英飞凌打造一站式家电解决方案
英飞凌IGBT参数中文版
RthCH _ IGBT RthJC _ IGBT RthJC _ Diode RthJC _ Diode * RthCH _ mod ule
RthCH _ Diode RthJC _ IGBT RthJC _ Diode RthJC _ IGBT * RthCH _ mod ule
估算的办法用于和竞争对手比较的情况，竞争对手 经常虚标电流，而IFX则留有余量
VCEsat 是IC nom 的函数，见规格书后图1，采用线性近似 VCEsat =(IC nom +287)/310 Tjmax =150℃,TC =80℃,RthJC =0.055K/W 计算得：IC nom =500A
电压参数
VCEsat 的变化
VCEsat 随IC的增大而增大
VCEsat 随VG的减小而增大
电压参数
VCEsat是仿真计算的基础数据
电压参数
英飞凌:为能源价值链提供芯片方案,无锡工厂努力践行“碳中和”
人们对所做工作的理解。例如，现在无锡工厂的工程师 对器件的理解非常深，从技术层面来看，他们已经谈到 了芯片晶圆的结构、振动到底哪个方向会对工件更好等 非常细致的问题。正是得益于工程师对技术的进一步掌 握，才能使英飞凌的产品达到目前的水准。 ２．４ 无锡工厂的工业４．０蓝图
展望未来，英飞凌提出了无锡工业 4.0 蓝图，包括 四个方面：1）集成化、数字化敏捷生产和制造系统。 这里主要是基于 MES 系统对“人机料法环”的管控。2） 利用大数据分析对质量的自动异常检测、预测。3）生 产智能化和自动化。希望工程师的生活、所有办公人员 的生活也实现数字化，实现高效自我管理的数字化工作 和生活。4）物料方面，希望能实现优化集成的材料处理。
1）打造智能工厂 工业互联网和智能工厂是英飞凌物联网战略的重要 组成部分。英飞凌是“德国工业 4.0”执行和指导委员 会初创成员，也加入了工业互联网联盟（IIC）和德国“工 业 4.0”平台，在“工业 4.0”相关规则和标准的制定中 发挥着非常关键的作用。同时，英飞凌也在研制工业 4.0 所需的核心器件和领先的半导体解决方案。除了是倡导 者之外，英飞凌也是工业 4.0 的赋能者。英飞凌能够提 供值得信赖的安全解决方案、高级感测能力、跨应用控 制以及高效电源管理，这些对于实现工业 4.0 具有非常 重要的作用。 除了作为倡导者和赋能者，英飞凌更是工业 4.0 的 实践者，把覆盖生产、供应链和技术开发全流程数字化， 作为实现工业 4.0 的一个目标。 2）MES 2013 年起，英飞凌无锡通过自主研发的制造执行系 统（MES）实现了制造自动化和智能化，显著提升了运 营绩效。该系统能够对人员、机器、材料、流程和方法、 环境设施等五大关键生产要素进行智能控制，利用无纸 化、数据分析及智能决策系统实现了工厂自动化和智能 化，从而降低成本，提升速度和质量。例如，英飞凌无 锡将生产周期缩短了 50%；在没有额外投资新设备的 情况下，生产效率提升了 11%；实现了制造因素和产品 工艺参数 100% 可追溯；自动化程度达到了 80%；基于
英飞凌太阳能微型逆变器解决方案
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太阳能微型逆变器的特点和优势
设计灵活 ＆ 安装便利 更小的尺寸 可以根据实际需要，通过多个微型逆变器并联实 现大功率输出 输入端太阳能电池板的连接线路更为简单 提高发电量
由于对每个太阳能电池板进行最大功率点追踪，可以提 高电池板的利用率，进而提高系统的效率 在太阳能电池板处于光照条件不好的情况下（比如被遮 光，或电池板上有杂物覆盖时），相比其他类型的太阳 能逆变器，可以输出更多的功率 和太阳能优化器相比，微型逆变器不需要额外的组串型 逆变器 没有额外的成本增加和额外的损耗，可以获 得更高的系统效率
英飞凌高性能太阳能微型逆变器解决方案
李和明 系统应用工程师
目录
太阳能微型逆变器的特点和优势 ＭＰＰＴ 常用解决方案
英飞凌功率器件在微型逆变器中的应用 英飞凌２００Ｗ 微型逆变器解决方案 总结
3/22/2011
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Recommended IFX part
SiC SBD 600V or G5 650V SiC Diode
关于逆变侧功率器件的建议
截止目前还没有相关规定要求太阳能微型逆变器具有处理无功功率的能力(VDE4105) 通常使用 ４颗ＭＯＳＦＥＴ组成一个全桥逆变器
对于电流源型逆变器：
800V/900V CoolMOS™ C3
Buck-boost……工作原理
Buck电路 Boost 电路
三种工作模式：
＋ 降压：Ｓ３ 恒通，Ｓ１，Ｓ２ＰＷＭ ＋ 升压：Ｓ１ 恒通，Ｓ４，Ｓ３ＰＷＭ ＋ 旁路：Ｓ１ ＆ Ｓ３ 恒通
S1 / S2: 低压ＭＯＳＦＥＴ工作在同步整流模式，降低损耗，提高效率 ＭＯＳＦＥＴ的要求 ：更低的Ｒｄｓｏｎ， ＦｏＭ Ｒｏｎ＊Ｑｇ ＆ ＦｏＭ Ｒｏｎ＊Ｑｏｓｓ S3 / S4:低压ＭＯＳＦＥＴ工作在同步整流模式，降低损耗，提高效率 ＭＯＳＦＥＴ的要求 ：更低的Ｒｄｓｏｎ， ＦｏＭ Ｒｏｎ＊Ｑｇ ＆ ＦｏＭ Ｒｏｎ＊Ｑｏｓｓ
英飞凌Infineon-企业介绍
每年加一次，HR 还是比较专业的。有任何政策，会及时告知员工。 问：公司的工作节奏怎么样呢？是否会经常加班？如果加班有什么加班补助 吗？ 加班比较少，请假比较方便。还会有员工活动日，比较人性化。 工作体验： 环境好，同事也好。时不时有很多福利可以享受。
3、前员工-工作 1 年-西安 2018-03-27 问在这里工作压力大吗？压力主要来源于哪些方面？ 在德国还是不错的 IC 公司
吧
学 问你觉得公司在行业中处于什么地位？未来发展前景如何？与同类公司相
比优势在哪？
同 2012-2018 年股票一直在涨，翻了 5 倍。
问你的岗位晋升路线是怎样的？需要达到什么标准能够获得晋升？公司晋
场做一条题目，谈谈多工业 4.0 的看法等 面试官问的面试题： 如何看待工业 4.0 和中国制造 2025？ 对英飞凌的了解，为什么想加入英飞凌？ 介绍自己做过的项目？
4、质量工程师 面试经验( 无锡 )
发布时间： 2015-11-30
