EM613FP8AT-85LL中文资料(Emerging Memory)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

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EM621FU16BU系列
低功耗,128Kx16 SRAM
推荐直流工作条件
1)
电源电压
参数
地面
输入高电压
输入低电压
符号
VCC VSS VIH VIL
Min 2.7 0 2.0 -0.2 3)
1. TA = -40到85 oC,另有说明
2. 过冲：V
CC 在情况下脉冲宽度20ns+ 2.0V
A13 21
A12 22
44 A5
43 A6 42 A7 41 OE 40 UB 39 LB 38 I/O 15
EM621FU16B3U7 -45IL/OF14
36 I/O 13 35 I/O 12 34 VSS 33 VCC 32 I/O 11 31 I/O 10 30 I/O 9
29 I/O 8 28 NC 27 A8 26 A9 25 A10 24 A11
周期时间=1μs,100％关税,I IO=0mA,
CS0.2V,LB0.2V或/和UB0.2V,
VIN
INV CC-0.2V
周期时间=最小,I IO=0毫安,100％关税, CS=V IL, LB=V IL 或/和UB = V IL , VIN=VIL 或V IH
IOL = 2.1mA
IOH = -1.0mA
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版本号 0.0 0.1
历史
初稿草案
0.1版本
EM621FU16BU系列
低功耗,128Kx16 SRAM
草案日期 2007年10月31日, 11月16个,2007年
备注
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128K X16位低功耗和低电压CMOS静态RAM
Max
Unit
3.0
3.3
V
0
0
V
-
VCC + 0.2 2)
V
-
0.6
V
Min
Max
Unit
-
8
pF
-
10
pF
Min Typ Max Unit
-1
-
1 uA
-1
-
1 uA
-
-
3 mA
-
-
3 mA
45ns 55ns 70ns -
2.4
-
- 35 - 30 mA - 25
- 0.4 V
-
-
V
- 0.3 mA
平均工作电流
输出低电压 输出高电压
待机电流（TTL）
待机电流（CMOS）
符号
ILI ILO ICC ICC1
ICC2
VOL VOH ISB
I SB1
测试条件
VIN=VSS 到V CC
CS=V IH 或OE = VIH 或WE = VIL 或LB = UB = VIH VIO=VSS 到V CC
IIO=0毫安,CS = VIL, V IN=VIH 或V IL
EM621FU16BU系列
低功耗,128Kx16 SRAM
起码
-0.2 to 4.0V -0.2 to 4.0V
1.0 -40到85
Unit
V V W oC
功能说明
CS
OE WE
LB
H
X
X
X
X
X
X
H
L
H
H
L
L
H
H
X
L
L
H
L
L
L
H
H
L
L
H
L
L
X
L
L
L
X
L
H
L
X
L
L
注：X表示不关心. （必须是高或低状态）
参数
符号
45ns
55ns
Min Max Min Max
写周期时间
tWC
45
-
55
-
片选到写结束
tCW
45
-
45
-
地址建立时间
tAS
0
-
0
-
地址有效写结束
tAW
45
-
45
-
UB,LB有效写结束
tBW
45
-
45
-
把脉冲宽度
tWP
35
-
40
-
写恢复时间
tWR
0
-
0
-
写入输出中高Z
tWHZ
0
15
0
20
数据写入时间重叠
概述
该EM621FU16BU系列是由EMLSI先进全CMOS工艺技术制 造.该系列支持工业级温度范围,芯片级封装系统 设计用户灵活性.这些家庭还支持低数据防护持电压低数 据防护持当前电池备份操作.
该EM621FU16BU系列提供KGD,JEDEC标准44针400万 TSOP2包.
产品系列
产品 家庭
EM621FU16BU-45LF EM621FU16BU-55LF EM621FU16BU-70LF
CS=V IH,其他输入= V IH 或V IL
CSV CC-0.2V,（CS控制） 其他输入= 0〜V CC （典型值条件：V CC=3.0V@ 25 oC) （最大条件：V CC=3.3V@ 85 oC)
NOTES 1.典型值是在Vcc = 3.0V,T测量
A=25 oC和不是100％测试.
