半导体材料切割设备概况

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专用于半导体晶片切割超纯水设备

专用于半导体晶片切割超纯水设备

专用于半导体晶片切割超纯水设备一、专用于半导体晶片切割超纯水设备概述随着科技的发展,原来越多的物质被人类发现、认可。

半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料,晶片主要由半导体物质组成,是LED的主要发光部件。

超纯水设备主要运用反渗透技术、超纯化处理等方法,将水中的导电介质、气体、有机物等几乎完全除去,生产的超纯水中几乎不含任何杂质,适用于半导体晶片切割等领域,被众多半导体厂家欢迎。

二、专用于半导体晶片切割超纯水设备基本工艺1、预处理:预处理工艺的主要目的是去除原水中的全部或部分悬浮物、微生物、胶体、溶解性气体及部分有机杂质和无机杂质,为下级脱盐工艺做准备。

预处理的方法很多,视原水水质情况而定,如氯化、凝聚与澄清、多介质过滤和深层过滤。

①氯化:为了减少原水中的微生物,通常加氯作为杀生剂。

②凝聚与澄清:为了把悬浮物及其他杂质变成大颗粒沉积物,并尽快沉降下来,可以在原水容器中加入适量的凝聚剂,可取得良好效果。

凝聚的处理对象是细颗粒悬浮和胶体。

③多介质过滤:采用不同粒径的石英砂,自下而上从大到小顺序放置。

对含铁锰较高的原水,采用锰砂作滤料,当原水通过滤料时,大部分悬浮物被滤料吸附,同时由于在滤料表面形成的薄膜增加了流阻,从而强化了过滤精度。

④深层过滤:采用绕线式蜂房滤芯及烧结滤芯进行深层过滤,能截流大于1μm的颗粒,有效地去除胶状物和悬浮物,并有除铁功效。

⑤吸附:吸附法是利用多孔性固体物质,使水中一种或多种有害物质被吸附在固体表面而去除的方法。

吸附法去除的对象为有机物、胶体、微生物、游离氯、臭味和色素等。

常用的吸附剂为活性炭或大孔吸附树脂。

⑥软化处理:软化通常采用两种方法:一是加入药剂使钙、镁转换成溶解度小的盐类而除去;二是用离子交换树脂释放钠离子与水中钙、镁离子置换而使钙、镁盐类变为钠盐,达到软化水的目的。

2、脱盐脱盐的目的是去除水中溶解盐类,制得所需纯水和超纯水。

①反渗透法反渗透法是以流体压力作为推动力,克服反渗透膜两侧的渗透压差,使水通过反渗透膜,从而使水和盐类分离的除盐方法。

半导体 激光切割 氮化铝-概述说明以及解释

半导体 激光切割 氮化铝-概述说明以及解释

半导体激光切割氮化铝-概述说明以及解释1. 引言1.1 概述概述半导体材料是一种能够在特定条件下同时表现出导电和绝缘特性的材料。

它具有介于导体和绝缘体之间的电导率,使得它在电子学和光电子学领域具有广泛的应用。

激光切割作为一种先进的材料加工技术,通过聚焦激光束的高能量密度实现对材料的快速切割和加工。

而氮化铝作为一种常用的半导体材料,具有优异的特性和性质,被广泛应用于各个领域。

本文将分别介绍半导体、激光切割和氮化铝的相关概念及其基本原理。

在半导体的部分,将对其定义和原理进行详细阐述,并介绍其在电子学和光电子学领域的应用。

在激光切割的部分,将介绍其原理和工艺,并探讨其在材料加工上的应用和优势。

在氮化铝的部分,将对其特性和性质进行介绍,并探讨其在各个领域的应用和发展趋势。

通过本文的阅读,读者可以深入了解半导体、激光切割和氮化铝的相关知识,了解它们在现代科技领域中的重要作用和应用前景。

此外,本文还将对这些领域的发展趋势进行展望,并总结文章的主要内容,为读者提供一个全面的了解和参考。

1.2 文章结构文章结构部分的内容可以是以下所示:2. 正文2.1 半导体2.1.1 定义和原理2.1.2 应用领域2.2 激光切割2.2.1 原理和工艺2.2.2 应用和优势2.3 氮化铝2.3.1 特性和性质2.3.2 应用和发展在本篇长文中,主要讨论了半导体、激光切割和氮化铝这三个方面。

