电子技术基础1-2

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电子技术基础题库(I_II类题)[1]

电子技术基础题库(I_II类题)[1]

第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1. 杂质半导体有哪些?与本征半导体相比导电性有什么不同?答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种,比本征半导体导电性能增强很多。

2.什么是PN 结?PN 结最基本的特性是什么? 答;P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起,在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。

PN 结最基本的特性是单向导电性。

3. 什么是半导体?半导体有哪些特性?答:导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。

具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。

二、计算题1. 在下图所示电路中,哪一个灯泡不亮?答:b 不亮2.如图所示的电路中,试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件(R ,VD A ,VD B )中通过的电流;(1)U A =U B =0V ;(2)U A =+3V ,U B =0V ;答:(1)V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I (2)D B 导通,D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3. 在下图所示电路中,设二极管是理想二极管,判断各二极管是导通还是截止?并求U AO =?答:a)图中,二极管导通,U AO=-6V;b)图,二极管截止,U AO=-12V;c)图V1导通,V2截止,U AO=0V。

II类题一、简答题1.从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管和锗管有什么区别?答:硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右;硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右;硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。

2.光电二极管和发光二极管有什么区别?答:发光二极管将电信号转化成光信号,工作时加正向电压;光电二极管将光信号转化成电信号,工作时加反向电压。

3.为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大?答:因二极管的非线性。

(工业电气自动化)电子技术基础(二)课程复习题与答案1

(工业电气自动化)电子技术基础(二)课程复习题与答案1

电子技术基础(二)课程复习题及答案一、填空1、本征半导体中有空穴和两种载流子。

自由电子2、半导体有P型和两种类型。

N型3、PN结具有特性。

单向导电4、二极管按结构分有点接触型和接触型。

面5、差动放大电路的电路参数。

对称6、差动放大电路的目的是抑制。

共模信号7、反馈分有正反馈和反馈。

负8、功率放大器按晶体管的工作状态可分为甲类、乙类和功率放大器。

甲乙类9、复合管的类型与组成该复合管的三极管相同。

第一只10、集成功放的内部主要由前置级、中间级和组成。

功率输出级11、集成电路按功能分有数字集成电路和集成电路。

模拟12、过零电压比较器具有极高的。

电压放大倍数13、正弦波振荡器由基本放大电路、、反馈网络和稳幅电路四部分组成。

选频网络14、正弦波振荡器产生自己震荡的条件是有正反馈和。

正反馈量要足够大15、在开关稳压电源中调整管工作于状态。

开关16、逻辑代数又叫代数。

二值布尔17、基本的逻辑运算有逻辑加、逻辑乘、三种。

逻辑非18、卡诺图所有的最小项之和为。

119、数字集成器件民用品标为系列。

7420、集成逻辑门是最基本的。

数字集成器件21、反相器就是实现的器件。

逻辑非22、编码是的逆过程。

译码23、组合逻辑电路的输出状态仅取决于。

当前输入24、最基本的时序逻辑电路有集成计数器、等。

集成寄存器25、计数器按计数步长分有二进制、十进制和。

N进制26、一个触发器可以存放位二进制数。

127、多谐振荡器又称。

方波发生器28、555集成定时器基本应用有多谐振荡器、施密特触发器和。

单稳态触发器29、绝大多数的DAC、ADC均采用工艺。

