XXXX电子技术总复习.pptx
电工与电子技术 总复习
UOC=－9+12+3=6V
图5
二、计算题： 计算题：
电路与电子技术
1、利用电源的等效变换求图6所示电路的最简模型。 利用电源的等效变换求图6
2、试用结点法求 n1 （作业1-5） 试用结点法求U 作业1
电路与电子技术
电路与电子技术 3、求图示电路中的电流 及3V电压源发出的功率 。 电压源发出的功率P。 、求图示电路中的电流I及 电压源发出的功率 （第1章第 讲例题） 章第4讲例题） 章第 讲例题
电路与电子技术 5、桥式整流电路中，四个二极管承受的最大反向电压 桥式整流电路中， 均为（ 2U2 ）。 均为（ 6、求电路静态工作点方法有（估算法）和（图解法） 。 求电路静态工作点方法有（估算法） 图解法） 7、实践中，通常是调整（偏置）电阻，达到调整静态 实践中，通常是调整（偏置）电阻， 工作点的目的。 工作点的目的。 8、放大电路的静态工作点设置不当，会引起（非线性） 放大电路的静态工作点设置不当，会引起（非线性） 失真。 失真。 9、放大电路中，静态工作点设置太低易产生（截止） 放大电路中，静态工作点设置太低易产生（截止） 失真；设置太高易产生（饱和）失真； 失真；设置太高易产生（饱和）失真；当输入信号很 微弱时，为减小功耗，静态工作点可设置（偏低）一点。 微弱时，为减小功耗，静态工作点可设置（偏低）一点。
《电子技术基础》复习要点
《电子技术基础》复习要点课程名称：《电子技术基础》适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社复习要点第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
❑导电能力介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
模拟电子技术基础(复习)PPT课件
3. 通频带 4. 定量计算
9
❖第2章 基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
❖二、设置静态工作点的必要性
为什么放大的对 象是动态信号，却 要晶体管在信号为 零时有合适的直流
动态信号 驮载在静 态之上
电流和极间电压？ 设置合适的静态工
与iC变化 方向相反
作点，首先要解决 失真问题，但Q点几 乎影响着所有的动 态参数！
3
❖复习与考试
模拟电子技术基础
❖三、怎样复习
❖ 重点是基础知识：基本概念、电路、方法 ❖ 识别电路是正确分析电路的基础 ❖ 特别注意基础知识的综合应用，融会贯通。
4
❖第1 章 常用半导体器件（复习）
模拟电子技术基础
问题
❖ 为什么要把半导体材料变成本征半导体？ 再掺杂？如何控制杂质半导体导电性能？
8
❖第2章 基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
u放大的对象：变化量 u放大的本质：能量的控制 u放大的特征：功率放大 u放大的基本要求：不失真——放大的前提
1. 放大倍数：输出量与输入量之比
Au u
Au
Uo Ui
Aii
Ai
Io Ii
2. 输入电阻和输出电阻
A ui
U o Ii
A iu
Io U i
12
❖第2章 基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
❖三、三种接法的比较：空载情况下
接法
Au Ai Ri Ro 频带
共射 大
β 中 大 窄
共集 小于1 1＋β
大 小 中
共基 大
α 小 大 宽
13
第三章 多级放大电路（复习）
§3.1 多级放大电路的耦合方式 §3.2 多级放大电路的动态分析 §3.3 差分放大电路 §3.4 互补输出级
电子技术基础知识ppt课件
12
（2）反向特性 反向电压VR＜VRM（反向击穿电压）时，反向电流IR很 小，且近似为常数，称为反向饱和电流。 VR＞VRM时，IR剧增，此现象称为反向电击穿。对应的 电压VRM称为反向击穿电压。 结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。
（1）P型半导体：本征硅(或锗)中掺入少量硼元素（3价）所 形成的半导体，如P型硅。多数载流子为空穴，少数载流子为电子。
空
穴
多数载流子（简称多子） 少数载流子（简称少子）
2
自由电子