面试过程：
一面：和 HR 一对一全英文面试
二面：部门总经理一对一，中文面的。
3、两年前-SQE 经理·无锡 面试了将近两个小时，面试官问的问题非常细，有时需要你把公式写出来。 有时候需要用英文来说明。总体难度较高。印象比较深刻的是问到我是怎么用 8D 的方法解决问题的？要求用英文来说明。 面试官提出的问题： 问 PPK 和 CPK 的差异？ 答 PPK 是过程性能指数,也可表示初始能力指数,它和 CPK 的计算方式是一 样的,只是利用的标准差的估计值不同,通常相对而言 CPK 会比 PPK 的值大
大 汇集优秀成长经历，为您生涯发展导航
专注服务电子类学生
英飞凌IGBT模块型号参数大全
EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 750 EconoPACK 2B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 750 EconoPACK 2B EconoPACK 2B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 3B EconoPACK 3B EconoPACK 3B
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FS150R06KE3 FS150R06KE3_B4 BSM200GD60DLC FS200R06KE3 FS400R06A1E3 FS400R07A1E3 FS800R06A2E3 FS800R07A2E3 FS200R07N3E4R FS200R07N3E4R_B1 1 FP50R06W2E3 BSM10GP60 BSM15GP60 BSM20GP60 BSM30GP60 BSM50GP60 BSM50GP60G BSM75GP60 BSM100GP60 FP10R06KL4 FB10R06KL4G FB15R06KL4 FB15R06KL4B1 FB20R06KL4 FB20R06KL4_B1 FP10R06KL4_B3 FP10R06W1E3 FP10R06YE3 FP10R06YE3_B4
英飞凌 FZ1500R33HL3 IHM-B 模块 数据表
IHM-B 模块 采用第三代沟槽栅/场终止IGBT3和第三代发射极控制二极管特性•电气特性-V CES = 3300 V-I C nom = 1500 A / I CRM = 3000 A -高直流电压稳定性-高短路能力-低 V CEsat-无与伦比的坚固性-T vj op = 150°C -V CEsat 带正温度系数•机械特性-碳化硅铝 (AlSiC) 基板提供更高的温度循环能力-封装的 CTI > 600-IHM B 封装-绝缘的基板可选应用•斩波应用•中压变流器•电机传动•牵引变流器•UPS 系统•风力发电机产品认证•根据 IEC 60747、60749 和 60068标准的相关测试，符合工业应用的要求。
描述FZ1500R33HL3IHM-B 模块内容描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1可选应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1产品认证 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1内容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 1封装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 2IGBT, 逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3二极管,逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4特征参数图表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 5电路拓扑图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10 6封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11 7模块标签代码 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12修订历史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13免责声明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .141封装表 1绝缘参数特征参数代号标注或测试条件数值单位绝缘测试电压V ISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min 6.0kV 局部放电熄弧电压V isol RMS, f = 50 Hz, Q PD≤ 10 pC 2.6kV DC 稳定性V CE(D)T vj=25°C, 100 Fit2100V 模块基板材料AlSiC内部绝缘基本绝缘 (class 1, IEC 61140)-爬电距离d Creep端子至散热器32.2mm 电气间隙d Clear端子至散热器19.1mm 相对电痕指数CTI>600表 2特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值外壳－散热器热阻R thCH每个模块, λPaste= 1 W /(m*K) / λgrease= 1 W/(m*K)5.5K/kW 杂散电感,模块L sCE6nH 模块引线电阻,端子-芯片R CC'+EE'T C=25°C, 每个开关0.12mΩ储存温度T stg-40150°C 模块安装的安装扭距M根据相应的应用手册进行安装M6, 螺丝 4.25 5.75Nm端子安装扭矩M根据相应的应用手册进行安装M4, 螺丝 1.8 2.1Nm M8, 螺丝810重量G1200g 