微电子封装技术智慧树知到答案章节测试2023年潍坊学院

第一章测试
1.封装会使芯片包裹的更加紧实，因此提供散热途径不是芯片封装要实现的功
能。

（）
A:对
B:错
答案:B
2.按照封装中组合使用的集成电路芯片的数目，芯片封装可以分为单芯片封装
和多芯片封装两类。

（）
A:错
B:对
答案:B
3.按照针脚排列方式的不同，针栅排列可以提供较高的封装密度，其引脚形式
为（）。

A:背部引脚形态
B:周边引脚形态
C:底部引脚形态
D:中心引脚形态
答案:C
4.针栅阵列式封装的引脚分布形态属于（）。

A:底部引脚
B:单边引脚
C:四边引脚
D:中心引脚
答案:A
5.集成电路的零级封装，主要是实现（）。

A:芯片内部器件的互连
B:芯片内部不同功能电路的连接
C:打码
D:键合引线
答案:AB
第二章测试
1.硅晶圆可以直接用来制造IC芯片而无需经过减薄处理工艺。

（）
A:错
B:对
答案:A
2.当金-硅的质量分数为69%和31%时能够实现共熔，且共熔温度最低。

（）
A:错
B:对
答案:B
3.玻璃胶粘贴法仅适用于（）。

A:塑料封装
B:陶瓷封装
C:金属封装
D:玻璃封装
答案:B
4.以下芯片互连方式，具有最小的封装引线电容的是（）。

A:WB键合
B:FC焊接
C:Hot-WB键合
D:TAB键合
答案:B
5.集成电路芯片封装的工序一般可分为（）。

A:前道工序
B:第二工序
C:第一工序
D:后道工序
答案:AD
第三章测试
1.轴向喷洒涂胶工艺的缺点为成品易受到水气侵袭。

（）
A:对
B:错
答案:A
2.碳化硅是半导体，因此它不能作为陶瓷封装的材料。

（）
A:错
B:对
答案:A
3.陶瓷封装工艺首要的步骤是浆料的制备，浆料成分包含了无机材料和（）。

A:玻璃粉末
B:有机材料
C:塑料颗粒
D:陶瓷粉末
答案:B
4.金属封装所使用的的材料除了可达到良好的密封性之外，还可提供良好的热
传导及（）。

A:抗腐蚀
B:保护
C:电屏蔽
D:支撑
答案:C
5.降低密封腔体内部水分的主要途径有以下几种（）。

A:采取合理的预烘工艺
B:抽真空工艺
C:尽量降低保护气体的湿度
D:避免烘烤后管壳重新接触室内大气环境
答案:ACD
第四章测试
1.双列直插封装的引脚数可达1000以上。

（）
A:对
B:错
答案:B
2.球栅阵列封装形式的芯片无法返修。

（）
A:错
B:对
答案:A
3.以下封装方式中，具有工业自动化程度高、工艺简单、容易实现量产的封装
形式为（）。

A:多层陶瓷双列直插式封装
B:塑料单列直插式封装
C:塑料双列直插式封装
D:陶瓷熔封双列直插式封装
答案:C
4.载带球栅阵列封装所用的焊球，其成分为（）。

A:65%Sn-35%Pb
B:10%Sn-90Pb
C:35%Sn-65%Pb
D:90%Pb-10%Sn
答案:D
5.陶瓷熔封双列直插式封装结构简单，其三个基本零部件为（）。

A:陶瓷框架
B:封装盖板
C:粘接底座
D:键合引线
答案:BCD
第五章测试
1.凸点无法通过电镀的方法获得。

（）
A:对
B:错
答案:B
2.MicroBGA和QFN形成引出端的通用方法是蚀刻法。

（）
A:错
B:对
答案:B
3.以下封装方式拥有最高封装密度的是（）。

A:倒装焊
B:热压键合
C:引线键合
D:载带自动焊
答案:A
4.芯片尺寸封装的封装面积与裸芯片面积的比例为（）。

A:1.1 : 1
B:1.3 : 1
C:1 : 1
D:1.2 : 1
答案:A
5.多芯片组件封装的基板材料可以为（）。

A:玻璃
B:金属
C:高分子材料
D:陶瓷
答案:BCD
第六章测试
1.制造性能主要包括螺旋流动长度、渗透和填充、凝胶时间、聚合速率、热硬
化以及后固化时间和温度。