首先介绍了半导体的定义和原理,以及其在各个应用领域中的重要性。

接着讨论了激光切割的原理和工艺,以及其在各行业中的广泛应用和优势。

最后,阐述了氮化铝的特性和性质,以及其在不同领域的应用和发展趋势。

通过对这三个方面的介绍,我们可以深入了解半导体、激光切割和氮化铝在现代科技领域的重要作用和应用前景。

本文将从理论和实践两个方面对这些主题进行详细分析,并总结各自的优势和潜力。

最后,通过对现有研究的总结,展望了这些领域未来的发展前景,并指出了我们对这些领域的期望和建议。

半导体机械设备知识点总结

半导体机械设备知识点总结

半导体机械设备知识点总结一、半导体机械设备概述半导体机械设备是用于制造半导体器件的机械设备,主要包括晶圆生产设备、封装测试设备、清洗设备、检测设备等。

半导体器件是现代电子产品的核心部件,因此半导体机械设备在电子工业中具有重要的地位。

随着电子产品的不断更新换代,半导体器件的制造工艺也在不断进步,半导体机械设备也在不断升级和改进。

二、半导体机械设备的主要产品1. 晶圆生产设备晶圆生产设备是用于制造半导体晶圆的设备,包括晶圆生长设备、晶圆切割设备、晶片清洗设备等。

晶圆生长设备用于生长单晶硅材料,晶圆切割设备用于将单晶硅材料切割成薄片,晶片清洗设备用于清洗切割后的晶片。

2. 封装测试设备封装测试设备是用于对制造好的芯片进行封装和测试的设备,包括封装设备、测试设备、封装材料等。

封装设备用于将芯片封装成电子元件,测试设备用于对封装后的电子元件进行测试,封装材料用于封装电子元件的材料。

3. 清洗设备清洗设备是用于清洗半导体器件的设备,包括晶圆清洗设备、晶片清洗设备、封装清洗设备等。

清洗设备用于清洗半导体器件表面的杂质和污染物,保证器件的质量和性能。

4. 检测设备检测设备是用于对半导体器件进行检测和分析的设备,包括光学检测设备、电子检测设备、射频检测设备等。

检测设备用于对制造好的半导体器件进行各种性能和质量的检测,保证器件的可靠性和稳定性。

三、半导体机械设备的发展趋势1. 自动化和智能化随着工业化的发展,半导体机械设备也朝着自动化和智能化的方向发展。

自动化和智能化可以提高生产效率,降低生产成本,提高产品质量,减少人力成本,增加设备的稳定性和可靠性。

2. 精密化和高速化半导体器件的制造要求非常精密和高速,因此半导体机械设备也要向精密化和高速化的方向发展。

精密化和高速化可以提高生产效率,降低生产成本,提高产品质量,增加设备的生产能力和生产速度。

3. 多功能化和模块化随着电子产品的多样化,半导体器件的制造也越来越复杂多样,因此半导体机械设备也要向多功能化和模块化的方向发展。

半导体产业用电设备负荷明细

半导体产业用电设备负荷明细

半导体产业用电设备负荷明细一、介绍半导体产业是现代科技领域中最重要的产业之一,其生产过程需要大量的电力支持。

因此,半导体制造工厂需要使用各种不同类型的电气设备来满足其用电需求。

本文将详细介绍半导体产业用电设备负荷明细,包括各种不同类型的设备以及它们在半导体制造工厂中的作用和负荷情况。

二、晶圆制造设备1.切割机切割机是一种用于将硅晶圆切割成小尺寸芯片的设备。

切割机通常使用高功率直流电源来提供所需的电能,并且需要大量的冷却水来保持其温度。

2.化学机械抛光机化学机械抛光机(CMP)是一种用于平整化硅晶圆表面并去除其中缺陷和杂质的设备。

CMP通常使用高功率直流电源和大量的气体来提供所需的能量,并且需要大量的冷却水来保持其温度。

3.蒸镀装置蒸镀装置是一种用于在硅晶圆表面沉积金属或其他材料的设备。

蒸镀装置通常使用高功率直流电源和大量的气体来提供所需的能量,并且需要大量的冷却水来保持其温度。

三、清洗设备1.湿法清洗机湿法清洗机是一种用于去除硅晶圆表面污染物和杂质的设备。

湿法清洗机通常使用高功率直流电源和大量的气体来提供所需的能量,并且需要大量的冷却水来保持其温度。

2.干法清洗机干法清洗机是一种用于去除硅晶圆表面污染物和杂质的设备。

干法清洗机通常使用高功率直流电源和大量的气体来提供所需的能量,并且需要大量的冷却水来保持其温度。

四、热处理设备1.退火炉退火炉是一种用于调整硅晶圆内部应力并提高其电性能的设备。

退火炉通常使用高功率交流电源和大量的气体来提供所需的能量,并且需要大量的冷却水来保持其温度。

2.氧化炉氧化炉是一种用于在硅晶圆表面沉积氧化物的设备。

氧化炉通常使用高功率交流电源和大量的气体来提供所需的能量,并且需要大量的冷却水来保持其温度。

五、测试设备1.测试机测试机是一种用于测试芯片性能和可靠性的设备。

测试机通常使用高功率交流电源和大量的气体来提供所需的能量,并且需要大量的冷却水来保持其温度。

2.封装机封装机是一种用于将芯片封装成最终产品并进行测试的设备。

芯片切割机

芯片切割机

芯片切割机芯片切割机是一种用于将圆形硅单晶片切割成晶圆的设备。

在集成电路生产过程中,硅单晶片是制作集成电路的基础材料,因此芯片切割机在半导体行业中具有重要的地位。

芯片切割机的主要功能是将硅单晶片切割成晶圆。

晶圆切割是制备集成电路的关键步骤之一,不仅要求切割精度高,还需要保证切割过程中不对晶圆造成损伤。

晶圆切割机采用的主要切割技术有划片切割和钻孔切割两种。

划片切割是通过一把切片刀具在硅单晶片上进行横向切割,以切割出晶圆。

钻孔切割则是通过在硅单晶片上钻孔,并将钻孔扩大,最终切割出晶圆。

划片切割和钻孔切割都需要保证切割的精度和速度,以提高芯片切割机的工作效率。

芯片切割机的工作原理主要是通过切割刀具的运动来切割硅单晶片。

切割刀具通常采用金刚石材料,具有较高的硬度和耐磨性。

硅单晶片放置在工作台上,通过控制切割刀具的运动轨迹和速度,实现对硅单晶片的切割。

同时,芯片切割机还配备有光学传感器和自动对焦系统,可以对硅单晶片进行实时监测和调整,保证切割的精度和质量。

芯片切割机具有许多优点。

首先,芯片切割机采用数字化控制技术,可以实现对切割参数的精确控制,提高切割的精度和稳定性。

其次,芯片切割机自动化程度高,可以实现连续、高效的切割生产,提高生产效率。

再次,芯片切割机具有较小的占地面积,可以适应狭小的生产环境。

此外,芯片切割机还具有可靠性好、使用寿命长等特点。

当然,芯片切割机也存在一些不足之处。

首先,芯片切割机的价格较高,投入成本较大。

其次,芯片切割机对操作人员的技术要求较高,需要具备一定的专业知识和操作经验。

再次,芯片切割机对工作环境的要求较高,需要配备洁净室和较为复杂的设备支持。

综上所述,芯片切割机在集成电路生产中扮演着重要的角色。

它通过切割刀具的运动切割硅单晶片,实现对晶圆的切割。

芯片切割机具有数字化控制技术、自动化程度高、占地面积小等优点,但价格较高,对操作人员和工作环境要求较高。

随着半导体技术的不断发展,芯片切割机将继续发挥着重要的作用,促进集成电路产业的发展。

半导体设备简介演示

半导体设备简介演示
半导体设备简介演示
汇报人: 2024-01-10
目录
• 半导体设备概述 • 半导体制造设备 • 半导体设备市场 • 半导体设备技术发展趋势 • 半导体设备应用领域 • 半导体设备产业链分析
01
半导体设备概述
定义与分类
定义
半导体设备是指用于制造、测试 和封装半导体的设备和工具。
分类
半导体设备按照用途可分为制造 设备、测试设备和封装设备等。