2IGBT, 逆变器表 3最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = -40 °C3300VT vj = 150 °C3300连续集电极直流电流I CDC T vj max = 150 °C T C = 95 °C1500A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms3000A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 4特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 1500 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 2.40 2.85VT vj = 125 °C 2.95 3.50T vj = 150 °C 3.10栅极阈值电压V GEth I C = 72 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.20 5.80 6.40V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 1800 V42µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C0.42Ω输入电容C ies f = 1000 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V280nF 反向传输电容C res f = 1000 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V6nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 3300 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C5mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C400nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 1500 A, V CE = 1800 V,V GE = ±15 V,R Gon = 0.51 Ω,C GE = 330 nF T vj = 25 °C0.360µs T vj = 125 °C0.400T vj = 150 °C0.410上升时间(感性负载)t r I C = 1500 A, V CE = 1800 V,V GE = ±15 V,R Gon = 0.51 Ω,C GE = 330 nF T vj = 25 °C0.370µs T vj = 125 °C0.400T vj = 150 °C0.400关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 1500 A, V CE = 1800 V,V GE = ±15 V, R Goff = 2.7 Ω,C GE = 330 nF T vj = 25 °C 4.100µs T vj = 125 °C 4.300T vj = 150 °C 4.300下降时间(感性负载)t f I C = 1500 A, V CE = 1800 V,V GE = ±15 V, R Goff = 2.7 Ω,C GE = 330 nF T vj = 25 °C0.400µs T vj = 125 °C0.400T vj = 150 °C0.400开通时间（阻性负载）t on_R I C = 500 A, V CE = 2000 V,V GE = ±15 V,R Gon = 0.51 Ω,C GE = 330 nFT vj = 25 °C 1.35µs开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 1500 A, V CE = 1800 V,Lσ = 85 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 0.51 Ω,C GE = 330 nF, di/dt =4300 A/µs (T vj = 150 °C)T vj = 25 °C2300mJ T vj = 125 °C3200T vj = 150 °C3600(待续)表 4(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 1500 A, V CE = 1800 V,Lσ = 85 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 2.7 Ω,C GE = 330 nF, dv/dt =1550 V/µs (T vj = 150 °C)T vj = 25 °C2400mJ T vj = 125 °C2950T vj = 150 °C3100短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 2500 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 10 µs,T vj=150 °C6400A结－外壳热阻R thJC每个 IGBT7.35K/kW 外壳－散热器热阻R thCH每个 IGBT, λgrease= 1 W/(m*K)10.0K/kW 允许开关的温度范围T vj op-40150°C3二极管,逆变器表 5最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = -40 °C3300VT vj = 150 °C3300连续正向直流电流I F1500A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms3000A I2t-值I2t t P = 10 ms, V R = 0 V T vj = 125 °C845kA²sT vj = 