METHOD OF LOW VOLTAGE PROGRAMMING OF NON-VOLATILE
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专利名称：METHOD OF LOW VOLTAGE
PROGRAMMING OF NON-VOLATILE
MEMORY CELLS
发明人：Dana Lee,Jeffrey Lutze
申请号：US11614879
申请日：20061221
公开号：US20080151627A1
公开日：
20080626
专利内容由知识产权出版社提供
专利附图：
摘要：A low voltage method of programming a selected non-volatile memory cell in a memory array having a gate node coupled to a wordline WL(n) and a drain node
connected to a selected bitline by injecting hot carriers from a drain region of an injecting memory cell having a gate node coupled to a next neighbor wordline WL(n-1) into a floating gate of the selected non-volatile memory cell on the wordline WL(n).
申请人：Dana Lee,Jeffrey Lutze
地址：Saratoga CA US,San Jose CA US
国籍：US,US
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