CMOS30、读写存储简称。

RAM31、只读存储器简称。

ROM二、单选选择题1、在本征半导体中掺入微量的()价元素,形成N型半导体。

DA、二B、三C、四D、五2、在本征半导体中掺入微量的()价元素,形成P型半导体。

BA、二B、三C、四D、五3、在P型半导体中,电子浓度()空穴浓度。

CA、大于B、等于C、小于D、与温度有关4、在本征半导体中,电子浓度()空穴浓度。

电工电子技术基础知识点详解1-2-正弦量的三要素

电工电子技术基础知识点详解1-2-正弦量的三要素

正弦量的三要素正弦量随时间按正弦规律作周期性变化,它与时间的函数关系可以用频率、初相位和最大值三个量表示其基本特征,这三个量称正弦函数的三要素。

因此对于一个正弦量,只有当三要素确定之后,正弦量才是唯一确定的量。

设正弦交流电流)sin(ψω+=t I i m其波形如图1所示。

下面讨论正弦量的三要素。

图1 正弦交流电流波形1.正弦量的三要素(1) 周期、频率、角频率正弦量变化的快慢可以用三种方法表示,它们是周期T 、频率f 、角频率ω 。

周期T :正弦交流量重复变化一周所需的时间称为周期T 。

单位: 秒(s )周期越短,表示交流电变化越快。

频率f :每秒时间内正弦量变化的周期数称为频率f 。

单位: 赫兹 (Hz),1Hz =1/s 。

较高的f 用千赫或兆赫表示。

Hz 10kHz 13= Hz 10MHz 16=频率和周期互为倒数,即Tf 1= fT 1= 我国电力系统交流电的标准频率(简称工频)是50Hz 。

所以s f T 02.01==在其它技术领域里使用各种不同频率的交流电。

如音频是20Hz ~20kHz ;航空工业用的交流电是400Hz ;无线电广播的中波段频率是535kHz 到1650kHz ;电视广播的频率则在几十兆赫到几百兆赫之间。

角频率ω:表示正弦量在1秒钟内所变化的电角度。

单位: 弧度/秒(rad/s )。

f Tπ2π2==ω,s rad T 、f 、ω从不同角度描述了正弦交流量变化的快慢,上式表示三者之间的关系。

当f =5 0Hz 时,rad 3142==f πω。

例4.1 已知电台广播频率kHz 640=f ,试求T 和ω。

解: sf s f T rad 1002.41064014.322μs 56.11056.110640116362⨯=⨯⨯⨯===⨯=⨯==-πω2. 最大值和有效值正弦交流量的大小可用瞬时值、最大值和有效值表示。

瞬时值:正弦交流量在任一瞬间的实际值称瞬时值。

电工电子技术基础知识点详解3-1-2-逻辑代数运算法则

电工电子技术基础知识点详解3-1-2-逻辑代数运算法则

逻辑代数及其运算法则1.逻辑代数逻辑代数又称布尔代数,它是分析与设计逻辑电路的数学工具。

它虽然和普通代数一样也是用字母表示变量,但变量的取值只有“0”和“1”两种,分别称为逻辑“0”和逻辑“1”。

这里的“0”和“1”不再表示数量的大小,而是代表两种相互对立的逻辑状态。

逻辑代数所表示的是逻辑关系,而不是数量关系,这是它与普通代数本质上的区别。

在逻辑代数中只有“与”运算(逻辑乘)、“或”运算(逻辑加)和“非”运算(求反)三种基本运算。

根据三种基本逻辑运算可以导出逻辑运算的一些法则。

2.逻辑代数运算法则(1) 常量与变量的关系自等律 A A =+0 A A =⋅1 0-1律 A A =+1 00=⋅A 互补律 1=+A A 0=⋅A A 重叠律 A A A =+ A A A =⋅ 还原律 A A =(2) 逻辑代数的基本运算法则 交换律 A B B A +=+ A B B A ⋅=⋅结合律 )()(C B A C B A ++=++)()(C B A C B A ⋅⋅=⋅⋅ 分配律 C A B A C B A ⋅+⋅=+⋅)()()()(C A B A C B A +⋅+=⋅+证:BC A BCC B A BC C B A A BC AC AB AA C A B A +=+++=+++=+++=+⋅+)1()()()( 反演律(摩根定律) B A B A ⋅=+证:B A B A +=⋅证:(3) 简化逻辑函数常用公式 (1)A B A A =⋅+ (2)A B A A =+)(证:A B A AB A AB AA B A A =+=+=+=+)1()( (3)AB B A A =++)( (4)B A B A A +=+证:B A AB A B A A ++=+ )(A AB A =+ )(A A B A ++= B A += (5)A B A AB =+ (6)A B A B A =+⋅+)()(证:A A A B B A A B B B A AB AA B A B A =+=++=+++=+⋅+)()()( 利用上述逻辑代数的基本公式,可以对某些逻辑关系式进行运算和化简,这样就可以用较少的逻辑门电路实现同样的逻辑功能,从而帮助我们对各种数字电路进行分析和设计。

