导电银浆技术分析

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导电银浆的制备及用途性能研究

导电银浆的制备及用途性能研究

导电银浆的制备及用途性能研究潘宇镇(南京工业大学材料化学材化0801)摘要:随着电子技术的发展,对电子设备提出了轻、薄、多功能、智能化等技术要求,促使人们去开发更加先进价廉的电子元器件、电子线路板等制造技术。

导电银浆产品集冶金、化工和电子技术于一体,就是一种高技术的电子功能材料。

本文对银浆的制备、性能和用途进行了综述。

关键词:导电银浆;工艺制备;导电性能Conductive silver paste preparation and application performancePan Yuzhen(NJUT Chemistry of materials 0801)Abstract:With the development of electronic technology, electronic equipment to put out the light, thin, multi-functional, intelligent and other technical requirements, to make people more advanced development cheap electronic components, electronic circuit boards and other manufacturing technology. Conductive silver paste products metallurgical, chemical and electronic technology in one, is a kind of high technology electronic functional materials. The silver paste preparation, properties and applications are reviewed.Key words:Conductive silver paste;Process for the preparation of;Conductive property银浆系由高纯度的(99.9% )金属银的微粒、粘合剂、溶剂、助剂所组成的一种机械混和物的粘稠状的浆料。

导电银浆的制备及用途性能研究

导电银浆的制备及用途性能研究

导电银浆的制备及用途性能研究潘宇镇(南京工业大学材料化学材化0801)摘要:随着电子技术的发展,对电子设备提出了轻、薄、多功能、智能化等技术要求,促使人们去开发更加先进价廉的电子元器件、电子线路板等制造技术。

导电银浆产品集冶金、化工和电子技术于一体,就是一种高技术的电子功能材料。

本文对银浆的制备、性能和用途进行了综述。

关键词:导电银浆;工艺制备;导电性能Conductive silver paste preparation and application performancePan Yuzhen(NJUT Chemistry of materials 0801)Abstract:With the development of electronic technology, electronic equipment to put out the light, thin, multi-functional, intelligent and other technical requirements, to make people more advanced development cheap electronic components, electronic circuit boards and other manufacturing technology. Conductive silver paste products metallurgical, chemical and electronic technology in one, is a kind of high technology electronic functional materials. The silver paste preparation, properties and applications are reviewed.Key words:Conductive silver paste;Process for the preparation of;Conductive property银浆系由高纯度的(99.9% )金属银的微粒、粘合剂、溶剂、助剂所组成的一种机械混和物的粘稠状的浆料。