150 °C730最大损耗功率P RQM T vj = 150 °C2400kW 最小开通时间t onmin10µs表 6特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 1500 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 2.25 2.85VT vj = 125 °C 2.20 2.75T vj = 150 °C 2.20(待续)表 6(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值反向恢复峰值电流I RM V R = 1800 V, I F = 1500 A,V GE = -15 V, -di F/dt =4300 A/µs (T vj = 150 °C)T vj = 25 °C1600A T vj = 125 °C1800T vj = 150 °C1900恢复电荷Q r V R = 1800 V, I F = 1500 A,V GE = -15 V, -di F/dt =4300 A/µs (T vj = 150 °C)T vj = 25 °C1500µC T vj = 125 °C2600T vj = 150 °C2900反向恢复损耗（每脉冲）E rec V R = 1800 V, I F = 1500 A,V GE = -15 V, -di F/dt =4300 A/µs (T vj = 150 °C)T vj = 25 °C1600mJ T vj = 125 °C3150T vj = 150 °C3700结－外壳热阻R thJC每个二极管13.0K/kW 外壳－散热器热阻R thCH每个二极管, λgrease= 1 W/(m*K)11.0K/kW 允许开关的温度范围T vj op-40150°C5电路拓扑图图 16 封装尺寸6封装尺寸Array图 27 模块标签代码7模块标签代码图 3修订历史修订历史修订版本发布日期变更说明V2.12007-02-18Preliminary datasheetV2.22007-09-21Preliminary datasheetV2.32008-02-06Preliminary datasheetV2.42010-04-26Preliminary datasheetV3.02013-08-09Final datasheetV3.12013-12-11Final datasheetV3.22018-07-12Final datasheetV3.32019-07-24Final datasheetn/a2020-09-01Datasheet migrated to a new system with a new layout and new revisionnumber schema: target or preliminary datasheet = 0.xy; final datasheet =1.xy1.102021-10-26Final datasheet商标所有参照产品或服务名称和商标均为其各自所有者的财产。
英飞凌与奇瑞携手打造新能源汽车零部件体系
了不错的成就 ，在市场上很 陕会得到应用 。虽然英 飞凌 与奇 Ｈ ｎ ｄ ｏｅ 先生认 为 ，Ａｕｏ ａ ａ ｓＡ ｌ ｆｒ ｋ ｔＳ ｒ目前虽 然不是 双方
瑞是产业链 的两端 ，但 由于现 在越来越多的功能集 成在 了芯 合作 的工作 重心 ，但未来 势必 会加 强。Ａ ｔＳ ｒ ｕｏ ａ 是半导体厂 片上 ，双方其实可 以直接展开合作 ，并为产业的 中间环 节提 商未来必须遵循的要求 ，它本身也是一个平台化的模式 ，半 供很多空间，从而带动整个汽车零部件体系的发展 。 ”
业 务 部经 理 Ｄ ｖ ｉ ａ ｙ先 生 详 细 ａ ｅ Ｒｓ ｖ ｈ
Ｓｅ ｆ ｄＧｒｓ 先生进一步指出， ｉ ｒ ｏｓ ｇｉ ｅ
考虑到去除电缆的影响。 圃四
英飞凌与奇瑞携手打造新能源汽车零部件体系
４月 ２ ７日，恰逢第十一届北京国际汽车展览会召开期 合 动力车上 的经验 可以转移 到纯 电动汽车上 ，相 对而 言， 间 ，英 飞凌携手奇瑞公 司共 同举办 了 “ 奇瑞 － 英飞凌 ２ １ 电动车 的机械结 构会 更简单 ， 将对 国内的车厂更为有 利。 ０ ０ 这
关 于Ａ ｔＳ ｒｆｆ的前 瞻 性 合 作 ｕｏ ａｔ，ｔ ，；
Ａ ｔＳ ｒ（ ｕｏ ａ 汽车开放系统架构 ） 国际标准 ，尽管 目前 是
为奇瑞进 行的开发 会比较快 。我们也有 其他一些 方面 的合 在 中国尚未达到产业化的阶段 ，但英飞凌和奇瑞 已经开始了 作 ，例如变速箱 系统 、电池管理 系统 。 ”
导体厂商要跟进 这一标准 的话 ，必须遵循这个平台的模式提
供接 口一致的产品。
关于混合动 力车和 电动车的开发负主要责任 ，
目前 ，我国混合动力车数 量比较多 ，但长期看来电动车 最看 重的是软 件功能 的实现和控 制 ，他们 会在技术方 面提 的市场份额会更大。纯电动车 的发展之所以相对迟缓 ，主要 出很多要求 。廖越峰指出 ： 目前 ，针对新 能源汽车的开发 ， “
英飞凌XMC微控制器完美支持电机控制_V1.0
丰富的位置传感器接口单元 •支持电机应用中常见的所有传感器接口
通信接口 •支持多种常见的通信接口 统一的开发平台
•DAVE支持整个XMC家族的开发，自动代码生成功能加速项目开发 参考方案支持
•从简单BLDC控制至复杂的伺服控制
2013-12-20 Copyright © Infineon Technologies AG 2013. All rights reserved. Page 14
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XMC电机应用相关外设集 PWM - CCU4
CCU4
多功能16位定时器组 ４个完全相同、独立运行的子单元 实现功能（部分）
― 通用16位定时器
― 独立的16位PWM生成
― 外部信号捕获（周期，占空比）， 计数功能 ― 与其他外设配合工作，如
― 与ADC配合，触发延时电流采样 ― 与POSIF配合，实现转速、位置计算： 霍尔传感器，增量式编码器 ― 与比较器配合，实现外部事件触发 PWM生成(PFC)