（2）N型半导体：在本征硅(或锗)中掺入少量磷元素（5价） 所形成的半导体，如N型硅。其中，多数载流子为电子，少数载 流子为空穴。
1、放大电路的组成及作用 （1）晶体管V。放大元件， 用基极电流iB控制集电 极电流iC。
共发射极基本放大电路
39
（2）直流电源UCC 放大电路的能源； 使晶体管的发射结正偏，集电结反 偏，晶体管处在放大状态，提供电流IB 和IC，UCC一般在几伏到十几伏之间。 （3）基极偏置电阻RB。 为基极提供一个合适的偏置电流IB， 使晶体管有一个合适的工作点， 一般为几十千欧到几百千欧。 共发射极基本放大电路 （4）集电极电阻RC。 将集电极电流iC的变化转换为电压的变化，以获得电压放大， 一般为几千欧。 （5）耦合电容或隔直电容Cl、C2。 用来传递交流信号，起到耦合的作用。同时，又使放大 电路和信号源及负载间直流相隔离，起隔直作用。为了减小传 递信号的电压损失，Cl、C2应选得足够大，一般为几微法至 40 几十微法，通常采用电解电容器。
自由电子 空 穴
多数载流子（简称多子）
少数载流子（简称少子）
电力电子技术总复习
a) 转移特性 b) 输出特性
1-20
MOSFET的开关速度 可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。
开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上， 是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中 需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。
电流检测
过电流 继电器
短路器
动作电流 整定值
开关电路
触发电路
电子保护电路
图1-37 过电流保护措施及配置位置
同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性。 电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分 区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后 实现保护，过电流继电器整定在过载时动作。
1-34
断态电压临界上升率du/dt
——电压上升率过大，使结电容充电电流足够大，造成晶闸管误导通 。
通态电流临界上升率di/dt
——电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。
4)、晶闸管的型号
Ｐ—普通, Ｋ—快速型，Ｓ—双向型，Ｎ—逆导型，Ｇ—可
KP[电流]─[电压/100][通]态平均电压组别
正反向重复峰值电压 通态平均电流
缓冲电路(Snubber Circuit) ： 又称吸收电路，
抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，
减小器件的开关损耗。
关断缓冲电路（du/dt抑制电路）——吸收器件的关断过 电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。
开通缓冲电路（di/dt抑制电路）——抑制器件开通时的 电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。
双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成 在内的混合集成电路。 为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家 专门开发的集成驱动电路。
电工电子技术基础知识PPT通用课件
3 0011
8 1000
4 0100
9 1001
2.2.2 逻辑代数及应用
1 逻辑代数及基本运算 2 逻辑代数的运算法则
1 逻辑代数及基本运算
一、逻辑代数（布尔代数Boole Algebra）用来描述 数字电路和数字系统的结构和特性。
逻辑变量取值：0 1 分别代表两种对立的状态
一种状态
另一状态
高电平 真 是 有 低电平 假 非 无
平，则输出F 为低电平；只
R
有输入A、B 全为高电平时，
A
输出F 才为高电平。可见输
F 入与输出呈现与逻辑关系： B
与逻辑关系表达式
F = AB
与逻辑关系逻辑符号：
A
&
F
B