导电银浆主要技术

导电银浆主要技术

导电银浆主要技术
导电银浆的主要技术包括以下几个方面:
1.成分和制备:导电银浆通常包括导电相银粉、粘合剂、溶剂及改善性能的微量添加剂等成分。

制备导电银浆的方法有多种,常见的有化学还原法、物理混合法和溶胶-凝胶法等。

制备过程中需要控制
银粉的粒度、分散性和纯度等,以保证导电银浆的性能。

2.稳定剂:为了防止银粉在浆料中的聚集和沉淀,需要加入稳定剂。

稳定剂的作用是帮助银粉保持分散状态,提高导电银浆的稳定性。

3.溶剂:溶剂用于调节银浆的黏度和流动性。

在制备过程中,需要选择适当的溶剂,以保证银浆具有良好的印刷性和成膜性。

4.烧结工艺:烧结工艺是导电银浆制备中的重要环节,其目的是使银颗粒熔合在一起,形成连续的导电膜。

在烧结过程中,需要控制烧结温度、烧结时间和气氛等因素,以保证导电银浆的导电性能和附着力。

5.丝网印刷技术:丝网印刷技术是制备导电银浆的一种常用方法,能够将银浆印刷到基底表面,形成图案化的导电路径。

丝网印刷技术需要选择合适的网版、刮刀和印刷参数,以保证印刷质量和效率。

6.性能测试与表征:导电银浆的性能测试与表征是评价其导电性能、附着力和印刷性能等指标的重要手段。

常用的测试方法包括四探针测试、表面电阻测量、附着力测试和印刷性能测试等。

通过这些测试,可以了解导电银浆的性能,并对其制备工艺进行优化。

总之,导电银浆的主要技术包括成分和制备、稳定剂、溶剂、烧结工艺、丝网印刷技术和性能测试与表征等方面。

这些技术相互作用,共同影响导电银浆的性能和应用。

导电银浆在铝合金表面的烧结性能分析

导电银浆在铝合金表面的烧结性能分析

导电银浆在铝合金表面的烧结性能分析孙国基1, 孙钦1, 杨婉春1, 徐鸿博2, 李明雨1(1. 哈尔滨工业大学(深圳) 索维奇智能新材料实验室,深圳,518055; 2. 哈尔滨工业大学(威海)先进焊接与连接国家重点实验室,威海,264209)摘要: 制备一种用于铝合金表面烧结银厚膜的低温烧结型导电银浆,以解决铝合金的软钎焊问题. 采用熔融淬火方法制备玻璃化转变温度(T g )为360 ℃的Bi 2O 3-B 2O 3-ZnO 玻璃粉. 将玻璃粉、亚微米银粉和有机载体混合制成无铅低温烧结型银浆,将该银浆涂覆在6061铝合金表面,并在440,470,500,530 ℃的温度下进行烧结. 研究烧结温度对银厚膜的电阻率、可焊性及与基板结合强度的影响. 当玻璃粉与银粉重量比为1∶9,烧结温度为530 ℃时,烧结银厚膜的电阻率为2.2 μΩ·cm ,抗剪强度为56.0 MPa ;同时Al ,Mg 和Bi 2O 3发生氧化还原反应在银厚膜与铝基板界面产生纳米级Bi 单质,进而实现冶金结合. 结果表明,提高烧结温度可以有效促进玻璃的润湿铺展、Ag 颗粒之间的颈缩和Ag 颗粒的生长,进而明显改善银厚膜软钎焊可焊性.创新点: (1)首次将导电银浆应用于铝合金表面,研究了铝基板和银膜之间界面强度和连接机制. (2)用铺展面积法对银膜锡焊可焊性进行了分析. (3)银浆涂敷采用浸渍工艺,生产效率高.关键词: Bi 2O 3-B 2O 3-ZnO 玻璃;银浆;电阻率;可焊性;抗剪强度中图分类号:TG 425 文献标识码:A doi :10.12073/j .hjxb .202010050020 序言铝及铝合金因其密度小、高导热、高导电和成本低等优点,成为代替铜用于电子封装的首选材料[1]. 铝及铝合金常用的焊接方法包括氩弧焊、激光焊和搅拌摩擦焊等,此类焊接过程都需要母材局部熔融. 而铝熔点低、热导率高、线膨胀系数大和与氧的亲和力大,使得焊接过程不稳定,容易形成气孔、裂纹、表面塌陷等缺陷,使接头性能降低[2].且熔焊所需的设备复杂,难以实现自动化.软钎焊因其工艺温度低、方法简单等优点被广泛应用于电子封装领域. 铝与传统Sn 基钎料的焊接难度大、可靠性差和成本高等问题成为技术发展和产品更新换代的瓶颈之一[3]. 目前多采用表面电镀Cu ,Ni 或Ag 以改善铝合金基材与Sn 基钎料的焊接性. 电镀本身工序复杂,过程中产生废水、废气等有害物质.文中采用低温烧结型导电银浆改善铝合金的可焊性,其中粘接相选用玻璃化转变温度T g 为360 ℃的Bi 2O 3-B 2O 3-ZnO 玻璃粉. 并研究了烧结温度对烧结银厚膜电阻率、可焊性及与铝基板结合强度的影响,对剪切断口和断裂模式进行分析,以确定接头中的薄弱界面,并阐明界面处的结合机制.1 试验方法1.1 银浆的制备采用熔融淬火法制备Bi 2O 3-B 2O 3-ZnO 玻璃粉. 将按摩尔比为35Bi 2O 3∶50H 3BO 3∶15ZnO 混合物置于氧化铝坩埚中,然后放进箱式电阻炉(KSX-4-13)中,以10 ℃/ min 的加热速率升至1 300 ℃,保温30 min 使成分均质[4]. 然后,将熔融玻璃倒入去离子水中进行淬火以形成灰褐色玻璃颗粒. 通过转速为300 r/min ,时长为250 min 的球磨工艺获得粒径在3 μm 左右的方块状Bi-B-Zn 系玻璃粉.将粒径为500 nm 的球状银粉(99.99%)、Bi-B-收稿日期:2020 − 10 − 05基金项目:国家自然科学基金资助项目(52075125,51605117)第 42 卷 第 1 期2021 年 1 月焊 接 学 报TRANSACTIONS OF THE CHINA WELDING INSTITUTIONVol .42(1):38 − 43, 64January 2021Zn系玻璃粉和有机载体(松油醇,乙基纤维素,大豆卵磷脂,乙酸乙酯,消泡剂和1,2-丙二醇)按重量比为63∶7∶30混合均匀[5].1.2 银厚膜的制备将尺寸为5 mm × 5 mm × 2 mm的6061铝合金用乙醇超声清洗,干燥后,通过浸渍提拉法在其表面涂覆银浆. 将样品以2.5 ℃/ min的加热速率加热至300 ℃,并在100,200和300 ℃下各保温120 min,使有机载体充分挥发分解. 然后,分别在440,470,500和530 ℃温度下烧结10 min,使银厚膜中玻璃粉充分熔化润湿铺展,与铝基板连接起来.1.3 性能检测通过体积电阻率来评估烧结银厚膜的导电性.在Al2O3陶瓷表面掩模浸渍ϕ5 mm圆形图案,使用探针式膜厚测量仪(Dektak 150,VEECO)测量银厚膜厚度,使用RTS-11型金属四探针测试仪测量银厚膜的方阻. 为减小误差,每个样品测量4次,求平均值作为电阻率.为研究银厚膜与铝基板界面结合强度,通过稀盐酸和乙醇去除2 mm × 2 mm × 1 mm尺寸紫铜片表面氧化膜,通过钢网印刷在银厚膜表面印刷尺寸为2 mm × 2 mm × 0.1 mm的Sn96.5Ag3Cu0.5 (SAC305)焊膏,将铜片准确放置在锡膏上,在外加0.3 MPa压力,250 ℃的温度下保温4 min 得到连接接头. 通过推拉力测试机(MFM1200-10031311-L)测得银厚膜与铝板界面抗剪强度[6]. 剪切试验示意图如图1所示.SAC305银膜推力紫铜铝板图 1 剪切试验示意图Fig. 1 Schematic representation of the shearing test银厚膜表面软钎焊可焊性参考IPC-TM-650 2.4.45标准,用“铺展面积法”研究SAC305无铅焊料在银厚膜表面上的润湿行为[7]. 通过钢网印刷在银厚膜表面印刷尺寸为ϕ3 mm × 0.1 mm的焊膏,然后将样品放入255 ℃加热台上保持15 s进行回流,并用ImageJ软件对焊后铺展面积进行测量,测量结果与焊料的原始面积之比即焊料的铺展率.通过X射线衍射仪(XRD,D/Max 2500,Rigaku Corporation)进行断裂面的物相分析,扫描范围为5° ~ 80°,扫描速度为4°/ min. 使用配备有X射线能谱仪(EDS)的扫描电子显微镜(SEM,Hitachi-S4700)观察银厚膜的横截面和断面的微观组织.2 试验结果与分析2.1 烧结温度对银厚膜电阻率的影响图2为电阻率随烧结温度的变化曲线. 随着烧结温度的提高,银厚膜电阻率逐渐下降,在温度为500和530 ℃时下降明显. 当烧结温度440 ℃时,银厚膜电阻率为4.0 μΩ·cm. 当烧结温度530 ℃时,银厚膜电阻率下降至2.2 μΩ·cm.图3为不同烧结温度下银厚膜截面微观组织. 随着烧结温度的升高,银厚膜内孔洞减少,致密度提高. 这是因为当温度升高后,玻璃料的粘度降低,流动性增强,不仅能有效填充银颗粒之间的间隙,且在毛细力作用下能带动银颗粒完成重排,进而促进银粉的紧密堆积.图 2 不同烧结温度下的银厚膜电阻率Fig. 2 Resistivities of the Ag films sintered at different temperatures根据导电机理,导电网络中银颗粒分为直接接触、空隙接触和玻璃夹层接触. 电子无法在空隙和玻璃夹层之间自由传输,但是由于电子具有波粒二象性,当银颗粒之间的阻碍层非常窄( < 10 nm)时,可以通过“隧道效应”穿过空隙或玻璃阻挡层,形成导电通路. 当烧结温度升高时,银厚膜内部的空隙接触减少,玻璃熔体充分浸润银粉表面,而玻璃总量不变,因此,单个银粉间隙内的玻璃夹层厚度减小,电子贯穿夹层的几率增加;同时由于银粉在流动玻璃熔体的带动下重新排列,银颗粒之间接触面积增加,有利于电子在银颗粒间直接传导[8];另外玻第 1 期孙国基,等:导电银浆在铝合金表面的烧结性能分析39璃熔体在高温下能溶解部分银,大颗粒银的表面凸起和小颗粒银优先在液相中溶解,以网络外体的形式渗入玻璃网格,冷却过程中以类似过饱和的状态析出,最终在玻璃表面形成纳米银颗粒,增大银颗粒之间的接触面积[9]. 这3个因素共同作用使银厚膜的电阻率减小.2.2 烧结温度对银厚膜可焊性的影响在空气气氛下,SAC305焊料在银厚膜表面经过预热、熔化、润湿铺展和凝固后,最终形成焊点,对焊料铺展率(焊后铺展面积/锡膏印刷面积)进行测量. 值得注意的是,在回流工艺下,存在熔融焊料部分区域发生“反润湿”现象,因此,测量铺展面积时该区域不被计算在内. 如图4所示,随着烧结温度的升高,焊料的铺展率逐渐增大.440 ℃烧结的银厚膜焊料铺展率为43.1%,而530 ℃烧结的银厚膜焊料铺展率为70.7%. 一般认为,“反润湿”是由于回流过程中焊盘或焊料被氧化导致,由于锡钎料不能在Bi-B-Zn 玻璃上润湿铺展,因此,Ag 被反应生成Ag 3Sn 后,裸露的玻璃会阻碍锡的润湿铺展.图 4 不同烧结温度下银厚膜焊锡的铺展率Fig. 4 Spreading ratios of solder on silver film sinteredat different temperatures图5为不同烧结温度下银厚膜表面形貌,温度升高焊料铺展率增大有两个方面的原因:一是银颗粒的长大和银与银之间烧结颈变大导致含银通道变宽,能与Sn 反应的银含量增加;二是熔融的玻璃在温度升高的情况下流动性更好,在重力作用向下流淌时上表面玻璃含量下降,进而对焊料润湿铺展的阻碍作用减小.2.3 烧结温度对银厚膜与铝板界面结合强度的影响图6 为抗剪强度曲线,从图中可以看出,抗剪强度随着烧结温度的升高而大幅提高. 在440,470,500和530 ℃温度下烧结的样品中,抗剪强度分别为14.2,42.8,52.7和56.0 MPa . 对于在440 ℃温度下烧结的银厚膜而言,抗剪强度最低. 如图3a 中所示,银厚膜与铝基板的接触界面和银厚膜内部都存在许多孔洞,在抗剪力的作用下,孔洞处容易引起应力集中和裂纹扩展,加速断裂过程,削弱银20 μm20 μm20 μm20 μm(a) 440 ℃(b) 470 ℃(c) 500 ℃(d) 530 ℃图 3 不同烧结温度下的银厚膜截面微观组织Fig. 3 Cross-section microstructure of Ag film sinteredat different temperatures. (a) 440 ℃; (b) 470 ℃;(c) 500 ℃; (d) 530 ℃40焊 接 学 报第 42 卷厚膜的附着强度. 当烧结温度进一步提高时,如图3b~3d ,玻璃的流动性增强,填补了大量空隙,银厚膜的致密度提高,从而降低了应力集中的可能性,提高了抗剪强度.图7为不同烧结温度下剪切断口形貌. 各温度下的铝板侧断裂面都有白色碗状结构残留. 通过EDS 能谱分析,能谱数据如表1所示,1位置是铝合金表面,成分为Al ,Mg ;2位置除了Al ,Mg ,还检测玻璃中的Bi ,O 和Ag . 因此白色碗状结构是铝板上银球剥落后留下的玻璃和微量银. 在剪切力的作用下,玻璃网络发生脆性断裂,绝大部分银直接被拉出,只残留少量的银镶嵌在玻璃网络里发生塑性变形,和玻璃一起破裂. 当烧结温度为440 ℃时,断裂位置主要是在铝基板的表面和玻璃的内部,如图7a . 银颗粒被玻璃隔开,玻璃脆性大,更容易发生裂纹扩展,进而导致抗剪强度低. 随着烧结温度的升高,从图7c, 7d 所示,铝板侧残余的玻璃量增多,玻璃网络更加连续. 这得益于熔融玻璃在重力作用下往下流淌,在铝表面上的铺展面积随着玻璃粘度的降低而增大.图8为断裂位置示意图. 可见银厚膜内部的抗剪强度始终大于与铝板接触界面的抗剪强度. 在440和470 ℃下烧结时,银厚膜与铜通过SAC305焊接在一起,剪切薄弱位置出现在银厚膜与铝板界面. 而当温度升高至500 ℃及以上时,温度升高,在银厚膜与铝板界面的断裂面积减少,在锡膏内部的断裂面积增大. 根据Liu 等人[10]的研究,SAC305锡膏焊接铜焊盘的抗剪强度为54.1 MPa ,剪切断裂发生在SAC305焊料层中,而不是在与铜焊盘的焊接界面处. 