2013-12-20
Copyright © Infineon Technologies AG 2013. All rights reserved.
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XMC电机应用相关外设集 PWM - CCU8
CCU8 = CCU4++
Multi Phase Control
3-Phase Motor Control N Phase Power Supplies Asymmetric PWM (CCU8x) for Phase Shift Trap
直流无刷电机（BLDC）
• 梯形波控制 • 霍尔传感器，无（位置）传感器（A/D, 比较器）
英飞凌的IGBT驱动芯片介绍
EiceDriver
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Isoaltion Definitions
Functional Insulation:
VDE 0884-10 Approved UL1577 Pending
Insulation between conductive parts which is necessary only for the proper functioning of the equipment. Basic Insulation: Insulation applied to live parts to provide basic protection against electric shock. Supplementary Insulation: Independent insulation applied in addition to basic insulation, in order to provide protection against shock in the event of a failure of basic insulation. Double Insulation: Insulation comprising both basic insulation and supplementary insulation. Reinforced Insulation: A single Insulation applied to live parts, which provides a degree of protection against electric shock equivalent to double insulation
基于 CLT 技术 1200V, +1A/-2A 半桥驱动器 SO-18-2 SMD 封装 (符合RoHS标准) VCC / VSH: 14V-18V 欠压锁定（UVLO）: 典型值 11V (欠压清除电 平典型值12V) PWM 输入： 高电平有效, 兼容3.3V/5V TTL逻 辑 输入互锁功能 关断(SD)输入 通用运算放大器和比较器 VGNDH: 最大可达 ±1200V! 传输延迟典型值85ns， 上下管传输延迟相差 ±25ns 符合并通过IEC61000-4-4标准等级4
太阳能微型逆变器&组串式逆变器-英飞凌解决方案
Strictly Confidential for Power Management Roadshow 2013
电流源型逆变器(Ⅲ)
Devices Q1,Q2,Q3,Q4 D1,D2,D3,D4 Q5,Q6 Q7,Q8 Q9 D5
Function Primary side MOS Rectifier Diode Unfolding switch Unfolding switch Buck MOS Buck Diode
低导通损耗+低开关损耗+ 快恢 CoolMOS P6/C6 (CFD 考虑无功功率要求) 复反并二极管(考虑无功功率要求) 低导通损耗 IGBT 600V Trenchstop
D1,D2
Vf,Qrr小
SiC SBD 600V or Gen5 650V SiC Diode
Strictly Confidential for Power Management Roadshow 2013
英飞凌功率器件在微型逆变器中的应用
Strictly Confidential for Power Management Roadshow 2013
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组串型逆变器---MPPT
微型逆变器: 150W..900W
8/23/2013
Strictly Confidential for Power Management Roadshow 2013
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英飞凌IGBT及DIODE简介
Vbrces 650V @ 25°C Low Qg Low Coss / Eoss High Softness (H5) Co-pak diode robustness, low Qrr, high dI/dt, dV/dt
•Higher design margin •Cosmic radiation robustness in Solar •Low driving losses „cheap“ driver possible •High efficiency at light load •Low losses in resonant topology smaller resonant tank •low Rgon=Rgoff, Plug&Play replacement (H5) , easy of use. •Low EMI High Reliability in resonant topologies (ZVS/LLC) concerning hard commutation capability of anti-parallel diode
9/16/2013 Copyright © Infineon Technologies 2010. All rights reserved.
