单端反激开关稳压电源设计与制作

设计应用
3.2　反激电路参数选择
　开关器件参数选择及选型
根据UC3844的4管脚接入的RC值，可得PWM 波频率为153.3 kHz，开关器件承受最大电压值为393 V，开关器件的额定电压为786～1 179 V，额定电流范
0.50～0.66 A。

本文最终选择了TO-220F封装的7N65 MOSFET作为开关器件[4]。

　肖特基二极管参数选择及选型
流过每个肖特基二极管的电流平均值为1.25 A，有效值为1.77 A。

由于肖特基二极管承受的最大电压
45.5 V，考虑安全裕量，肖特基二极管的额定电压
～136.5 V，额定电流为1.69～2.25 A。

本文最终选择了SR3100肖特基二极管（最大耐压值100 V，正向平均电流最大值3 A）。

3.3　RCD吸收电路
RCD吸收电路由二极管D5、电容C2和电阻R10构成。

相比于RC电路，RCD吸收电路具有更好的过电压抑制作用。

4　控制电路集成芯片UC3844及PWM产生电路
4.1　UC3844芯片简介
UC3844是一种高性能的电流模式控制器，是MOSFET驱动功率的理想器件，可实现精确的占空比和可微调的振荡器功能。

UC3844芯片采用单电源供电、单路输出的技术方案，主要包含欠压锁定、误差比较、电流取样比较、脉宽调制锁存和高频振荡等功能电路。

4.2　PWM产生电路仿真
Multisim中只有3844芯片的外形，内部没有其模型参数，不可用于仿真。

因此，未能得出仿真结果。

5　反馈控制
电路的反馈稳压原理如图3所示。

当输出电压升高时，经电阻R11、R10和R12分压后，接到TL431
考输入端（误差放大器的反向输入端）的电压随之升高，导致TL431端的电压V ka下降，而流经光耦二极管的电流i f变大。

电压下降电流升高，造成光耦集射极瞬态电阻值变小，UC3844引脚1的电平变小，导致PWM锁存器发生复位，脉冲变窄，MOSFET
的导通时间变短。

受此影响，次级线圈和自馈线圈输入端的能量变小，进一步导致输出电压V o变低。

反之亦然，使输出电压可以保持稳定。

6　电路测试
稳压电源测试数据如表1和表2所示。

表1　空载时电压调整范围
参数
最大电压/V最小电压
12.8711.18
占空比/%7.17.1
图2　反激电路仿真
接3844的1脚
R
15
20 Ω
R
16
1 k Ω
C
10
0.1μF
C
11
0.001μF
C
12
1μF
5％
5％
R
19
10 k Ω
1％
R
18
2.4 k Ω
1％
50％
VR
1
500 Ω
Key=A
R
17
1 k Ω
5％
U
3
U
1
TLP521-1
TL431ACD
GND
GND
+
接反激电路的输出
图3　由TL431及光耦组成的输出电压反馈电路
（下转第136
（上接第134页）
通过调节501电位器，由表1中的数据可知，空直接驱动MOSFET功率管[6]。

负载运行时，随着负载。