IGBT特性参数定义
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术语 集电极-发射极间电压 Collector-Emitter voltage 门级-发射极间电压 Gate-Emitter voltage 集电极电流 DC Collector current 最大集电极电流 repetitive peak collector current 正向导通电流 DC forward current 最大正向导通电流 repetitive peak forward current 短路电流 Short circuit current 最大损耗 total power dissipation 结温 junction temperature 电流二次方时间积 I2t 正向峰值浪涌电流 IFSM 绝缘强度 Isolation voltage 安装力矩 Screw torque
术语符号定义与说明vcesvgesic集电极的电极上容许的最大直流电流icrm集电极的电极上容许的最大脉冲电流集成二极管上容许的最大直流正向电流ifrm集成二极管上容许的最大脉冲正向电流iscptottj使元件能够连续性工作的最大芯片温度i2t在不破坏元件的范围内所允许的过电流焦耳积分值ifsmvisomoutingterminal术语符号定义与说明icesigescies集电极发射极间电压collectoremittervoltage在门级发射极之间处于短路状态时集电极发射极间能够时间的最大电压门级发射极间电压gateemittervoltage在集电极发射极间处于短路状态时门级发射极间能够施加的最大电压通常20vmax集电极电流dccollectorcurrent最大集电极电流repetitivepeakcollectorcurrent正向导通电流dcforwardcurrent最大正向导通电流repetitivepeakforwardcurrent短路电流shortcircuitcurrentigbt短路时的电流最大损耗totalpowerdissipation每个igbt所容许的最大功率损耗junctiontemperature电流二次方时间积i2t正向峰值浪涌电流ifsm在不破坏元件的范围内所允许的一周期以上商用正弦半波5060hz的电流最大值绝缘强度isolationvoltage在电极全部处于短路状态时电极与冷却体的安装面间所容许的正弦波电压的最大有效值安装力矩screwtorque用特定的螺钉将元件和冷却体散热器间夹紧时所用的最大力矩值用特定的螺钉将端子和外部配线夹紧时所用的最大力矩集电极发射极间断路电流zerogatevoltaecollectorcurrent门极下称g发射极下称e间处于短路的状态时在集电极下称ce间外加指定的电压时ce间的漏电门极发射极间的漏电流gateemitterleakagecurrentce间处于短路状态时在ge间外加指定的电压时ge间的漏电流门极发射极间的阈值电压gateemitterthresholdvoltagevgeth处于指定的ce间的电流下称集电极电流和ce间的电压下称vce之间的ge间的电压下称vgece间有微小电流开始通过时的vge值用于作为衡量igbt开始导通时的vge值的尺度集电极发射极间的饱和电压collctoremittersaturation
IGES
处于指定的C-E间的电流（下称集电极电 流）和C-E间的电压（下称VCE）之间的G-E VGE（th） 间的电压（下称VGE）（C-E间有微小电流开 始通过时的VGE值用于作为衡量IGBT开始导 通时的VGE值的尺度） 集电极-发射极间的饱和电压 在指定的VGE下，额定集电极电流流过时的 Collctor-emitter VCE（sat） VCE值（通常，VGE=15V，计算损耗时重要 saturation voltage 值）
输入电容 Input capacitance 输出电容 Output capacitance 反向传输电容 Reverse transfer capacitance 二极管正向电压 Forward on voltage
Cies Coes Cres
C-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外 加指定电压时 G-E间的电容 G-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外 加指定电压时 C-E间的电容 在E接地的情况下，G-E间外加指定电压是CG间的电容
Rth（j-e） IGBT或内置二极管的芯片与外壳间的热阻 运动散热绝缘混合剂，在推荐的力矩值的条 Rth（e-f） 件下，将元件安装到冷却体上时，外壳与冷 却体间的热阻 IGBT的外壳温度（通常情况指IGBT或内置二 Te 极管正下方的铜基下的温度） 符号 定义与说明
外壳温度 Case temperature 术语 热敏电阻 Resistance B值 B value
术语 集电极-发射极间断路电流 Zero gate voltae collector current 门极-发射极间的漏电流 Gate-emitter leakage current 门极-发射极间的阈值电压 Gate-emitter threshold voltage
符号 ICES
定义与说明 门极（下称G）-发射极（下称E）间处于短 路的状态时，在集电极（下称C）-E间外加 指定的电压时C-E间的漏电流 C-E间处于短路状态时，在G-E间外加指定的 电压时G-E间的漏电流
