超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响

超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响
谭思昊;李昱东;徐烨峰;闫江
【期刊名称】《东北石油大学学报》
【年(卷),期】2017(041)001
【摘要】随着CMOS技术发展到22nm技术节点以下,体硅平面器件达到等比例缩小的极限。

全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS(FDSOI)技术具有优秀的短沟道效应控制能力,利用TCAD软件,对不同埋氧层厚度的FDSOI器件短沟道效应进行数值仿真,研究减薄BOX厚度及器件背栅偏压对器件性能和短沟道效应的影响。

仿真结果表明,减薄BOX厚度使FDSOI器件的性能和短沟道效应大幅提升,薄BOX衬底背栅偏压对FDSOI器件具有明显的阈值电压调制作用,6.00V的背栅偏压变化产生0.73V的阈值电压调制。

在适当的背栅偏压下,FDSOI器件的短沟道特性(包括DIBL性能等)得到优化。

实验结果表明,25nm厚BOX的FDSOI器件比145nm厚BOX的FDSOI器件关断电流减小近50%,
【总页数】6页(P117-122)
【作者】谭思昊;李昱东;徐烨峰;闫江
【作者单位】[1]中国科学院微电子研究所,北京100029;[2]微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029
【正文语种】中文
【中图分类】TN386.1
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