二极管命名规则

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二极管型号及含义

二极管型号及含义•分享•转载•复制地址•转发到微博揉綮嗜谁 2011年03月21日 20:05 阅读(2) 评论(0) 分类：个人日记•举报•字体：中▼o小o中o大国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分，各部分的含义见下表。

第一部分用数字“2”表示主称为二极管。

第二部分用字母表示二极管的材料与极性。

第三部分用字母表示二极管的类别。

第四部分用数字表示序号。

第五部分用字母表示二极管的规格号。

第一部分：主称第二部分：材料与极性第三部分：类别第四部分：序号第五部分：规格号数字含义字母含义字母含义用数字表示同一类别产品序号用字母表示产品规格、档次2二极管AN型锗材料P小信号管（普通管）W电压调整管和电压基准管（稳压管）L整流堆BP型锗材料N阻尼管Z整流管U光电管CN型硅材料K开关管B或C变容管V混频检波管DP型硅材料JD激光管S遂道管CM磁敏管E化合物材料H恒流管Y体效应管EF发光二极管例如：2AP9(N型锗材料普通二极管2CW56(N型硅材料稳压二极管)2——二极管2——二极管A——N型锗材料C——N型硅材料P——普通型W——稳压管9——序号56——序号按用途分类：整流二极管系列(34)二极管(44400)稳压二极管系列(27737)触发二极管系列(2)开关二极管系列(9)检波二极管系列(22)变容二极管系列(24532)双向二极管系列(5)瞬态电压吸收二极管系列(222)发光二极管系列(62)快恢复整流二极管系列(56)汽车整流二极管系列(9)高效整流二极管系列(19)光敏二极管系列(3)整流桥系列(137)圆珠快速二极管系列(1)变阻二极管(3941)硅整流二极管系列(23885)碰撞雪崩渡越时间二极管(1010)锗二极管与硒二极管(476)隧道二极管(319)稳流二极管(396)U段与微波段混频二极管(3729)U段与微波段检波二极管(995)二极管阵列(599)瞬变抑制二极管(14792)硅微波二极管(44400)贴片二极管(44400)（二）国产三极管的型号命名方法国产三极管的型号命名由五部分组成，各部分的含义见下表。

二极管命名规则

各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分组成;五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目;2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性;表示二极管时：A-N 型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料;表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料;第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型;P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管F<3MHz,Pc<1W、G-高频小功率管f>3MHz,Pc<1W、D -低频大功率管f<3MHz,Pc>1W、A-高频大功率管f>3MHz,Pc>1W、T-半导体晶闸管可控整流器、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件;第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成;通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型;0-光电即光敏二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推;第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志;S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件;第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型;A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅;第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大,越是近期产品;第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志;A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品;3、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱;美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型;JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、无-非军用品;第二部分：用数字表示pn结数目;1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件;第三部分：美国电子工业协会EIA注册标志;N-该器件已在美国电子工业协会EIA注册登记;第四部分：美国电子工业协会登记顺序号;多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号;第五部分：用字母表示器件分档;A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别;如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档;4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法;这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料;A-器件使用材料的禁带宽度Eg=~如锗、B-器件使用材料的Eg=~如硅、C -器件使用材料的Eg>如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征;A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管;第三部分：用数字或字母加数字表示登记号;三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号;第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档;A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志;除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类;常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀;其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值;2、整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特;3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值;如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管;5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法欧洲有些国家,如德国、荷兰采用如下命名方法;第一部分：O-表示半导体器件第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件;第三部分：多位数字-表示器件的登记序号;第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品; 俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少,在此不介绍;。

二极管命名规则

各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。

五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料与极性。

表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。

第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其她器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其她器件、┄┄依此类推。

第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。

中国二极管命名规则

中国二极管命名规则全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：中国二极管的命名规则在国际上是共通的，但因为两国的历史和文化背景不同，在命名上也存在少许的差异。