电子技术基础(电工Ⅱ)李春茂主编_机械工业出版社_课后习题答案

电子技术基础(电工Ⅱ)李春茂主编_机械工业出版社_课后习题答案

1-9 有 A、B、C 3 只晶体管,测得各管的有关参数与电流如题表 1-2 所示,试填写表中空白的栏目。
表 1-2 题 1-9 表
电流参数
管号
iE / mA iC / mA iB / μA ICBO / μA ICEO / μA
A
1
0.982
18
2
111
0.982
B
0.4
0.397
3
1
132.3 0.99
目录
第一章 双极型半导体器件∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙1 第二章 基本放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙7 第三章 场效应晶体管放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙18 第四章 多级放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙23 第五章 集成运放电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙33 第七章 直流稳压电源∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙46 第九章 数字电路基础知识∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙51 第十章 组合逻辑电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙61 第十一章 时序逻辑电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙73 第十二章 脉冲波形的产生和整形∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙90 第十三章 数/模与模/数转换电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙96

电子技术基础(第二版)前三章习题答案

电子技术基础(第二版)前三章习题答案

第一章1.1 能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.5V 时,管子会因电流过大而烧坏。

1.2已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。

求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

解:U O1=6V ,U O2=5V 。

1.3写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。

(该题与书上略有不同)解:U O1≈1.3V ,U O2=0,U O3≈-1.3V ,U O4≈2V ,U O5≈1.3V ,U O6≈-2V 。

1.5 电路如图P1.5(a )所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b )所示,二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出输出电压u O 的波形,并标出幅值(该题与书上数据不同)解:u O 的波形如解图P1.5所示。

解图P1.51.9电路如图T1.9所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

试问: (1)R b =50k Ω时,u O =? (2)若T 临界饱和,则R b ≈? 解:(1)R b =50k Ω时,基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBEBB B =-=R U V I μAV2mA 6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β所以输出电压U O =U CE =2V 。

1.11电路如图P1.11所示,试问β大于多少时晶体管饱和? 解:取U CES =U BE ,若管子饱和,则Cb C BECC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以,100Cb=≥R R β时,管子饱和。

图1.11 1.12 分别判断图P1.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态第二章2.1试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。

电工电子技术基础知识点详解1-2-基本逻辑门电路

电工电子技术基础知识点详解1-2-基本逻辑门电路

基本逻辑门电路1.基本概念在数字电路中,门电路是最基本的逻辑元件,它的应用极为广泛。

所谓门就是一种开关,它能按照一定的条件去控制数字信号通过或不通过。

门电路的输入信号和输出信号之间存在一定的逻辑关系,所以门电路又称为逻辑门电路。

基本逻辑门电路有与门、或门和非门,逻辑门电路可以用二极管、三极管等分立元件组成,更常用的是集成门电路。

2. 基本逻辑关系逻辑电路的基本逻辑关系有“与逻辑”、“或逻辑”和“非逻辑”。

(1) 与逻辑“与”逻辑是指当决定某件事的几个条件全部具备时,该件事才会发生,这种因果关系称为“与”逻辑关系,实现“与”逻辑关系的电路称为“与”门电路。

例如在图1所示的照明电路中,开关A和B串联,只有当A“与”B同时接通时(条件),电灯才亮(结果),电路具有“与”逻辑功能。

“与”逻辑可用下式表示B=F⋅A图1 “与”门电路举例式中小圆点“.”表示A、B的“与”运算,又称逻辑乘,应用时往往省略“.”。

(2)“或”逻辑“或”逻辑是指当决定某件事的几个条件中,只要有一个条件具备,该件事就会发生,这种因果关系称为“或”逻辑关系,实现“或”逻辑关系的电路称为“或”门电路。

