固晶检验标准

合集下载

1固晶制程检验标准

1固晶制程检验标准

/
MA
芯 片
芯片 5度

状态 品
芯片

>5
MA
芯 片
芯片 芯片
上, 固
/
CR
固 晶 状 态
固 芯 片
固晶位置
芯片
/
CR
A

晶片 固 ,固 不能
固晶位置 1/3 晶片
/ 度
MA
+
SMD固晶品质判定标准 固晶品质判定标准
文件编号:RS/AWI-A001 生效日期:
版本:A/01 页数:3 / 3
图示 检验 项目 标 准 合格 不合格 判 定
SMD固晶品质判定标准 固晶品质判定标准
文件编号:RS/AWI-A001 生效日期:
版本:A/01 页数:1 / 3
本判定标准采用 MIL-STD-105E II 标准进行抽样检验与判定
缺点分类 CR MA MI AQL 0 0.4 0.65 定义 功能不正常、 功能不正常、严重影响信赖性或严重影响成品规格及严重困扰机台正常运转 功能正常﹑ 功能正常﹑轻微影响信赖性或严重影响影响外观及轻微困扰机台正常运转 不影响产品性能 性能, 对成品外观或机台正常运转有轻微影响 不影响产品性能,但对成品外观或机台正常运转有轻微影响
图示 检验 项目 标 准 合格 芯 片 破 损 不合格 判定
双电极类芯片不可以破损
CR
芯 片 状 态
掉 电 极
芯片电极脱落,露出芯片色泽
CR
电 极 刮 伤 电 极 氧 化
电极刮伤面积大于电极总面保积 之 1/4
MA
芯片电极不能氧化
/
CR
正面正
胶 量 涂 抹 量 芯 片 粘

固晶检验表

固晶检验表
/自主检验表
机台号: 致命(CR) 时 工单单号 间 产品型号 检 物 银 焊 验 料 混 固 胶 垫 数 错 料 反 短 脱 误 路 落 多 固 翻 倒 检验项目 严重(MA) 银 晶 晶 晶 IC 胶 片 片 片 不 多 / 倾 破 漏 良 固 少 斜 损 晶 片 粘 胶 焊 点 粘 胶 班别: 轻微(MI) 支 晶 支 架 固 片 架 变 偏 悬 变 形 浮 色 杯 壁 粘 胶 焊 点 刮 花 日期: 不良数 其 它 致 严 轻 不 命 重 微 良 签名 不 领 良 判 班/ 比 定 主 例 管 % 品 管/ 工 程
备注
注 意 事 项 操作员:
合计 1、每天开机15分钟内需做好首检确认,确认合格后方可正常生产。2、生产过程中每2H自检一次,如有换单或换材料等情况,需要再次做首检经过领导、品 质确认合格后方可正式生产。3、生产中如有发现混料等,此表格项目以外的其它不良异常情况,需在相应栏目及备注栏中描述清楚。4、检验时如有不良请 在相应的项目内填写不良数量,填写后空白标示已检验。5、作业员自主检查及QC首件检验都需核对《生产工单》或图纸,并做好检验记录。 审核: 核准: JHW-QC-01B

固晶检验判定标准

固晶检验判定标准
16
支架氧化、变色、漏铜
支架不允许出现氧化、变色、漏铜
17
混料
不同的产品、物料不得混放或混用
18
杂物
支架、晶片、银胶/锡膏不可沾有杂物
19
其他
其它未在本校准上标注而又出现在实际检验中,作为特殊异常处理,按各站异常处理办法处理
5.3;检验设备及工具
显微镜
判定标准
不良图片
1
晶片用错
晶片型号、尺寸、亮度、波长、电压等要与指令单保持一致。
2
支架用错
支架型号和指令单保持一致
3
银胶多/少和锡膏多/少
银胶/锡膏高度是晶片高度的1/3至1/2,最低限度不能低于晶片高度的1/4.而且锡膏不能把支架正负极连在一起
4
晶片沾胶
晶片表面以及晶片侧面1/2高度以上部位不可粘有银胶
12
银胶异色/锡膏氧化
银胶不得出现发黄、发黑等异常颜色/锡胶溶化后不能出现小颗粒
13
银胶甩胶
银胶甩在点胶位置以外的区域时,焊线位置不得有银胶;不得将焊盘正负极短路;其他区域点状直径不得超过0.2MM,细条状长度不得超过1.5MM
14
晶片脏污
晶片不得沾有杂物,不得被污染
15
支架破损
支架不允许有破损、残缺
一、目的:规范固晶检验标准,提升品质,特制定本标准;
二、范围:适用于品质部IPQC;
三、ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ容
5.1抽样计划及允收标准按10%的比例来抽检,不良率高于正常水准时,给予退货并开立品质异常单。如经常发生品质异常或品质不稳定可以加严抽检或全检。不同作业员或机台生产的产品不得合批检验。
5.2检验项目:
序号
不良项目
5