Turn-off controllability
Double Pulse characterization Turn-off
0.40
Vce=400V, Tc=25°C, Vge=15V, Ic=20A
25° C
Trade-off previous generation
150° C
TRENCHSTOP™5
TRENCHSTOP™5
At 150°C junction temperature the TRENCHSTOPTM5 offers: The same Vce(sat) value as the TRENCHSTOPTM family
150年创新不止，A.O.史密斯引领好风好水健康生活
别策划52特SPECIAL REPORT2024/4150年创新不止，A.O.史密斯引领好风好水健康生活东禾3月14日，2024年中国家电及消费电子博览会（AWE2024）在上海新国际博览中心拉开帷幕。
A.O.史密斯携“全屋好风好水，乐享健康生活”理念震撼亮相。
从智慧五恒系统，到好风好水健康厨房，从150年旗舰/经典系列，到旗下年轻时尚品牌佳尼特⋯⋯A.O.史密斯带来的“高端智慧互联一站式好风好水解决方案”乐享体验，彰显了已拥有150年历史的A.O.史密斯的创新底蕴和活力。
智慧五恒系统，以“好风”营造诗意的栖居在AWE2024上，A.O.史密斯打造了一套沉浸式智能生活体验间，通过部署“智慧五恒系统”，让恒温、恒湿、恒氧、恒洁、恒静的“好风”流动在家中每个角落，冷热宜人、微风正好、不干不燥、静谧舒爽。
A.O.史密斯AI-LiNK 五恒系统，告别了空调和新风各自运行、井水不犯河水的模式，通过中央空气处理机组，外加冷热一体的“天风地水”532024/4为中式深碗量身定做，充分模拟手动洗涤场景，上下3个大冲力喷臂旋转配合，让餐具竟然实现了转着洗且360°无死角，残渣油污都能洗净。
洗碗机还能通过AI-LiNK 直连橱下净水机，实现净水洗碗，告别手动加盐，让餐具不留水垢，也不含钙镁离子和重金属。
配合热风烘干和内外气流交替的烘干方式，洗后餐具的抑菌率达到99.99%，并持续长达72小时，更加干净健康、安全又安心。
“自旋式”洁霸洗碗机做到深度清洁无惧挑战，现场还邀请观众参与碗碟“转运涂鸦”游戏。
无论多么缤纷的碗碟，经过自旋式洗碗机的洗礼，都能重新变得洁净如新，展现出A.O.史密斯带来的强大净洗实力。
A.O.史密斯3D 蒸霸蒸烤一体机通过采用创新的上下双蒸汽加热系统，让全腔充盈澎湃蒸汽，快速锁鲜，保持食物原汁原味；高温热风循环可以逼出食材自身油脂，无需额外放油，就能让食材皮脆肉嫩、鲜美多汁，拒绝高油高盐，乐享健康饮食；此外，烹饪过程中还实现了直连净水，告别手动加水的繁琐步骤，乐享轻松从容。
汽车电子48V系统解决方案-ADC测量和规范应用攻略
AudoNG, AudoFuture and AudoMax family静态误差参数1 引言这个应用笔记描述的是英飞凌微控制器中模数转换使用的测量方法。
它包含ADC的静态和动态误差参数的定义，以及用于描述ADC的测试建立和算法。
也简述了特征化/验证英飞凌的微控制器的ADC 时用的测试条件。
本文目的是帮助微控制器的ADC用户更好地理解其规范以及更有效地使用ADC。
2 术语和定义整篇文章中的小写字母代表了一个数据矩阵，而大写字母却用作信号值。
例如，tue表示整个数据矩阵，而 TUEmin 和 TUEmax 是用来说明最小和最大值。
3 静态误差参数3.1 理想ADC 转换曲线有两种理想ADC转换曲线。
对于一个实时ADC的误差参数的正确计算来讲，知道其相应理想转换曲线是很重要的。
图1表示3位AD转换的未补偿理想ADC转换曲线。
对所有代码其转换宽度是相同的。
量化误差的结果是从 0 到-1LSB。
图 1 3位AD转换器的未补偿理想转换曲线和量化误差另一个定义方法是，第一个代码宽度仅有½LSB，而最后一个代码宽度则是1½ LSB。
这种类型通常是如图2所示的½LSB补偿转换曲线，其量化误差是 ±½ LSB。
在英飞凌微控制器中，标准单端ADC采用½ LSB补偿转换曲线，而快速差分ADC采用1LSB补偿转换曲线。