例如在图2所示的照明电路中,开关A和B关联,只要开关A “或”B有一闭合,灯就会亮,所以图2电路具有“或”逻辑功能。

“或”逻辑可用下式表示B=AF+图2 “或”门电路举例式中符号“+”表示A 、B “或”运算,又称逻辑加。

3.“非”逻辑在逻辑关系中,“非”就是否定或相反的意思。

实现“非”逻辑关系的电路称为“非”门电路。

图3所示照明电路中,当开关A 断开(“0”)时,灯亮(“1”);开关A 合上(“1”)时,灯不亮(“0”)。

这表示条件和结果是相反的逻辑关系,这种关系称为“非”逻辑关系,所以图3电路具有“非”逻辑功能。

可写为A F =图3 “非”门电路式中A 上的短横线表示“非”的意思,读作“A 非”或“非A ”。

能够实现逻辑运算的电路称为逻辑门电路。

模拟电子技术基础 课件 01-2讲义(二极管)

模拟电子技术基础  课件 01-2讲义(二极管)

3、稳压管的基本电路
工作区:反向击穿
接法:反接
电阻R的作用:限流
RL代表:负载
RL↓→ IO↑→ IR↑→ VO↓→ IZ↓→ IR↓ VO↑
稳压电路如图所示,直流输入电压VI的电压在12V~13.6V之间。 负载为9V的收音机,当它的音量最大时,需供给的功率为0.5W。 稳压管的VZ=9V,稳定电流IZmin=5mA,额定功率为1W,R=51Ω。 试分析稳压管电路能否正常工作。
工作区:反向偏置
接法:反接
作用:把光信号转换成电信号
◆发光二极管
发光二极管是通过电流时发光的一种器件,这是由于电子与空 穴直接复合而放出能量的结果。发出的光的波长由所使用的基本材 料而定。它的符号如图所示。
工作区:正向偏置
接法:正接 作用:把电信号转换成光信号 主要应用:作为显示器件
作业1-1
I S uD YT iD I D diD gd e duD VT VT VT
五、二极管应用举例
1、限幅电路:它是用来让信号在预置的电平范围内,有选择地传 输一部分。 一限幅电路如图所示,R=1KΩ,VREF=3V。当Ui=6sinωt(V) 时,利用恒压降模型绘出相应的输出电压UO的波形。二极管 的恒压降为0.7V。
由于收音机音量最大时,稳压管流过的电流
I z min I z min
所以稳压管失去了稳压作用。
ห้องสมุดไป่ตู้
◆光电二极管
光电二极管的结构与普通二极管类似,但在它的PN结处,通 过管壳上的一个玻璃窗口能接收外部的光照。这种器件的PN结在反 向偏置状态下运行,它的反向电流随光照度的增加而上升。它的符 号如图所示。
VD = VDD- IDR = 10-0.931×10 = 0.69V

