电压是指当二极管处于截止状态时，需要加上的反向电压。
不同类型的二极管截止电压会有所差异。
3. 峰值逆压二极管在反向电压作用下，会导致PN结击穿，产生较大的反向电流。
此时二极管的反向电压达到最大值，称为峰值逆压。
4. 正向压降二极管在导通状态下，会有一个固定的正向压降，称为二极管的正向压降。
四、二极管的应用1. 整流二极管可以将交流电信号转换为直流电信号，实现整流功能。
在电源供电、电子设备中或者无线电调制解调中都有广泛应用。
2. 限流二极管可以通过控制导通和截止，实现对电流的限制和控制。
3. 信号检测二极管能够对高频信号进行检测，其正向压降和反向电压特性可满足快速开关要求。
4. 发光二极管发光二极管是利用P型半导体和N型半导体的复合辐射发出光的特性制成的，可以作为光源使用。
二极体值测试原理
二极体值测试原理一、电流-电压关系在二极体的测试中，电流-电压关系是描述二极体性能的重要参数。
当电压施加于二极体时，电流会根据特定的关系流过，这种关系取决于二极体的类型和状态。
测试中，我们需要记录不同电压下的电流值，从而得到二极体的I-V特性曲线。
二、正向测试正向测试是指当外加电压使二极体的阳极相对于阴极为正时，对二极体进行的测试。
在这种状态下，电流会从阳极流向阴极。
通过正向测试，我们可以获取二极体的正向电流-电压关系、正向电阻等参数。
三、反向测试反向测试是指当外加电压使二极体的阳极相对于阴极为负时，对二极体进行的测试。
在这种状态下，电流从阴极流向阳极。
通过反向测试，我们可以获取二极体的反向电流-电压关系、反向电阻等参数。
四、击穿电压击穿电压是指在反向测试中，当电压达到某一特定值时，电流会突然增大，导致二极体失去其单向导电性。
这个特定的电压值就是击穿电压。
它是衡量二极体耐压能力的关键参数。
五、动态电阻动态电阻是指在正向或反向测试中，随外加电压变化而变化的电阻值。
它反映了二极体的导电性能，是评估二极体性能的重要参数。
六、温度影响温度对二极体的性能有很大影响。
在不同的温度下，二极体的电流-电压关系、动态电阻等参数可能会发生变化。
因此，在测试过程中，需要控制温度，或在不同的温度下进行测试，以获取更全面的性能数据。
七、可靠性评估在二极体的测试中，可靠性评估是必不可少的一环。
通过对二极体进行长时间、高强度的测试，可以评估其在各种工作条件下的稳定性和寿命。
这有助于预测其在长期使用中的表现。
八、环境因素环境因素也是影响二极体性能的重要因素之一。
例如，湿度、气压、光照等环境因素可能会影响二极体的性能参数。
在测试过程中，需要控制这些环境因素，以获取更准确的数据。
总结：通过对二极体的电流-电压关系、正向和反向测试、击穿电压、动态电阻、温度影响、可靠性评估以及环境因素等方面的测试和分析，我们可以全面了解二极体的性能和特性，为进一步的应用和研究提供有力的支持。
二极体
許會提出一些其它的數據， 由於所討論的二極體不同，也許會提出一些其它的數據，例如頻率範 交換時間、熱阻等數據。 圍、雜訊度 、交換時間、熱阻等數據。 下面為我們常見二極體的種 類和其功用: 類和其功用 [1]稽納二極體 稽納二極體(Zener Diode): 稽納二極體 稽納二極體常用來調整電壓，而且就像整流二極體一樣， 稽納二極體常用來調整電壓，而且就像整流二極體一樣，在許多 途上非常重要。 接面元件， 電源供應的用 途上非常重要。稽納二極體是一種矽材料 pn 接面元件， 別在於專門選用其逆向崩潰區。 其與整流二極體的差 別在於專門選用其逆向崩潰區。稽納二極體的 崩潰電壓， 制摻雜程度。 崩潰電壓，是在製造時仔細地控 制摻雜程度。 [2]變容二極體 變容二極體(Varactor Diodes): 變容二極體 變容二極體可隨電壓控制的電容器， 變容二極體可隨電壓控制的電容器，其原理為 pn 接面逆向偏壓 由空乏區兩邊形成的接面電容。變容二極體主要用於調諧電路， 時，由空乏區兩邊形成的接面電容。變容二極體主要用於調諧電路， 例如電視的調諧器及其他市售的收音機，均用變容二極體為其零件。 例如電視的調諧器及其他市售的收音機，均用變容二極體為其零件。 變容二極體在高頻範圍(由最小的電容量來限定 由最小的電容量來限定)的應用包括了調頻調 變容二極體在高頻範圍 由最小的電容量來限定 的應用包括了調頻調 變器、自動頻率控制裝置、 及參數放大器等。 變器、自動頻率控制裝置、可調帶通濾波器 及參數放大器等。