当烧结温度增加到500 ℃及以上时,由于玻璃充分熔融并润湿了铝表面,与基板之间形成紧密接触,使得银厚膜与铝基板间的粘合强度超过了银厚膜和锡焊膏自身的强度,如图8c , 8d 所示,断裂路径由银厚膜与铝板界面延伸至SAC305焊料层. 因此,在500和530 ℃下烧结的银厚膜,其与铝基板的界面结合强度大于试验测得的抗剪强度.5 μm5 μm5 μm5 μm(a) 440 ℃(b) 470 ℃(c) 500 ℃(d) 530 ℃图 5 不同烧结温度下的银厚膜表面微观形貌Fig. 5 Surface morphology of the Ag thick films sinteredat different temperatures. (a) 440 ℃; (b) 470 ℃;(c) 500 ℃; (d) 530 ℃图 6 不同烧结温度下的界面抗剪强度Fig. 6 Shear strengths of the interface sintered at diff-erent temperatures第 1 期孙国基,等:导电银浆在铝合金表面的烧结性能分析412.4 银厚膜与铝板界面连接机制由断裂后铝板侧的大量玻璃碗状结构,表明断裂位置主要发生在银与玻璃之间,即玻璃与铝基板之间的结合强度大于玻璃与银之间的结合强度. 而在玻璃与铝接触的地方,通过SEM 可以观察到有大量粒径约40 nm 的球形颗粒出现,如图9所示.对其进行EDS 能谱分析,元素含量如表2所示. 该区域含有Bi 元素,但不含Zn 元素,判断此处的Bi 不再是玻璃网络中的Bi 2O 3,而是析出的Bi 单质.对应反应式为由于反应物和生成物都为固相,熵变∆S 太小,故吉布斯自由能变化∆G ≈焓变∆H . 由文献[11]可知,在室温298.15 K 下的焓变∆H (1) = −1 105 kJ/mo1(试验值),∆H (2) = −1 234 kJ/mo1(试验值),都小于零. 由于焓变不随温度变化而变化,因此在烧结温度下,该反应依然是热力学自发反应.表 1 图7a 中各位置元素含量(原子分数, %)Table 1 Element content of each position in Fig. 7a能谱位置Al Mg Ag Bi Zn O 197.32.7————266.23.81.05.41.921.7紫铜SAC305银膜铝板紫铜SAC305银膜铝板紫铜SAC305银膜铝板紫铜SAC305银膜铝板(a) 440 ℃(b) 470 ℃(c) 500 ℃(d) 530 ℃图 8 不同烧结温度的断裂模式Fig. 8 Fracture modes of different sintering temperatures. (a) 440 ℃; (b) 470 ℃; (c) 500 ℃; (d) 530 ℃10 μm1 mm10 μm1 mm10 μm1 mm10 μm 1 mm 21(a) 440 ℃(b) 470 ℃(c) 500 ℃(d) 530 ℃图 7 不同烧结温度的断面模式Fig. 7 Fracture interfaces of different sintering temperatures. (a) 440 ℃; (b) 470 ℃; (c) 500 ℃; (d) 530 ℃42焊 接 学 报第 42 卷由于银浆中玻璃含量很少,为了验证界面反应产物,将纯玻璃粉在铝基板表面烧结,烧结条件为500 ℃,10 min . 玻璃熔融后与铝板紧密结合在一起,为了分析界面,用压片模具使脆性的玻璃破碎分离,分别对剥落的玻璃粉和剥离玻璃后的铝侧进行XRD 表征,结果如图10所示. 对照标准PDF 卡片,发现在铝基板侧的XRD 图显示主要有Al 峰,同时含有少量Bi 峰,由于玻璃未能完全从铝表面剥离,因此还存在一定非晶馒头峰. 而对玻璃压粉的XRD 图谱显示只有非晶峰,这是由于界面反应产物相对含量太少,因此被非晶峰覆盖.图 10 断面两侧的XRD 图Fig. 10 XRD pattern of the fracture surface two sides3 结 论(1) 烧结温度从440 ℃升高到530 ℃时,银厚膜致密度提高,电阻率由4.0 μΩ·cm 下降至2.2 μΩ·cm ,且530 ℃下烧结的银厚膜在255 ℃,15 s 的回流环境下焊锡铺展率为70.7%.(2) 当烧结温度在500和530 ℃时,接头剪切断裂时裂纹由银厚膜与铝板界面延伸至锡焊料层,剪切强度最高可达56.0 MPa .(3) 在银厚膜与铝板的断裂界面存在Bi 单质,表明银厚膜与铝基板之间形成了良好的冶金结合.参考文献王超. 电子封装铝用软钎焊无铅焊锡丝配套助焊剂的研究与应用[D]. 广州: 华南理工大学, 2012.Wang Chao. Research and development of a soldering flux for lead-free solder wires in Al soldering process of electronic pack-aging[D]. 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Microscopic investigation onsintering mechanism of electronic silver paste and its effect on electrical conductivity of sintered electrodes[J]. Journal of Materi-als Science: Materials in Electronics, 2018, 29(21): 18540 −18546.[9]Liu Y, Liu L, Xu R S, et al . Microstructure, hardness, and shearbehavior of Sn3.0Ag0.5Cu–Sn58Bi composite solder joint[J]. Ma-[10]terials Research Express, 2019, 6(11): 116328.Cox J D, Wagman D D, Medvedev V A. CODATA key values forthermodynamics[M]. New York: Hemisphere Publishing Corp,1989.[11]第一作者:孙国基,硕士;主要从事烧结型导电银浆的制备及性能研究;Email :*****************.通信作者:李明雨,博士研究生导师. Email :************.cn.(编辑: 杨婉春)64焊 接 学 报第 42 卷tion layer expands application ranges for plastic laser transmis-sion welding.(2) The residual stress changes during laser transmission weld-ing of PC/Cu/PC under different laser process parameters were studied.Key words: laser transmission welding;copper film;weld-ing performance;residual stressFatigue crack initiation life prediction based on Tanaka-Mura dislocation model DENG Caiyan, LIU Geng,GONG Baoming, LIU Yong (Tianjin University, Tianjin, 300350, China). pp 30-37Abstract:In order to accurately predict the fatigue life of materials and improve the accuracy of structural fatigue life prediction, the method of ABAQUS finite element numerical simulation to predict the fatigue life of specimens was studied. Based on Tanaka-Mura dislocation theory, ABAQUS was redeveloped by using Python language. The fatigue crack initiation life of S960QL martensitic steel and Ti2AlNb titanium alloy joint was simulated and predicted. The representative volume element is generated by Tyson polygon method, and the micro sub-model is established. Two perpendicular slip bands of bcc structure are considered as potential crack initiation locations, and several parallel slip bands with the same orientation are simulated. The crack initiation life at the critical point from the crack initiation stage to the crack growth stage is given by the calculated crack growth rate change. The simulation results show that the crack initiation life is in good agreement with the experimental data except the columnar crystal structure.Highlights:(1) Based on the script written in Python lan-guage, Tanaka dislocation model is combined with finite ele-ment method, which can easily calculate the fatigue crack initi-ation life in ABAQUS software.(2) On the basis of Tanaka model, the slip bands in two direc-tions perpendicular to each other are considered, and the paral-lel slip bands are regarded as the potential locations of crack initiation, which is more in line with the actual situation.Key words: fatigue;numerical simulation;crack initiation;welded joint Sintering performance analysis of conductive silver paste on aluminum alloy surface SUN Guoji1, SUN Qin1,YANG Wanchun1, XU Hongbo2, LI Mingyu1 (1. Sauvage Laboratory for Smart Materials, Harbin Institute of Technology (Shenzhen), Shenzhen, 518055, China;2. State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology (Weihai), Weihai, 264209, China). pp 38-43,64 Abstract: A low-temperature sintered conductive silver paste containing Bi2O3-B2O3-ZnO glass frit was used for sintering thick silver film on the surface of aluminum alloy to realize aluminum alloy soft soldering. First, Bi2O3-B2O3-ZnO glass with glass transition temperature (T g) of 360 °C was synthesized by using a melt-quenching method. Then, it was mixed with submicron silver powder to prepare lead-free low-temperature sintered silver paste, which was coated on the surface of 6061 aluminum alloy and sintered at temperatures of 440, 470, 500 and 530 ℃, respectively. The effects of sintering temperature on the resistivity and the solderability of silver thick film, and the bonding strength of the silver thick film on the substrate were studied. The results show that a thick silver film with glass and silver powder content ratio of 1∶9 (wt.