02
半导体制造设备
晶圆制造设备
晶圆制造设备是半导体制造过程中最核心的设备 之一,用于生产半导体晶圆。
晶圆制造设备主要包括单晶炉、晶圆切割机、晶 圆研磨机和化学机械抛光机等。
这些设备在半导体制造过程中起着至关重要的作 用,能够实现高精度、高效率的生产。
封装设备
封装设备是将制造完成的晶圆 进行封装测试的重要设备。
5G技术的快速发展,对半导体设 备提出了更高的要求。
5G通信系统需要更高的数据传输 速率和更低的延迟,这需要半导 体设备具备更高的性能和可靠性

5G技术的推广和应用,也将进一 步推动半导体设备的发展和进步

半导体材料与设备的发展趋势
随着半导体技术的不断发展,新型半导 体材料的应用也越来越广泛。
碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体材料具 有更高的电子饱和速度和更高的击穿电 场,被广泛应用于高频率、高功率的电
人工智能与半导体设备的融合
随着人工智能技术的不断发展, 半导体设备也正朝着智能化方向
发展。
AI芯片的应用,使得半导体设备 能够更好地支持人工智能算法的 运行,提高设备的处理能力和效
率。
智能制造技术也是当前研究的热 点,通过将人工智能技术应用于 制造过程中,提高生产效率和产

晶圆切片机设备参数

晶圆切片机设备参数

晶圆切片机设备参数晶圆切片机是半导体生产中不可或缺的设备之一,它负责将硅晶圆切割成多个芯片,以便进行集成电路的制造。

晶圆切片机的性能参数对于切割质量和生产效率至关重要。

本文将从机器的精度、速度和稳定性三个方面来评估晶圆切片机的设备参数,并探讨其对半导体行业的影响。

机器的精度是衡量晶圆切片机性能的重要指标之一。

切割芯片的精度直接影响到芯片的质量和稳定性,对于半导体产品来说至关重要。

晶圆切片机的精度主要包括位置精度和切割精度两个方面。

在位置精度方面,晶圆切片机需要具备高精度的定位能力,保证切割位置的准确性。

这一方面的性能要求在于对应用工作的工艺需求,因为不同的半导体芯片有不同的切割要求。

对于高集成度芯片来说,切割位置的精确度要求更高,以确保芯片之间的间距符合设计要求。

在选择晶圆切片机时,应该根据应用的具体需求来评估其位置精度。

切割精度是指晶圆切片机在每一次切割过程中,所能保持的芯片尺寸精确度。

由于晶圆切片机的切割过程十分复杂,涉及到多个刀具的运动和控制,因此对切割精度的要求也很高。

切割精度对于芯片的性能、可靠性和工艺参数有着直接的影响。

一台具有高切割精度的晶圆切片机,可以确保芯片尺寸的一致性和稳定性,从而提高产品的可靠性和稳定性。

晶圆切片机的速度也是评估其设备参数的重要指标之一。

切割速度直接影响到生产效率和产能。

在半导体生产中,时间就是金钱,因此提高生产效率对于企业来说非常关键。

切割速度主要受到晶圆切片机所采用的刀具和切割工艺的影响。

一般来说,刀具越快,切割速度就越快。

然而,在提高切割速度的还需要保证切割质量和切割精度。

在选择晶圆切片机时,需要兼顾速度和质量之间的平衡,确保生产效率的提高的同时不影响产品质量。

晶圆切片机的稳定性也是一个关键的设备参数。

稳定性主要体现在切割过程中的一致性,即每一次的切割都能保持相对一致的切割质量和切割精度。

切割过程中的各个环节,如定位、切割和控制,都需要保持稳定的运行,确保切割质量的一致性。

半导体精密划片机行业介绍及市场分析

半导体精密划片机行业介绍及市场分析

半导体精密划片机行业介绍及市场分析一、精密划片机行业介绍划片机是使用刀片或通过激光等方式高精度切割被加工物的装置,是半导体后道封测中晶圆切割和WLP切割环节的关键设备。

随着集成电路沿大规模方向发展,划片工艺呈现愈发精细化、高效化的趋势。

从19世纪60年代采用划线加工法依赖于人工操作的金刚刀划片机,到1968年英国LP公司发明的金刚石砂轮划片机采用研磨的工艺替代了传统的划线断裂工艺,再到后续的自动化划片机进一步提升了划片的效率。

目前划片机广泛用于半导体封测、EMC导线架、陶瓷薄板、PCB、蓝宝石玻璃等材料的精密切割领域。

半导体晶圆划片机是将含有很多芯片的wafer晶圆分割成晶片颗粒,切割的质量与效率直接影响芯片的质量和生产成本。

半导体晶圆划片机主要包括砂轮划片机和激光划片机,砂轮划片机是综合了水气电、空气静压高速主轴、精密机械传动、传感器及自动化控制等技术的精密数控设备,其特点为切割成本低、效率高,适用较厚晶圆的切割。

