GaSb晶体的高能N^＋注入及其光学性质

GaSb晶体的高能N^＋注入及其光学性质
郑玉祥;苏毅;周仕明;马宏舟;陈良尧;郑安生;钱佑华;林成鲁;何冶平
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】1995(16)11
【摘要】本文用低温光致发光光谱（ＰＬ）、椭圆偏振光谱（ＳＥ）、背散射及沟道技术（ＲＢＳ／Ｃ）、扫描电镜技术（ＳＥＭ）等研究了２ＭｅＶ高能Ｎ＋注入Ｇａｓｂ晶体损伤及其光学性质．结果表明高能Ｎ＋注入Ｇａｓｂ晶体不会产生反常膨胀（Ｓｗｅｌｌｉｎｇ），通过合理的退火可使注入样品晶格得到很好恢复．椭圆偏振光谱能准确反映注入样品晶格损伤情况，并与背散射结果吻合．用有效介质模型（ＥＭＡ）对椭偏谱进行似合可对注入损伤有定量的了解．
【总页数】6页(P879-884)
【关键词】锑化镓晶体;半导体材料;氮离子注入;光学性质
【作者】郑玉祥;苏毅;周仕明;马宏舟;陈良尧;郑安生;钱佑华;林成鲁;何冶平
【作者单位】复旦大学李政道综合实验室物理系,北京有色金属研究总院,中国科学院上海冶金研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN304.23
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