固晶焊线检验规范

固晶焊线检验规范

晶片
16 晶片鬆動
CR
16 晶片鬆動
CR
銀膠裂
銀膠
標 題序

項目
立聯電子有限公司
圖解
PAGE: 3 OF 8
說明
區分
17 晶片刮傷
晶片刮傷≧1/4鋁墊 MA
焊墊 18 誤認機
金球
XO X 19 支架變形
金線 銀膠
如圖晶片.支架位 置正確.焊墊無磁嘴 痕跡.陽極有第一 CR
點球形
MI
20 線尾太長
尾線 >A A尺寸為晶片高度 MA
CR
晶片 第二點
圖解
說明
區分
晶片 CR
第二次 打線
短路
金線
2
第二次焊線 短路
CR
3
六 晶
反射蓋染色
因畫線而造成的反 射蓋染色
MA
6.1 晶 10mil以下
晶 10片mi推 l(含力 10mil)以
標 題
6.2 當 晶 片 力 6.3 推 6.4 推 6.5 單 力 檢

圖一:有碗
金7.1
拉 1.0mil金
32 支架偏移

長 陰陽極前後左右偏
心<1/3陽極寬
MI
標 題序
號 33
34
立聯電子有限公司
項目
第二點 大小
金線 A
圖解
第二 點B
PAGE: 5 OF 8
說明
區分
2.5A≦B≦3.5A MA
滑球
金球在鋁墊上有移 位現象
MA
35
第二點 翹起
六 5序