而中国对于二极管的命名规则还是比较独特的，下面就让我们来详细了解一下中国二极管的命名规则。

在中国，二极管通常是按照其用途、特性和封装形式来命名的。

一般来说，二极管的命名是根据其类型、封装和特性来确定的，其中常见的类型有整流二极管、开关二极管、稳压二极管等。

我们来看一下整流二极管的命名规则。

在整流二极管的命名中，通常会包含型号和封装形式两部分。

型号部分通常是以字母或数字来表示，而封装形式则是用字母或数字来表示，比如1N4007，其中1N 表示整流二极管，而4007则表示其具体型号。

除了整流二极管外，开关二极管的命名规则也比较常见。

在开关二极管的命名中，通常会包含P、N或S等标志，用来表示其极性。

比如P600，其中P表示正型，而600代表具体的型号。

开关二极管的命名规则也是按照其电流和功率等特性来确定的。

稳压二极管也是比较常见的一种二极管类型。

稳压二极管通常会包含Z开头的标志，用来表示其稳压特性。

比如Zener二极管，其命名规则通常是以字母Z开头，后面跟上具体的型号。

而在具体型号中，通常会包含其稳压特点和电压等信息。

从以上的介绍可以看出，中国二极管的命名规则是比较简单清晰的。

通过型号和封装形式的结合，可以很方便地确定二极管的种类和具体特性。

中国二极管的命名规则也比较容易理解和记忆，适合广泛的应用场景。

中国二极管的命名规则虽然有些不同于国际标准，但仍然能够满足实际需求。

通过了解和掌握中国二极管的命名规则，可以更好地选择和使用合适的二极管，从而提高电子产品的性能和可靠性。

希望以上介绍能够帮助大家更好地理解中国二极管的命名规则，为实际应用提供帮助。

第二篇示例：中国二极管的命名规则是指在二极管的命名中所遵循的一系列规则和约定。

二极管是一种常用的半导体器件，用于电子电路中的整流、开关、放大等功能。

esd命名规则

esd命名规则
ESD（Electro Static Discharge）二极管型号的命名规则因不同的厂家而异，但一般来说，都包含以下几个部分：
1. 生产厂家：例如“UN”代表的是优恩半导体公司，“DW”代表的是东
沃DOWO的缩写。

2. 工作电压：表示ESD二极管的工作电压。

3. 保护线路数：如“D”表示单路，“M”表示多路。

4. 电容类型：例如“LC”表示低电容，“UC”表示超低电容，“NC”表示常规电容，“HC”表示高电容。

5. 极性：如“B”表示单向，“U”表示双向。

6. 功率等级：如“S”表示功率150W以上，“E”表示功率150W以下。

此外，部分ESD二极管型号还会包含误差、封装、系列类型等参数，例如
优恩半导体的压敏类UN0603ML080M中，0603表示封装，ML表示系列类型，080是压敏电压，M代表误差。

请注意，每个生产厂家的命名规则都可能存在差异，因此最终还是需要参照产品规格书中的各项参数。

二极管命名规则

各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

二极管的型号命名规定

二极管的型号命名规定由五个部分组成晶体二极管的分类一、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。

与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。

包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。

因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。

但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。

因为构造简单，所以价格便宜。

对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。

2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。

其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。

与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。

多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。

在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。

3、合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。

正向电压降小，适于大电流整流。

因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。

4、扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。

因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。

最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

5、台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。

其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。

初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。

因此，又把这种台面型称为扩散台面型。

对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。

6、平面型二极管在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。

二极管命名规则(终审稿)

二极管命名规则公司内部档案编码：[OPPTR-OPPT28-OPPTL98-OPPNN08]各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

二极管型号命名方法

二极管的型号命名规定由五个部分组成晶体二极管的分类一、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。

与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。

因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。

但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。

因为构造简单，所以价格便宜。

对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。

2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。

其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。

与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。

多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。

在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。

3、合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。

正向电压降小，适于大电流整流。

因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。

4、扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。

因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。

最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。

其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。

初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。

因此，又把这种台面型称为扩散台面型。

对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。

二极管命名规则

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

二极管与三极管的命名以及辨别

• 第一部分：主称 • 2：二极管 • 第二部分：材料与极性 • A：N型锗材料，B：P型锗材料， • C：N型硅材料，D：P型硅材料 • E：化合物材料
• 第三部分：类别 • P：小信号管（普通管）， W：电压调整管和电压基准管
（稳压管），
• N: 阻尼管，Z：整流管，U：光电管， • K：开关管，B或C：变容管， • V：混频检波管，JP：激光管，S：隧道管， • CM：磁敏管，H：恒流管， • Y：体效应管，EF：发光二级管。
• 用万用表欧姆档 • 三极管基极确定后，通过交换表笔两次测量e、
c极间的电阻，如果两次测量的结果应不相等，则其中测得电阻值较小的一次为红表笔接的是 e极，黑表笔接的是c极 • 对于PNP型三极管，方法与NPN管类似，只是红、黑表笔的作用相反。
• 在测量e、c极间电阻时要注意，由于三极管的 V(BR)CEO很小，很容易将发射结击穿。
三极管
• 1、晶体管命名的国际标准 • 2、三极管管脚极性的辨别
第一部分
用字母表示器件使用的材料 • A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗 • B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅 • C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓 • D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟 • E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二ห้องสมุดไป่ตู้分
用字母表示器件的类型及主要特征 A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