4
Typ
特征
- 工艺技术：0.15毫米全CMOS - 组织：128K X16 - 电源电压
= EM621FU16BU系列：2.7V〜3.3V - 低数据防护持电压：1.5V（MIN） - 三态输​出和TTL兼容 - 包装产品设计45/55/70ns - 封装类型：44-TSOP2
EM621FU16BU系列
低功耗,128Kx16 SRAM
LF
-
11) 10 uA
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EM621FU16BU系列
低功耗,128Kx16 SRAM
AC工作条件
测试条件（测试
负载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平：0.4V至2.2V
输入上升和下降时间为5ns
输入和输出参考电压：1.5V
输出负载（见右）：CL
1) = 100pF电容+ 1 TTL（为70ns）
操作 温度
VCC范 围
工业（-40〜85 工业（-40〜85 工业（-40〜85
oC) 2.7V~3.3V oC) 2.7V~3.3V oC) 2.7V~3.3V
Speed
45ns 55ns 70ns
功耗
支持
操作
(ISB1 ,典型值） . (ICC1.Max)
1 µA
3mA
1 µA
3mA
1 µA
3mA
3. 冲：-2.0 V情况下,脉冲宽度为20ns
4. 过高和过低采样,而不是100％测试
.
电容
1) (f =1MHz, T A=25oC)
Item
输入电容
输入/输出继电器电容
符号
C IN C IO
测试条件
V IN =0V VIO=0V
1.电容进行采样,而不是100％测试.
DC及经营特色
参数 输入漏电流 输出漏电流 工作电源
23 NC
Pre-charge Circuit
Row Select
Memory Array 1024 x 2048
I/O Circuit Column Select
Name CS OE WE A0~A16 I/O0~I/O15
功能 片选输入 输出使能输入 写使能输入 地址输入
数据输入/输出
Name Vcc Vss UB LB NC
UB
I/O 0-7
I/O 8-15
Mode
X
高阻
高阻
取消选择
H
高阻
高阻
取消选择
X
高阻
高阻
输出禁用
L
高阻
高阻
输出禁用
H 数据输出 高阻
低字节读
L
高阻
数据输出 上字节读
L 数据输出 数据输出
字读
H
数据在
高阻
低字节写
L
高阻
数据在
上字节写
L
数据在
数据在
字写
Power
支持 支持
活性 活性 活性 活性 活性 活性 活性 活性
功能 电源 地面
高字节（I / O 低字节（I / O
无连接
8~15) 0~7)
2
Control Logic
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绝对最大额定值 *
参数
任何引脚相对于VSS电压 供应相对Vss电压Vcc
功耗 工作温度
符号
VIN, V OUT V CC PD TA
* 强调超过上述"绝对最大额定值"可能会对设备造成永久性损坏.功能一般 通货膨胀应限制在推荐工作条件.暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响其可靠性.
tDW
25
25
从写入时间数据防护持
tDH
0
-
0
-
结束写入输出低Z
tOW
5
-
5
-
70ns
Min Max
70
-
60
-
0
-
60
-
60
-
50
-
0
-
0
20
30
0
-
5
-
VTM3) R12)
R22)
Unit
ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns
Unit
ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns
5
PKG类 型
44-TSOP2 44-TSOP2 44-TSOP2
引脚说明
功能框图
A4 1
A3 2
A2 3
A1 4 A0 5 CS 6
I/O 0 7 I/O 1 8 I/O 2 9 I/O 3 10 VCC 11 VSS 12 I/O 4 13 I/O 5 14 I/O 6 15 I/O 7 16
WE 17 A16 18 A15 19 A14 20
tOLZ
5
-
5
-
芯片禁用高Z输出
tHZ
0
20
0
20
UB,LB禁用高Z输出
tBHZ
0
15
0
20
输出禁用高Z输出
tOHZ
0
15
0
20
从地址变更输出防护持
tOH
10
-
10
-
70ns
Min Max
70
-
-
70
-
70
-
35
70
10
-
10
-
5
-
0
25
0
25
0
25
10
-
写周期
(Vcc = 2.7V至3.3V,GND = 0V,T A = -40 oC至+ 85 oC)
参数
符号
45ns
55ns
Min Max Min Max
读周期时间
tRC
45
-
55
-
地址访问时间
tAA
-
45
-
55
芯片选择输出
tCO
-
45
பைடு நூலகம்
-
55
输出使能以有效输出
tOE
-
25
-
25
UB,LB访问时间
tBA
45
55
芯片选择到低阻抗输出
tLZ
10
-
10
-
UB,LB使低-Z输出
tBLZ
5
-
10
-
输出使能为低阻抗输出
CL 1) = 30pF+ 1 TTL（为45nS / 55ns）
1.包括范围和夹具电容
2. R 1= 3070欧姆 , R2= 3150欧姆
3. V TM=2.8V 4,CL = 5pF+ 1 TTL（测量与T
LZ, t HZ, t OLZ , t OHZ , t WHZ )
CL 1)
读周期
(Vcc = 2.7V至3.3V,GND = 0V,T A = -40 oC至+ 85 oC)