模电复习资料(判断和填空有答案)
(完整版)模电复习答案
基本概念复习第一章 电路基本元件一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管B. 增强型MOS 管C. 耗尽型MOS 管（6）在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ， 则这只三极管是 。
A ．NPN 型硅管B ．NPN 型锗管C ．PNP 型硅管D ．PNP 型锗管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C （6）A第二章 基本放大电路一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（5）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（6）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
模电复习题答案
模电复习题答案一、选择题1. 在模拟电路中，运算放大器的基本工作模式包括：A. 非线性区B. 线性区C. 饱和区D. 所有以上答案：B. 线性区2. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限的B. 无穷大C. 零D. 1欧姆答案：B. 无穷大3. 一个理想的运算放大器的输出阻抗是：A. 无穷大B. 零C. 有限的D. 1欧姆答案：B. 零4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减少增益C. 提高稳定性D. 降低噪声答案：B、C、D5. 差分放大器的主要优点是：A. 提高增益B. 抑制共模信号C. 减少噪声D. 降低功耗答案：B. 抑制共模信号二、填空题1. 运算放大器的________特性使其在模拟电路设计中得到广泛应用。
答案：高输入阻抗，低输出阻抗2. 在设计放大器时，通常使用________来提高电路的稳定性和增益。
答案：负反馈3. 差分放大器能够有效地放大两个输入端之间的________，而抑制两个输入端共同的信号。
答案：差模信号4. 理想运算放大器的开环增益是一个非常大的数值，通常表示为________。
答案：无穷大5. 在模拟电路中，________是用来描述电路对信号进行线性或非线性处理的能力。
答案：放大能力三、简答题1. 简述运算放大器的基本组成及其工作原理。
答案：运算放大器通常由输入级、中间级和输出级组成。
输入级通常为差分放大器，用于接收两个输入信号并放大它们之间的差异。
中间级通常由多级放大器构成，用于提供增益。
输出级则将信号转换为适合负载的电压或电流。
运算放大器的工作原理基于负反馈原理，通过调整反馈网络，可以实现不同的放大功能。
2. 解释什么是负反馈，并说明它在放大器设计中的作用。
答案：负反馈是指将放大器的输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端的过程。
在放大器设计中，负反馈可以减少增益，但同时可以提高电路的稳定性和线性度，降低非线性失真和噪声，改善频率响应。
四、计算题1. 假设有一个非理想的运算放大器，其开环增益为1000，输入阻抗为2MΩ，输出阻抗为100Ω。
模拟电子技术基本概念复习题与答案
《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。
×4、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。
×5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
×6、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。
√7、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。
√8、 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
×9、 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
×10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
√ 11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。
× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
×13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。
√ 14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
× 16、 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
×17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
√ 18、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。
√ 19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
× 20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。
× 22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
(完整word版)模电复习资料(判断和填空有答案)
判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
(对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性.(对)2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
(错)3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（错)三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。
（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区，放大区,截止区。
(错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。
（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。
（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高，β减少。
(错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区.（错)第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错)三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