注释:对于未补偿转换曲线，模拟输入范围的中点值经转换后位于代码2n/2-1到2n/2之间，而对于补偿转换曲线，其中间值经转换后则是位于代码2n/2处。
这两类转换曲线都有2n个代码值，但都只有2n-1代码跳变。
图 2 3位AD转换器的补偿理想转换曲线和量化3.2 总未调整误差实际ADC的转换曲线会偏离理想的ADC转换曲线。
实测转换曲线和理想转换曲线的偏差定义为未调整总误差（TUE）。
图3显示了3位ADC的例子，由于tue的计算是基于代码跳变的，因此在tue图上共有2n-1个tue值:tue[i]=real_code_transition[i]-ideal_code_tanstition[i]i=0→2n-1在转换过程中tue 的值通常以LSB来表示。
英飞凌IGBT 技术和产品概述及其应用领域
英飞凌IGBT 技术和产品概述及其应用领域IGBT芯片技术及其发展：功率半导体在整个电能供应链中扮演重要角色。
如何提高功率密度是功率器件发展的主题：芯片技术和功率密度：芯片技术的发展趋势——以600/650V 为例600V IGBT 新的里程碑——HighSpeed3：器件型号芯片技术Ic [A]@100°C 大小[mm2]SPW47N60C3 CoolmosTM C3 30 69.3 IKW30T60 TRENCHSTOPTM 30 15.2 IGW40N60H3 High Speed 3 40 19.3HighSpeed3 特性芯片面积只有CoolMOS的28%功率密度高芯片和模块成本低在高温在拖尾电流也很小关断特性接近于CoolMOS，Eoff是IGBT3的40%,是CoolMOS的120%平滑的开关波形，振荡很有限TRENCHSTOP™5 - 25°C Trade-off 曲线Vce(sat) 对Eoff：与英飞凌的Best-in-class Highspeed3 比, TRENCHSTOPTM5 : >60% 低的开关损耗10% 低的导通损耗TRENCHSTOP™5开关特性–接近MOSFET的开关特性，消除拖尾电流。
TRENCHSTOP™5 –应用目标，填补IGBT与MOSFET之间的中到高频开关应用650V TRENCHSTOP™5，产品家族。
F5：超高性能版本需要超低寄生电感设计开关频率：~120kHzH5：逆导型IGBT用于软开关，如准谐振感应加热R5：逆导型IGBT用于软开关，如准谐振感应加热L5：低饱和压降目标：Vcesat =1V @ Inom, 25°C600V/650V 芯片技术的发展：发展背景：•600V 主要应用220V 马达驱动,电源，以小功率为主。
•电动汽车，太阳能等新兴应用功率大，追求高效率，对芯片技术有新的要求IGBT2---IGBT3di/dt 降低25%.过电压减小25%更短的拖尾电流关断损耗在同一水平短路时间6us600V---650Vdi/dt 进一步降低关断损耗增加短路时间10us耐压增加50V电压余量增加180V芯片技术的发展趋势——IGBT4 回顾：芯片技术的发展趋势——IGBT4 回顾：IGBT4 P4 的软特性：2400A-模块的关断特性at Tvj=25°C , Ic= 0,5 Inom (Rg=0,3Ohm,没有有源嵌位) IGBT 3 E3 在测试条件下, 300V 直流电压下就开始振荡。
库尔兹：赋予家电CMF创新更多可能
恰到好处的锦上添花《电器》记者了解到，模内装饰工艺（IMD），是利用塑料成型（含注塑、吹塑）的温度、压力及一定时间在模内同步附着做能层、结构层或装饰层的一种塑胶装饰技术。
模内装饰一般分为模内贴标（IML）、模内转印（IMR）、模内涂布（IMC）。
而库尔兹所擅长的是IMR，这种工艺有着诸多方面的优点，能有效减少制品再加工工序和周期，解决多面、异形面等装饰难题，提升制品的质量和档次，而且具备自动化生产程度和效率较高，环保生产和环保使用性能突出等优点。
“与IML 不同，IMR 表面不留PET 或PC 片材，留下的只有图案装饰效果，从外观上去除塑料制品的标签，还原呈现设计所要表达的皮纹、织物、木材等仿形物品的自然纹路之美。
”施滨介绍说。