二極體
二極體是目前各種電子系統中最基本的組 成元件之一，同時， 成元件之一，同時，它的特性 類似一般的 開關，也有整流的作用，因此，在電子系 開關，也有整流的作用，因此， 統中也扮演著極重要的角色。 統中也扮演著極重要的角色。 它的應用範 圍可自簡單一直延伸到複雜的範圍。 圍可自簡單一直延伸到複雜的範圍。通常 家裡的電器用品的整流作用都 是靠二極體 的功能，還有， 的功能，還有，當我們走在馬路上所看到 的廣告看版， 的廣告看版，也都是利用發光 二極體的作 用而完成的。 用而完成的。
二极体的作用二极体的基本作用是什么
二极体的作用二极体的基本作用是什么二极体相信大家都有接触过，这是一种具有单向导电性的半导体元件，经常被广大电子爱好者应用于各种电路上，在各电路中完成各种不同功能以满足需要。
下面将您详细介绍二极体的作用都是什么。
【二极体的作用】一、二极体是什么晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p－n结，在其介面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
当不存在外加电压时，由于p－n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时，p－n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极体的击穿现象。
二、二极体的作用1、整流：利用二极体单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。
2、开关：二极体在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。
利用二极体的开关特性，可以组成各种逻辑电路。
3、限幅：二极体正向导通后，它的正向压降基本保持不变（矽管为0。
7V，锗管为0。
3V）。
利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。
4、续流：在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。
5、检波：在收音机中起检波作用。
6、变容：使用于电视机的高频头中。
7、显示：用于VCD、DVD、计算器等显示器上。
8、稳压：稳压二极体实质上是一个面结型矽二极体，稳压二极体工作在反向击穿状态。
在二极体的制造工艺上，使它有低压击穿特性。
稳压二极体的反向击穿电压恒定，在稳压电路中串入限流电阻，使稳压管击穿后电流不超过允许值，因此击穿状态可以长期持续并不会损坏。
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教材編號 : QCC-005 版 核準:
Qu 王建萍
LED類基礎知識 類基礎知識
一、LED類產品之編碼原則 類產品之編碼原則
二、LED之制造流程簡介 、 之制造流程簡介 三、LED之基本知識 、 之基本知識 四 、LED之性能說明 之性能說明
半導體二極管之基礎知識
之品名敘述中的顏色都用簡寫， 在LED之品名敘述中的顏色都用簡寫，下面有對照表供參考。 之品名敘述中的顏色都用簡寫 下面有對照表供參考。 black=BLK(黑色) brown=BRG(棕色) red=RED(紅色) orange=ORG(橙色) yellow=YEW(黃色) green=GRN(綠色) Blue=BLE(藍色) purple=PUE(紫色) gray=GRY(灰白) white=WHE(白色)
半導體二極管之基礎知識
管常用的來作為顯示器 ;發光二極管的另一種用途是將電 信號通過光電纜傳輸然后再用光電二極管接收再現電信號。
圖1 現在我們來看一下它(lamp-LED)的流程吧 的流程吧! 現在我們來看一下它 的流程吧 固晶 烘烤 焊線 封膠 前烤 長烤 切腳 長烤 切腳 測試 分光 入庫 (1).固晶:固晶是LED制造流程中最核心的部分，它是將電 鍍支架的一端(有支撐體的一端)與晶體通過銀膠進行連接; 在點膠的過程中，點膠的量要低于晶體高度的一半。 (2).烘烤:對銀膠起一個固化的作用;因為銀膠是液態的，現 在我們要將 PN 結與支架很好的結合就必須將使銀膠固化。