(对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1，而接近于1。
（错）射极输出器不具有电压放大作用.（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。
（错）直流放大器只能放大直流信号。
（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。
（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄.（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和.（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
(错)第四章在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。
(对)第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级,偏置电路这几个部分组成。
《模拟电子技术基础》基本概念复习题及答案
《模拟电⼦技术基础》基本概念复习题及答案《模拟电⼦技术基础》基本概念复习题⼀、判断题1、凡是由集成运算放⼤器组成的电路都可以利⽤“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、凡是运算电路都可利⽤“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、理想运放不论⼯作在线性区还是⾮线性区状态都有v N = v P 。
×4、当集成运放⼯作在闭环时，可运⽤虚短和虚断概念分析。
×5、在运算电路中，同相输⼊端和反相输⼊端均为“虚地”。
×6、在反相求和电路中，集成运放的反相输⼊端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输⼊电流之代数和。
√7、温度升⾼后，本征半导体中⾃由电⼦和空⽳数⽬都增多，且增量相同。
√8、因为N 型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电。
×9、因为P 型半导体的多⼦是空⽳，所以它带正电。
×10、在N 型半导体中如果掺⼊⾜够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
√ 11、稳压管⼯作在截⽌区时，管⼦两端电压的变化很⼩。
× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
×13、放⼤电路必须加上合适的直流电源才可能正常⼯作。
√ 14、放⼤电路⼯作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、放⼤电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
× 16、由于放⼤的对象是变化量，所以当输⼊信号为直流信号时，任何放⼤电路的输出都毫⽆变化。
×17、共集电极电路没有电压和电流放⼤作⽤。
√ 18、共集放⼤电路⽆电压放⼤作⽤，但有功率放⼤作⽤。
√ 19、只有电路既放⼤电流⼜放⼤电压，才称其有放⼤作⽤。
× 20、放⼤电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、射极输出器即是共射极放⼤电路，有电流和功率放⼤作⽤。
× 22、只要是共射放⼤电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
模电复习资料(专科)
模拟电路复习资料一、填空题1在本征半导体硅中，加入三价元素硼形成（P型）半导体，加入五价元素磷形成（N型）半导体；2．为了保证三极管工作在放大区，要求发射结（正向）偏置、集电结（反向）偏置；3．在三种基本组态放大电路中，输入电阻最高的是（共集电极）电路，输入电阻最低的是（共基极）电路，输出电阻最低的是（共集电极）电路；4．在场效应管放大电路中，结型场效应管需要（反向）偏置，增强型绝缘栅场效应管需要（正向）偏置；5．（串联）负反馈使输入电阻提高，（电压）负反馈使输出电阻减小；6．振荡器电路产生振荡时，必须满足（振幅平衡）条件和（相位平衡）条件；7．电容滤波适用于（小电流）负载场合，电感滤波适用于（大电流）负载场合。
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为（自由电子），少数载流子为（空穴）。
2、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、（正向导通）区、反向截止区和（反向击穿）区四个工作区。
3、双极型三极管简称晶体管，属于（电流）控制型器件，单极型三极管称为MOS管，属于（电压）控制型器件。
4、放大电路应遵循的基本原则是：（发射）结正偏；（集电）结反偏。
5、射极输出器具有（电压放大倍数）恒小于1、接近于1，输入信号和输出信号同相，并具有（输入电阻）高和（输出电阻）低的特点。
6、对放大电路来说，人们一般希望电路的输入电阻（越大）越好，因为这可以减轻信号源的负荷。
人们又希望放大电路的输出电阻（越小）越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。
7、晶体管由于在长期工作过程中，受外界（温度的影响）及电网电压不稳定的影响，即使输入信号为零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做（零点）漂移。
克服该漂移的最有效常用电路是（差动）放大电路。
8、理想运放工作在线性区时有两个重要特点：一是差模输入电压约等于零，称为（虚短）；二是两输入端电流约等于零，称为（虚断）。
9、单相半波整流电路的输出电压平均值是变压器输出电压U2的0.45倍；桥式整流电路的输出电压平均值是变压器输出电压U2的（0.9）倍；桥式、含有电容滤波的整流电路,其输出电压的平均值是变压器输出电压U2的（1.2）倍。
模电复习题和答案
模电复习题和答案一、填空题1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。
是从射极输出，所以简称射极跟随器。
2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。
3、在三极管的输出特性曲线中，当IB=0时的IC是穿透电流ICEO。
4、某同学用万用表测量一电子线路中三极管的管脚电压，得VE=3V，VC=8V，VB=3.7V，则该管是NPN 、处于放大状态。
5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。
6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。
7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。
8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流ICEO将增加。
9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。
10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。