第1章-电子技术基础(第2版)-虞文鹏-清华大学出版社

第1章-电子技术基础(第2版)-虞文鹏-清华大学出版社
在价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子的同时, 在共价键上留下了一个空位,称其为空穴,如图中A处 的价电子跑到B处,而在A处出现了空穴。
本征半导体自由电子、空穴导体基础知识
1.1.2 杂质半导体
在本征半导体中掺入微量有用的杂质,使杂质半导体的导电特性得到极大的改善,并能 加以控制,从而使半导体材料得到广泛的应用。由于掺入的杂质不同,杂质半导体可分为N 型半导体和P型半导体。
本征半导体的结构示意图
半导体器件>>> 1.1 半导体基础知识
在共价键结构中,原子中最外层的8个价电子虽被 束缚在共价键中,但不像绝缘体中
束缚得那样牢固,当本征半导体受到热或光激发 获得一定能量后,价电子即可摆脱原子核的束缚成为 自由电子,温度越高,光照越强,晶体中产生自由电 子数便越多,导电能力就越强。
1.PN结的形成 P区的多子是空穴,N区的多子是自由电子,由于PN结交界处两侧同类载流子浓度(单 位体积内的载流子数)差异极大,形成了高浓度的多子向低浓度的少子一侧的扩散运动,即 图 (a)中,P区的多子空穴向N区扩散,而N区的多子自由电子则向P区扩散。
半导体器件>>> 1.1 半导体基础知识
自由电子和空穴都是载流子,扩散的结果,在交界面P区一侧因失去了空穴而出现了负 离子区,而N区一侧因失去自由电子出现了正离子区。正负离子都被束缚在晶格内不能移动。 于是在交界面两侧形成了正、负空间电荷区。在空间电荷区内可以认为载流子已被“耗尽”, 故又称耗尽区或耗尽层,如图 (b)所示。
杂质半导体结构示意图
半导体器件>>> 1.1 半导体基础知识
2.P型半导体 在本征半导体硅和锗中,掺入微量三价元素如硼,杂质原子取代晶体中某些晶格中的硅 或锗原子,如上图 (b)所示。三价元素的三个价电子与周围四个原子组成共价键时缺少一个 电子而产生了空位。在室温下,价电子几乎能填满杂质元素上的全部空位,由此半导体中产 生了与杂质元素原子数相同的空穴,另外,半导体中同时还有少量的本征激发产生的自由电 子-空穴对。显然,在这类半导体中,空穴数就远大于自由电子数。导电时以空穴为主,故 称空穴型半导体,而空穴带正电(Positive),又称P型半导体。在P型半导体中,空穴为多数 载流子(简称多子),自由电子为少数载流子(简称少子)。

电路与电子技术基础第一章习题答案

电路与电子技术基础第一章习题答案
解:根据电流强度的定义 i = 答:由电路的功率计算公式可知:P=UI,所以 I =
P 1000 = = 4.55A U 220
1-4 某电流表的量程为 10mA.当某电阻两端的电压为 8V 时,通过的电流为 2mA.如 果给这个电阻两端加上 50V 的电压,能否用这个电流表测量通过这个电阻的电流? 解:根据电阻两端压降和流过电阻中的电流,由欧姆定理可以确定电阻的值为: U 8 R= = = 4 ( kΩ ) I 2 × 10 −3 如果给电阻上加 50V 的电压,流过电阻的电流为: 50 U = 12.5 (mA) I= = R 4 × 10 3 电流表的量程为 10mA,也就是允许通过的最大电流为 10mA,显然不能使用该电流表 测量通过流过该电阻的电流。 1-5 在电路中已经定义了电流、电压的实际方向,为什么还要引入参考方向?参考方 向与实际方向有何区别和联系? 答:在求解电路参数时,对于稍微复杂的电路,必须列方程求解,列出方程又必须知 道电流、电压的方向,为此,引入电流、电压参考方向,根据参考方向列出电路方程,利用 方程求出电路参数,若结果为负,表明实际的方向与参考方向相反,若结果为正,表明参考 方向就是实际方向。 1-6 如何计算元件的吸收功率?如何从计算结果判断该元件为有源元件或无源元件? 答:在关联参考方向下: P = UI ;在非关联参考方向下: P = −UI 。在此前提下,当 P>0 时为吸收功率。若 P<0 为有源元件,否则为无源元件。 1-7 标有 10kΩ(称为标称值) 、1/4W(额定功率)的金属膜电阻,若使用在直流电路 中,试问其工作电流和电压不能超过多大数值? 答:因为功率 P =
U2 = I 2R R
工作电流: I < 工作电压: U < 1-8