半道體材料之基礎知識
為空穴型半道體或P型半導體。 3.總述 : 不論是N型半導體或是P型半導體，雖然它們都有一 種載流子占多數但整個半導體仍是電中性。 4.PN結的形成及其特性 (1) PN結的形成 :在.P型半導體和N型半導體結合后，在它們 的交界處就會出現了很薄的空間電荷區， 這就是所謂的PN結。 (2) PN結的特性 : PN結的單向道電性(即 PN 結的正向電阻很 小，反向電阻很大)。 四、二極管的主要參數
80度。 selection guide Part No HL10503GD Dice GaP Lens Type Iv(mcd) If=20mA Green min typ Diffused 5 12 View Angle 2 100 1/2
上表格為選購指南。Part No是指廠商的料號; Dice是來源的 意思(即它所慘入的雜質的成份); Lens Type是指發光二極管 所發出的顏色;Iv是指亮度(mcd是亮度的單位，讀作毫卡德 拉); View Angle是指光視角;一般我們選則二極管可以發光 顏色、亮度、視角幾方面來選購。
半導體二極管之基礎知識
3.最大反向電流IRM IRM是指二極管在一定環境溫度下，加最高反向工作電壓 URM時所測得的反向工電流值(又稱為反向飽和電流) ; 其 值愈小說明二極管的單向導電性能愈好 。 常溫下，硅管 的 IRM 一般為幾微安以下 、 鍺管的 IRM 約為幾十到幾百 微安。 五、L E D 的制造流程介紹及其性質說明 就是發光二極管， 由于 L E D 就是發光二極管，所以在介紹 L E D 的制 造流程之前，我們來對發光二極管進行一個簡單的介紹。 造流程之前，我們來對發光二極管進行一個簡單的介紹。 簡介:發光二極管通常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ價元素的 簡介 化合物 ， 如砷化鎵、磷化鎵等制成。當這種管子通以電流 時將發出光來 ， 圖1為發光二極管的表示符號 。發光二極
半導體二極管之基礎知識
(3).焊線:前面我們有介紹過 PN 結的基礎知識，在固晶中已 經將 PN 結與支架的一端連接，這里我們只需將 PN 結與支架的另一端連接起來就OK了(這個過程稱為焊 線，用于連接的線為金線)。 ※注意:進行到這一部之后，L E D內部的結構就已經行成了。 (4).封膠:封膠中所用的絕緣膠為還氧樹脂;封膠工位具體分為 灌膠和叉支架兩個步驟來完成。 (5).前烤:前烤時所設定的溫度為120℃，時間一般為70分鐘。 在此過程中絕緣膠會被初步固化。 (6).長烤:它是將絕緣膠的進一步固化的過程。 (7).切腳:在LED制成之后會根據客戶的不同要求進行剪腳或 彎腳
type 660 640 20 45 1.85
max unite nm nm nm PF 2.5 10 V uA
Test condition If=20mA If=20mA If=20mA VF=0;f=1M HZ If=20mA VR=5V
上表為電氣/光學特性的舉例說明。
半導體二極管之基礎知識
LED大致分為三類 大致分為三類:lamp- LED、SMD-LED 、 DISPLAY大致分為三類 、 LED(即燈式發光二極管、貼片式發光二極管、數字式發光 即燈式發光二極管、 即燈式發光二極管 貼片式發光二極管、 二極管)。 二極管 。 六、LED之料品編碼原則及其說明 之料品編碼原則及其說明 1.LED之料品編碼原則的定義: 1.LED : 02-5 × ×-× × × × × × × 小分類 中分類 大分類 LED之大分類勻以 開頭 之大分類勻以02開頭 之大分類勻以
半導體二極管之基礎知識
實際應用中， 實際應用中，常用摻雜的方法來提高半導體的導電能 力。 1. N型半導體之定義 在純晶的半導體中摻入微量的五價元素(如磷)。它將使 半導體中的自由電子數目大大增多，因激發而產生的空穴 數則相對很少，或者說自由電子是多數載流子，固這種雜 質半導體稱為電子型半導體(簡稱 N 型半導體)。 2. P型半導體之定義 在純晶的半導體中摻入微量的三價元素(如硼)。它將使 半導體中的空穴數目增多，因激發而產生的電子數目則相 對很少，或者說空穴是有多數載流子，這種雜質半導體稱