11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。
集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。
12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。
13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数AVO为_无穷大，共模抑制比KCMR为无穷大，差模输入电阻为无穷大。
14、单相半波整流电路输出电压的有效值UO=0.45 U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值UO=0.9 U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。
滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。
15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。
《模拟电子技术基础》复习资料及答案.doc
《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。
2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。
3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。
4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。
7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。
8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。
9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。
10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。
11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。
P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。
12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是一单向导电性。
14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。
15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。
16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。
18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。
19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。
20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200, /CEO=200M A； B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。
模电复习题及部分答案
复习题一、填空：1.为使BJT发射区发射电子，集电区收集电子，具备的条件是（发射极正偏，集电极反偏）。
2.N型半导体是在纯硅或锗中加入（磷（+5））元素物质后形成的杂质半导体。
3.差分放大电路对（差模）信号有放大作用，对（共模）信号起到抑制作用。
4在电容滤波和电感滤波中，（电感）滤波适用于大电流负载，（电容）滤波的直流输出电压高。
5．集成运放主要包括输入级、(中间放大极)、(输出极)和 (偏置)电路。
其中输入级一般采用(差模)电路。
6.为稳定放大器的静态工作点，应在放大电路中引入（直流负）反馈，为稳定放大器的输出电压应引入（电压负）反馈。
7．与甲类功放电路相比，乙类互补对称功率放大电路的优点是（管耗小，效率高），其最高效率可达到（78.5%），但容易产生（交越）失真。
8．集成运算放大器是一种采用（直接）耦合方式的多级放大电路，它的输入级常采用差分电路形式，其作用主要是为了克服（共模干扰）。
9．若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为（10）。
10．产生1Hz～1MHz范围内的低频信号一般采用（RC）振荡器，而产生1MHz以上的高频信号一般采用（LC）振荡器。
11．半导体二极管具有（体积小，重量轻，使用寿命长，输入功率小，功率转换效率高等单向导电）作用，稳压二极管用作稳压元件时工作在（反向击穿）状态。
12．晶体三极管是一种（电流）控制型器件，当工作在饱和区时应使其发射结（正偏）集电结（正偏），而场效应管是一种(电压) 控制型器件。
13．集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、（低）输出电阻的（直接）耦合方式的多级放大电路。
14．差分放大电路有四种输入－输出方式，其差模电压增益大小与输（出）有关而与输（入）方式无关。
15．在放大电路中引入（直流负）反馈可以稳定放大电路的静态工作点，。
16．三种组态的放大电路中（共发射极组态、共基极组态、共集电极组态）输入电阻最小的是（共集电极放大）电路。
《模拟电子技术》复习试题10套与答案解析
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性 C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A 空穴B 三价元素硼C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P 沟道增强型MOS 型B P 沟道耗尽型MOS 型C N 沟道增强型MOS 型D N 沟道耗尽型MOS 型E N 沟道结型F P 沟道结型 图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模电复习-2012-04题(参考答案)
《模拟电路》复习资料（2012-04）一、填空题1、某放大电路的电压增益为80 dB ，相当电压放大倍数为_10000_ 倍。
2、负反馈放大电路可以改善放大器性能。
具体体现在 提高放大倍数稳定性 、改善非线性失真 、 展宽通频带等方 面。
4、典型差分放大器中，R E 的作用是 P104抑制零点漂移，对共模信号有很强的抑制能力 。
5、如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10 V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为_9_V ，经过电容滤波后为_12__ V ，二极管所承受的最大反向电压为_210__ V 。
6、共模抑制比K CMR 越大，抑制共模信号能力 越强 。