1
項目
漏打線 第二點漏
打線

固晶作业指导书

固晶作业指导书

固晶作业指导书引言:固晶作业是一种常见的工艺操作,用于固定晶体在特定位置以便进行后续的实验或分析。

本指导书旨在帮助操作人员正确、安全地进行固晶作业,确保实验顺利进行。

一、准备工作1.1 确认实验目的:在进行固晶作业前,首先要明确实验的目的和要求,以便选择合适的晶体和固定方法。

1.2 准备实验器材:准备好所需的实验器材,如显微镜、显微钳、固晶胶等,确保器材干净整洁。

1.3 清洁工作台:在进行固晶作业前,要确保工作台面干净整洁,避免灰尘或杂物对实验的影响。

二、固晶操作步骤2.1 挑选晶体:根据实验需求,选择合适的晶体进行固定,注意晶体的形状和大小。

2.2 固定晶体:使用显微钳将晶体固定在工作台上,注意固定的位置和角度,确保晶体稳定。

2.3 使用固晶胶:将适量的固晶胶涂抹在晶体周围,用于固定晶体并防止其移动或倾斜。

三、固晶注意事项3.1 避免晶体受损:在固晶作业过程中,要轻柔地操作,避免对晶体造成损伤。

3.2 控制温湿度:在固晶作业过程中,要控制好实验环境的温度和湿度,避免对晶体的影响。

3.3 注意安全:在进行固晶作业时,要注意安全措施,避免意外发生,如戴手套、护目镜等。

四、固晶作业后处理4.1 检查固晶效果:固晶作业完成后,要检查固晶效果是否符合要求,确保晶体固定牢固。

4.2 清洁器材:固晶作业完成后,要及时清洁使用过的器材,保持器材的干净整洁。

4.3 记录实验数据:固晶作业完成后,要及时记录实验数据,包括固晶方法、固晶效果等信息。

五、固晶作业常见问题及解决方法5.1 晶体移动:如果在固晶作业中晶体出现移动现象,可以重新使用固晶胶进行固定。

5.2 固晶效果不佳:如果固晶效果不佳,可以尝试更换固晶胶或调整固晶方法。

5.3 晶体受损:如果晶体在固晶作业中受损,可以尝试修复或更换晶体重新进行固晶作业。

结语:通过本指导书的学习,相信操作人员可以更加熟练地进行固晶作业,确保实验的顺利进行。

在实际操作中,要注意细节,严格按照操作步骤进行,确保实验的准确性和安全性。

固晶品质检验判定标准

固晶品质检验判定标准

作成部门:生效日期:1.0目的为了规范固晶检验之标准2.0范围适用于本公司SMDLED所有规格产品的固晶检验。

3.0使用工具显微镜、镊子、推力计4.0允收水准本判定采用CR(Ac=0; Re=1) MA(1‰) MI(2‰)水准检验判断5.0工作细则检验项目标准图示判定合格不合格合格限度涂抹量(银胶产品)从正面正视,芯片四周露有银胶CR 正视,芯片四周露有银胶晶片1/3底部无胶且三面无胶不可接受晶片一面少胶且四角有胶比率不超过5%可接受从侧面看,银胶高度标准是芯片高度的1/2-1/3HCR 1/3H≤银胶高度≤1/2银胶超过芯片高度的1/2(且超过PN极)或低于1/3为NG银胶高度最低为芯片高度的1/3或者是1/2(侧面沾银胶不超过PN结)且比率不超过5%可接受修改记录版次修订日期制作审核批准作成部门:生效日期:固晶状态(银胶产品)芯片要呈水平状态,不可翻倒CR芯片呈水平状,不可翻倒晶片倾斜超过5度或是芯片翻倒不接受芯片表面不可粘胶☆芯片表面无粘胶芯片表面粘胶,且粘到电极表面不接受晶片表面粘胶,未粘到电极且比率不超过5%可接受支架碗杯固晶位置漏固/多固不接受☆碗杯中无多固或未芯片所固芯片数比要求多固一个或一个以上多余芯片(并固或是重叠)不接受.涂抹量(绝缘胶产品)从正面正视,芯片四周露有绝缘胶(双电极产品)MA从正面正视,芯片四周露有绝缘胶绝缘胶量少于芯片底部的90%或是多于120%以上不接受少胶不少于晶片底部的90%多胶不大于芯片底部的120%且数量不超过5%可接受>作成部门:生效日期:从侧面看,胶的高度标准是芯片高度的1/4-2/3H,芯片表面粘绝缘银胶不接受,(侧面粘绝缘胶可接受)CR从侧面看,胶的高度标准是芯片高度的1/4-2/3H, 绝缘胶超出芯片高度的2/3且电极表面粘胶不接受 绝缘胶超出芯片高度的2/3但电极表面无粘胶,比率不超过5%可接受固晶状态(绝缘胶产品)芯片要呈水平状态(芯片倾斜超过5度为不良品)☆MI芯片要呈水平状态芯片倾斜超过5度或是翻倒不接受芯片表面不可粘胶芯片表面无粘胶芯片电极粘胶不接受芯片表面粘胶,但未粘到电极且比率不超过5%可接受(但要及时擦拭吸嘴)漏固/多固不接受碗杯中无多固或未芯片 所固芯片数比要求多固一个或一个以上多余芯片(并固或是重叠)不接受.芯片需处于碗杯的靠中间处,并且三晶支架不允许两电极的银胶相接或银胶与相邻电极相接,两者的间隔必须大于1/3两电极的间距.限度银胶将支架两个极性连接或是与相邻的电极连接不接受银胶已超出固晶功能区但是未连接两个电极可接受 2/3HH 1/4H>5°作成部门:生效日期:晶片状态芯片焊垫氧化芯片焊垫刺伤面积不可大于1/4PAD晶片焊垫完整☆MI焊垫刺伤面积超过1/4PAD 轻微氧化变色不影响焊线可接受MI焊垫严重氧化变色不接受切割不良破损MI 芯片破损面积大于芯片面积1/5以上,或破裂到PN结,双电极类不可破损.切到芯片电极不接受未切到芯片电极可接受碗杯碗杯壁沾银胶最大允许0.4mm长/宽度. 细长条型最大允许0.6mm长度.二焊点功能区不可粘胶。

固晶检验工作指引

固晶检验工作指引

QSI 检验标准
固晶检验工作指引
DOC NO
文件编号QSI-019
REV 版本B
PAGE页码 1 of 1
FP001-16A
操作说明作业流程标准工时8K-12K/小时
1.作业工序
固晶检验
2.作业准备
戴上防静电手环、手指套或手套,开启离子风机对准固检作业区,准备好对应的原物料和工治具
3.作业步骤
3.1.作业员首件送检,IPQC首件确认材料型号须与LED工单及流程单是否相
符,检验项目依《固晶检验规范》进行检验,合格批量生产,不合格退回产线重新首件制作。

3.2.制程中IPQC将作业员已固好及全检的材料进行不定时的抽检,并2H记
录一次抽检结果于报表上。

3.3.良品IPQC在流程单上盖PASS章后转下一工序固晶烘烤,不良品由作业
员进行返修处理再送检。

4.相关文件
4.1《LAMP固晶检验规范》 QSI-024
4.2《大功率固晶检验规范》 QSI-069
4.3《SMD固晶检验规范》 QSI-139
5.相关表单表单编号保存部门保存期限
5.1【固晶检验日报表】 FQ019-01 LP QA 6年


