MEMS标准规定工艺处理介绍
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溅射Al 光刻（3＃掩模版 正版） 刻蚀Al ICP刻蚀Si，释放结构
结构层：
最大两端固定梁长度2000 µm 最大悬臂梁长度800 µm
பைடு நூலகம்
体硅工艺II---定义键合区
光刻（1#掩模版 正版） 刻蚀浅槽（4µm ）
RIE 或 KOH
体硅工艺II---浓硼扩散
浓硼扩散，定义结构层
下电极层： 最小宽度：5µm
表面工艺---牺牲层
淀积PSG(2µm) 光刻（2#掩模版 负版） 刻蚀PSG（2000Å）
表面工艺---牺牲层
淀积PSG(2µm) 光刻（2#掩模版 负版） 刻蚀PSG（2000Å）
凸点层： 最小宽度：3µm 最小间距：30µm
表面工艺---刻蚀支撑点
体硅工艺II---结构释放
EDP腐蚀（自停止）
表面工艺---下层电极
淀积氧化硅（3000Å） 淀积氮化硅（2000Å） 淀积多晶硅（3000Å） 光刻（1＃掩模版 正版） 刻蚀多晶硅
表面工艺---下层电极
淀积氧化硅（3000Å） 淀积氮化硅（2000Å） 淀积多晶硅（3000Å） 光刻（1＃掩模版 正版） 刻蚀多晶硅
光刻（2#掩模版负版） 刻蚀PSG
表面工艺---刻蚀支撑点
光刻（2#掩模版负版） 刻蚀PSG
支撑层： 最小宽度：4µm
表面工艺---淀积多晶硅
淀积多晶硅（2 µm） 应力调整
表面工艺---刻蚀多晶硅
光刻（4#掩模版 正版） 刻蚀多晶硅
表面工艺---刻蚀多晶硅
光刻（4#掩模版 正版） 刻蚀多晶硅
光刻（2＃掩模版 负版 ）
腐蚀玻璃形成浅槽（1200Å） 金属电极：
溅射Ti/Pt/Au 剥离形成金属电极
最小宽度10µm 最小间距10µm
体硅工艺I---硅/玻璃阳极键合
双面对准 键合误差5µm
体硅工艺I---硅片减薄
减薄（80－100µm）
KOH腐蚀 机械减薄
扩散深度15－20µm
体硅工艺II---ICP刻蚀
光刻（2#掩模版 正版） ICP刻蚀，预释放结构
体硅工艺II---形成金属电极
光刻（3＃掩模版 负版 ） 腐蚀玻璃形成浅槽（1200Å） 溅射Ti/Pt/Au 剥离形成金属电极
体硅工艺II---键合
键合 划片
结构层： 最小梁宽度 2µm 最小梁间距 2µm
表面工艺---刻蚀多晶硅
光刻（4#掩模版 正版） 刻蚀多晶硅
结构层：
最大两端固定梁长度: 800 µm
最大悬臂梁长度:300 µm
表面工艺---释放结构
牺牲层腐蚀 防粘附处理
结束
MEMS标准工艺介绍
北京大学微电子所 2001年12月13日
主要内容
体硅工艺I 体硅工艺II 表面工艺
体硅工艺I---定义键合区
光刻（1#掩模版 正版） 刻蚀浅槽（4µm ）
RIE 或 KOH
体硅工艺I---定义键合区
光刻（1#掩模版 正版） 刻蚀浅槽（4µm ）
玻璃面划片
体硅工艺I---ICP刻蚀
溅射Al 光刻（3＃掩模版 正版） 刻蚀Al ICP刻蚀Si，释放结构
体硅工艺I---ICP刻蚀
溅射Al 光刻（3＃掩模版 正版） 刻蚀Al ICP刻蚀Si，释放结构
结构层： 最小宽度：43µm 最小间距：3µm
体硅工艺I---ICP刻蚀
RIE 或 KOH
键合层： 最小尺寸：100µm
版图镜向
体硅工艺I---扩散掺杂
离子注入，形成接触区 用于轻掺杂衬底
体硅工艺I---形成金属电极
光刻（2＃掩模版 负版 ） 腐蚀玻璃形成浅槽（1200Å） 溅射Ti/Pt/Au 剥离形成金属电极
体硅工艺I---形成金属电极