在不破坏元件的范围内所允许的过电流焦耳 积分值 在不破坏元件的范围内所允许的一周期以上 IFSM 商用正弦半波（50、60Hz）的电流最大值 在电极全部处于短路状态时，电极与冷却体 Viso 的安装面间所容许的正弦波电压的最大有效 用特定的螺钉将元件和冷却体（散热器）间 Mouting 夹紧时所用的最大力矩值 用特定的螺钉将端子和外部配线夹紧时所用 Terminal 的最大力矩值
Resistance 指定温度下热敏电阻端子之间的电阻值 B 表示在电阻-温度特性上任意2个温度间的电 阻变化大小的常数
术语 开通损耗 turn-on energy loss per pulse
符号 Eon
定义与说明 开通过程中，Ic与Vce乘积对时间（电流Ic 上升到10%到电压Vce下降到2%之间）的积分
符号 VCES VGES IC ICRM IF IFRM ISC PTOT TJ I2t
定义与说明 在门级-发射极之间处于短路状态时，集电 极-发射极间能够时间的最大电压 在集电极-发射极间处于短路状态时，门级发射极间能够施加的最大电压（通常±20V 集电极的电极上容许的最大直流电流 集电极的电极上容许的最大脉冲电流 集成二极管上容许的最大直流正向电流 集成二极管上容许的最大脉冲正向电流 IGBT短路时的电流 每个IGBT所容许的最大功率损耗 使元件能够连续性工作的最大芯片温度
关断损耗 turn-off energy loss per Eoff pulse
Байду номын сангаас
关断过程中，Ic与Vce乘积对时间（电压Vce 上升到10%到电流Ic下降到2%之间）的积分
在内置二极管中流过指定的正方向电流（通 常为额定电流）时的正方向电压（与VCE （sat））相同，也是计算损耗时的重要值 开通时间 IGBT开通时，VGE上升到0V后，VCE下降到最 tdon Turn-on time 大值的10%时为止的时间 上升时间 IGBT开通时，从集电极电流上升到最大值的 tr Raise time 10%开始，到VCE下降到最大值的10%为止的 IGBT开通时，从集电极电流上升到最大值的 tr（i） 10%开始，到达90%为止的时间。 IGBT关断时，从VGE下降到最大值的90%时开 关断时间 tdoff 始，到集电极电流在下降电流的切线上下降 Turn-off time 到10%为止时间 下降时间 IGBT关断时，集电极电流从最大值90%开 tf Fall time 始，在下降电流的切线上下降到10%为止的 反向恢复时间 到内置二极管中的反向恢复电流消失为止所 trr Reverse recovery time 需要的时间 反向恢复电流 到内置二极管中正方向电流断路时反方向流 Irr（Irp） Reverse recovery current 动的电流的峰值 逆向偏压安全操作区 关断时在指定的条件下，能够使IGBT断路的 Reverse bias safe RBSOA 电流与电压的区域（一旦超出该区域，元件 operation area 可能遭到破坏） 门极电阻 门极串联电阻值（标准值记载在交换时间测 RG Gate-resistance 定条件中） 门极充电电量 Qg 为了使IGBT开通，G-E间充电的电荷量 Gate charge capacity VF 术语 热阻 Thermal resistance 符号 定义与说明
术语符号定义与说明vcesvgesic集电极的电极上容许的最大直流电流icrm集电极的电极上容许的最大脉冲电流集成二极管上容许的最大直流正向电流ifrm集成二极管上容许的最大脉冲正向电流iscptottj使元件能够连续性工作的最大芯片温度i2t在不破坏元件的范围内所允许的过电流焦耳积分值ifsmvisomoutingterminal术语符号定义与说明icesigescies集电极发射极间电压collectoremittervoltage在门级发射极之间处于短路状态时集电极发射极间能够时间的最大电压门级发射极间电压gateemittervoltage在集电极发射极间处于短路状态时门级发射极间能够施加的最大电压通常20vmax集电极电流dccollectorcurrent最大集电极电流repetitivepeakcollectorcurrent正向导通电流dcforwardcurrent最大正向导通电流repetitivepeakforwardcurrent短路电流shortcircuitcurrentigbt短路时的电流最大损耗totalpowerdissipation每个igbt所容许的最大功率损耗junctiontemperature电流二次方时间积i2t正向峰值浪涌电流ifsm在不破坏元件的范围内所允许的一周期以上商用正弦半波5060hz的电流最大值绝缘强度isolationvoltage在电极全部处于短路状态时电极与冷却体的安装面间所容许的正弦波电压的最大有效值安装力矩screwtorque用特定的螺钉将元件和冷却体散热器间夹紧时所用的最大力矩值用特定的螺钉将端子和外部配线夹紧时所用的最大力矩集电极发射极间断路电流zerogatevoltaecollectorcurrent门极下称g发射极下称e间处于短路的状态时在集电极下称ce间外加指定的电压时ce间的漏电门极发射极间的漏电流gateemitterleakagecurrentce间处于短路状态时在ge间外加指定的电压时ge间的漏电流门极发射极间的阈值电压gateemitterthresholdvoltagevgeth处于指定的ce间的电流下称集电极电流和ce间的电压下称vce之间的ge间的电压下称vgece间有微小电流开始通过时的vge值用于作为衡量igbt开始导通时的vge值的尺度集电极发射极间的饱和电压collctoremittersaturation