1 已固晶待检验品。



1 【固晶检验日报表】
2 手指套



1 料盒/料盘
2 离子风机
3 显微镜
4 台灯
5 防静电手环
6 圆珠笔
7 镊子。

SMD固晶检验规范

SMD固晶检验规范

检验规范SMD固晶检验规范REV 版本 BPAGE页码 1 of 31. 目的为公司SMD产品固晶生产之半成品提供检验依据,确保产品质量,特制定本规范。

2. 适用范围固晶站半成品。

3. 检验方法按GB/T 2828.1-2012 一次抽样计划,特殊除外。

4. 辅助器具4.1 显微镜。

4.2 镊子。

4.3 针笔。

4.4 推力计。

5. 流程图6. 流程说明6.1 固晶前(支架烤烘150℃/60min)经IPQC 与组长确认(物料与规格书及工单一致)后方可投产。

6.2 作业员首先进行首件制作,并确认OK后填写首件确认单交组长与IPQC签名确认。

6.3 制程中IPQC依《SMD固晶检验规范》进行不定时抽验,并每2H将检验结果记录在报表上。

6.4 合格品则在流程单上签名确认进入烘烤工序,不合格品则退回作业员重工直到合格为止。

6.5 IPQC每日对烘烤烤箱温度抽测2次,记录于报表中。

6.6 第一次抽检NG则退回产线重工,同一作业员同一机台或同一型号连续二次抽检NG则开立【制程异常处理单】知会生产线组长或课长提出相应对策改善。

检验规范SMD固晶检验规范REV 版本 BPAGE页码 2 of 3项次检验项目判定基准图示缺陷等级1 晶粒翻转晶粒之电极区未水平朝上CR2 错固晶粒型号用错CR3 混产品不同规格之产品混放在一起CR4 漏固晶片固晶位置无晶粒CR5 银胶短路固晶区与金线或金线与金线之间沾有银胶造成短路CR6 晶粒沾胶晶粒焊接区及发光区不得有银胶(或绝缘胶)附着CR7 晶粒倾斜晶粒固晶后不可倾斜MA8 晶片浮动晶片与支架底部有浮动等现象MA9 晶粒破损晶粒破损面积超过1/5颗晶粒MA检验规范SMD固晶检验规范REV 版本 BPAGE页码 3 of 313 数量不符实物数量与流程单上数量不符MI14 晶粒偏移晶粒偏离固晶中心位的1/2距离MI15 胶量过多绝缘胶高于1/4晶粒高度银胶高于1/2晶粒高度MA16 胶量过少绝缘胶晶粒底部部分缺胶银胶低于1/3晶粒高度MA17 漏点胶固晶区域未点胶CR18 杂物支架杯底及白盖上有杂物MI19固晶烤后检测烤干推力≥160g CR20 烤干后固晶胶有扩散不良MA21 原物料晶片/支架/固晶胶,型号及规格与工单不符CR22 晶片电极刮伤、氧化,电极表面颜色不一致CR晶片排列混乱、翻到CR23 支架污染、变色、变形、松颗、功能区不平整、破损MA24 固晶胶固晶胶干枯、变色、沉淀、未搅拌、未解冻、过期、解冻时间不够CR25 烘烤要求烘烤时间、温度未按规格要求CR固好晶材料在2H内必须进烤CR。

固体无机物的检测标准

固体无机物的检测标准

固体无机物的检测标准
固体无机物的检测标准通常包括以下几个方面:
1. 外观检查:检查样品的颜色、形状、透明度等外观特征,确定样品是否符合规定要求。

2. 成分分析:通过化学分析等方法,确定样品的主要元素组成及其含量。

3. 纯度检测:通过比色、滴定、重量法等方法,确定样品的纯度,即非目标成分或杂质的含量。

4. 结晶形态:通过显微镜观察样品的晶体形态,确定其结晶性质和形貌。

5. 物理性质:测试样品的密度、硬度、熔点、熔融性等物理性质,以确定其品质和用途。

6. 溶解性检测:测定样品在不同溶剂中的溶解度,以评估其溶解性和溶解度规律。

7. 化学性质:测定样品在不同条件下的化学反应性质,如酸碱性、氧化性等,以评估其化学性质和安全性。

这些检测标准通常由国家或行业标准制定和监管机构制定,以确保固体无机物的质量和安全性能。

具体的检测标准会根据不同的无机物种类和用途而有所差异。

WI-QC-026 固晶站检验标准B0

WI-QC-026 固晶站检验标准B0
芯片偏出固晶位 置或与固焊图要 求位置不符
旋转
芯片未与固晶位 平行
不可有
MA
显微 镜
不可有 参考固焊图
CR
显微 镜
显微 MA 镜
与标准固焊图方向 相比不可超过+30 MI 度角
显微 镜
※ 管制文件 禁止翻印 ※
宏齐光电子(深圳)有限公司
HARVATEK OPTO ELECTRONICS(SHENZHEN)CO,.LTD
验标准
A.1
修改文件编号
B.0
林维正 林维正 冯俊
审核 施海 施海 冯俊
制订人 冯田 冯田 何瑞炯
※ 管制文件 禁止翻印 ※
宏齐光电子(深圳)有限公司
HARVATEK OPTO ELECTRONICS(SHENZHEN)CO,.LTD
固晶站检验标准
表单编号:WI-QC-026 版次 B.0 页次 2 OF 5
4. 原材料: 4.1、晶片 4.2、基材(PCB 或支架) 4.3、银胶(或绝缘胶)
生效日期 2017.3.1 批 准
冯俊
审核
冯俊
制定
何瑞炯
※ 管制文件 禁止翻印 ※
宏齐光电子(深圳)有限公司
HARVATEK OPTO ELECTRONICS(SHENZHEN)CO,.LTD
固晶站检验标准
表单编号:WI-QC-026 版次 B.0 页次 3 OF 5
MA
推力≥120g
4. 15mil 以上芯片
推力≥150g
推力 计
※ 管制文件 禁止翻印 ※
检验项目 不良描述
电极伤
晶片电极刮伤或 擦伤
固晶推力 烘烤后固晶推力 不足
固晶站检验标准