激光划片机是利用高能激光束照射工件表面,使被照射区域局部熔化、气化,从而达到划片目的,其特点为切割精度高、切割速度快,适用于较薄晶圆的切割。

二、划片工艺1、工艺比较刀片切割方法包括一次切割和分步连续切割。

效率高、成本低、使用寿命长。

它是使用最广泛的切割工艺,在较厚的晶圆(>;100微米)上具有优势。

激光切割具有高精度和高速度。

它主要适用于切割较薄的晶圆(<;100微米)。

切割较厚的晶片时,存在高温损坏晶片的问题,需要刀片进行二次切割。

此外,激光头价格昂贵,使用寿命短。

目前,刀片切割占市场份额的80%,激光切割仅占20%。

刀片切割预计将长期保持主流模式。

2、主流技术金刚石切割是切割的主流技术。

切割采用金刚石颗粒和粘结剂组成的刀片。

切削过程中,金刚石颗粒以金属镍作为磨料颗粒固定在工具体上。

刀片以一定的速度旋转和进给,并使用水作为切削液。

在切割过程中,金刚石颗粒膨胀并与粘合剂形成称为“夹屑槽”的结构,铲挖切割通道材料,然后将其分离。

史上最全的半导体材料工艺设备汇总

史上最全的半导体材料工艺设备汇总

史上最全的半导体材料工艺设备汇总编辑整理:尊敬的读者朋友们:这里是精品文档编辑中心,本文档内容是由我和我的同事精心编辑整理后发布的,发布之前我们对文中内容进行仔细校对,但是难免会有疏漏的地方,但是任然希望(史上最全的半导体材料工艺设备汇总)的内容能够给您的工作和学习带来便利。

同时也真诚的希望收到您的建议和反馈,这将是我们进步的源泉,前进的动力。

本文可编辑可修改,如果觉得对您有帮助请收藏以便随时查阅,最后祝您生活愉快业绩进步,以下为史上最全的半导体材料工艺设备汇总的全部内容。

小编为您解读半导体生产过程中的主要设备概况.1、单晶炉设备名称:单晶炉。

设备功能:熔融半导体材料,拉单晶,为后续半导体器件制造,提供单晶体的半导体晶坯。

主要企业(品牌):国际:德国PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUM DESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX公司。

国内:北京京运通、七星华创、北京京仪世纪、河北晶龙阳光、西安理工晶科、常州华盛天龙、上海汉虹、西安华德、中国电子科技集团第四十八所、上海申和热磁、上虞晶盛、晋江耐特克、宁夏晶阳、常州江南、合肥科晶材料技术有限公司、沈阳科仪公司.2、气相外延炉设备名称:气相外延炉。

设备功能:为气相外延生长提供特定的工艺环境,实现在单晶上,生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体,为单晶沉底实现功能化做基础准备。

气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺,其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续,而且与衬底的晶向保持对应的关系。

主要企业(品牌):国际:美国CVD Equipment公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex公司、美国科特·莱思科(Kurt J.Lesker)公司、美国Applied Materials公司。

国内:中国电子科技集团第四十八所、青岛赛瑞达、合肥科晶材料技术有限公司、北京金盛微纳、济南力冠电子科技有限公司。

半导体材料切割设备概况

半导体材料切割设备概况

INTELLIGENCE 科 技 天 地73通过对表2的分析我们可以看出,随着洗涤剂浓度的增加、温度升高及皂洗时间的延长,各色织物的褪色不断增加。

1、涤剂浓度的增加,各色织物褪色不断增加,而耐洗色牢度明显降低,严重的比永久色牢度还差。

当净洗剂为低浓度时,作用只发生在纤维表面或无定形区,只能部分地洗除浮色;当洗涤浓度曾达到一定程度,能深入到棉纤维的晶区,则会破坏更多的染料分子与棉纤维的结合而使褪色增多,耐洗色牢度降低。

2、当皂洗温度从40℃升高到95℃,各色织物褪色程度不断增加,耐洗色牢度明显降低,严重者比永久性耐洗色牢度值还低。

皂洗温度低,皂洗液的浸透性差,褪色大多为表面浮色;温度增加,可以增加染料分子的动能,有利于提高燃料的扩散速率;但温度过高,会使染料过度分解,形成剥色现象。

并损伤纤维。

因此皂洗温度应在60℃~80℃较好。

3、另外皂洗时间和浴比也会对此产生一定的影响。

皂洗到一定时间后,因为纤维与染料间有一定的结合力,难于继续使染料从纤维脱落。

浴比的大小会影响洗涤剂的用量和皂洗效果。

还有在皂洗液中加入钢珠,可以增加与织物的碰撞和机械摩擦,作用明显,能够帮助去除织物表面的颜色,但对于去除织物内部的颜色作用不大。

三、总结综上所述将表2与表1对照,在温度为80℃‘纯碱/皂浓度为5/10g/L 浴比1:50的溶液中皂洗30min,耐洗色牢度最接近永久性耐洗色牢度,此条件具有一定的参考价值。

参考文献:[1] 王德竹等:《染色牢度指标的比较分析》,《中国纤检》,2006年第2期。

[2] 刘瑛:《棉织物永久耐洗色牢度的测试》,《印染》,2001年第10期。

半导体材料切割设备概况西北机器有限公司 王 帅 马利军 张国库 刘 薇摘 要:本文介绍了半导体切割设备的发展概况以及趋势,各国的先进设备,将内圆切割和线切割进行技术分析和比较,介绍了该类设备的特点。