《电工与电子技术基础》第一章 直流电路

《电工与电子技术基础》第一章  直流电路
14
1—2 电路的基本物理量
1.电流的方向和大小 其中,电流大小和方向都不随
时间而变化的电流,称为稳恒直流 电(见图a);电流大小随时间而呈 周期性变化,但方向不变的电流, 称为脉动直流电(见图b)。若电流 的大小和方向都随时间而变化,则 称其为交变电流,简称交流,用符 号AC表示(见图c)。
15
直流和交流 a)稳恒直流电 b)脉动直流电c)交流电
1—2 电路的基本物理量
2.电流的测量 (1)对交流电流、直流电流
应分别使用交流电流表(或万用表 交流电流挡)、直流电流表(或万 用表直流电流挡)测量。常用直流 电流表如图所示。
常用直流电流表 a)指针式直流电流表 b) 数字式直流电流表
16
1—2 电路的基本物理量
5
1-一例最简单的电路图 2-汽车单线制电路
1—1 电路的基本概念
二、电路图
1.电路原理图 电路原理图简称原理图,它主
要反映电路中各元器件之间的连接 关系,并不考虑各元器件的实际大 小和相互之间的位置关系。例如, 上图1和图2所示电路的原理图如图 所示。
6
上图1和图2所示电路的原理图
1—1 电路的基本概念
2.电流的测量 (2)电流表或万用表必须串
接到被测量的电路中。测量电路如 图所示。
17
直流电流测量电路
1—2 电路的基本物理量
二、电压、电位和电动势
1.电压 电路中有电流流动是电场力做功的结果。电场力将单位正电荷从a
点移到b点所做的功,称为a、b两点间的电压,用Uab表示。电压的单 位为伏特,简称伏(V)。
应分别采用交流电压表(或万用表 交流电压挡)、直流电压表(或万 用表直流电压挡)测量。常用直流 电压表如图所示。

《电子技术基础》数电部分课后习题解答

《电子技术基础》数电部分课后习题解答

数字电子部分习题解答第1章数字逻辑概论1.2.2 将10进值数127、2.718转换为2进制数、16进制数解:(2) (127)D = (1111111)B 此结果由127除2取余直至商为0得到。

= (7F)H 此结果为将每4位2进制数对应1位16进制数得到。

(4) (2.718)D = (10.1011)B 此结果分两步得到:整数部分--除2取余直至商为0得到;小数部分—乘2取整直至满足精度要求.= (2.B)H 此结果为以小数点为界,将每4位2进制数对应1位16进制数得到。

1.4.1 将10进值数127、2.718转换为8421码。

解:(2) (127)D = = (000100100111)(000100100111)8421BCD 此结果为将127中每1位10进制数对应4位8421码得到。

(4) (2.718)D = (0010.0111 0001 1000)8421BCD 此结果为将2.718中每1位10进制数对应4位8421码得到。

第2章逻辑代数2.23 用卡诺图化简下列各式。

解:(4) )12,10,8,4,2,0(),,,(å=m D C B A L D C AB D C B A D C B A D C B A D C B A D C B A +++++=对应卡诺图为: 化简结果: DB DC L +=解:(6) åå+=)15,11,55,3,1()13,9,6,4,2,0(),,,(d m D C B A L 对应卡诺图为: 卡诺图化简原则: 1. 每个圈包围相邻1单元(每个1对应1个最小项)的个数为2n (1,2,4,8,16); 2. 每个圈应包围尽量多的1单元; 3. 同一个1单元可以被多个圈包围; 4. 每个1单元均应被圈过; 5. 每个圈对应一个与项; 6. 化简结果为所有与项的或(加). 化简结果: D A L +=第4章 组合逻辑电路组合逻辑电路4.4.7 试用一片74HC138实现函数ACD C AB D C B A L +=),,,( 4.4.7 试用一片74HC138实现函数ACD C AB D C B A L +=),,,(。