固晶品质标准

固晶品质标准

晶片翻倒NG 晶片侧面沾胶NG 保持焊垫和晶片表面不沾胶晶片不能偏离碗杯
中间位置,碗壁不能沾
胶.OK
晶片倾斜角度不能
大于5ºNG
品质标准固晶画面固晶规范
拟案: 陈 勇核准:制定日期:2010年11月1
制定部门:品保部
文件编号:JD-QC-11
固晶站作业检验标准判定晶片任意面银胶高度
1/3T≤H≤2/5T且晶片
必须四面包胶(H为银
胶高度,T为晶片高
度)。

OK
版次: 1/4
拟案: 陈 勇文件编号:JD-QC-12核准:品质标准固晶画面固晶规范判定制定日期:2010年11月1
固晶站作业检验标准版次: 2/4制定部门:品保部
晶片和焊点上沾有银胶NG
银胶高度不能低于1/3T NG
银胶过多,已经
超过2/5T NG
晶片没有固在
胶体中心NG
晶片一侧面的底部
没有银胶
NG
拟案: 陈 勇文件编号:JD-QC-13核准:品质标准固晶画面固晶规范判定制定日期:2010年11月1
固晶站作业检验标准版次: 3/4制定部门:品保部
晶片破损面积已超过
1/5NG
支架错位NG
银胶高度已高于2/5T
超过晶片的PN结NG
一焊沾胶NG
二焊沾胶
NG
碗壁沾胶NG 胶点在碗杯底中心OK 支架沾胶NG
点胶点偏NG
点胶标准
画面点胶规范判定胶量过多NG
制定日期:2010年11月1
固晶站作业检验标准版次: 4/4制定部门:品保部
拟案: 陈 勇文件编号:JD-QC-14
核准:。

固晶检验标准

固晶检验标准
<1/3晶粒宽度
MI
晶粒中心与碗底中心偏移>1/3晶粒宽度
MA
旋转
晶粒水平旋转大于5°
MA
悬浮
晶粒未与支架碗底紧密接触,间隙大于1/4晶粒高度
MA
倾斜
晶粒底部至少一边未与支架碗底紧密接触,所成夹角小于3°<θ≤5°
MI
夹角大于5°
MA
编制
审核
批准
发光二极管固晶检验标准
文件编号
FJSW—WI085
版本/版次
显微镜、镊子、针笔
4.检验规则:
4.1批的组成:由同一作业员在同一班次所作业的同一机种、同一批号,并按规定数量(具体
规定见表一(《固晶检验的批量要求》)放置于同一转料盘中的材料,即可组成一个检验批。
由同一作业员作业的每个班次的最后一盘或每个批号的最后一盘如数量不够规定要求,也
可组成一个检验批。
4.2检验顺序:先全检项目,后抽检项目。
MA
——
支架杂物
支架阴阳极端面及侧面有杂物
MI
——
支架变形
支架严重变形>5°
MA
——
支架轻微变形<5°
MI
编制
审核
批准
发光二极管固晶检验标准
文件编号
FJSW—WI085
版本/版次
A/0
页次
5-4
五、检验规格:
检验项目
规格说明
判定
图示
外观检验
晶粒倒置
晶粒焊线点朝下
CR
晶粒倾倒
晶粒焊线点朝侧面
CR
位偏
1/4晶粒宽度<晶粒中心与碗底中心偏移
分别进行判定,只有某个检验批的全检部分和抽检部分均判为合格时,该批才能判为合格,