%) sintered at 530℃ for 10 min has a low resistivity of 2.2μΩ·cm and a high shear strength of 56.0 MPa at room temperature. Increasing the sintering temperature can effectively promote the flow, wetting and spreading of the glass, the growth of necking between Ag particles, and the growth of Ag particles, thereby improving the solderability of silver thick film significantly. In addition, the nano-scale elemental bismuth produced by the oxidation-reduction reaction of Al, Mg and Bi2O3 was detected at the interface of silver thick film and aluminum substrate. It shows that an excellent metallurgical bond was formed between the silver thick film and the aluminum substrate.Highlights:(1) The conductive silver paste was applied to the surface of aluminum alloy for the first time, and the inter-face strength and connection mechanism between the alumin-um substrate and the silver film were studied.(2) The tin soldering solderability of silver film was analyzed2021, Vol. 42, No. 1TRANSACTIONS OF THE CHINA WELDING INSTITUTION IIIby spreading area method.(3) The silver paste is coated by the dipping method, and the production efficiency is high.Key words: Bi2O3-B2O3-ZnO glass;silver paste;resistivity;solderability;shear strengthExperimental study on deposition rate of high efficiency hot wire GMAW welding process MA Zongbiao1, HUANG Pengfei1, ZHANG Xuanning1, WANG Yachun1, DAI Hongbo1, WANG Guanghui2 (1. Research and Development Center of Modern Welding Equipment, Beijing University of Technology, Beijing, 100124, China;2. Hangzhou Keida Welding Machine Co., Ltd., Hangzhou, 310018, China). pp 44-48Abstract: Alternating current and hot wire GMAW process is a kind of efficient welding process, the main arc of which is the traditional GMAW arc. Under the action of AC pulse preheating current, the filler wire can flow form a closed loop with the welding pool structure in the base metal. The current flows through the loop to generate resistance heat to preheat the filler wire. The filled wire preheated to high temperature will melt rapidly under the thermal influence of the liquid metal after entering the molten pool. In this experiment, the high efficiency hot wire GMAW process was studied. The study found the matching rules among the parameters such as the preheating current of the filler wire, the extension length of the filler wire, the distance between the filler wire, the main arc welding specification, etc. Finally, it was realized the deposition rate above 20 kg/h. Through the analysis of the influence rules of the above factors on the deposition efficiency, the results show that: compared with the traditional welding process, hot wire GMAW has obvious advantages in improving the deposition rate and deposition coefficient. This process has a broad application prospect in the field of high strength steel thick plate welding.Highlights: (1) Based on GMAW welding process, this pro-cess requires that the filler wire be inserted directly into the molten pool and be melted by AC pulse current. Therefore, the filler wire can be melted under the synergistic effect of resist-ance heat and main arc heat energy.(2) By analyzing the key factors affecting and the changing trend of deposition rate, this paper obtained the optimal pro-cess parameter range.Key words: hot wire;process window;deposition rate;de-position coefficientFinite element analysis of solder joint reliability of 3D packaging chip SUN Lei1,2, ZHANG Yi1, CHEN Minghe2, ZHANG Liang3, MIAO Naiming1 (1. Changzhou University, Changzhou, 213164, China;2. Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, 210016, China;3. Jia-ngsu Normal University, Xuzhou, 221116, China). pp 49-53 Abstract:In this paper, Sn and Sn3.9Ag0.6Cu solders, which are widely used in industry, were selected as bonding materials for 3D packaging chips. The 3D packaging model was established using ANSYS finite element software. Based on the Garofalo-Arminius’s constitutive equation, the process of thermal cycle under the temperature condition from −55 ~ 125 °C. In addition, the influence of packaging structure and process parameters on the reliability of solder joint was discussed by Taguchi method. The results show that the contact area between Cu pillar and solder joint is the weak area of the whole structure, and the maximum stress appears at the second solder joint in the rightmost row of the intermetallic compound (IMC) solder joint array. Through the Taguchi method and combined with the finite element simulation results, the contribution of the four factors to S/N was obtained as follows: solder joint array, solder joint height, chip thickness, solder joint material, of which the solder joint array has the largest influence, followed by solder joint height and chip thickness, solder joint material has the least influence. Based on the optimization design, the optimal matching combination was solder joint array 3 × 3, solder joint height 0.02 mm, chip thickness 0.2 mm and solder joint material Cu6Sn5.Highlights:(1) Based on Garofalo-Arminius's constitutive equation, the stress of 3D package solder joints under thermal cycling load was simulated to reveal the weak area of the pack-age structure.(2) The 3D package structure was optimized by the Taguchi method, and the optimal combination of structure and process parameters was obtained.Key words: 3D packaging;reliability of solder joint;stress distribution;Taguchi methodIV TRANSACTIONS OF THE CHINA WELDING INSTITUTION2021, Vol. 42, No. 1。