中国二极管命名规则

中国二极管的命名规则通常由五个部分组成，具体如下：
1. 主称：用数字“2”表示主称为二极管。

2. 材料与极性：用字母表示二极管的材料与极性，如A代表N 型锗材料，B代表P型锗材料，C代表N型硅材料，D代表P型硅材料，E代表化合物材料。

3. 类别：用字母表示二极管的类别，如P代表小信号管（普通管），W代表电压调整管和电压基准管（稳压管），L代表整流堆，N代表阻尼管，Z代表整流管，U代表光电管，K代表开关管，B或C 代表变容管，V代表混频检波管，JD代表激光管，S代表遂道管，CM 代表磁敏管，H代表恒流管，Y代表体效应管，EF代表发光二极管。

4. 序号：用数字表示同一类别产品序号。

5. 规格号：用字母表示产品规格、档次。

通过这些字母和数字的组合，可以提供关于二极管特性和参数的信息，从而帮助用户快速识别和区分不同类型的二极管。

二极管的命名规则

二极管的命名规则
嘿，你知道二极管的命名规则吗？就好像给人起名字一样，二极管也有它独特的命名方式呢！比如说常见的 1N4007 这个二极管，“1N”代表着它是一种半导体器件，这就好比人的姓氏一样。

然后“4007”呢，那就是它的具体编号啦，就如同人的名字是用来区分不同的个体一样。

在二极管的世界里，命名可是很有讲究的！为什么呢？你想啊，如果没有一个清楚的命名规则，那我们面对那么多种二极管不就晕头转向啦？就像在一个大班级里，如果大家都没有特定的名字，那老师怎么知道该叫谁回答问题呀！
不同的前缀、数字都有着特别的含义呢。

再比如说 BZX84C5V1，这里面的每个部分都有它的作用。

这就如同我们给自己搭配衣服一样，每件衣服的款式、颜色等都有它的意义呀！
所以说呀，二极管的命名规则可不是随便乱来的，那是非常重要的！它能让我们准确地认识和区分不同的二极管。

就像我们通过名字认出不同的人一样方便快捷。

这一点难道不是超级重要的吗？。

二极管的命名方式

二极管的命名方式
二极管命名(国家标准)
国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分：
第一部分用数字“2”表示主称为二极管。

第二部分用字母表示二极管的材料与极性。

第三部分用字母表示二极管的类别。

第四部分用数字表示序号。

第五部分用字母表示二极管的规格号。

第一部分：主称
2：二极管;
第二部分：材料与极性
A：N型锗材料;
B：P型锗材料;
C：N型硅材料;
D：P型硅材料;
E：化合物材料;
第三部分：类别
P：小信号管(普通管);
W：电压调整管和电压基准管(稳压管);
L：整流堆;
N：阻尼管;
Z：整流管;
U：光电管;
K：开关管;
B或C：变容管;
V：混频检波管;
JD：激光管;
S：遂道管;
CM：磁敏管;
H：恒流管;
Y：体效应管;
EF：发光二极管; 第四部分：序号
用数字表示同一类别产品序号; 第五部分：规格号
用字母表示产品规格、档次。

二极管命名规则

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP 型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

二极管命名规则

各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。

五个部分意义如下:第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2—二极管、3—三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性.表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C—N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A—PNP型锗材料、B—NPN 型锗材料、C—PNP型硅材料、D—NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型.P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C—参量管、Z-整流管、L—整流堆、S-隧道管、N—阻尼管、U-光电器件、K—开关管、X—低频小功率管（F<3MHz,Pc<1W)、G—高频小功率管（f〉3MHz，Pc〈1W)、D -低频大功率管(f〈3MHz，Pc〉1W）、A—高频大功率管(f〉3MHz，Pc〉1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器）、Y—体效应器件、B-雪崩管、J—阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH—复合管、PIN-PIN型管、JG—激光器件.第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1—二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3—具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推.第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。

S—表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件.第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型.A—PNP型高频管、B—PNP型低频管、C—NPN型高频管、D—NPN型低频管、F—P控制极可控硅、G—N控制极可控硅、H—N 基极单结晶体管、J—P沟道场效应管、K—N沟道场效应管、M—双向可控硅。

二极管命名规则

二极管命名规则 Revised by Liu Jing on January 12, 2021各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。