固晶检验规范

固晶检验规范
1目的
规范固晶站品质检验规格
2范围
适用于公司所有产品的固晶检验
3定义

4权责
IPQC:品质检验及品质记录
5内容
5.1抽样计划及允收标准
按10%的比例来抽检,不良率高于工序流程单上的不良率时,给予退货并开立品质异常单。
如经常发生品质异常或品质不稳定可以加严或全检。
备注:不同作业员不得合批检验。
5.2.检验项目:
13、错固
晶粒反固(底部朝上)或固于非指定位置
14、银胶/绝缘胶过高
1、(发光颜色红色晶粒)银胶高度超过晶粒高度的2/3
2、(发光颜色绿色、蓝色晶粒)绝缘胶高度超过晶粒高度的4/5
15、晶粒倾斜
晶粒底部未与支架相平贴且倾斜量超过晶粒本身宽度1/3
16、晶粒沾胶
晶粒正面或侧面沾胶
17、晶粒靠边
晶粒不在支架杯子中间,太靠近杯缘
18、晶粒破损
晶粒有破损、龟裂、刮伤、铝垫遗失等现象
19、晶粒暗崩
晶粒任一面龟裂(含晶粒内部)
20、铝垫发黑
以显微镜可看到铝垫有黑点
21、晶粒移位
晶粒脱离银胶或绝缘胶
99、其它
如有新的不良项目再微镜
5.2.2镊子
5.2.3刺针
6参考文件
6.1检验与试验控制程序
8、银胶短路
1.晶粒表面沾胶与底部银胶相连接
2.晶粒铝垫与切割道有银胶相连接
9、晶粒翻转
晶粒背面或侧面朝上
10、漏固
1、固晶区内有银胶/绝缘胶无晶粒且无固晶痕迹者
2、无晶粒亦无银胶/绝缘胶者
11、掉晶粒
固晶区内银胶上有固晶痕迹但无晶粒
12、位置不当
晶粒未100%固在支架上,且超出部份大于晶粒边长的1/2

252SMD固晶制程检验规范

252SMD固晶制程检验规范
文件名称: SMD 固晶制程检验规范 文件编号:
版本: A 版次: A0
页次:
1/5
生效日期: 2006-09-20
1.范 围:已固晶之半成品(SMD)。 2.使用设备:显微镜﹑镊子、推力计。 3.检验方式:以“片”为单位进行抽检。 4.检验项目:标示检查、外观检查、特性检查。 5.抽样计划(1)每 2 小时抽检 3 片的数量进行外观检查。 (2).特性检查:特性检查以机台进行抽样,要求每台机每批材料抽 5PCS 做芯片推 力试验,做完试验的材料需夹芯片处理。 6.判定标准:(1).外观检查: 不良率出现在 P 管制图以下(a)-(e)异常情形则开立“制程矫正措施 单”且追溯前 2 小时之批量材料再 Q 检,Q 检不良率在(a)-(e)情形, 则将此两批材料全数退回生产线重工全检. (a)点超出管制上限. (b)点落在 P 管制上限线上时. (c)连续 7 点落在中心线之上或之下. (d)连续 7 点上升或下降. (e)任何其它明显非随机的图形. 芯片暗裂,芯片固重,混料有 1PCS 不良时,生产线停机调整,IPQC 开立 “制程矫正措施单”IPQC 追溯前 2 小时材料抽检,生产线须对前 2 小时材 料进行全检,超过 1%(含)则整批材料(含 2 小时材料)报废。 (2).特性检查: 1PCS(含)以上不良时,该烤箱所烘烤之半成品须再烘烤 1 小时后重做推力. a.重检推力普通芯片不足 50g,PTR 芯片不足 250g,则开立 “制程矫正措 施单”,材料作报废处理. b.重检推力 OK,而断点在 A 点,需重做一次,若结果仍是如此,则开立制程矫正措 施单,并把其处理结果写于制程矫正措施单备注栏。 7.记录:(1)外观检查结果记录于固晶检验表上. (2)特性检查之结果记录于芯片推力记录表上。 8.其它 P 管制图界限的设定. CL 中心线设定=∑r(总不良个数)/ ∑n(总检查个数) UCL(管制上限)设定= P

LAMP固晶检验规范

LAMP固晶检验规范

检验标准LAMP固晶检验规范文件编号REV 版本 BPAGE页码 1 of 41. 目的为公司LAMP产品固晶生产之半成品提供检验依据,确保产品质量,特制定本规范。

2. 适用范围固晶站半成品。

3. 检验方法按《MIL—STD—105E II抽样计划检验》,特殊除外。

4. 辅助器具4.1 显微镜;4.2 镊子;4.3 针笔;4.4 Dage4000推拉力计。

5. 流程图检验标准LAMP固晶检验规范文件编号REV 版本 BPAGE页码 2 of 46. 流程说明6.1 生产线作业员首先进行首件制作并确认OK后填写【首件确认单】。