导电银浆 银含量

导电银浆 银含量

导电银浆银含量
(最新版)
目录
1.导电银浆的概述
2.导电银浆的主要成分
3.导电银浆的应用领域
4.导电银浆的银含量
5.导电银浆的环保意义及回收方法
正文
一、导电银浆的概述
导电银浆是一种具有高导电性能的胶黏剂,主要由导电填料与银铜组成。

通过基体树脂的粘接作用,把导电粒子结合在一起,形成导电通路,实现被粘材料的导电连接。

导电银浆广泛应用于太阳能电池板、触摸屏、薄膜开关等领域。

二、导电银浆的主要成分
导电银浆的主要成分包括银、铜、基体树脂和导电填料。

其中,银是导电银浆的主要成分,其含量的高低决定了导电性能的优劣。

一般而言,含银量在 75%——88% 的油性银浆具有较高的导电性能。

三、导电银浆的应用领域
导电银浆广泛应用于太阳能电池板、触摸屏、薄膜开关、导电胶黏剂等领域。

其中,太阳能电池板正面(对光面)使用的是含银量在 75%——88% 的油性银浆,背面一般使用铝浆。

四、导电银浆的银含量
导电银浆的银含量决定了其导电性能。

一般来说,银含量越高,导电
性能越优。

然而,高银含量也意味着成本较高。

因此,在实际应用中,需要根据具体需求选择适当银含量的导电银浆。

五、导电银浆的环保意义及回收方法
由于银的导电性能极强,导电银浆在电子行业等领域具有广泛的应用。

然而,银资源的有限性和环境污染问题使得导电银浆的回收具有重要意义。

目前,常见的导电银浆回收方法包括离子交换法、化学还原法等。

太阳能电池的导电银浆

太阳能电池的导电银浆

太阳能电池的导电银浆太阳能电池是一种利用光能直接转化为电能的装置。

而太阳能电池的导电银浆则是太阳能电池中非常重要的组成部分。

本文将以太阳能电池的导电银浆为主题,详细介绍其作用、制备方法以及未来发展方向等相关内容。

一、导电银浆的作用导电银浆是太阳能电池中的一个重要材料,其主要作用是提供电子传输的通道。

在太阳能电池中,光线照射到太阳能电池的表面,被吸收后会激发电子,形成电流。

而导电银浆则起到了将这些激发的电子从太阳能电池表面传输到电池的其他部分的作用。

因此,导电银浆的导电性能直接影响到太阳能电池的整体效率和性能。

二、导电银浆的制备方法目前常用的导电银浆制备方法主要包括物理法和化学法两种。

1. 物理法:物理法是通过物理手段将纯银制备成导电银浆。

一种常见的方法是通过高温烧结将纯银粉末与有机溶剂混合,然后通过筛网将其均匀涂布在太阳能电池的表面。

这种方法制备的导电银浆导电性能较好,但成本较高。

2. 化学法:化学法是通过化学反应将银离子还原成纯银,制备成导电银浆。

常用的化学法包括还原法和电化学法。

还原法是将银盐与还原剂反应,生成纯银颗粒,然后与有机溶剂混合制备成导电银浆。

电化学法则是利用电解质溶液中的电解反应,将银离子还原成纯银。

这两种方法制备的导电银浆成本较低,但导电性能有一定的限制。

三、导电银浆的未来发展方向随着太阳能电池技术的发展,对导电银浆的要求也越来越高。

未来导电银浆的发展方向主要包括以下几个方面:1. 提高导电性能:目前导电银浆的导电性能已经相对较好,但还有提升空间。

未来的导电银浆应该具备更高的导电性能,以提高太阳能电池的转换效率。

2. 降低成本:目前导电银浆的制备成本较高,限制了太阳能电池的大规模应用。

未来的导电银浆应该寻求更低成本的制备方法,以降低太阳能电池的制造成本。

3. 提高稳定性:导电银浆在长期使用过程中可能会发生氧化或脱落等问题,影响太阳能电池的使用寿命。

未来的导电银浆应该具备更好的稳定性,以延长太阳能电池的使用寿命。

导电银浆使用方法

导电银浆使用方法

导电银浆使用方法导电银浆是一种常用的导电材料,广泛应用于电子器件、光伏电池、导电胶水等领域。

下面将从导电银浆的制备、涂覆、烘烤等方面介绍其使用方法。

一、导电银浆的制备导电银浆主要由导电颗粒和有机胶体两部分组成。

导电颗粒通常为纳米级的金属银颗粒,有机胶体则是将湿合剂与稳定剂等有机溶剂混合形成的胶体溶胶。

导电银浆的制备主要有化学合成法、物理法和化学还原法。

化学合成法是将银盐和还原剂反应制得纳米银颗粒,再加入胶体溶胶进行混合形成导电银浆。

物理法包括物理气相法和物理溶剂法。

物理气相法是通过热蒸发、溅射等方法将具有导电特性的材料沉积在基片上形成导电层;物理溶剂法是通过溶剂挥发的方式制备导电膜。

化学还原法是将含有银阳离子的银盐溶液与还原剂反应生成纳米银颗粒,再与有机胶体混合得到导电银浆。

以上三种制备方法各有优缺点,具体选择时需要根据实际需求和工艺条件来确定。

二、导电银浆的涂覆导电银浆的涂覆主要有刮涂法、喷涂法和印刷法等。

刮涂法是将导电银浆涂布于基片表面,然后用刮板刮平,使导电银颗粒均匀分布。

喷涂法是将导电银浆通过喷枪喷洒于基片上,形成均匀的导电膜。

印刷法是将导电银浆涂布于印刷板上,然后利用印刷机械将导电银浆印刷到基片上。

涂覆的方法选择也需要根据实际需求和工艺条件来确定,不同方法对涂层的物理性能和厚度要求各有差异。

三、导电银浆的烘烤导电银浆涂覆在基片上后,还需要进行烘烤处理,以去除有机胶体和胶体溶剂,使导电银颗粒之间形成致密的导电网络。

烘烤的温度和时间需要根据导电银浆和基片的特性来确定,一般在100-200℃的温度下,烘烤时间为10-30分钟。

烘烤的过程需要控制温度和时间,以避免导电银颗粒烧结过度或导电层与基片之间发生分离。

总之,导电银浆的使用方法包括制备、涂覆和烘烤三个步骤。

制备时可以采用化学合成法、物理法或化学还原法。

涂覆时可以选择刮涂法、喷涂法或印刷法。

烘烤时要控制好温度和时间,以获得良好的导电性能和附着力。

导电银浆和导电胶

导电银浆和导电胶

导电银浆和导电胶导电银浆和导电胶是两种常见的电子元器件领域的粘接材料。

它们都具有良好的导电性、耐热性、耐腐蚀性等特点,被广泛应用于电路板、电子产品等领域。

本文就导电银浆和导电胶进行详细介绍和比较分析。

一、导电银浆1.定义导电银浆又称银粉浆,是将导电性极佳的微细银粉与有机胶水或其他合成树脂等混合而成的一种粘接材料。

它具有高导电性、高热膨胀系数、优异的耐化学性和优异的附着力。

2.特点(1)高导电性:导电银粉的导电率非常高,可达100-106S/m,比铜还高。

(2)良好的热导性:导电银粉的热导率非常高,可达200-500W/m•K,是其他金属粉末的几倍甚至几十倍。

(3)高热膨胀系数:导电银浆的热膨胀系数与金属线材相当,使得它在粘接过程中能够对温度变化进行自适应,并在温度变化过程中保持接触性。

(4)良好的耐化学性:导电银浆具有很高的耐化学性,不易被水、酸、碱等化学物质侵蚀。

(5)优异的附着力:导电银浆能够牢固附着,不易脱落。

3.应用领域导电银浆被广泛应用于电子产品领域,例如电路板、集成电路、晶体管、光电二极管、太阳能电池板等。

同时,作为一种高科技材料,导电银浆也在精密工艺、激光打印等领域得到了广泛应用。

二、导电胶1.定义导电胶又称导电胶水,是将导电性材料与胶水混合而成的一种粘接材料。

它依靠导电性材料(例如金属粉末)在胶水中的分散作用,从而形成导电性的结构。

导电胶是一种环保的新型导电粘合材料,广泛应用于电子产品、太阳能电池板等领域。

2.特点(1)广泛适用性:导电胶的基础胶水可以根据具体的应用场景进行选择,因此可以根据不同的应用要求进行制作。

(2)可调节的导电性能:导电胶的导电性能可以通过控制金属粉末的种类、浓度、粒度等因素进行调节,以满足不同的应用要求。

(3)环保性:导电胶是一种环保的新型粘合材料,不含有害物质。

(4)耐热性好:导电胶的耐热性能好,可适用于高温环境下的应用。

(5)较弱的附着力:相对于导电银浆,导电胶的附着力略弱。

导电银浆报告

导电银浆报告

导电银浆报告定义:导电银浆是一种复合型导电高分子聚合材料,它是由金属银微粒、基料树脂、溶剂和助剂组成的一种机械混合物浆料。

特点:导电银浆具有优良的导电性能,且性能稳定,是电子领域、微电子技术中重要的基础材料之一。

它广泛应用于集成电路石英晶体电子元器件、厚膜电路表面组装、仪器仪表等领域。

制备:将自制的丙烯酸树脂、银粉、相应的溶剂和助剂按一定的比例充分混合制得。

电阻率的测定:采用DJ44型直流双臂电桥测定电阻值,体积电.、::d阻率按照此式计算,P v=R M丁,其中R为电阻值(c),6为涂层厚度(cm),d 为宽度,l为长度。

导电填料含量对填充型导电聚合物导电性能的影响导电性主要是有导电填料决定的,银粉的用量是导电银浆导电性能的决定因素。

银粉含量对导电银浆的体积电阻率的影响由文献中可以给出,结论是,随着银粉含量的增加,巴迅速降低达到最低值后又不断增加,银粉的含量在65%〜75%为最佳。

实验结果符合规律。

这是因为银粉含量较少时粒子之间相互接触的几率小。

导电网络不易形成,从而凡小,当含量过大时,虽然粒子接触的几率大,但树脂的含量相对较少,连接银粒子的树脂粘接效果相应下降从而使得粒子间相互接触的机会减少,导电网络也差。

从而电阻率也大,且导电浆料的粘接性也较差,当填料含量达到适量时,形成网络的导电性最好电阻率最小,导电率最大导电填料粒径的影响采用相同工艺条件,研究不同粒径的银粉对导电性能的影响,从文献中凡与粒径之间的关系图可知,粒径越小,电阻率越小。

粒径增大。

相应的电阻率增大。

这是因为在相同工艺条件下,粒径小,粒径间的空隙小,单位体积内产生的导电通道多。

导电网络好。

然而,并非填料粒径越小越好。

因为粒径<1um的超细粒子或纳米粒子具有较高的比表面能,容易聚集不易分散。

导电填料的形状的影响不同的形状的填料值得的导电聚合物的电阻率有着较大的区别,由文献中数据对比可知,片状的巴要小于球形的P V O这是因为在形成导电网络中球形的导电粒子主要是以点间相互接触的面积较大,形成的导电通路较多导电网络好,因此片状填料有较低的电阻率。

