半导体激光器 薄片激光器 飞秒光纤激光器在材料加工领域和太阳能电池领域的应用

半导体激光器薄片激光器飞秒光纤激光器在材料加工领

域和太阳能电池领域的应用

关键词：金属穿孔卷绕激光器、发射极穿孔卷绕激光器、激光烧制接触激光器、SiN / SiO 层掺杂、MWT激光、EWT激光、LFC激光、硅太阳能电池激光设备、薄膜太阳能电池激光设备、太阳能电池薄片激光器、激光焊接、激光打孔、飞秒激光加工、薄片激光器材料加工、高功率飞秒光纤激光器、固体激光器材料加工、激光熔融、激光熔覆、薄片激光器、飞秒光纤激光器、频率脉宽可独立调制

太阳能电池加工（硅太阳能电池）

在硅太阳能电池领域，激光加工在金属穿孔卷绕（MWT）、发射极穿孔卷绕（EWT）、激光烧制接触、SiN / SiO层掺杂方面发挥了重要作用；

金属穿孔卷绕、发射极穿孔卷绕：最高20000个孔/秒，孔直径20~60μm，3~4个脉冲/孔。

激光烧制接触：最高15000接点/秒，接点尺度50~80μm，1个脉冲/接点。

SiN / SiO dielectric layer opening：最高100000接点/秒，熔接直径20~70μm，1个脉冲/接点。（更多半导体激光模块知识可参见深圳顶尖（科仪）的博客）

在薄膜太阳能电池领域，复合物薄膜和基底有多种选择，对于每一种不同的组合所用到的激光加工工艺都是不同的，下面以几个典型的结构为例进行介绍。

a-Si / CdTe type solar cells：结构为玻璃/TCO/发射层/金属，接触点p1和p3层。激光器选用JenLas® fiber ns 10-4。

CIGS type solar cells：结构和a-Si / CdTe type相反。发射极加工：JenLas® fiber ns 10-40或JenLas® D2.fs。

JenLas® disk IR50是45W的红外声光调Q薄片激光器，具有非常好的光束质量，特别适合于各种工业上的微加工。

JenLas® disk IR50 / JenLas® disk IR70

1、波长1030nm，

2、声光调Q

3、平均功率 > 45W/65W

4、宽脉冲宽度，200~2000ns/650~1600ns可调

5、快速，重复频率8~30kHz（高级模式最大100kHz），

6、单脉冲能量高达5/7mJ @8kHz

7、光束质量好M²<1.2

JenLas® mopa N35

1、基本同上

2、固态二极管泵浦调Q激光器，功率35W

3、波长1064nm

4、重复频率30~150kHz 0.2mJ @150kHz

5、OEM设计，运行费用低

6、稳定性 8h ±3%

JenLas® disk G80/G100

1、调Q倍频薄片激光器，功率达70W/85W

2、波长515nm

3、重复频率最高达10~25/25~100kHz

4、300~1000ns

5、单脉冲能量高达8 mJ

6、无水腔体、被动冷却

7、OME设计

JenLas® D2.fs （飞秒）

1、二极管泵浦固态飞秒激光器 1025nm

2、红外波段

3、脉宽 < 400fs

4、重复频率最高达30~200 kHz

5、平均功率4W，能量高达40μJ@100 kHz，20μJ@200 kHz

6、光束质量好M2<1.25

JenLas® fiber ns 10-40 JenLas® fiber ns 10-40

1、空气冷却纳秒光纤激光器 1062nm

2、红外波段，功率10~40W，峰值能量最高20kW

3、脉宽可调 9~200/250ns

4、重复频率高达500 kHz，1MHz(单模)

5、脉冲能量高达1.25mJ

6、脉冲一致性好

JenLas® fiber cw 50-400

1、高功率连续光纤激光器 1070nm

2、红外波段，50~400W

3、基膜光束质量M2<1.1

4、cw模式或脉冲模式100 kHz

5、有空气冷却和水冷方式可选

应用：不仅能够用于材料的切割和焊接，而且还可以用于标记、钻孔和退火等材料加工过程。

JenLas® ASAMA

特点：

515nm，泵浦Yb:YAG激光器

好的半导体激光器的特点

1、长寿命，寿命测试数据是对产品在真实连续工作的条件下测试得到的数据

2、高稳定性，在有效寿命期间，功率输出非常稳定，无明显波动

3、工艺控制水平，每一批次的产品的一致性

4、是否得到广大客户的一致认同