7、处于放大状态的NPN 型晶体管，U B 、U C 、U E 三个电位之间的关系是_ U C >U B >U E __ 处于饱和状态的NPN 型晶体管U B 、U C 、U E 三个电位之间的关系是__U B >U E ; _ U B >U C _ ；【解7：】归纳：晶体管工作状态：放大区：发射结正偏；集电结反偏（特点：I C =βI B ）截止区：发射结反偏；集电结反偏（特点：I C =0）饱和区：发射结正偏；集电结正偏（特点：U CE =U CES ，I C 不受I B 控制）8、集成运放工作在线性区时具有“虚短”、“虚断”的特点。
“虚短”的含义是 运放的净输入电压等于0即：U +=U - ，“虚断”的含义是 运放的净输入电流等于0即：i +=i - =0 。
9、单相桥式整流电路中，若输入电压U 2 = 30V ，则输出电压U 0 = 27 V ；若负载电阻R L = 100 Ω，整流二极管I D (AV ) =0.135_A 。
【】10、乙类功率放大器中，每只晶体管的半导通角是 900 。
改善交越失真的办法是 使两管在静态时处于弱导通状态，具体做法是利用二极管的压降产生偏置电压 。
11、当输入信号频率为f L 和f H 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的_0.707(或21 )_倍，或者是下降了3dB 。
模电复习题和答案
模电复习题和答案判断题1、在N型半导体中如果掺有⾜够量的三价素，可将其改型为P型半导体(√).2、因为N型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电（×）。
3、处于放⼤状态的晶体管，集电极电流是多⼦漂移运动形成的。
（×）4、结型场效应管的栅-源电压的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS⼤的特点。
（√）5、放⼤电路必须加上合适的直流电源才能正常⼯作（√）6、只有电路既放⼤电流⼜放⼤电压，才称其有放⼤作⽤（√）7、阻容耦合多级放⼤电路各级的Q点相互独⽴，（√）它只能放⼤交流信号。
（√）8、直接耦合多级放⼤电路各级的Q点相互影响，（√）它只能放⼤直流信号。
（×）9、运放的输⼊失调电压U IO是两输⼊电压之差（×）10、运放的输⼊失调电流I IO是两输⼊端电流之差（×）11、若放⼤电路的放⼤倍数为负，则引⼊的反馈⼀定是负反馈（×）12、负反馈放⼤电路的放⼤倍数与组成它的基本放⼤电路的放⼤倍数量纲基本相同（√）13、运算放⼤电路⼀般均引⼊负反馈（√）14、在集成运算电路中，集成运放的反相输⼊端均为虚地（×）。
15、只要电路引⼊了正反馈，就⼀定会产⽣正弦波震荡（×）16、凡是振荡电路中的集成运放均⼯作在线性区。
（×）17、在功率放⼤电路中，输出功率越⼤，功放管的功耗越⼤（×）18、功放电路的最⼤输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最⼤交流功率（√）。
19、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压（√）。
20、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有⼀只整流管断开，输出平均电压变为原来的⼀半（×）。
⼆、填空题1、在本征半导体中加五价元素可形成N型半导体，加⼊三价元素可形成形成P型半导体。
2、⼯作在放⼤区的某三极管，如果当I B从12uA增⼤到22uA时，I C从1mA变到2mA，那麽它的β约为100 。
模电基础知识
模电基础知识文件管理序列号：[K8UY-K9IO69-O6M243-OL889-F88688]模拟电路基础复习资料一、填空题1．在P型半导体中，多数载流子是（空隙），而少数载流子是（自由电子）。
2．在N型半导体中，多数载流子是（电子），而少数载流子是（空隙）。
3．当PN结反向偏置时，电源的正极应接（N）区，电源的负极应接（P）区。
4．当PN结正向偏置时，电源的正极应接（P）区，电源的负极应接（N）区。
4.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为本征半导体，当掺入五价微量元素便形成N型半导体，其电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
当掺入三价微量元素便形成P型半导体，其空穴为多子，而电子为少子。
4.2、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。
4.3、二极管有一个PN结，它具有单向导电性，它的主要特性有：掺杂性、热敏性、光敏性。
可作开关、整流、限幅等用途。
硅二极管的死区电压约为0.5V，导通压降约为0.7V，锗二极管的死区电压约为0.1V、导通压降约为0.2V。
5、三极管具有三个区：放大区、截止区、饱和区，所以三极管工作有三种状态：工作状态、饱和状态、截止状态，作放大用时，应工作在放大状态，作开关用时，应工作在截止、饱和状态。
5.1、三极管具有二个结：即发射结和集电结。
饱和时：两个结都应正偏；截止时：两个结都应反偏。
放大时：发射结应（正向）偏置，集电结应（反向）偏置。
5.2、三极管放大电路主要有三种组态，分别是：共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。
共射放大电路无电压放大作用，但可放大电流。
共基极放大电路具有电压放大作用，没有倒相作用。
且共基接法的输入电阻比共射接法低.5.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器,其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。
5.4单管共射放大电路中，1.交直流并存，2.有电压放大作用，3.有倒相作用。
《模电》复习(有答案)
03
02
01
模拟电路的基本概念
模拟电路的基本元件
电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流和电压。
电容是能够存储电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。
电感是能够存储磁能的元件，具有阻抗交流的作用。
二极管是单向导电的元件，常用于整流、开关等电路中。
04
电源：为电路提供稳定的直流或交流电源。
实验设备与仪器
实验准备
熟悉实验原理、目的、步骤和注意事项，准备好所需的仪器和元件。
电路搭建
根据实验要求，使用适当的电子元件搭建模拟电路。
参数测量
使用示波器等测量仪器，记录实验数据，观察信号波形。
结果分析
对实验数据进行分析，得出结论，并与理论值进行比较。
实验方法与步骤
发射机与接收机
通过模拟电路实现信号的调制和解调，如调频、调相和调幅等，以适应不同的通信信道。
调制解调技术
模拟电路用于信号处理和控制，如音频、视频信号的处理和通信系统的控制。
信号处理与控制
通信系统
模拟电路用于构建模拟控制器，实现对系统的连续控制和调节。
模拟控制器
模拟电路用于连接传感器和执行器，实现系统输入与输出的转换和控制。
详细描述
反馈放大电路的性能指标主要包括增益、带宽和稳定性等。
总结词
增益表示反馈放大电路的放大能力，与开环增益和反馈系数有关；带宽表示反馈放大电路能够正常工作的频率范围；稳定性则表示反馈放大电路对外部干扰和内部参数变化的敏感程度。
详细描述
反馈放大电路
总结词
集成运算放大器是一种高性能的模拟集成电路，具有高带宽、低噪声、低失真等特点。
模电复习试题及答案(选择、填空、判断)