关键词:半导体材料加工 内圆切割 多线切割 张力控制 张力的伺服控制为了提高IC 生产线的生产效率,降低生产成本,IC 生产线所需硅圆片直径不断增大。

半导体制造装备概述

半导体制造装备概述

半导体制造装备概述引言随着信息技术的迅猛发展,半导体产业成为现代工业的核心领域之一。

半导体制造装备作为半导体产业的重要组成部分,扮演着关键的角色。

本文将对半导体制造装备进行概述,包括其定义、分类、主要应用领域和发展趋势等方面的内容。

定义半导体制造装备是指用于生产和加工半导体材料的设备和工具。

在半导体制造过程中,这些设备和工具起到了至关重要的作用,包括材料清洗、切割、薄膜沉积、光刻、离子注入等多个步骤。

半导体制造装备的种类繁多,各种设备和工具相互协作,以实现对半导体材料的精确控制和处理。

分类根据不同的功能和用途,半导体制造装备可以分为以下几类:1.沉积装备:主要用于将不同材料的薄膜沉积在半导体表面。

常见的沉积装备包括化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等。

2.刻蚀装备:用于从半导体材料表面去除一部分材料,以形成所需的结构和图案。

刻蚀装备的种类包括干法刻蚀和湿法刻蚀等。

3.清洗装备:用于清洗半导体表面,去除杂质和残留物。

清洗装备的种类繁多,包括物理清洗、化学清洗和超声波清洗等。

4.光刻装备:用于制作电路图案,通过照射光源和光刻胶,将图案传递到半导体材料上。

5.测试装备:用于测试和检测半导体器件的性能和质量。

除了以上几类常见的半导体制造装备外,还有许多其他类型的装备和工具,如离子注入装备、蚀刻装备等。

主要应用领域半导体制造装备广泛应用于半导体产业的各个环节,主要包括以下几个方面:1.芯片制造:半导体制造装备在芯片制造过程中起到了关键作用。

通过各种装备和工具的协作,芯片制造商可以实现对半导体材料的精确控制和加工。

2.光刻技术:半导体制造装备在光刻技术中广泛应用。

光刻技术是制作电路图案的关键步骤,半导体制造装备通过光源、光刻胶等技术手段,将图案准确传递到半导体材料上。

3.半导体封装:半导体制造装备在半导体封装过程中也发挥着重要的作用。

通过各种封装装备和技术,半导体芯片可以被封装为具有特定功能的半导体器件。

半导体工艺设备基础知识概况

半导体工艺设备基础知识概况

半导体工艺设备基础知识概况(总30页)本页仅作为文档封面,使用时可以删除This document is for reference only-rar21year.March半导体工艺设备半导体工艺设备表一、半导体工艺主要设备大全清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅片的清洗。

超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器,以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。

超声波清洗机(超声波清洗器)利用空化效应,短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净,超声波清洗机对清洗器件的养护,提高寿命起到了重要作用。

CSQ系列超声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统,有效提高了清洗效率;设置时间控制装置,清洗方便;具有频率自动跟踪功能,清洗效果稳定;多种机型、结构设计,适应不同清洗要求。

CSQ系列超声波清洗机适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件,医疗设备、精密偶件、化纤行业(喷丝板过滤芯)等的清洗;对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡,涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效果。

恒威公司生产CSQ系列超声波清洗机具有以下特点:不锈钢加强结构,耐酸耐碱;特种胶工艺连接,运行安全;使用IGBT模块,性能稳定;专业电源设计,性价比高。

反渗透纯水机去离子水生产设备之一,通过反渗透原理来实现净水。

纯水机清洗半导体硅片用的去离子水生产设备,去离子水有毒,不可食用。

净化设备主要产品:水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV紫外线杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。

风淋室:运用国外先进技术和进口电器控制系统,组装成的一种使用新型的自动吹淋室.它广泛用于微电子医院\制药\生化制品\食品卫生\精细化工\精密机械和航空航天等生产和科研单位,用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃,同时风淋室也起气的作用,防止未净化的空气进入洁净区域,是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备.抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。

半导体切片机图产品资料

半导体切片机图产品资料

一、什么是划片机
划片机也叫切割机,它是指使用刀片,高精度地切断硅・玻璃・陶瓷等被加工物的装置,广泛用于半导体晶片、EMC导线架、陶瓷薄板、PCB、蓝宝石玻璃等材料的精密切割。

其中半导体晶片划片机主要用于封装环节,在晶圆生产完成之后,需要经过研磨减薄,然后将将含有很多芯片的 wafer 晶圆分割成一个一个晶片颗粒,实现芯片单体化,例如用于 LED 晶片的分割,形成 LED 芯粒。

目前,晶圆发展趋势是逐渐扩大,单位面积上集成的 IC 越来越多,留给分割的划切道也越来越小。

同时,芯片的厚度越来越薄,对晶圆切割划片设备性能的要求也越来越高,因此划片机对操作精度要求较高,从而导致目前国产率不足5%。

二、划片机类型
划片机目前主要分为两种方式,分别是砂轮划片机和激光划片机,但由于激光切割不能使用大功率以免产生热影响区(HAZ)破坏芯片以及造价高昂(一般在100 万美元/台以上),工序上需要二次切割,因此形成砂轮划片机占据80%的市场份额,激光划片机作为划片机补充,占据20%。

目前划片机整机中目前全球划片刀市场主要参与者约 10 家,且以国外的划片机为主,如日本DISCO,日本东京精密、以色列
ADT 等垄断,市场份额占据90%以上,其中 DISCO 约占全球70%以上份额。

以长电科技为例,2020年其对外的设备购置中,购买的划片机130 台(包括划片机和切割机),均为进口,由此可见国产划片机自产率有多低。

半导体装用设备简介

半导体装用设备简介

半导体专用设备简介1 概述作为军用电子元器件的技术支撑,专用设备(以下也称为工艺设备或制造设备)是重要基础之一。

在成百上千种电子元器件专用设备中,半导体专用设备集光、机、电、计算机技术于一体,汇各工业领域尖端技术之大成,是最具先进性和代表性的设备。

限于篇幅,本章仅以半导体设备作为基本内容加以介绍。

在半导体制造中,通常把专用设备分为前道工艺设备(晶圆制造)、后道工艺设备(组装与封装)、制版设备和材料制备设备,其中都包括检测设备和仪器。

如图2.1和2.2所示,按照半导体工艺步骤又可将工艺设备分为晶体生长与晶圆制备、掩膜图形设计与制造、外延、高温氧化、薄膜制备、光刻、刻蚀、掺杂、平坦化、中间测试、组装与封装、成品测试等十二类,涉及各种用途的具体设备近百种,图中只列出了具有代表性的设备名称。

