氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算

氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算
刘战辉;修向前;张荣;谢自力;颜怀跃;施毅;顾书林;韩平;郑有炓
【期刊名称】《半导体技术》
【年(卷),期】2008(0)S1
【摘要】采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延(HVPE)法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。

首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现在HVPEGaN贯通位错占主导地位。

由腐蚀后形成的腐蚀坑数量可以直接来确定膜中的位错密度。

此外,研究了用特定的X射线衍射峰半峰宽数据计算得到位错密度的方法。

结果表明,HVPE生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度为109～1010cm-2,而且两种方法所得到的结果相符合。

【总页数】4页(P190-192)
【关键词】位错;氮化镓;氢化物气相外延;X射线衍射
【作者】刘战辉;修向前;张荣;谢自力;颜怀跃;施毅;顾书林;韩平;郑有炓
【作者单位】南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室;南京信息工程大学数理学院
【正文语种】中文
【中图分类】O474
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