导电银浆 导电铜浆-概述说明以及解释

导电银浆 导电铜浆-概述说明以及解释

导电银浆导电铜浆-概述说明以及解释1.引言1.1 概述导电银浆和导电铜浆是一种常见的导电材料,广泛应用于电子行业。

它们都具有良好的导电性能,可以用作电子元件的制造材料。

导电银浆和导电铜浆在电路连接、信号传输和电磁屏蔽等方面发挥重要作用。

导电银浆是一种以银为主要成分的浆料,通常由导电颗粒、稳定剂和有机溶剂组成。

导电银颗粒具有良好的导电性能和热导性能,能够有效地传导电流和散热。

导电银浆的粘性适中,能够在制造过程中方便涂覆、印刷和喷涂。

因此,导电银浆被广泛应用于印刷电路板、柔性电子、太阳能电池等领域。

与导电银浆相比,导电铜浆以铜为主要成分,具有相似的导电性能。

导电铜浆制备成本相对较低,可以通过化学合成、电沉积或热还原等方法获得。

导电铜浆的应用领域也很广泛,包括印刷电路板、电子封装、导电胶粘剂等。

总的来说,导电银浆和导电铜浆在电子领域具有重要地位。

它们不仅能够提供良好的导电性能,还能满足复杂电路和电子器件对材料性能的要求。

随着科技的不断进步和相关产业的发展,导电银浆和导电铜浆的应用前景将更加广阔,有望推动电子行业的创新和发展。

1.2 文章结构文章结构部分的内容如下:文章结构部分旨在介绍整篇文章的组织架构,帮助读者更好地理解文章的组成和内容安排。

本文的结构主要分为引言、正文和结论三个部分。

引言部分将首先对导电银浆和导电铜浆进行概述,概括介绍它们的基本特性和应用领域。

接着,将介绍本文的结构,即正文部分将会详细讨论导电银浆和导电铜浆的特性和应用,最后结语部分将对本文进行总结并展望未来的发展方向。

正文部分是本文的核心内容,将专门对导电银浆和导电铜浆进行详细的介绍。

在2.1小节中,将详细探讨导电银浆的特性,包括其导电性能、物理特性、化学稳定性等方面的内容,并对导电银浆在电子、医疗、能源等领域的应用进行介绍。

在2.2小节中,将对导电铜浆的特性进行详细讨论,包括其导电性能、物理特性、耐热性等方面的内容,并对导电铜浆在电子、通信、可穿戴设备等领域的应用进行介绍。

导电银浆的原理和使用方法

导电银浆的原理和使用方法

导电银浆的原理和使用方法
导电银浆是一种高导电性的涂料,由纳米银粒子和有机聚合物组成,主要用于电子元器件的连接和电路修复。

导电银浆的原理是利用银粒子的高导电性,在连接电路时填充缝隙和孔洞,形成连续的电导路径。

在修复电路时,银粒子填充损坏部位,恢复电路的通断性。

使用导电银浆时,首先需要将连接或修复部位清洁干净,去除油污和氧化物。

然后使用棉签或刷子将导电银浆均匀涂抹在需要连接或修复的部位上,等待干燥后即可进行下一步操作。

注意要避免过量使用,以免导致电路短路或漏电。

导电银浆可以适用于多种材质的电子元器件,如金属、玻璃、陶瓷等。

在使用过程中,应注意储存条件,避免曝露在阳光下或高温环境中,以免影响其性能。

总之,导电银浆是一种方便实用的电子材料,可广泛应用于电子元器件的制造和维修。

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导电银浆和油墨

导电银浆和油墨

导电银浆和油墨导电银浆和油墨是两种常见的导电材料,它们在电子领域中具有广泛的应用。

导电银浆主要用于制造电子元件和印刷电路板,而油墨则常用于印刷导电图案和电子显示器。

本文将分别介绍导电银浆和油墨的特点、制备方法以及应用领域。

一、导电银浆导电银浆是一种将银粉、有机溶剂和粘结剂等混合制成的浆料,具有良好的导电性能和粘结性能。

导电银浆通常用于制造电子元件的导电电路和连接器,以及印刷电路板上的导电图案。

制备导电银浆的方法有多种,常见的包括机械合成法、化学合成法和光照合成法。

机械合成法是将银粉、有机溶剂和粘结剂等混合,通过机械搅拌使其均匀分散。

化学合成法则是通过化学反应将溶液中的银离子还原成金属银粉。

光照合成法则是利用光照作用使溶液中的银离子还原成金属银粉。

这些方法各有优缺点,可以根据具体需求选择适合的制备方法。

导电银浆具有良好的导电性能和粘结性能,可以在陶瓷、玻璃、塑料等基材上形成均匀的导电膜。

它的导电性能主要取决于银粉的导电性和浓度,粘结性能则取决于粘结剂的性质和含量。

导电银浆的导电性能一般通过电阻率来衡量,常见的指标有表面电阻率和体积电阻率。

导电银浆广泛应用于电子领域,如印刷电路板、电子元件的导电连接、触摸屏、太阳能电池等。

它在这些应用中起到导电和连接的作用,使电子设备能够正常工作。

二、油墨油墨是一种半固态混合物,由颜料、溶剂、树脂和助剂等组成。

油墨通常用于印刷导电图案和电子显示器,其导电性能和粘结性能直接影响其印刷质量和显示效果。

制备油墨的方法有多种,常见的包括胶印法、凹版法和丝网印刷法。

胶印法是将油墨溶解在溶剂中,通过滚筒将油墨传送到印刷版上,再通过压力将油墨转移到印刷物上。

凹版法是将油墨填充在凹版的图案部分,通过刮刀将多余的油墨刮掉,再通过压力将油墨转移到印刷物上。

丝网印刷法则是将油墨涂刷在丝网上,再通过压力将油墨转移到印刷物上。

这些方法各有特点,可以根据具体需求选择适合的印刷方法。

油墨的导电性能主要取决于颜料的导电性和浓度,粘结性能则取决于树脂的性质和含量。

银浆技术分析

银浆技术分析

太阳能电池用导电银浆技术分析E-Mail: pineyf@ QQ:120166808一.基本信息:组成:导电相银粉、无机粘结剂玻璃料、有机载体及改善电池性能的微量添加剂组成,其中有机载体包括有机溶剂和有机树脂,它通过丝网印刷或其他喷涂技术将其承印在基底表面,干燥成膜后形成电极。

要求:稳定良好的银-硅欧姆接触;高导电率较低成本;良好的焊接性、附着力、印刷性能以及适宜大规模生产的工艺性。

与硅片连接牢固,对酸碱、水汽等的侵蚀有一定抵抗力。

这些都对光伏电池的效率产生不同程度的影响。

差别:银浆主要原料的一个成分搭配比率,每个银浆企业都不一样,这个配方是每个企业核心技术秘密之一。

另外,因为技术实力与技术路线不一样,有些企业的银浆产品稳定性最优,有些是焊接性最优,有些企业的产品虽然没有突出表现但各方面都比较均衡。

效果:高性能光伏银浆不仅穿透力强、印刷性能好,能使电池表面的栅线达到更好的高宽比,减少电池表面的遮光面积,还可以降低电池内部串联电阻,减少光生电流的内部功率损耗,有效提高光伏电池的光电转换效率。

二.材料信息:1.银微粒的含量:金属银的微粒是导电银浆的主要成份。

金属银在浆料中的含量直接与导电性能有关。

从某种意义上讲,银的含量高,对提高它的导电性是有益的,但当它的含量超过临界体积浓度时,其导电性并不能提高。

一般含银量在80~90%(重量比)时,导电量已达最高值,当含量继续增加,电性不再提高,电阻值呈上升趋势;当含量低于60%时,电阻的变化不稳定。

在具体应用中,银浆中银微粒含量既要考虑到稳定的阻值,还要受固化特性、粘接强度、经济性等因素制约,如银微粒含量过高,被连结树脂所裹覆的几率低,固化成膜后银导体的粘接力下降,有银粒脱落的危险。

故此,银浆中的银的含量在60~70% 是适宜的。

2.银微粒的大小:银微粒的大小与银浆的导电性能有关。

在相同的体积下,微粒大,微粒间的接触几率偏低,并留有较大的空间,被非导体的树脂所占据,从而对导体微粒形成阻隔,导电性能下降。

导电银浆报告范文

导电银浆报告范文

导电银浆报告范文导电银浆是一种具有导电性能的材料,广泛应用于电子元件、触摸屏、太阳能电池等领域。

本文将对导电银浆的制备方法、性能及应用进行详细研究和分析。

一、导电银浆的制备方法目前制备导电银浆的方法主要包括物理法、化学法和综合法三种。

物理法主要是利用电子束蒸发、电镀和溅射等方法,将纯银材料获得纳米级颗粒,然后通过球磨等机械方法得到导电银浆。

化学法主要是利用银盐与还原剂的反应生成银纳米颗粒,然后通过沉淀、分散等处理获得导电银浆。

综合法是将物理法和化学法相结合,通过物理或化学方法得到银颗粒,然后通过球磨、分散等方法得到导电银浆。

二、导电银浆的性能1.导电性能:导电银浆具有良好的导电性能,导电性能主要取决于导电银浆中银颗粒的尺寸和分散情况。

通常来说,导电银浆的电阻率越低,导电性能越好。

2.稳定性:导电银浆在应用过程中需要具有良好的稳定性,包括稳定的导电性能和分散性能。

稳定的导电性能可以保证导电银浆在长期使用过程中不发生电阻率的变化;稳定的分散性能可以保证导电银浆在长期储存过程中不发生团聚。

3.黏度:导电银浆的黏度需要适中,既要保证银颗粒的分散均匀,又要方便施工。

过高的黏度会导致银颗粒团聚,影响导电性能;过低的黏度则会导致银颗粒沉淀,影响分散性能。

三、导电银浆的应用导电银浆广泛应用于电子元件、触摸屏、太阳能电池等领域。

在电子元件中,导电银浆常用于印刷电路板(PCB)的制备中,通过印刷技术在PCB上形成导电层,用于连接各个元件。

导电银浆还可用于制备导电粘合剂,用于电子元件的固定和连接。

在触摸屏中,导电银浆主要用于制备导电膜,作为触摸屏的导电层。

导电银浆具有优异的导电性能和透明度,可以实现高灵敏度和高透过率的触摸屏。

在太阳能电池中,导电银浆用于制备电极层,作为电流的收集层。

导电银浆具有优异的导电性能和接触性能,可以提高太阳能电池的转换效率。

总之,导电银浆是一种重要的功能材料,具有良好的导电性能、稳定性和黏度,在电子元件、触摸屏、太阳能电池等领域具有广泛应用前景。

薄膜开关用导电银浆制备工艺研究-概述说明以及解释

薄膜开关用导电银浆制备工艺研究-概述说明以及解释

薄膜开关用导电银浆制备工艺研究-概述说明以及解释1.引言1.1 概述薄膜开关是一种基于薄膜材料制备的开关元件,具有体积小、重量轻、响应速度快等优点,在电子设备、通信系统和医疗器械等领域得到广泛应用。

薄膜开关的性能取决于其导电层的质量和特性,而导电银浆则是一种常用的制备导电层的材料。

本篇文章将围绕薄膜开关用导电银浆的制备工艺展开研究。

文章首先介绍了薄膜开关的概念、应用以及制备导电层的重要性。

随后,对导电银浆的特性和制备方法进行了详细的介绍,包括其导电性能、粘附性、稳定性等方面。

最后,本文重点探讨了薄膜开关用导电银浆制备工艺的关键要点,包括材料选择、制备条件、工艺参数等。

通过对这些关键问题的研究,旨在提高薄膜开关的性能和可靠性,拓宽其在各个领域的应用范围。

文章的研究结论部分总结了研究结果,并对未来的研究方向进行了展望。

此外,还强调了薄膜开关用导电银浆制备工艺对于电子行业的意义和价值,以期为该领域的研究和应用提供一定的参考和指导。

通过本文的撰写,旨在系统地介绍薄膜开关用导电银浆制备工艺的研究现状和关键技术,为相关领域的科研人员和工程师提供有益的信息和启示。

希望通过对薄膜开关用导电银浆制备工艺的深入研究,推动薄膜开关技术的发展,促进现代电子设备的进一步创新与应用。

在文章结构部分,可以描述整篇文章的框架和组成部分。

以下是一种可能的方式来编写"1.2 文章结构"部分的内容:======================================== =========================================== =1.2 文章结构本文主要分为三个部分,即引言、正文和结论。