为叙述方便,不妨对十几种关键设备做具体介绍,力求取得触类旁通的效果。

几十年来,随着半导体技术的快速发展,半导体设备也在一代接一代地创新和发展。

当今半导体设备的制造和使用涉及50余个学科和近60种化学元素等诸多方面的高新技术,具有极强的技术综合性。

不仅如此,半导体设备技术的发展逐步将工艺技术模块化集成到设备中,使其高度自动化和高度智能化,逐步改变了设备与工艺自然分离的局面,时时走在半导体制造业发展的前列,发挥着特殊的重要作用。

半导体设备的进一步发展,使其应用领域变得越来越广,在其他电子器件制造领域也都不同程度地采用了半导体设备或由半导体设备演化的设备,成为半导体设备应用的新领域。

尤其是在微/纳电子器件、微/纳光机电系统等极小尺寸和极高精度的产品制造领域的逐步应用,对军用电子元器件发展具有极其重要的意义。

图2.1—半导体与集成电路工艺关键设备框图2单晶炉2.1 基本概念及工作原理晶体生长最广泛使用的设备是采用 CZ (Czochralski)法的直拉单晶炉。

它主要由主/副炉室、石英坩埚及驱动、籽晶旋转及提升、真空及充气系统、射频或电阻加热器和控制系统等部分组成,如图2.3所示。

晶圆切割设备原理

晶圆切割设备原理

晶圆切割设备原理晶圆切割设备是半导体工业中的重要设备之一,它的主要作用是将大型晶圆切割成小尺寸的晶片。

这些晶片将用于制造各种半导体器件,例如集成电路、光电器件等。

本文将介绍晶圆切割设备的工作原理和主要部件。

1. 工作原理晶圆切割设备的工作原理可以简单概括为:将晶圆放置在切割台上,然后通过切割刀具将晶圆切割成小块。

切割时需要控制刀具的位置和角度,以确保切割的精度和质量。

在具体操作过程中,首先需要将晶圆粘附在切割台的胶片上。

然后,切割台和切割刀具会围绕晶圆旋转并移动,以实现切割。

切割刀具通常是由金刚石制成,因为金刚石硬度极高,可以切割硅等半导体材料。

为了控制刀具的位置和角度,晶圆切割设备通常配备了高精度的电机和传感器。

电机负责驱动刀具旋转和移动,传感器可以实时监测刀具的位置和角度,以便进行精确的控制。

2. 主要部件晶圆切割设备的主要部件包括切割台、切割刀具、电机和传感器等。

其中,切割台是整个设备的核心部件,它需要具备高精度的平面度和稳定性,以确保切割的精度和一致性。

切割刀具通常由金刚石制成,根据切割模式的不同,可以分为内切和外切两种类型。

内切是指将刀具从晶圆的中心开始旋转,逐渐向外切割,直到晶圆被切成小块。

外切则是相反的过程,从晶圆的外边缘开始切割,向内逐渐切割直到晶圆被切成小块。

电机是控制刀具旋转和移动的关键部件之一,通常采用高精度的步进电机。

这种电机可以非常精确地控制刀具的位置和角度,以实现高质量的切割。

传感器则是用于监测刀具位置和角度的关键部件之一。

晶圆切割设备通常配备多个传感器,以确保对刀具位置和角度的多重监测,从而提高切割的精度和可靠性。

晶圆切割设备是半导体制造过程中不可或缺的设备之一。

它的工作原理是通过控制刀具的位置和角度来实现对晶圆的精确切割,从而生产出高质量的半导体器件。

半导体硅片 切割机 分类

半导体硅片 切割机 分类

半导体硅片切割机分类Semiconductor silicon wafers, as the core material of the microelectronics industry, play a pivotal role in the production of various electronic components. The cutting process of these wafers is crucial for ensuring the quality and precision of the final products. Consequently, semiconductor silicon wafer cutting machines have become an indispensable piece of equipment in modern electronic manufacturing.半导体硅片作为微电子工业的核心材料,在各类电子元器件的生产中起着举足轻重的作用。

硅片的切割过程对于保证最终产品的质量和精度至关重要。

因此,半导体硅片切割机成为了现代电子制造业中不可或缺的设备。

When it comes to the classification of semiconductor silicon wafer cutting machines, there are several key categories based on their operational principles and applications. One major type is the wire saw cutting machine, which utilizes a thin wire coated with abrasive particles to slice through the wafer. This method is highly efficient and suitable for mass production.在半导体硅片切割机的分类上,根据其操作原理和应用,可以划分为几个主要类别。

晶圆切割设备原理

晶圆切割设备原理

晶圆切割设备原理
晶圆切割设备是半导体制造中的重要设备之一,主要用于把硅晶片等半导体材料切割成小块。

这些小块将被用于芯片制造。

晶圆切割设备是半导体制造中必不可少的设备之一,因为它们可以将大型单晶硅块切割成许多小块,这些小块可以在半导体工艺中使用。

晶圆切割设备主要由三个部分组成:切割盘、钻头和电控系统。

切割盘是一个旋转的圆盘,上面安装着硅晶片。

钻头是一个小的金属刀片,可以在晶片上切割出小块。

电控系统可以控制切割盘和钻头的运动。

晶圆切割设备的工作原理是将晶圆放置在切割盘上,然后钻头开始移动,切割盘开始旋转。

钻头将在晶圆上切割出一个小块,然后切割盘停止旋转。

接下来,钻头将移动到下一个位置,然后切割盘继续旋转。

这个过程会一遍遍地重复,直到整个晶圆被切割成小块。

晶圆切割设备的切割精度非常高,可以将晶圆切割成非常小的块。

这些小块将被用于芯片的制造。

在半导体工艺中,芯片必须具有非常高的精度和可靠性。

因此,晶圆切割设备的切割精度必须非常高,以确保芯片的质量。

晶圆切割设备在半导体制造中起着至关重要的作用。

它们可以将大型单晶硅块切割成小块,这些小块将被用于芯片制造。

晶圆切割设
备的切割精度非常高,可以将晶圆切割成非常小的块。

这些小块将被用于芯片的制造。

在半导体工艺中,芯片必须具有非常高的精度和可靠性。

因此,晶圆切割设备的切割精度必须非常高,以确保芯片的质量。

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INTELLIGENCE 科 技 天 地73通过对表2的分析我们可以看出,随着洗涤剂浓度的增加、温度升高及皂洗时间的延长,各色织物的褪色不断增加。