2、 二极管或门
与逻辑关系真值表：
AB F
00 0 01 0 10 0 11 1
A
只要输入A、B中一个为高
____、中间环节三部分组成。 • A．电阻 B．电容 C．电感 D．负载
1.2 正弦交流电的基本知识
1.2.1 正弦量 的三要素
1 频率与周期 2 振幅和有效值 3 相位、初相、相位差
引言
随时间按正弦规律变化的交流电压、电流称为 正弦电压、电流。
正弦量： 正弦电压、电流等物理量统称为正弦量。
对称正弦量特点为： U1 U 2 U 2 0
频率相同、幅值相等、 相位互差120°的三相电压称
u1 u2 u3 0 为对称正弦电压。
三相交流电压出现正幅值（或相应零值)的顺序称为 相序。 在此相序为1-2-3-1称为顺相序。 在电力系统中一般用黄、 绿、红区别1、2、3三相。
相序的实际意义：对三相电动机，如果相序反了，就会反转。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。
(完整版)电力电子技术总复习
《电力电子技术》综合复习资料一、填空题1、开关型DC/DC 变换电路的3个基本元件是 、 和 。
2、逆变角β与控制角α之间的关系为 。
3、GTO 的全称是 。
4、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有 斩波电路； 斩波电路； --——斩波电路.5、变频电路从变频过程可分为 变频和 变频两大类。
6、晶闸管的工作状态有正向 状态，正向 状态和反向 状态。
7、只有当阳极电流小于 电流时，晶闸管才会由导通转为截止.8、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 角.9、GTR 的全称是 。
10、在电流型逆变器中，输出电压波形为 波，输出电流波形为 波。
11、GTO 的关断是靠门极加 出现门极 来实现的。
12、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是 ， 和 。
13、整流指的是把 能量转变成 能量.14脉宽调制变频电路的基本原理是:控制逆变器开关元件的 和 时间比，即调节 来控制逆变电压的大小和频率。
15、型号为KP100—8的元件表示 管、它的额定电压为 伏、额定电流为 安.16、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题,通常主要采取的隔离措施包括： 和 。
二、判断题1、KP2—5表示的是额定电压200V ，额定电流500A 的普通型晶闸管。
2、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
3、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极.4、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。
5、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。
6、普通晶闸管内部有两个PN 结。
7、逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相,或是逆变角太小造成的。
8、应急电源中将直流电变为交流电供灯照明，其电路中发生的“逆变”称有源逆变. 9、单相桥式可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为22U 。
10、MOSFET属于双极型器件.11、电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量,必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。
电子技术总结知识点