“目前，国内掌握IMD 工艺的企业有一些，但这些企业前期多数以本期CMF 专题采访过程中，《电器》记者多次从家电企业那里听到库尔兹(Kurz)这个名字。
这个在家电制造领域以烫金和模内装饰工艺（IMD）为主要业务的配套企业，似乎总是能有好的点子，赋予家电CMF 创新更多可能，而一些由库尔兹成就的家电经典CMF 案例，也一直被圈内人津津乐道。
借CMF大展拳脚库尔兹集团总部设立在德国，成立至今已有119年历史，在全球范围内设立了12家工厂，员工总数约4600名。
库尔兹在亚洲设有两家工厂，分别位于马来西亚及中国合肥。
库尔兹集团的主营业务分为三大板块：工业（Industrial）、塑料装饰（Plastic decoration）以及安全防伪 （Security）。
“业务模式上，库尔兹为客户提供一站式解决方案，不仅提供装饰及功能化产品，更是从产品咨询、设计，到样件制作，设备模具等，提供从技术支持到产品源头追溯全过程的完整解决方案。
”库尔兹压烫科技（合肥）有限公司塑料装饰组高级项目拓展经理施滨向《电器》记者介绍说。
“近年来，CMF 概念在家电业盛行，与库尔兹合作的大多是国内龙头家电生产企业， 这些企业都设立了专门的CMF 部门，CMF 课题被提升到前所未有的战略高度。
___RFC1360MXSLYN(E)
___RFC1360MXSLYN(E)___RFC1360MXSLYN(E)是一款高性能的冰箱。
它具有以下基本特点和功能：大容量：RFC1360MXSLYN(E)提供宽敞的内部空间，可以容纳大量食材和饮料，满足家庭的需求。
智能控制：该冰箱配备了智能控制系统，可以精确调节温度和湿度，保持食材的新鲜度和营养价值。
节能环保：RFC1360MXSLYN(E)采用先进的节能技术，能有效降低能源消耗，为环境保护做出贡献。
多功能设计：除了传统的冷藏和冷冻功能，该冰箱还配备了多种实用功能，如饮水机、冰水制作等，方便用户的不同需求。
智能互联：RFC1360MXSLYN(E)支持智能互联功能，可以与其他智能家居设备进行连接，实现智能控制和远程监控。
总之，___RFC1360MXSLYN(E)是一款功能强大、方便实用的冰箱，适合于家庭和办公场所使用。
尺寸宽度：[填写具体尺寸]高度：[填写具体尺寸]深度：[填写具体尺寸]容量总容量：[填写具体容量]冷藏室容量：[填写具体容量]冷冻室容量：[填写具体容量]特点填写特点1]填写特点2]填写特点3]填写特点4]填写特点5]其他技术规格填写其他技术规格1]填写其他技术规格2]填写其他技术规格3]填写其他技术规格4]填写其他技术规格5]介绍___RFC1360MXSLYN(E)的主要特点，如智能控制、节能等。
一、注意事项在使用___RFC1360MXSLYN(E)之前，请务必仔细阅读并理解产品的使用说明书。
请确认您已经正确连接好电源和相关管道，确保设备能够正常运行。
在清洗或维修设备之前，请先关闭电源，以确保安全操作。
二、操作步骤打开Haier 海尔RFC1360MXSLYN(E)的控制面板。
使用控制面板上的按钮或旋钮选择您需要的功能和设置，比如温度、水压等。
将您要清洗或处理的物品放入设备内部，确保不要超过设备的最大容量。
确认设备门已经关闭，并且密封良好。
按下开始按钮，设备将开始执行您选择的功能和设置。
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英飞凌打造一站式家电解决方案
怀揣着这样美好的愿景，英飞凌凭借根植中国家电行业多年的技术优势与行业资源，搭建和运营了家电生态圈网站。
家电生态圈网站旨在汇聚家电生态圈线上资源，实现变频方案的平台化，从而使得方案供需双方得以准确对接，并做到及时的在线技术互动。
这将为英飞凌、方案商和家电商三方搭建沟通的桥梁，创造更多商机。
凭借网站强大的功能，英飞凌乐于为家电相关企业的变频化、智能化进程赋能，与企业并肩探索技术方案升级创新的最佳实践路径，加速创新方面促进家电产业上下游之间的合作，推进跨界创新和产业联动。
家电生态圈是什幺样子的？先睹为快
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