6.2 作业员通知IPQC首件检验,OK则继续作业,NG则调机改善。

6.3 制程IPQC依《LAMP固晶检验规范》进行不定时抽验,并每2H将检验结果记录在报表上。

6.4 合格品则在流程单上签名确认流入下一工序,不合格品则退回作业员返修,返工完毕由IPQC重新抽检,合格后方可流入下一工序。

6.5 IPQC每班需作4次以上的推力测试,对每台机所固产品各抽1片,测5个点的推力,如有不符合标准之现象,则要求作业员停机调整直至OK为止。

6.6 第一次抽检NG则退回产线重工,同一作业员同一机台或同一型号连续二次抽检NG则开立【制程异常处理单】知会生产线组长或课长提出相应对策改善。

6.7 IPQC需不定时进行产线巡检,巡检内容包括机台保养、温湿度记录、5S及车间纪律。

7. 检验项目项次检验项目判定基准图示缺陷等级1 混产品不同规格型号之产品混在一起CR2 晶片破损晶片裂纹(不可向晶片深处发展):横向裂纹及破损:大于晶片面积的1/5为NG;纵向裂纹及破损:大于晶片高度的1/5为NGCR3 电极破损晶片电极正负极有破损为NG;CR4 晶片倾斜晶片轴向垂直于支架碗杯内,偏移角度a>5°为NGCR检验标准LAMP固晶检验规范文件编号REV 版本 BPAGE页码 3 of 45 沾胶晶片表面沾胶为NG CR6 位置偏移晶片位置偏出要求范围;固晶位置不得偏离1/2个晶片面积距离MA7 晶片翻转晶片电极不在正面,NG CR8 包胶不均晶片应四面有银胶,少于三面有银胶为少胶;判定为NG(双电极晶片推力须符合要求)CR9 晶片脱落漏固固晶后,晶片脱落,无晶片,NG MI10 数量不符实物数量与流程单上数量不符MI11 晶片重叠晶片重叠、并固在一起MA检验标准LAMP固晶检验规范文件编号REV 版本 BPAGE页码 4 of 414 推力不足用推力计对准已烘烤后晶片的侧面,晶片连胶拔起,且支架固晶位无残胶,推绝缘胶/银胶推力计数值若低于100g则NG。

LED固晶胶、封装胶特性检验方法(中文)(精)

LED固晶胶、封装胶特性检验方法(中文)(精)

外观试验3TS-201-021.目的:本试验方法,根据试料外观的状态使用glass板,通过目测的观察方法制定。

2.试验装置及器具(1glass板...钠玻璃(窗玻璃用无色透明,尺寸:2.0x50x100mm(2玻璃棒...试验用玻璃棒无色透明尺寸:6¢X200mm3.试验试料的状态调节,试验温度及湿度(1试验试料,作为原则,试验前调节到标准状态(3TS-105-01。

(2作为原则,以标准状态(3TS-105-01在室内进行。

4.操作:(1为了使试验试料不产生不均,用玻璃棒搅拌。

(2把试验试料1~2g的玻璃板上薄薄的均一涂布。

(3用肉眼直接确认以下项目a色相b均一性c异物混入的有无d凝胶化的有无,等5.报告:(1试料名(2试验数(通常为n=1(3环境条件(有指定的情况下(4观察结果,表示方法a色相...用颜色的属性表示,(例红色,透明的蓝色b均一性...用是否均一,或是否分散来表示c异物混入的有无...用有、无表示d凝胶化的有无...用有、无表示备注:根据试料的制品规格,规定观察项目及表示方法时,把该项目作为观察的对象,表示试验结果。

粘度测定(BH型1.目的:本试验方法,是根据使用BH型粘度计测定粘度的方法制定的。

2.试验装置及器具(1 单一圆筒旋转粘度计...图1为其1例(测试范围:50-2000000mPa.s(1mPa.s=1cP(2 试验用容器...内径80以上,深度120mm以上的烧杯或者和这个同等形状的物品。

(3 秒表...刻度0.2秒以下(4 温度计...与JIS B 7410(石油类试验用glass制温度计相当的物品(5 恒温水槽...可以均一保持试料的试验温度的物品3.试验试料的状态调节,试验温度及湿度(1试验试料,试验前采取液深100mm以上于容器,静置。

(2试验试料,作为试验前的原则,把温度调节到25±1℃。

并且,根据当事人间的协定即使变更了测定时的试验试料的温度,也不会有干涉。

相关主题
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
显微镜、镊子、针笔
4.检验规则:
4.1批的组成:由同一作业员在同一班次所作业的同一机种、同一批号,并按规定数量(具体
规定见表一(《固晶检验的批量要求》)放置于同一转料盘中的材料,即可组成一个检验批。
由同一作业员作业的每个班次的最后一盘或每个批号的最后一盘如数量不够规定要求,也
可组成一个检验批。
4.2检验顺序:先全检项目,后抽检项目。
200
1,2
3,4
10,11
10,11
3201~10000
315
2,3
5,6
14,15
14,15
10001~35000
500
3,4
7,8
21,22
21,22
35001~150000
800
5,6
10,11
21,22
21,22
150001~500000
1250
7,8
14,15
21,22
21,22
≥500001
2000
10,11
21,22
21,22
21,22
编制
审核
批准
发光二极管固晶检验标准
文件编号
FJSW—WI085
版本/版次
A/0
页次
5-3
五、检验规格:
检验项目
规格说明
判定
图示