电子技术总结知识点一、电子技术基础知识1. 电子元器件1.1 电阻1.2 电容1.3 电感1.4 二极管1.5 晶体管1.6 集成电路2. 电路理论2.1 电压、电流、电阻的关系2.2 串联电路和并联电路2.3 交流电路和直流电路2.4 负反馈与正反馈3. 信号处理3.1 模拟信号和数字信号3.2 信号滤波3.3 驱动电路4. 电源技术4.1 直流电源4.2 交流电源4.3 电源管理与控制5. 通信原理5.1 调制解调技术5.2 传感器与检测技术5.3 无线通信技术6. 微处理器与嵌入式系统 6.1 微处理器架构6.2 嵌入式系统设计6.3 控制算法与硬件实现7. 电子设计自动化7.1 电路仿真7.2 PCB设计7.3 FPGA设计7.4 嵌入式软件设计二、模拟电路设计1. 放大电路设计1.1 理想放大器1.2 非理想放大器1.3 差分放大器1.4 运放放大器2. 滤波器设计2.1 低通滤波器2.2 高通滤波器2.3 带通滤波器2.4 带阻滤波器3. 混频器设计3.1 理想混频器3.2 非理想混频器3.3 频率合成器3.4 频率分割器4. 电源管理设计4.1 稳压电路4.2 电源滤波4.3 开关电源设计4.4 电池管理三、数字电路设计1. 逻辑门与组合逻辑电路1.1 基本逻辑门1.2 组合逻辑电路设计1.3 状态机设计1.4 逻辑门延迟测试2. 时序逻辑电路设计2.1 时钟信号与时序逻辑2.2 寄存器与触发器设计2.3 定时电路设计2.4 时序分析与优化3. 存储器设计3.1 静态随机存取存储器设计 3.2 动态随机存取存储器设计 3.3 只读存储器设计3.4 快闪存储器设计4. 控制器设计4.1 单片机系统设计4.2 嵌入式处理器设计4.3 控制单元设计4.4 状态机控制设计四、数字信号处理1. 信号采集与重构1.1 采样定理与采样率1.2 信号重构技术1.3 A/D转换与D/A转换1.4 信号编码与解码2. 数字滤波2.1 FIR滤波器设计2.2 IIR滤波器设计2.3 数字滤波器实现2.4 时域与频域分析3. 数字变换3.1 傅里叶变换3.2 快速傅里叶变换3.3 离散余弦变换3.4 小波变换3.5 多重分辨率分析4. 数字信号处理算法4.1 信号滤波算法4.2 信号编解码算法4.3 信号增强与去噪算法 4.4 语音处理算法4.5 图像处理算法五、电磁场与微波技术1. 电磁场理论1.1 麦克斯韦方程1.2 电磁波理论1.3 传输线理论1.4 天线理论2. 微波器件与电路2.1 微波传输线2.2 微波器件设计2.3 微波功率放大器设计2.4 微波混频器设计3. 微波通信系统3.1 微波链路设计3.2 微波调制解调技术 3.3 微波天线设计3.4 微波系统性能优化六、射频电路设计1. 无线电系统与原理1.1 无线电频谱分配1.2 无线电信道模型1.3 无线电系统性能参数1.4 无线电网络规划2. 射频接收机设计2.1 低噪声放大器设计 2.2 混频器设计2.3 中频放大器设计2.4 频率合成器设计3. 射频发射机设计3.1 驱动放大器设计3.2 功率放大器设计3.3 调制器设计3.4 微波频率合成器设计4. 射频天线与传输线4.1 射频天线设计4.2 传输线理论4.3 高频传输线设计4.4 射频系统匹配与改进七、电子系统设计与仿真1. 电子系统设计流程1.1 系统建模与分析1.2 硬件电路设计1.3 软件系统设计1.4 系统集成与测试2. 电子系统仿真技术2.1 电路仿真软件介绍 2.2 数字信号处理仿真 2.3 电磁场仿真2.4 射频仿真技术八、嵌入式系统设计1. 嵌入式系统架构1.1 单片机系统架构1.2 嵌入式处理器系统架构 1.3 客制化嵌入式系统架构1.4 可编程逻辑器件2. 嵌入式软件开发2.1 实时操作系统2.2 嵌入式系统驱动2.3 嵌入式系统应用开发2.4 嵌入式系统优化3. 嵌入式系统硬件设计3.1 嵌入式系统电路设计 3.2 嵌入式系统接口设计 3.3 嵌入式传感器与执行器3.4 嵌入式系统可靠性设计4. 嵌入式系统测试与验证4.1 嵌入式系统测试方法 4.2 嵌入式系统调试技术 4.3 嵌入式系统验证技术4.4 嵌入式系统性能分析九、EDA工具与软件开发1. 电路设计自动化工具1.1 电路设计仿真软件1.2 PCB设计软件1.3 FPGA设计软件1.4 系统建模与仿真工具2. 嵌入式软件开发工具2.1 C/C++编译器2.2 编译优化工具2.3 调试工具2.4 静态与动态分析工具3. 电磁场仿真软件3.1 有限元分析软件3.2 时域仿真软件3.3 频域仿真软件3.4 电磁场分析工具4. 微波射频设计软件4.1 微波电路设计软件4.2 射频天线仿真软件4.3 无线电链路仿真软件4.4 射频系统集成软件总结本文对电子技术的基础知识、模拟电路设计、数字电路设计、数字信号处理、电磁场与微波技术、射频电路设计、电子系统设计与仿真、嵌入式系统设计以及EDA工具与软件开发进行了系统的总结和概述。