引言部分(Chapter 1)将提供一个综述性的背景介绍,解释薄膜开关和导电银浆的重要性和应用领域,并简要阐述本研究的目的。

正文部分(Chapter 2)将分为三个小节。

首先,我们将详细介绍薄膜开关的概念、工作原理,以及其在电子设备中的广泛应用。

导电银浆 薄膜太阳能电池

导电银浆 薄膜太阳能电池

导电银浆薄膜太阳能电池导电银浆薄膜太阳能电池是一种新型的太阳能电池技术,它利用导电银浆作为电极材料,具有高效率、低成本和可持续发展等优势。

本文将详细介绍导电银浆薄膜太阳能电池的原理、制备方法以及应用前景。

一、导电银浆薄膜太阳能电池的原理导电银浆薄膜太阳能电池是一种薄膜太阳能电池,其工作原理与传统的硅基太阳能电池有所不同。

传统太阳能电池利用的是硅材料,而导电银浆薄膜太阳能电池则采用了导电银浆作为电极材料。

导电银浆具有优良的导电性能和光电转换效率,能够将太阳能高效地转化为电能。

导电银浆薄膜太阳能电池的结构包括导电玻璃基板、导电银浆电极、敏化层和电解质等部分。

当太阳光照射到电池表面时,敏化层吸收光能并将其转化为电子。

这些电子被导电银浆电极吸收并传导到外部电路中,从而产生电能。

导电银浆薄膜太阳能电池的效率取决于导电银浆电极的导电性能和光电转换效率。

二、导电银浆薄膜太阳能电池的制备方法导电银浆薄膜太阳能电池的制备过程相对简单,主要包括以下几个步骤:1. 制备导电玻璃基板:将导电玻璃经过清洗和处理,使其表面具有良好的导电性能和光吸收特性。

2. 制备导电银浆电极:将导电银浆涂覆在导电玻璃基板上,并经过烘干和固化处理,形成均匀致密的导电银浆电极层。

3. 制备敏化层:将敏化剂涂覆在导电银浆电极上,使敏化层吸收太阳光并产生光电效应。

4. 制备电解质:将电解质涂覆在敏化层上,形成电解质层,起到保护敏化层和导电银浆电极的作用。

5. 组装电池:将导电银浆电极与另一电极(如导电玻璃基板)通过电解质层连接起来,形成完整的太阳能电池结构。

三、导电银浆薄膜太阳能电池的应用前景导电银浆薄膜太阳能电池具有许多优势,使其具有广泛的应用前景。

导电银浆薄膜太阳能电池具有高效率的特点。

导电银浆电极具有良好的导电性能和光电转换效率,能够将太阳能高效地转化为电能,提高能源利用效率。

导电银浆薄膜太阳能电池具有低成本的优势。

导电银浆是一种常见的材料,制备成本相对较低,可以大规模生产,降低太阳能电池的成本,促进其在能源领域的应用。

导电银浆在高光学透明度触摸屏技术中的应用优势分析

导电银浆在高光学透明度触摸屏技术中的应用优势分析

导电银浆在高光学透明度触摸屏技术中的应用优势分析触摸屏技术作为人机交互的重要手段之一,在现代科技的发展中起到了不可或缺的作用。

而在触摸屏技术中,导电银浆作为导电性材料的一种,广泛应用于高光学透明度触摸屏技术中,具有诸多优势。

本文将对导电银浆在高光学透明度触摸屏技术中的应用优势进行分析。

首先,导电银浆具有优异的导电性能。

导电银浆是一种以纳米银颗粒为主要成分的导电材料,其导电性能优于其他常见的导电材料。

高导电性能使得导电银浆可有效传导电流,实现触摸屏的准确定位和快速响应。

而且,导电银浆的导电性能与浓度成正相关,高浓度的导电银浆具有更高的导电性能,可以满足高光学透明度触摸屏对精确触摸控制的要求。

其次,导电银浆具有优秀的光学透明度。

在高光学透明度触摸屏技术中,光学透明度是一个至关重要的指标,直接影响触摸屏显示的清晰度和亮度。

导电银浆的纳米颗粒尺寸相对较小,可以实现对可见光的高透过率。

同时,导电银浆也具有较低的浸透深度,能够降低光线散射和反射,减少触摸屏表面的光学误差。

因此,导电银浆在高光学透明度触摸屏技术中能够提供清晰透明的显示效果,提高用户体验。

第三,导电银浆具有良好的耐腐蚀性和长期稳定性。

在触摸屏技术中,导电银浆需要承受不同的环境因素和频繁的触摸操作。

优秀的耐腐蚀性使得导电银浆具有较强的抗氧化和抗湿度的能力,能够在恶劣环境下保持良好的导电性能。

同时,导电银浆的长期稳定性也保证了触摸屏的可靠性和使用寿命。

此外,导电银浆具有良好的加工性能和可塑性。

导电银浆可以通过喷涂、印刷等加工方式进行制备,具有较高的粘附性和成膜性,可以方便地应用于不同形状和尺寸的触摸屏。

同时,导电银浆也具有较高的可塑性,能够适应弯曲和折叠屏幕等新兴触摸屏技术的发展趋势。

最后,导电银浆具有较低的成本。

导电银浆的制备工艺相对简单,原材料价格相对较低,成本较其他导电材料更为经济。

这使得导电银浆在大规模生产中具有更高的竞争优势,并能够降低高光学透明度触摸屏产品的市场价格,推动其普及和应用。

低温陶瓷烧结导电银浆

低温陶瓷烧结导电银浆

低温陶瓷烧结导电银浆低温陶瓷烧结导电银浆是一种应用广泛的导电材料,其具有优异的导电性能和高温稳定性,在电子、光电、新能源等领域具有重要的应用价值。

本文将从低温陶瓷烧结导电银浆的特点、制备工艺和应用领域等方面进行介绍。

一、低温陶瓷烧结导电银浆的特点低温陶瓷烧结导电银浆是一种由导电粒子、有机载体和助剂等组成的复合材料。

其主要特点如下:1. 优异的导电性能:低温陶瓷烧结导电银浆中的导电粒子主要由银粒子组成,具有优异的导电性能和电子传输能力,能够满足各种电子器件的导电要求。

2. 高温稳定性:低温陶瓷烧结导电银浆在高温条件下仍能保持稳定的导电性能,不易氧化或熔化,能够适应高温环境的要求。

3. 良好的附着性:低温陶瓷烧结导电银浆在陶瓷基片或金属基片上具有良好的附着性,能够形成坚固的导电膜,不易脱落或剥离。

4. 低温烧结:低温陶瓷烧结导电银浆的烧结温度通常在200-400℃之间,相对于传统的高温烧结工艺来说,能够大大降低生产成本和能源消耗。

低温陶瓷烧结导电银浆的制备工艺主要包括材料配方、悬浮液制备、印刷和烧结等步骤。

1. 材料配方:根据具体的应用要求,选择合适的导电粒子、有机载体和助剂,并按照一定的配方比例进行混合。

2. 悬浮液制备:将导电粒子、有机载体和助剂等加入适量的溶剂中,通过机械搅拌或超声处理等方法,制备成均匀的悬浮液。

3. 印刷:将制备好的悬浮液通过丝网印刷或喷墨印刷等方法,将导电银浆印刷在陶瓷基片或金属基片上。

4. 烧结:将印刷好的导电银浆在烧结炉中进行热处理,使其在一定的温度和时间条件下实现烧结,形成致密的导电膜。

三、低温陶瓷烧结导电银浆的应用领域低温陶瓷烧结导电银浆在电子、光电、新能源等领域具有广泛的应用。

1. 电子领域:低温陶瓷烧结导电银浆可用于印刷电路板(PCB)的制造,用于形成电路连接、电极、导线等导电结构,提供电子器件的导电功能。

2. 光电领域:低温陶瓷烧结导电银浆可用于太阳能电池板的制造,用于形成电极和导电层,提供电子传输和光能转换功能。

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导电银浆技术分析一.基本信息:组成:导电相银粉、无机粘结剂玻璃料、有机载体及改善电池性能的微量添加剂组成,其中有机载体包括有机溶剂和有机树脂,它通过丝网印刷或其他喷涂技术将其承印在基底表面,干燥成膜后形成电极。

要求:稳定良好的银-硅欧姆接触;高导电率较低成本;良好的焊接性、附着力、印刷性能以及适宜大规模生产的工艺性。

与硅片连接牢固,对酸碱、水汽等的侵蚀有一定抵抗力。

这些都对光伏电池的效率产生不同程度的影响。

差别:银浆主要原料的一个成分搭配比率,每个银浆企业都不一样,这个配方是每个企业核心技术秘密之一。

另外,因为技术实力与技术路线不一样,有些企业的银浆产品稳定性最优,有些是焊接性最优,有些企业的产品虽然没有突出表现但各方面都比较均衡。

效果:高性能光伏银浆不仅穿透力强、印刷性能好,能使电池表面的栅线达到更好的高宽比,减少电池表面的遮光面积,还可以降低电池内部串联电阻,减少光生电流的内部功率损耗,有效提高光伏电池的光电转换效率。