电工电子技术基础_习题解答

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第1章习题1-1 判断题1.电荷的定向移动形成电流。

(√)2.直流电路中,电流总是从高电位流向低电位。

(√)3.电阻的体积越大,其额定的耗散功率越大。

(√)4.电阻的额定功率越大,它消耗的电能就越大。

(×)5.电阻串联时,各电阻上消耗的功率与其电阻的阻值成反比。

(×)6.电流表必须串联在电路中应用,而电压表则必须并联在电路中应用。

(√)7.在选择电器时,电器的额定电压一定要等于电源的额定电压。

(√)8.额定功率越大的电器,其消耗的电能一定多。

(×)9.电压源和电流源是同一电源的两种不同的等效模型。

(√)10.电容器和电阻器虽然结构不同,其实是同一类型的电气元件。

(×)11.电容器并联总电容量增加;电容器串联总电容量减小。

(√)12.对于同一个电容器,两端的电压越高其储存的电场能量越小。

(√)1-2 计算题1 一直流电流流过导体,已知在1min内通过导体横截面的电荷量为6000C,问该电流有多大?如果在1s内通过导体横截面的电荷量为6000C,问该电流有多大?解:根据I=Q/t, 有(1)I=6000C/60s=100A(2)I=6000C/1s=6000A2 试在图1-30中标出电流、电动势、电压的实际方向,并问通过电流表A1和A2的电流是否相等?B、C、D各点的电位谁高谁低?图1-30 题2图解:因为A1、A2是串联关系,流过的电流相等;电位的排序为:B>C>D3 有两条长度为1 km 、截面积为2 mm 2的导线,一条是铝线,一条是铜线,这两条导线在常温下的电阻各为多少?要想使铝导线的电阻与铜导线的电阻相同,铝导线的截面积应增加为多大?解:(1)铝导线常温下的电阻:=⨯⨯⨯==--63610210100283.0S l R 铝铝ρ14.15Ω (2)铜导线常温下的电阻:=⨯⨯⨯==--63610210100175.0S l R 铜铜ρ8.75Ω (3)铝导线的电阻与铜导线的电阻相同时铝导线的截面积为:2636m m 23.31073.810100283.0=⨯⨯⨯=--铝S 4 有两只灯泡,额定功率都为40 W ,一只额定电压为36V ,另一只额定电压为12V ,两只灯泡工作时的电阻各为多少?如果将两只灯泡串联后接于48V 的电源上,哪只灯泡的电压超过了额定电压?将会有什么现象发生?解:(1)工作电压为36VR =U 2/P =32.4Ω (2)工作电压为12VR =U 2/P =3.8Ω(3)串联接于48V 电源上 两电阻之和为R =32.4+3.8=36.2Ω 根据串联电阻分压公式有2.4348364.3211=⨯==U R R U V U 2=48-43.2=4.8V额定电压为36V 的灯泡过压,灯丝会烧断。