电工电子技术复习PPT课件
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+
–
受控电压源
受控电流源
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15、基尔霍夫电流定律（KCL）
在集总参数电路中，任意时刻，对任意节点流出或流入该
节点电流的代数和等于零。
m
i(t ) 0 or
流入的电
i入＝
流之和等
i出 于流出的
k 1
电流之和
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16、基尔霍夫电压定律（KVL）
电路等效变换的实质是对外等效
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12. 并联电阻的分流公式
对于两电阻并联，有：
ik
Gk Geq
i
i1
1
1 R1 R1 1
R2
i
R2i R1 R2
i2
1
1 R2
(i i1)
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13、两种实际电源的等效变换
i
+
uS _
+
1. KVL定律内容：在集总参数电路中，任一时刻，沿任一闭合 路径绕行，各支路电压的代数和等于零。
m
u(t ) 0 or
k 1
u降＝u升
P18 例1.5.1
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17、叠加定理、戴维南定理的定义和适用范围
线性网络
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18.电位
为了分析的方便，常在电路中选某一点为参考点，把 任一点到参考点的电压称为该点的电位(potential)， 参考点的电位一般选为零，所以，参考点也称为零电位 点。
， i K ( 0 ) i 1 ( 0 ) i 2 ( 0 ) [ 2 ( 1 ) ] A 3 A
电子技术重点总结课件
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例1： V阳 D V阴
3k 6V
12V
A 电路如图，求：UAB
+
取 B 点作参考点, 断
UAB 开二极管，分析二极管阳 极和阴极的电位。
– B
参考点
V阳 =－6 V V阴 =－12 V
V阳>V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则, UAB低于－6V一个管压降,为－6.3Ｖ或－6.7V 在这里，二极管起钳位作用。
第15章 基本放大电路
本章重点： 会画直流通路，掌握放大电路静态工作点的估算法 会画放大电路的微变等效电路，并会做动态分析 即会求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻
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静态：放大电路无信号输入（ui =0）时的工作状态。 静态分析：确定放大电路的静态值。
——静态工作点Q：IB、IC、UCE 。 分析方法：估算法、 分析对象：各极电压电流的直流分量。 所用电路：放大电路的直流通路。
B ib +
线性等效电路
ic C +
ube rbe
ib
uce
-
-
E 晶体管的C、E之间可用一
受控电流源ic=ib等效代替。
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2. 放大电路的微变等效电路
将交流通路中的晶 体管用晶体管线性等 效电路代替即可得放 大电路的微变等效电 路。
ii B ib
+
R+S eS-
ui -
章目录 上一页 下一页 返回 退出
15.2.1 用放大电路的直流通路确定静态值
1) 直流通路估算 IB
+UCC
模拟电子技术总复习模板.pptx
Ro
Uo Io
Uo I Re Ie
Uo
Uo (1 ) Uo
2R0i19年U1I1i月i 4
Ui Ib
Rb rbe (1 )谢R谢e 你的阅读
Re
Rb rbe
Re
∥
Rb rbe
1
20
五、基本共基放大电路 1.静态分析
（1）静态分析
IEQ、IBQ、ICQ与双端输 出时一样。但是UCEQ1≠ UCEQ2。
