Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变的内耗

Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变的内耗
胡大治;薛若时;吕笑梅;朱劲松
【期刊名称】《上海交通大学学报》
【年(卷),期】2010(0)5
【摘要】采用脉冲激光沉积法在Si衬底制备了Ge2Sb2Te5合金薄膜,利用双端夹持音频簧振动技术在kHz范围内研究其由相变所引起的内耗谱,并通过电阻率测量加以验证.结果表明:在Ge2Sb2Te5薄膜的非晶相到立方相、立方相到六方相转变的温度范围内,出现了与相变有关的内耗峰P1和P2,其峰位置与升温速率有关且满足Kissinger关系;内耗峰P1和P2的相变激活能分别为(1.91±0.19)和
(3.38±0.33)eV.
【总页数】4页(P662-664)
【关键词】Ge2Sb2Te5薄膜;相变;内耗
【作者】胡大治;薛若时;吕笑梅;朱劲松
【作者单位】南京大学固体微结构国家重点实验室
【正文语种】中文
【中图分类】O484
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