二.材料信息:1.银微粒的含量:金属银的微粒是导电银浆的主要成份。

金属银在浆料中的含量直接与导电性能有关。

从某种意义上讲,银的含量高,对提高它的导电性是有益的,但当它的含量超过临界体积浓度时,其导电性并不能提高。

一般含银量在80~90%(重量比)时,导电量已达最高值,当含量继续增加,电性不再提高,电阻值呈上升趋势;当含量低于60%时,电阻的变化不稳定。

在具体应用中,银浆中银微粒含量既要考虑到稳定的阻值,还要受固化特性、粘接强度、经济性等因素制约,如银微粒含量过高,被连结树脂所裹覆的几率低,固化成膜后银导体的粘接力下降,有银粒脱落的危险。

故此,银浆中的银的含量在60~70% 是适宜的。

2.银微粒的大小:银微粒的大小与银浆的导电性能有关。

在相同的体积下,微粒大,微粒间的接触几率偏低,并留有较大的空间,被非导体的树脂所占据,从而对导体微粒形成阻隔,导电性能下降。

反之,细小微粒的接触几率提高,导电性能得到改善。

微粒的大小对导电性的影响,从上述情况来看,只是一种相对的关系。

由于受加工条件和丝网印刷方式的影响,既要满足微粒顺利通过丝网的网孔,又要符合银微粒加工的条件,能使导电微粒顺利通过网孔,密集地沉积在承印物上,构成饱满的导电图形。

3.微粒的形状:银微粒的形状与导电性能的关系十分密切。

对于形状需要综合考量来选用。

(1)图:粉末的表观形态及特征参数分析:1# 和2# 的小于1u m 的成份大致相当, 而3# 小于1um 的成份只有1# 或2# 一半, P-1#和P-2# 小于1um 的成份极少。

(2)图:几种不同粒度银粉的比较分析:显示了粒度大小的顺序: 即P-2#> P-1#>3# > 2# > 1# ,几种银粉所制电池片的转换效率和接触电阻的比较6.5101114.5 140.370.30.60.931.112468101214161# 2# 3# P-1# P-2#转换效率/%0.20.40.60.811.2接触电阻/Ω粒径:小粒径:大在实际烧结中, 炉子温度会产生波动, 因此细颗粒如纳米或者接近于纳米粒度范围的银粒子会熔化。

因而, 银粉在一定的粒度范围内, 即在可熔化的粒度范围之上, 有利于电池片的转换效率的提高。

比较1# 银粉和2# 银粉可知, 虽然粒度分布很接近, 但2# 银粉比1# 银粉的转换效率高而接触电阻却较低,这可以说明在相同的粒度范围内, 银粉以亚球形比混合型好。

相比P-1# 和P-2# 银粉, 银粉粒度增大, 但电池片转换效率反而下降, 且接触电阻增大。

说明银粉的粒度分布大于纳米范围, 较细的颗粒有利于转换效提高。

4.玻璃粉:两个作用。

一,腐蚀晶硅,通过腐蚀SiNx,形成导电通道。

二,在浆料-发射极界面间作为传输媒介。

5.粘合剂:粘合剂又称结合剂,是导电银浆中的成膜物质。

导电银浆对结合剂树脂的选择,有多方面的考虑。

不同结合剂的粘度、凝聚性、附着性、热特性等有较大的差异。

导电银浆的制造者对于导电银浆所作用的基材、固化条件、成膜物的理化特性都需要统筹兼顾。

6.溶剂:导电银浆中的溶剂的作用:a、溶解树脂,使导电微粒在聚合物中充分的分散;b、调整导电浆的粘度及粘度的稳定性;c、决定干燥速度;d、改善基材的表面状态,使浆料与基体有很好的密着性能。

导电银浆中的溶剂的溶解度与极性,是选择溶剂的重要参数,这是由于溶剂对印刷适性与基材的结合固化都有较大的影响。

此外,溶剂沸点的高低、饱和蒸气压的大小、对人体有无毒性,都是应该考虑的因素。

溶剂的沸点与饱和气压对印料的稳定性与操作的持久性关系重大;对加热固化的温度、速率都有决定性的影响。

一般都选用高沸点的溶剂,常用的有BCA(丁基溶酐乙酸酯)、二乙二醇丁醚醋酸酯、二甘醇乙醚醋酸酯、异佛尔酮等。

7.助剂:导电银浆中的助剂主要是指导电银浆的分散剂、流平剂、金属微粒的防氧剂、稳定剂等。

助剂的加入会对导电性能产生不良的影响,只有在权衡利弊的情况下适宜地、选择性地加入。

导电银浆按烧结温度不同,分为高温银浆,中温银浆和低温银浆。

其中高中温烧结型银浆主要用在太阳能电池,压电陶瓷等方面。

低温银浆主要用在薄膜开关及键盘线路上面。

三.浆料成分对浆料电性能的影响当玻璃粉含量不变时,电阻率在一定范围内随着银粉的含量逐渐增加而降低。

当银粉含量过大时,电阻率反而升高。

因为银粉含量过大,玻璃粉含量不变,即浆料的固体含量过大,有机载体含量过低,那么浆料的黏度过大,流平性差,丝网印刷时,不易形成连续致密的银膜,故电阻率过大。

当银粉含量不变时,电阻率在一定范围内随着玻璃粉含量的逐渐增加,电阻率逐渐升高,导电性能越差。

在浆料烧结过程中,随着温度升高,玻璃粉熔融,由于毛细作用浸润并包裹银颗粒,银粉以银离子的形式溶解在熔融的玻璃相。

当浆料中的玻璃粉含量很少时,银粉由于缺少液相而不能铺展在基板上,银粒子倾向于沿垂直方向生长,导致银粒子之间的接触变差。

当玻璃粉含量增加到某一值时,玻璃粉能够有效润湿银粉,使银粉充分铺展在基板上,银粒子沿水平方向生长,银粒子的接触更加紧密,能够有效形成导电网络。

当玻璃粉含量继续增加,多余的玻璃粉就会聚集在表面上,导致电性能下降,电阻率增加。

同时,当玻璃粉含量过高时,有机载体的含量就越低,有机载体的含量直接影响到浆料的黏度,有机载体的含量越低,浆料的黏度越高,在印刷的过程中,浆料的流平性很差,不利于浆料分布均匀,银粉与玻璃粉容易成团聚态。

表:不同配方的浆料及编号图不同配方浆料的烧结银膜表面电阻率结论:#9浆料烧结制备的烧结银膜表面电阻率为1.558×10–3Ω·cm,最低,四.保温时间对电阻率的影响烧结峰值温度为580℃,保温时间为2,5,10,15,20和30min烧结成膜,测得烧结银膜电阻率,如图所示。

由图可知,保温时间为5 min时电阻率最低,导电性能最好。

因为当烧结保温时间低于5 min时,玻璃粉受热时间不够充分,不能完全软化铺展,银粉无法在玻璃粉的包裹下形成良好致密的银膜,不易形成良好的导电网络,故电阻率稍高,导电性能较差。

当保温时间为5 mi以上时,随着时间的增加,电阻率明显升高,银膜导电性能降低。

产生这一现象的原因是当保温时间过长时,玻璃粉过早进入软化状态,并且长时间的软化态玻璃会沉积于基板与银膜之间,而与银膜中的银粒子相脱离,导致银膜出现大量空洞,电阻率升高,导电性能较差蹬。

长时间较高温度的保温会导致银膜的氧化,这也是导致电阻率升高,导电性能降低的原因。

保温时间与电阻率的关系曲线五.烧结峰值温度对电阻率的影响升温速率10℃/min,达到峰值温度后保温5 min,根据浆料烧结峰值温度540—640℃,设计了烧结峰值温度为540,560,580,600,620和640℃ 6组实验方案,烧结成银膜,测得所烧结银膜电阻率如图所示。

并对烧结样品做了SEM观察,如图所示。

烧结峰值温度与电阻率的关系曲线当烧结峰值温度为580℃时,浆料烧结银膜的电阻率最低。

此时,玻璃粉包裹银粒子呈均匀铺展,形成良好的导电网络,银膜致密,空洞少,导电性能良好。

当玻璃粉加热到接近析晶起始温度时,玻璃就有析晶的趋势。

根据晶体形核长大原理,当玻璃中出现晶核时,较长的保温时间和过高的烧结峰值温度都会进一步促进玻璃粉相变析晶。

由于晶体不具备玻璃相的黏度和润湿性,所以当浆料在烧结过程中析出晶体时,晶体将无法软化铺展。

此时的烧结膜将出现大量孔洞,导电性能差,附着力低。

实际工业生产中,为防止玻璃粉在浆料烧结中析晶而影响成膜质量,应尽可能降低烧结峰值温度和保温时间。

六.玻璃粉含量影响玻璃粉质量分数与栅线体电阻关系玻璃粉质量分数比重大,玻璃体阻挡层过厚,通过隧道效应导通的几率降低。

因此,烧结后浆料的体电阻率上升。

玻璃粉质量分数与接触电阻关系在0-5%范围内,玻璃粉比例的增加对于Ag 在浆料与电池发射极界面处生成再结晶颗粒和形成隧道导电通道有益。

拉力测试结果玻璃粉质量分数不低于4% 。

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