U CQ1
RL Rc RL
VCC
ICQ (Rc
∥
RL )
UCQ2 VCC ICQ Rc
（2）差模信号作用时
Ad
1 2
(Rc ∥ RL ) Rb rbe
Ri 2(Rb rbe )，Ro Rc
（2）共射放大电路的动态分析
例1：静态分析
（1）静态工作点的近似估算
I
＝VCC－U
BQ
Rb
BEQ
ICQ IBQ
U CEQ VCC ICQ Rc
（2）动态分析
Au
U o U i
Ic (Rc ∥ RL ) Ibrbe
RL'
rbe
Aus
20UU19o年s 11月UU4si
2. *二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
电子技术总复习1-
（一） 掌握PN结的单向导电性
（二） 掌握二极管的伏安特性、主要参数 及基本应用
（三） 掌握稳压管的稳压作用、主要参数及应用
（四） 理解三极管的特性曲线、主要参数、放大作 用和开关作用。 会分析三极管的三种工作状态。
3
（一） 掌握PN结的单向导电性。
PN结的单向导电性
◆ 正向特性 P（+），N（-）
由IEQ算出
iB B
+ uBE
E-
iC C
+ uCE
-E
Ib
Ic
+
+
U be rbe
Ib
U ce
-
-
31
•放大电路的微变等效电路
将交流通路中的三极管用微变等效电路代替
ui
RB
ii
ib
RC RL uo ui
RB
rbe
ic ib RCRL uo
根据微变等效电路计算电压放大倍数、输入输出电阻。
解： uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿， uO＝－UZ＝－5V
uI＝－5V时，晶体管饱和， uO＝0.1V
IB
uI
UBE Rb
480μA
IC IB 24mA
UEC VCC ICRC ＜ VCC
17
15章 基本放大电路
一、基本要求及主要内容
(一） 理解放大电路的组成原则及工作原理。
Rb1 C1
I1 RC IB
ui
Rb2 I2 Re
+UCC Rb1和Rb2构成偏置电路。
C2
RL Ce
Rb2 I2
+UCC Rc IC
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U o U i
U o Ic RL
例1：
RS
E S-+
Ii +
U i -
B Ib RB
Ic C
βIb
rbe
RC
E
+ RL Uo
-
Ib RL
Au
RL rbe
RL RC // RL
负号：输入输出电压的相位相反。
当放大电路输出端开路(RL∞)时
Au
RC
200 26mV
I BQmA
RL↓，Au↓。 Q点下移，IBQ↓，rbe↑ ，Au↓。
反向击穿区，UDZ=UZ
I
反向截止区，UDZ=VI
VZ
正向导通区，UDZ=0.7V
t
O
t
放大电路
晶体三极管放大电路
集成放大电路
放大倍数Au=uo/ui
放大倍数Au=uo/ui
准备工作： 求rbe=200+(1+β)26mV/IEQ 静态分析IEQ
准备工作： 确认集成芯片处线性区。 即电路有深度反馈。
二极管电路—整流；
P+NPN
P-N+
D导通 uo=UREF=3V---水平线
D截止 uo=ui---保留输入波形
①假定D断开何时段导通，何时段截止
ui>3,即Vp>Vn,即D导通， 此区域画水平线uo=3V, 其他区域保留输入波形uo=ui
D导通 uo=UREF=3V---水平线 D截止 uo=ui---保留输入波形
双端放大=单管放大倍数 单端放大=单管放大倍数*0.5
放大电路
共模放大倍数≈0
普通放大电路
差动放大电路
功率放大电路
甲类
基极输入 发射极输出 集电极输出
甲类
双输入端 有选择的放大信号
甲乙类
互补射极输出 侧重放大输出电流
Au<0;ui与uo极性相反
放大两端信号的差值—差模信号 抑制两端信号的和值—共模信号
es+ –
ui –
RB
+ RC RL uO
–
交流通路微变等效电路
ii B ib
+
R+S eS-
ui -
RB
ic C
+
RC RL uO -
E
ii B ib
ic C
交流通路
+ RS
+ ui eS- -
ib
+
RB rbe
RC RL uo
E
微变等效电路
3.电压放大倍数的计算
定义
U i
: Au
Ib rbe
第2周（2）
静态分析（直流通路）---判断该电路是否为放大电路