资料不明
无流程单或流程单上缺机种、数量、日期、工号的标注
CR
——
资料不符
支架、晶粒、型号与流程单不符
CR
——
外观检验
混料
发光二极管固晶检验标准
文件编号
FJSW—WI085
版本/版次
A/0
页次
5-1
1.适用范围:
本标准适用于发光二极管固晶工序的检验。
2.检验项目:
资料检验、外观检验两大类共27个项目。其中,资料检验全检,外观检验的混料、漏固两
个项目全检,其它项目抽检。全检采用目测方式,抽检在显微镜下进行。
3.设备、仪器及工具:
MA
——
支架杂物
支架阴阳极端面及侧面有杂物
MI
——
支架变形
支架严重变形>5°
MA
——
支架轻微变形<5°
MI
编制
审核
批准
发光二极管固晶检验标准
文件编号
FJSW—WI085
版本/版次
A/0
页次
5-4
五、检验规格:
检验项目
规格说明
判定
图示
外观检验
晶粒倒置
晶粒焊线点朝下
CR
晶粒倾倒
晶粒焊线点朝侧面
CR
位偏
1/4晶粒宽度<晶粒中心与碗底中心偏移
混有其它机种的材料
CR
——
漏固
固晶区点过银胶,但无晶粒,也无固晶痕迹
CR
——
支架固晶区无晶粒也无点银胶痕迹
CR
——
脱落
固晶点无晶粒,但有固晶痕迹
CR
——
错固
晶粒型号错误
CR
——
多固
固晶位上有多余晶粒
CR
——
支架沾胶
支架阴阳表面沾有银胶
MA
——
混晶
同一条支架混有两种或两种以上的晶粒
CR
——
支架变色
支架有明显易见发黄
MA
银胶胶量不符要求
银胶过多,任一侧面的银胶超过高度的1/2
MA
银胶过少,应四面有胶,至少三面银胶不低于1/4
MA
焊垫残缺
焊垫残缺范围超过垫极的50%
MA
侧面沾胶
超过晶粒高度1/2以上部位沾有银胶
MI
表面沾胶
晶粒表面沾有银胶
MA
编制
审核
批准
分别进行判定,只有某个检验批的全检部分和抽检部分均判为合格时,该批才能判为合格,
否则,为不合格。
5.允收水准:
致命缺陷CR:0.25
主要缺陷MA:0.65
次要缺陷MI:2.5
编制
审核
批准
发光二极管固晶检验标准
文件编号
FJSW—WI085
版本/版次
A/0
页次
5-2
表一:固晶检验的批量要求
支架
发光二极管
<1/3晶粒宽度
MI
晶粒中心与碗底中心偏移>1/3晶粒宽度
MA
旋转
晶粒水平旋转大于5°
MA
悬浮
晶粒未与支架碗底紧密接触,间隙大于1/4晶粒高度
MA
倾斜
晶粒底部至少一边未与支架碗底紧密接触,所成夹角小于3°<θ≤5°
MI
夹角大于5°
MA
编制
审核
批准
发光二极管固晶检验标准
文件编号
FJSW—WI085
版本/版次
4.3抽样:抽检项目根据《固晶检验抽样/判定表》(表二)抽样。
4.4检查:将待检材料按检验规格进行检查,并分别累计全检部分和抽检部分各类不合格品
的数量以作为判定依据,不合格品以晶粒为计数单位,一个晶粒同时有几种不合格,仍
记为一个不合格品。检验材料的不合格品由QC退回作业员返修。
4.5判定:同一检验批的全检部分和抽检部分根据检查结果与《固晶检验抽样/判定表》(表二)
2003
2004
批量(K)
20
20
表二:固晶检验抽样/判定表
批量范围(PCS)
抽检样本数(PCS)
抽检判定数(ea)
CR0.25
MA0.65
MI2.5
累计2.5
1~150
全检
0,1
1,2
2,3
2,3
151~500
80
0,1
1,2
5,6
5,6
501~1200
125
0,1
2,3
7,8
7,8
1201~3200
A/0
页次
5-5
五、检验规格:
检验项目
规格说明
判定
图示
外观检验
晶粒破损
晶粒破损面积≤1/5晶粒宽度且有残屑
MI
晶粒破损面积超过1/5晶粒宽度
MA
晶粒崩裂
晶粒有明显可见的裂缝
CR
焊垫氧化
焊垫表面氧化变色,且氧化范围超过1/2
CR
晶粒有不良标记
晶粒上有不良标记,如红点、黑点
MA
银胶变质
银胶变质或搅拌不均,出现散胶
相关文档
最新文档