1、涤剂浓度的增加,各色织物褪色不断增加,而耐洗色牢度明显降低,严重的比永久色牢度还差。

当净洗剂为低浓度时,作用只发生在纤维表面或无定形区,只能部分地洗除浮色;当洗涤浓度曾达到一定程度,能深入到棉纤维的晶区,则会破坏更多的染料分子与棉纤维的结合而使褪色增多,耐洗色牢度降低。

2、当皂洗温度从40℃升高到95℃,各色织物褪色程度不断增加,耐洗色牢度明显降低,严重者比永久性耐洗色牢度值还低。

皂洗温度低,皂洗液的浸透性差,褪色大多为表面浮色;温度增加,可以增加染料分子的动能,有利于提高燃料的扩散速率;但温度过高,会使染料过度分解,形成剥色现象。

并损伤纤维。

因此皂洗温度应在60℃~80℃较好。

3、另外皂洗时间和浴比也会对此产生一定的影响。

皂洗到一定时间后,因为纤维与染料间有一定的结合力,难于继续使染料从纤维脱落。

浴比的大小会影响洗涤剂的用量和皂洗效果。

还有在皂洗液中加入钢珠,可以增加与织物的碰撞和机械摩擦,作用明显,能够帮助去除织物表面的颜色,但对于去除织物内部的颜色作用不大。

三、总结综上所述将表2与表1对照,在温度为80℃‘纯碱/皂浓度为5/10g/L 浴比1:50的溶液中皂洗30min,耐洗色牢度最接近永久性耐洗色牢度,此条件具有一定的参考价值。

参考文献:[1] 王德竹等:《染色牢度指标的比较分析》,《中国纤检》,2006年第2期。

[2] 刘瑛:《棉织物永久耐洗色牢度的测试》,《印染》,2001年第10期。

半导体材料切割设备概况西北机器有限公司 王 帅 马利军 张国库 刘 薇摘 要:本文介绍了半导体切割设备的发展概况以及趋势,各国的先进设备,将内圆切割和线切割进行技术分析和比较,介绍了该类设备的特点。

关键词:半导体材料加工 内圆切割 多线切割 张力控制 张力的伺服控制为了提高IC 生产线的生产效率,降低生产成本,IC 生产线所需硅圆片直径不断增大。

为了满足硅圆片加工的需要,硅片切割设备一直向大直径化、高精度、高自动化及高智能化方向发展。

硅圆片的加工的工艺流程:晶棒成长——晶棒裁切与检测——外径滚圆——切片——圆角(倒角)——表面研磨——蚀刻——去疵——抛光——清洗——检验——包装硅圆片的加工工艺流程中的切片大多应用内圆切割技术,该技术于20世纪70年代末发展成熟。

随着硅圆片直径的增大,内圆切割工艺中所需内圆刀片尺寸增大,刀片张紧力也相应增大。

同时刀片刃口的加厚增加了切割的损耗,高速切割使硅片表面的损伤层及刀具损耗增大,这些缺点使内圆切割技术在大片径化方向中提高效率,降低生产成本受到制约。

基于这种情况,国际上又出现了一种新的切割工艺——多线切割(简称线切割)。

一、内圆切割技术与线切割技术分析200mm(8吋)以上规格硅单晶圆片加工可采用内圆切割技术或线切割技术两种切割方式。

在硅圆片规模化生产中,线切割技术作为主流加工方式,逐步取代了传统的内圆切割技术方式。

随着硅圆片直径的增大,内圆切割技术固有的缺点使硅片表面的损伤层加大(约为30~40微米)。

线切割技术优点是效率高(大约为内圆切割技术的6~8倍,在8小时左右切割过程中一次可切出2000圆片左右)。

切口小,硅棒切口损耗小(约为内圆切割技术的60%,这相当于内圆切片机切割6片圆片的长度多线切割可切出7片圆片),切割的硅片表面损伤层较浅(约为10~15微米),硅圆片质量受人为因素影响较小。

但线切割技术同内圆切割技术相比也有其明显的弱点,一是片厚平均误差较大(约为内圆切割技术的2倍)。

二是切割过程中智能检测控制不易实现。

三是切割过程中对成功率的要求很高,风险大,一旦断丝而不可挽救时,直接浪费一根单晶棒。

四是不能实现单片质量控制,一次切割完成后才能检测圆片的切割质量,并且圆片之间切割质量也不相同。

在这些方面,内圆切割技术却显示出其自身的优越性来。

具体表现为:一是切片精度高;二是切片成本低,同规格的切片机价格为线切割机价格的1/3~1/4,线切割机还需配置专用粘料机;三是每片都可进行调整;四是小批量多规格加工时灵活的加工可调性;五是自动、单片方式切换操作方便;六是低成本的辅料(线切割机磨料及磨料液要定时更换);七是不同片厚所需的调整时间较少;八是不同棒径所需较的调整时间较少;九是修刀、装刀方便。

二、内圆切割技术与线切割技术在实际应用中互为补充而存在在新建硅圆片加工生产线时,规模在年产达50吨以上的硅单晶加工生产线,并且圆片品种主要针对较大数量集成电路用硅圆片时,切割设备选型可定位在线切割机上。

同时大规模、单一硅圆片品种(主要指圆片的厚度规格品种)的太阳能级圆片加工,切割设备选型也可定位在线切割机上。

厚度规格品种的多少,直接关系到线切割机排线导轮的多少。

该排线导轮目前国内无法配套,国外供应商配套,价格较高。

频繁更换排线导轮增加了辅助时间,还会增加线INTELLIGENCE 科 技 天 地丝的浪费。

二是生产规模小的生产单位或多品种硅圆片生产并具有大规模的生产单位,在设备选型上,应首先考虑选用内圆切片机。

三、国内外内圆切片机设备技术概况在国内引进的内圆切片机中主要有瑞士的M&B 和日本东京精密株式会社(TOKYO)两公司的内圆切片机,这几年随着国外硅片生产公司的设备更新,国内引进了二手的日本TOKYO 公司生产的200mm(8吋)的切片机,但数量不是很多。