半導體二極管之基礎知識
(8).測試:用分光電腦對LED的亮度進行測試。 (9).分光:用分光電腦測出光的視角。 (10).入庫:將成品包裝后入庫。 ※關于視角圖的看法介紹 40
A 0.5 橫坐標表示光的範圍，縱坐標表示光的視角，圖中0.5就是 光的範圍，圖中三條曲線的較交點A點所對應的視角讀數為
半導體二極管之基礎知識
LED類基礎知識 類基礎知識
一、 LED類的分類: 目前,我們有進料之LED大致可歸納為三類:lamp- LED、 SMD-LED 、 DISPLAY-LED(即燈式發光二極管、貼片式發光 二極管、數字式發光二極管)。 二、 LED類之編碼原則 1、 料號編碼定義
02-XXX-XXXXXX
小分類 中分類 大分類 02:表示大分類，以02開頭命名的料號表示LED類產品。
LED類基礎知識 類基礎知識
2 LED類之編碼原則 02 – X XX – XX X XX X
其他用途
大類 中類 封裝型態 規格 發光顏色 廠家 備注:1.保險絲的大分類勻以12開頭,中類勻為2。
2.封裝形態 ex: LED Round T-1(3mm) 圓形的膠體高為3mm。 SMD３*２ 貼片式的長為３ｍｍ寬為２ｍｍ。 rectangle 3*7*2 長方體長為７ｍｍ寬為３ｍｍ高為 ２ｍｍ
半導體二極管之基礎知識
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半導體二極管之基礎知識
在介紹半導體之前我們先來看一下常用的半導體材料 有那些。 有那些。 一、常用的半導體材料 1.元素半導體.如:硅(Si) 、鍺(Ge)。 2.化合物半道體.如:砷化鎵(GaAs) 。 3.總述:用于制造半道體器件的材料主要是硅 (Si)和鍺(Ge) 的半晶體。它們都是四價元素 ，在外界能量 (光和 熱)的激發下產生稱為載流子的自由電子和空穴具 有導電能力。常溫下，純凈的半導體中載流子的數 目很少，故其導電能力很差。
半導體二極管之基礎知識
2.LED之品名敘述大致由七個欄位組成，每個欄位都有其相對 應的意義 (1).第一欄位:大分類 ex :LED(light emitting Diode bicolor)表 示發光二極管。 (2).第二欄位:種類 ex :RED表示發紅光。 (3).第三欄位:型號 ex :HL-3010MBC表示廠商的品名規格。 (4).第四欄位:主規格 ex :DIFFUSED WHE 120 表示膠體顏 色及視角度數。 (5).第五欄位: 封裝 ex :T-1(3mm) L24.5表示發光二極管的膠 體的高是3mm，腳長是24.5mm。 (6).第六欄位:版本及輔助說明。 (7).第七欄位:表示廠家 ex :HI-LIGHT表示其廠家是宇之光
半導體二極管之基礎知識
為了正確的選用二極管和判斷其性能的好壞必須對其 性能好壞必須對其主要參數有所了解 1.最大整流電流 IOM 最大整流電流是指二極管長期使用時所允許通過的最大 正向電流(用IOM表示);其大小取決于 PN 結 的面積、材 料、和散熱情況，使用時不應超過此值;否則，由于電 流 過大會導致 PN 結過熱而損壞二極管;故大功率二極 管要 加裝散熱片以將低結溫。 2.最大反向工作電壓 URM URM是指二極管上 許加的最大反向電壓瞬時值。若工作 時管子上所加的反向電壓值超過了 URM ，管子的就有可 能被反向擊穿而失去單向導電性。
半導體二極管之基礎知識
Electrical/optical characteristice at 25 symbol Peak D 1/2 C VF IR device
Super bright red Super bright red Super bright red Super bright red Super bright red Super bright red
半導體二極管的基礎知識
二、半道體的特性 1.導電能力方面與導體和絕緣體不同 2.半導體具有熱敏性和光敏性 ( 即當半導體受到外界光和 熱的刺激時其導電能力也會有顯著的增加 )。 3.半道體具有的最顯著的特性就摻雜性(即在純凈的半導體 中加入微量的雜質，其導電能力也會有顯著的增加)。 三、PN結現相關知識的介紹 結現相關知識的介紹