IGES
处于指定的C-E间的电流（下称集电极电 流）和C-E间的电压（下称VCE）之间的G-E VGE（th） 间的电压（下称VGE）（C-E间有微小电流开 始通过时的VGE值用于作为衡量IGBT开始导 通时的VGE值的尺度） 集电极-发射极间的饱和电压 在指定的VGE下，额定集电极电流流过时的 Collctor-emitter VCE（sat） VCE值（通常，VGE=15V，计算损耗时重要 saturation voltage 值）
输入电容 Input capacitance 输出电容 Output capacitance 反向传输电容 Reverse transfer capacitance 二极管正向电压 Forward on voltage
Cies Coes Cres
C-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外 加指定电压时 G-E间的电容 G-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外 加指定电压时 C-E间的电容 在E接地的情况下，G-E间外加指定电压是CG间的电容
Rth（j-e） IGBT或内置二极管的芯片与外壳间的热阻 运动散热绝缘混合剂，在推荐的力矩值的条 Rth（e-f） 件下，将元件安装到冷却体上时，外壳与冷 却体间的热阻 IGBT的外壳温度（通常情况指IGBT或内置二 Te 极管正下方的铜基下的温度） 符号 定义与说明
外壳温度 Case temperature 术语 热敏电阻 Resistance B值 B value
术语 集电极-发射极间断路电流 Zero gate voltae collector current 门极-发射极间的漏电流 Gate-emitter leakage current 门极-发射极间的阈值电压 Gate-emitter threshold voltage
符号 ICES
定义与说明 门极（下称G）-发射极（下称E）间处于短 路的状态时，在集电极（下称C）-E间外加 指定的电压时C-E间的漏电流 C-E间处于短路状态时，在G-E间外加指定的 电压时G-E间的漏电流
在不破坏元件的范围内所允许的过电流焦耳 积分值 在不破坏元件的范围内所允许的一周期以上 IFSM 商用正弦半波（50、60Hz）的电流最大值 在电极全部处于短路状态时，电极与冷却体 Viso 的安装面间所容许的正弦波电压的最大有效 用特定的螺钉将元件和冷却体（散热器）间 Mouting 夹紧时所用的最大力矩值 用特定的螺钉将端子和外部配线夹紧时所用 Terminal 的最大力矩值
Resistance 指定温度下热敏电阻端子之间的电阻值 B 表示在电阻-温度特性上任意2个温度间的电 阻变化大小的常数
术语 开通损耗 turn-on energy loss per pulse
符号 Eon
定义与说明 开通过程中，Ic与Vce乘积对时间（电流Ic 上升到10%到电压Vce下降到2%之间）的积分
符号 VCES VGES IC ICRM IF IFRM ISC PTOT TJ I2t
定义与说明 在门级-发射极之间处于短路状态时，集电 极-发射极间能够时间的最大电压 在集电极-发射极间处于短路状态时，门级发射极间能够施加的最大电压（通常±20V 集电极的电极上容许的最大直流电流 集电极的电极上容许的最大脉冲电流 集成二极管上容许的最大直流正向电流 集成二极管上容许的最大脉冲正向电流 IGBT短路时的电流 每个IGBT所容许的最大功率损耗 使元件能够连续性工作的最大芯片温度
关断损耗 turn-off energy loss per Eoff pulse
Байду номын сангаас
关断过程中，Ic与Vce乘积对时间（电压Vce 上升到10%到电流Ic下降到2%之间）的积分
在内置二极管中流过指定的正方向电流（通 常为额定电流）时的正方向电压（与VCE （sat））相同，也是计算损耗时的重要值 开通时间 IGBT开通时，VGE上升到0V后，VCE下降到最 tdon Turn-on time 大值的10%时为止的时间 上升时间 IGBT开通时，从集电极电流上升到最大值的 tr Raise time 10%开始，到VCE下降到最大值的10%为止的 IGBT开通时，从集电极电流上升到最大值的 tr（i） 10%开始，到达90%为止的时间。 IGBT关断时，从VGE下降到最大值的90%时开 关断时间 tdoff 始，到集电极电流在下降电流的切线上下降 Turn-off time 到10%为止时间 下降时间 IGBT关断时，集电极电流从最大值90%开 tf Fall time 始，在下降电流的切线上下降到10%为止的 反向恢复时间 到内置二极管中的反向恢复电流消失为止所 trr Reverse recovery time 需要的时间 反向恢复电流 到内置二极管中正方向电流断路时反方向流 Irr（Irp） Reverse recovery current 动的电流的峰值 逆向偏压安全操作区 关断时在指定的条件下，能够使IGBT断路的 Reverse bias safe RBSOA 电流与电压的区域（一旦超出该区域，元件 operation area 可能遭到破坏） 门极电阻 门极串联电阻值（标准值记载在交换时间测 RG Gate-resistance 定条件中） 门极充电电量 Qg 为了使IGBT开通，G-E间充电的电荷量 Gate charge capacity VF 术语 热阻 Thermal resistance 符号 定义与说明