（）
A:错
B:对
答案:B
2.封装材料的化学性能包括反应化学元素或涉及化学反应的性能，包括离子杂
质、离子扩散和易燃性。

（）
A:对
B:错
答案:A
3.潮气渗透可用以下哪种方法测定（）。

A:称重池
B:隔离池
C:吸收因子
D:膨胀系数
答案:A
4.材料的体积、面积或长度随温度的变化而变化，这是材料的（）。

A:热膨胀系数
B:热失配系数
C:热应力系数
D:热应变系数
答案:A
5.液态聚合物树脂转变为凝胶并最终变硬的过程是材料的（）。

A:后固化
B:固化
C:变硬
D:凝结
答案:BC
第七章测试
1.四边扁平封装最容易引发爆米花效应。

（）
A:错
B:对
答案:B
2.集成电路芯片的失效可发生在芯片的任何部位。

（）
A:对
B:错
答案:A
3.下列封装形式，最容易发生底座偏移的为（）。

A:薄型小尺寸封装
B:球栅阵列封装
C:单列直插式封装
D:双列直插式封装
答案:A
4.引起芯片翘曲的原因，是由于施加到元器件上的力（）。

A:过小
B:消失
C:不平衡
D:过大
答案:C
5.芯片发生失效的机理包括（）。

A:疲劳
B:磨损
C:过压力
D:过应力
答案:BD
第八章测试
1.在微电子器件的失效分析中，尽量不使用破坏性失效分析技术。

（）
A:错
B:对
答案:A
2.阻抗和连接性都属于电学测试的内容。

（）
A:错
B:对
答案:B
3.要观察半导体器件上的针眼和小孔、钝化层裂缝等缺陷，应使用（）。

A:扫描电子显微镜
B:光学显微镜
C:透射电子显微镜
D:原子力显微镜
答案:A
4.以下电子产品的测试方法，属于破坏性测试的为（）。

A:选择性剥层
B:透射电镜扫描
C:X射线检测
D:红外光谱分析
答案:A
5.集成电路的电学测试包括功能测试和参数测试，以下属于电学测试的为
（）。

A:电流
B:电场强度
C:电压
D:阻抗
答案:ABCD
第九章测试
1.产品鉴定用于评价电子封装的原型。

（）
A:对
B:错
答案:A
2.早期失效主要由电子产品制造和组装过程中的缺陷和瑕疵造成。

（）
A:错
B:对
答案:B
3.温度循环试验是在温度均值上应用一定幅值的温度变化，温度变化的速率是
（）。

A:快速的
B:可变的
C:与温度没有关系
D:固定的
答案:B
4.寿命周期载荷可分为工作载荷和（）。

A:应力载荷
B:性能载荷
C:环境载荷
D:温度载荷
答案:C
5.鉴定加速试验中，温度相关的试验包括（）。

A:恒温试验
B:功率温度组合循环试验
C:温度循环试验
D:热冲击试验
答案:BCD
第十一章测试
1.按照膜厚的经典分类，认为小于1μm的为薄膜，大于1μm的为厚膜。

（）
A:错
B:对
答案:B
2.印刷是厚膜浆料在基板上成膜的基本技术之一，厚膜中最常用的印刷是丝网
印刷。

（）
A:错
B:对
答案:B
3.典型的薄膜生长工艺一般采用物理气相淀积法进行，以下不属于物理气相淀
积工艺的为（）。

A:真空蒸镀
B:溅射镀膜
C:化学镀
D:电镀
答案:C
4.厚膜电阻的成分，一是导体颗粒，二是（）。

A:有机物颗粒
B:塑料颗粒
C:玻璃颗粒
D:陶瓷颗粒
答案:C
5.多层陶瓷基板多层化的方法包括（）。

A:印刷多层法
B:生板叠层法
C:磁控溅射法
D:厚膜多层法
答案:ABD。