《模拟电子技术》复习题综合（半导体基础知识、单管共射放大电路）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。
模电复习资料（全答案）
模电复习资料（全答案）一、填空题1、要使三极管正常放大信号，要求三极管发射极重掺杂、基区很薄、集电极面积大于发射极面积、发射结和集电结均正向运用。
2、N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
3、P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
4、PN结未加外部电压时，扩散电流等于漂移电流；加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，其耗尽层变薄；加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，其耗尽层变厚。
5、三极管工作在放大区时，发射结为正向运用，集电结为反向运用；工作在饱和区时，发射结正向运用，集电结正向运用；工作在截止区时，发射结反向运用，集电结反向运用。
6、工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。
7、三种基本放大电路中，输入电阻最大的是共c极放大电路；输入电阻最小的是共b极放大电路；输入电压与输出电压相位相反的是共e极放大电路；电压放大倍数最大的是共e极放大电路；；电压放大倍数最小的是共b极放大电路；输出电阻最小的是共c极放大电路。
8、半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以属于电流控制器件，其输入电阻小；场效应管通过控制栅极电压来控制输出电流，所以属于电压控制器件，其输入电阻大。
9、为提高放大器的输入电阻应引入交流串联负反馈，为降低放大电路输出电阻，应引入交流电压负反馈。
10、能提高放大倍数的是正反馈，能稳定放大倍数的是负反馈。
11、为稳定输出电流，应引入交流电流负反馈；为稳定输出电压，应引入交流电压负反馈；为稳定静态工作点，应引入直流负反馈；为了展宽放大电路频带，应引入交流负反馈。
12、差动放大器主要利用对称特性来抑制零漂。
13、完全对称的长尾差动放大器中的e R 对共模信号产生串联电流负反馈，对差模信号不产生反馈。
14、为使运放线性工作，应当在其外部引入深度负反馈、无穷、无穷、零、零、无穷、.15、理想集成运放的=ud A ，=id r ，=o r ，=B I ，=CMR K 。
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判断题第一章半导体1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
（对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。
（对）2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
（错）3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（错）三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。
（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. （错）…3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。
（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。
（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。
（错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区。
（错）第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（对）3、放大电路的三种组态/射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错）三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
（对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错）射极输出器不具有电压放大作用。
（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。
（错）直流放大器只能放大直流信号。
（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。
（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。
（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。
（错）~多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
（错）第四章在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。
（对）第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级，偏置电路这几个部分组成。
（错）差分放大器的基本特点是放大共模信号、抑制差模信号。
（错）放大器级间耦合方式有三种：阻容耦合；变压器耦合；直接耦合；在集成电路中通常采用阻容耦合。
（错）第六章若放大电路的Au小于1，则接入的反馈一定是负反馈；若放大电路的Au大于1，则接入的反馈一定是正反馈。
（错）第八章，电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，滞回比较器的输出状态发生 2 次跃变。
（错）三、判断题（每题2分）1．在某些场合，可将硅稳压管加正向偏压，取得左右的稳压值。
（）2．三极管在放大区是具有恒流特性，I不随I的增大而增大。
（）3．温度升高，三极管的穿透电流增大，管子的工作稳定性变差。
（）4．负反馈只能减小非线性失真而不能完全消除失真。
（）5．既有选频网络又有放大能力的电路实质上就是一个自激振荡器电路。
（）6．为了获得最大输出功率，担任功率放大任务三极管的工作参数往往接近于极限状态。
( )7．加在运放反相输入端的直流正电压可使输出电压变为正。
（）"8．甲类功放电路静态工作点合适，交越失真最小，因此功放电路多采用甲类。
( )9．基本RS触发器与同步RS触发器的逻辑功能均为置0 、置1、保持。
( )10．同步RS触发器可以防止空翻现象，其工作方式分两拍进行。
( )11．T触发器具有置0 、置1的逻辑功能。
( )12．编码器、译码器、寄存器、计数器均属于时序逻辑电路。
( )13．单稳态触发器由稳态翻转到暂态，不需要外加触发信号就能自动反转。
（）14．可控硅由导通转向阻断，去掉控制极电压即可。
（）15．无论触发信号是正向还是反向，双向可控硅都能被触发导通，因而输出交流电压。
（）1.√2.×3.√4.√5.×6.√7.×8.×9.√10.×11.×12.×13.×14.×15.√三、判断题(每题2分)(1．二极管加正向电压时一定导通，加反向电压时一定截止。
