一种用氢(H)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能

专利名称：一种用氢(H)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法
专利类型：发明专利
发明人：李洁,王奇,韦娟,陈长伦,王祥科
申请号：CN201410331508.X
申请日：20140711
公开号：CN104085884A
公开日：
20141008
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种用氢(H)和氩(Ar)混合等离子体还原氧化石墨烯(GO)提高电化学性能的方法，将GO旋涂在ITO导电玻璃上，烘干后置于等离子放电室中，放电室内接有石墨电极，电极连接一个射频交流电源，该电源能够产生电感耦合等离子体源，放电前先通入氩气，赶走空气，然后打开真空泵抽真空至2Pa左右，通入H和Ar混合气体。

H和Ar总气体流量为3sccm，H和Ar的流量比为2/1，此时打开交流电源产生氢和氩混合等离子体，交流电功率为70w，将该等离子体流直接作用在GO薄膜上，放电5min后得到还原氧化石墨烯(rGO)薄膜。

该方法不仅能有效还原GO，而且快速、高效、绿色同时不引入杂质。

将制得的rGO薄膜用作电极材料，rGO薄膜的比容量为211.8F/g，高于其他还原方法得到的还原石墨烯的比容量。

申请人：中国科学院等离子体物理研究所
地址：230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号
国籍：CN
代理机构：安徽合肥华信知识产权代理有限公司
代理人：余成俊
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