Q(IB,IC,UCE)IB得交流通路中的rbe（为动态分析做准备）
交流通路晶体管线性化微变等效电路 动态分析Au,ri,ro
线性化的条件：输入为微小变化信号
第2周（1）
静态分析
+
动态分析
第2周（1）
直流通路：UCC单独作用的电路
直流通路(静态分析) 求静态工作点Q
例1： Ii +
RS
B Ib IRB
E
+ S-
U i -
RB
ri
Ic C
βIb
rbe
RC
E
RL
+
U o
ri
U i Ii
U i IRB
Ib
RB // rbe
-
输入电阻衡量放大电路获得外部电压信号的能力。 输入电阻ri大获取的外部电压信号大，
因此，输入电阻ri越大越好。
例3：
Ii B Ib
+
RS
时序逻辑电路图 异步/同步，N进制计数器，画QQQ的波形
第20章 A卷第4题9分
第21章 A卷第8题14分
器件
单极性
双极性
导体
半导体
铜---电子
载流子的种类多；载流子的数量少 N型半导体+P型半导体PN结
硅---电子+空穴
1个PN结 二极管 普通整流
半导体 2个PN结 晶体三极管 电压放大
3个PN结 晶闸管 可控整流
REAuc≈0
噪声 信号
无RE 双出Aud≈A 单出Aud≈A*0.5
功率放大电路---互补输出 乙类：IOM最大，效率最高 有一半波形失真互补输出
PO
I
2 O
RL
I
2 OM
RL
/2
交越失真 死区； 乙类甲乙类
R1，D1，D2甲乙类 效率稍降，消除交越失真
原电路交流通路：只有交流电源ui作用的电路
+UCC
1）去掉直流电源
RB
RC
+C2 对地短路
电压源短接 U=0 电流源断开 I=0
C1 +
RS + + ui
es– –
iB iC + + TuCE + uB–E – RL uo
iE
–
2)去掉电容 交流通路中电容短接
交流通路
+
交流通路(动态分析) RS
求电压放大倍数A、 输入电阻、输出电阻
E
+ S-
U i -
RB
Ic C
βIb
rbe
RC
E
Io
+ RL Uo
-
求ro的步骤：
(1) 断开负载RL
(2) (3)
令外U加 i 电0压或UEoS
0
ro Ib 0 所以 Ic β Ib 0
产生
Io
IRC
roΒιβλιοθήκη Uo IoRC总结
放大电路的输出电阻有两种：
1）输出电压由集电极输出
ro RC
二极管电路的波形输出 三极管放大电路的计算 集成放大电路的计算 三极管及集成放大电路的反馈分析 直流电源输出的计算及波形绘制
模拟电路
第14章
第15章 A卷第6题12分
第16章 A卷第7题8分
第17章 A卷第2题5分
第18、19章 A卷第3题9分 A卷第5题9分
数字电路
组合逻辑电路图 画输出波形，化简逻辑表达式
例2: D2
-012VV 求：UAB
0V
关键：确定D管的实际状态。
D1
-6 V
3k
A
假定D1D2均断开，
+ （最容易分析的二极管状态）
6V
UAB
12V
–B
∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通， D1随后反向截止。 若忽略管压降，UAB = 0 V
D2 ：（导通）钳位 D1：（截止）隔离
已知输入波形，画输出波形
静态分析
用直流通路估算Q的坐标(IB、IC、UCE )：
（1）电流放大方程： IC β IB
+UCC
RB
RC IC
IB
+
U+B–ETU–CE
（2）输入回路方程:
UCC = IB RB+ UBE
所以
IB
UCC UBE RB
当UBE< 0.1UCC时，
IB
U CC RB
(固定偏置)
（3）输出回路方程： UCC = IC RC+ UCE
差动放大电路---去除温度噪声
2个输入端
如: ui1 =20 mV, ui2 = -8 mV
可分解成: ui1 = 6 mV + 14 mV ui2 = 6 mV － 14 mV
对称性IRE=2ICQ 补偿性UEE=URE
(ui1 + ui2)/2 和值--噪声
ICQ=UEE/2RE
(ui1 - ui2)/2 差值--有用信号
2)输出电压由发射极输出
ro
rbe Rs
1
C B
E
A卷第6题12分
集电极输出---共射极放大电路
饱和区 截止区
交越失真 死区； 乙类甲乙类
失真的放大 NPN管
截止失真 Q点偏低 须RB↓→IB↑
饱和失真 Q点偏高 须RB ↑→IB ↓
双向失真 表明放大达极限 只能AU↓
Au>0;ui与uo极性相同