M&B 公司以卧式机型为主,TOKYO 公司以立式机型为主。

在切片机主轴支撑方式上,M&B 公司以空气轴承为发展方向,TOKYO 公司以滚动轴承和空气轴承两种形式发展。

M&B 公司的产品中150mm 主流机型有TS23、TS202(TS23为增强型)两种。

200mm 的主流机型有TS205、TS206两种。

TS205机型主要用于200mm 晶棒齐端头、切样片和切断,TS206机型则是集中了内圆切片机现有所有技术的机型。

TOKYO 公司的TSK 系列内圆切片机中,150mm~200mm 规格机型有S-LM227D,S-LM-434E,S-LM-534B 机型,其产品档次和技术含量随型号的增大而增加。

在国内内圆切片机研制中仅有信息产业部某单位。

其内圆切片机机型在国内硅片切割行业应用的范围涵盖了从φ50mm 到φ200mm 硅片的切片加工,QP-613机型应用范围为φ125mm 到φ150mm 圆片切割加工,QP-816机型应用于φ200mm 圆片切割加工,这些机型技术层次为国外九十年代初期的水平。

国内某单位研制的某型号多线切割机,切割线直径0.18mm,片厚0.2mm,工件尺寸150×150×400(×2),单次切片最多200片。

在以上诸多机型中以TS205,S-LM-534B 两种机型集中了当今内圆切片机制造的最高技术。

但是需要指出的是,这些主要技术停滞了近10年,其技术特点主要体现在以下几个方面:1、精密主轴制造技术:不论是采用空气静压轴承支撑的主轴技术还是以精密滚动轴承支撑的主轴技术,都是保证切片机主轴高精度、高寿命及保证切片质量的关键技术。

2、精密伺服定位技术:这是保证切片机切片厚度均匀、误差小,减少磨片时间的关键技术。

3、机械手技术:保证切片后可靠的取片,减少切片以外损坏的技术。

4、自动检测技术:是刀片导向系统及自动修刀系统应用于硅圆片质量控制的前提条件。

5、CNC 控制技术:对机器进行控制及保证自动检测技术应用的软硬件技术。

6、直流伺服技术:保证切片质量,提供可靠的驱动动力技术。

7、精密滚动导轨:保证切片时片子的平行度、翘曲度、粗糙度的机械导向技术。

8、端磨技术:提高片子表面弯曲度、翘曲度和表面粗糙度的技术。

四、国外线切割机设备技术概况国外线切割设备生产厂家主要有日本TAKATORI 公司,不二越机械工业株式会社,NTC 公司以及瑞士的M&B 公司,HCT 公司,从产品技术角度划分,瑞士的两家公司生产的线切割机水平较高。

尤其是HCT 公司,该公司自1984年成立以来,专攻线切割机技术,如今已成为业界的技术带头人。

TAKATORI 公司产品主要有MWS-48SD、MWS-610、MWS-610SD 三种,可用于100mm~200mm 之间半导体材料的切割。

该公司其他一些线切割设备主要用于截面尺寸较小的磁性材料、光电材料的切割。

以上三种线切割机产品都属于三轴(导轮)驱动形式,MWS-610SD 采用材料向下运动的切割方式。

这两种线切割机线丝存线长度不超过150KM。

不二越机械工业株式会社线切割机主要有FSW-150型。

三轴(导轮)驱动形式,可切割150×150方形材料(主要针对太阳能光电硅材料切割)存线长度不超过150KM。

NTC 公司(日平外山公司)主要提供300mm 晶圆片线切割机MNM444B 和MWM454B 两种。

三轴(导轮)驱动形式,存线长度达400KM。

瑞士M&B 公司在原DS260线切割机基础上研制出DS261、DS262、BS800三种机型。

其中DS262机型是专为太阳能级硅片切割设计的,该机型一次可切四根单晶棒料。

其最大生产效率为一次自动切割过程中能切出圆片4400片。

BS800机型是带锯切割方形材料的设备。

M&B 公司线切割机主要用于200mm 硅圆片和太阳能级硅片的切割加工,四轴(导轮)驱动形式,大大增强了工作台的承料面积。

HCT 公司生产的线切割机主要有E400SD、E500SD、E500ED-8、E400E-12四种,其中E400SD、E500SD 两种机型主要用于太阳能级硅片切割加工,最大加工到150mm。

E500ED-8、E400E-12适用于半导体圆片加工生产,E500ED-8为200mm 设备,E400E-12为300mm 设备。

HCT 公司与M&B 线切割机设备主要以四轴(导轮)驱动形式设计,这样可以增大工作台的面积,增大切割能力。

线切割机所采用的技术可以概括为以下几个方向:1、高精度的三轴或四轴排线导轮驱动装置技术。

2、线丝张紧力自动控制系统技术。

线丝张紧力保持一定张力,是保证切割表面质量的主要因素。

3、切割进给伺服系统。

配合线丝张紧力自动控制系统的作用,保证在不断丝的条件下实现切割的高效性。

4、排线导轮的制造、翻新及耐用度技术。

5、磨料的混合供给及分离技术。

旨在提高磨料的适用寿命,降低生产成本。

6、自动排线功能,以节约人工手动布线的时间,减小布线错误,降低劳动强度,提高切割效率。

7、高质量的磨料、切割线的使用也是该类线切割设备的关键技术。

五、结语本文讲述了内圆切割技术和线切割技术的发展历程,详细介绍了内圆切割和线切割两种切割技术的差异,及它们的各自适用范围,希望能够对于硅片的切割加工设备尤其是多线切割设备的设计制造提供一些帮助。

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