（）2．放大器的三种组态是共基极、共射极、共集电极。
（）3．整流电路加接滤波电容后，使输出电压变得连续而平滑，对输出电压的大小没有影响（）4．射极输出器电压放大倍数略小于1，因此没有任何使用价值。
（）5．当放大器的负载加重时，其电压放大倍数将增大。
（）6．振荡电路不需外加输入信号就能产生输出信号。
（）7．从AF > 1到AF = 1是自激振荡建立的过程。
（）8．三点式振荡器的共同特点是从LC回路引出三个端分别与三极管的三个电极连接。
( )9．差动放大器有单端输出和双端输出两大类，他们的差模电压放大倍数相等。
( )、10．数字电路中的三极管工作于饱和、截止状态，而放大状态只是过渡过程。
( )11．主从RS触发器的主触发器与从触发器的状态同时翻转。
( )12．同步RS触发器和JK触发器都在时钟脉冲前沿翻转。
( )13．真值表包括全部可能的输入值组合及对应的输出值。
( )14．同步RS触发器的R D、S D端不受始终脉冲控制就能将触发器置0或置1。
( )15．异步计数器中各位触发器在计数时同时翻转。
( )16．可控硅具有弱电控制强电的作用。
( )18．常见的DAC电路有T型电阻网络和倒T型电阻网络数模转换器。
( )1.×2.√3.×4.×5.×6.√7.√8.√9. ×10.√11.×12.×13.√14.√15.×16.√17.√：一、判断题（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）（7）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（8）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）(（9）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（10）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（11）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（12）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（13）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）解：（14）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（15）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。
( )（16）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，它只能放大直流信号。
( )（17）只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
( )。
（18）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )（19）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（）（20）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。
（）（21若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
（22）阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。
（）（23）运算电路中一般均引入负反馈。
（）（24）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）（25）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（26）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。
（）（27）在图1所示方框图中，若φF＝180°，则只有当φA＝±180°时，电路才能产生正弦波振荡。
（）-图1（28）只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
（）（29）凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。
（）（30）非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的振荡条件完全相同。
（）（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×（7）×（8）√（9）×（10）×（11）√（12）× （13）×（14）×（15）√ （16）× （17）× （18）√（19）×（20）√（21）×（22）√（23）√ （24）× （25）√（26）×（27）√（28）×（29）×（30）×1．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（√ ）2．放大电路产生饱和失真或截止失真的根本原因是静态工作点不合适。
（√ ）、3．复合管的β值近似等于组成它的各三极管β值的乘积。
（√ ）4．只要放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。
（× ）5．直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。
（√ ）B 三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（×）2．任何放大电路都既能放大电流又能放大电压。
（×）3．在推挽功率放大器中，当两只晶体三极管有合适的偏置时，就可以消除交越失真。
（√）4．在输入量不变的情况下，若引入反馈后净输入量减小，则说明引入的反馈是负反馈。
（√）5．功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。
（×）&C 三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．温度升高后，本征半导体两种载流子的浓度仍然相等。
（√）2．场效应管是由电压来控制电流的器件，仅靠一种载流子导电。
（√）3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（√）4．负反馈放大电路的闭环放大倍数和开环放大倍数的量纲不相同。
（×）5．直流电源是一种将正弦信号变换为直流信号的波形变换电路。
（×）D 三、判断题。
正确的打“√”，错误的打“×”。
（共5小题，每小题1分，共5分。
）1．稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性进行稳压的。
（√）2．阻容耦合多级放大电路各级的静态工作点是相互独立的，它只能放大交流信号。
（√）3．差分放大电路中，公共发射极电阻R E 的主要作用是提高共模抑制比。
（√）！4．二阶压控电压源低通滤波器在高频段幅频特性的变化规律为40dB/十倍频。
（×）5．只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。