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第一节 晶体管串联型稳压电源 第二节 集成稳压电源 第三节 开关型稳压电源简介 小结七 思考题与习题七 实验十 串联型稳压电源的测试 第八章 无线电广播基本知识 第一节 无线电波及其传播 第二节 调幅与检波
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第三节 调频和鉴频简介 第四节 晶体管超外差式收音机 小结八 思考题与习题八 第二篇 数字电路 第九章 数字电路基础 第一节 数制及代码 第二节 门电路 第三节 逻辑代数的基本定律
扩散, 最 后形 成 稳定 的空间电荷区,这个 空间电荷区又称为耗 尽层。那么,这个稳 定的空间电荷区就叫 PN结,如图1-2所示。
图1-2 PN结形成示意图
图1-3 PN结的单向导电性 (a)PN结加正向电压导通;(b)PN结加反向电压截止
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实验五 负反馈对放大器性能的影响 第四章 调谐放大器与正弦波振荡器 第一节 调谐放大器 第二节 振荡的基本概念与原理 第三节 LC振荡器 第四节 RC振荡器 第五节 石英晶体振荡器 小结四 思考题与习题四
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实验六 LC调谐放大器的调试 实验七 LC正弦波振荡器的调试 第五章 直流放大器与集成运算放大器 第一节 直流放大器 第二节 集成运算放大器简介 第三节 基本集成运算放大电路 第四节 集成运算放大器的应用 第五节 使用集成运放的注意事项 小结五 思考题与习题五
• 不含杂质的纯净半导体叫本征半导体,如 锗、硅等。它们的原子外层都有4个价电子, 每个原子的价电子与相邻原子的价电子 “手拉手”地形成共价键结构( 原子的稳定 结构 ) ,所以在没有外界影响的情况下它们 的导电能力很差;但在外界能量( 如光照、 升温 ) 激发下,一些价电子就会逃出共价键 结构而成为带负电荷的自由电子,在其原 来的位置就留下一个带正电荷的空穴,从 而产生电子 — 空穴对。电子和空穴都可用 来运载电流,又叫载流子,如图1-1所示。
目 录
• • • • • • • • 第一篇 模拟电路基础 第一章 半导体二极管和整流滤波电路 第一节 半导体二极管 第二节 单相整流电路 第三节 滤波电路 小结一 思考题与习题一 实验一 二极管伏安特性曲线的测试
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第二章 第一节 第二节 第三节 第四节 第五节 第六节 第七节 小结二
半导体三极管和放大电路 半导体三极管 基本放大电路 分压式偏置电路 放大器的频率特性 多级放大器 放大器的3种组态 场效应管及其放大电路简介
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思考题与习题二 实验二 用万用表测试二极管和三极管 实验三 基本放大电路有关参数的测试 实验四 多级放大器有关参数的测试 第三章 负反馈放大器 第一节 反馈的基本概念 第二节 反馈的类型及其判断 第三节 负反馈对放大器性能的影响 小结三 思考题与习题三
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实验八 集成运放的主要应用 第六章 功率放大器 第一节 功率放大器的基本概念 第二节 功率放大电路 第三节 复合管OTL功放实用电路 第四节 集成功率放大器 小结六 思考题与习题六 实验九 分立元件OTL功放的调试 第七章 直流稳压电源
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第六节 计数器 小结十一 思考题与习题十一 实验十三 集成JK触发器逻辑功能测试 第十二章 数字电路在脉冲电路中的应用 第一节 概述 第二节 施密特电路 第三节 单稳电路 第四节 多谐振荡器 第五节 555时基电路及应用
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小结十二 思考题与习题十二 实验十四 555定时器电路及应用 第十三章 数-模和模-数转换技术 第一节 数-模转换(D/A) 第二节 模-数转换(A/D) 小结十三 思考题与习题十三
• 2.N型半导体 • 用特殊工艺向本征半导体 硅 ( 或锗 ) 中掺入少量五价 元素磷(或砷),就得到N型 半导体。因为 N 型半导体 主要是靠电子导电,所以 N 型半导体又称为电子型 图1-1 硅(锗)的共价键 半导体。 及电子空穴对示意图 • 3.P型半导体 • 用特殊工艺向本征半导体硅 (或锗)中掺入少 量三价元素硼(或铝),就得到P型半导体。
• 因为P型半导体主要是靠带正电荷的空穴导 电,所以P型半导体又称为空穴型半导体。 • 二、PN结及其单向导电性 • 在一块完整的本征半导体硅或锗材料上, 采用特殊掺杂工艺,使一边形成N型半导体 区域,另一边形成 P 型半导体区域。于是 N 区的电子要向 P 区扩散,扩散到 P 区的电子 要去占空穴的位置 (叫复合 )。结果使N 区一 侧失去电子而带正电,P区一侧失去空穴而 带负电,从而产生从 N 区指向 P 区的内电场, 内电场的作用又将阻止N区电子的继续
• 第四节 逻辑电路图、逻辑表达式与真值表 之间的互换 • 小结九 • 思考题与习题九 • 实验十一 门电路逻辑功能测试 • 第十章 组合逻辑电路 • 第一节 组合逻辑电路的定义及分析方法 • 第二节 编码器 • 第三节 译码器
• • • • • 译码显示电路 第十一章 时序逻辑电路 第一节 时序电路的定义及分类 第二节 RS触发器 第三节 主从JK触发器 第四节 D触发器 第五节 寄存器
第一章 半导体二极管 和整流滤波电路
• 第一节 半导体二极管 • 一、半导体概述 • 半导体 —— 导电能力介于导体和绝缘体之 间的物质,如锗、硅、硒及大多数金属氧 化物。 • 因为它有以下三方面的特性:
• 热敏特性 半导体的导电能力随温度的变化 而变化。人们利用这种特性,制成热敏元 件,如热敏电阻等。 • 光敏特性 半导体的导电能力与光照有关。 人们利用这种特性,制成光敏元件,如光 敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等。 • 掺杂特性 在半导体中掺入微量杂质后其导 电能力要发生很大变化。利用这一特性, 可制成半导体二极管、三极管、集成电 路等。 • 1.本征半导体
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