一种新颖的4bit和5bit超宽带Ga As单片数字衰减器
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一种新颖的4bit和5bit超宽带Ga As单片数字衰减器
王会智;沈亚;蒋幼泉;李拂晓;张斌
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】2005(26)3
【摘 要】介绍了一种新颖的DC^20GHz的4bit和5bit GaAs单片数字衰减器的设计、制造和测试结果.该衰减器的设计采用纵向思维的方法.最终得到的 4bit数字衰减器的主要性能指标是:在 DC^20GHz频带内,插入损耗≤3 5dB,最大衰减量15dB,衰减步进1dB,衰减平坦度≤0 2dB,衰减精度≤±0 3dB,两端口所有态的电压驻波比≤1 6,相对于参考态,衰减态的插入相移在-10°~5°以内,芯片尺寸1 8mm×1 6mm×0 1mm.5bit数字衰减器的主要性能指标是:在DC^20GHz 频带内,插入损耗≤3 8dB,最大衰减量 15 5dB,衰减步进 0 5dB,衰减平坦度≤0 3dB,衰减精度≤±0 4dB,两端口所有衰减态的电压驻波比≤1 8,相对于参考态,衰减态的插入相移在-14°~2°以内,芯片尺寸2 0mm×1 6mm×0 1mmJ], 秦益霖
3.高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现 [J], 王会智;李拂晓
4.一种采用标准数字单元实现的5bit 100MS/s全数字闪烁型模数转换器 [J], 薛香艳;周雪荣;叶凡;任俊彦
5.一种新颖的多功能低相移DC-50 GHz单片可变衰减器 [J], 戴永胜;陈堂胜;俞土法;刘琳;高树平;杨立杰;陈继义;陈效建
【总页数】5页(P585-589)
【关键词】超宽带;数字衰减器;MMIC;高性能
【作 者】王会智;沈亚;蒋幼泉;李拂晓;张斌
【作者单位】南京电子器件研究所
【正文语种】中 文
【中图分类】TN386
【相关文献】
1.一种采用砷化镓pHEMT工艺的超宽带DC-40 GHz 4位单片数字衰减器 [J], 文星;郁发新;孙玲玲
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买
王会智;沈亚;蒋幼泉;李拂晓;张斌
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】2005(26)3
【摘 要】介绍了一种新颖的DC^20GHz的4bit和5bit GaAs单片数字衰减器的设计、制造和测试结果.该衰减器的设计采用纵向思维的方法.最终得到的 4bit数字衰减器的主要性能指标是:在 DC^20GHz频带内,插入损耗≤3 5dB,最大衰减量15dB,衰减步进1dB,衰减平坦度≤0 2dB,衰减精度≤±0 3dB,两端口所有态的电压驻波比≤1 6,相对于参考态,衰减态的插入相移在-10°~5°以内,芯片尺寸1 8mm×1 6mm×0 1mm.5bit数字衰减器的主要性能指标是:在DC^20GHz 频带内,插入损耗≤3 8dB,最大衰减量 15 5dB,衰减步进 0 5dB,衰减平坦度≤0 3dB,衰减精度≤±0 4dB,两端口所有衰减态的电压驻波比≤1 8,相对于参考态,衰减态的插入相移在-14°~2°以内,芯片尺寸2 0mm×1 6mm×0 1mmJ], 秦益霖
3.高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现 [J], 王会智;李拂晓
4.一种采用标准数字单元实现的5bit 100MS/s全数字闪烁型模数转换器 [J], 薛香艳;周雪荣;叶凡;任俊彦
5.一种新颖的多功能低相移DC-50 GHz单片可变衰减器 [J], 戴永胜;陈堂胜;俞土法;刘琳;高树平;杨立杰;陈继义;陈效建
【总页数】5页(P585-589)
【关键词】超宽带;数字衰减器;MMIC;高性能
【作 者】王会智;沈亚;蒋幼泉;李拂晓;张斌
【作者单位】南京电子器件研究所
【正文语种】中 文
【中图分类】TN386
【相关文献】
1.一种采用砷化镓pHEMT工艺的超宽带DC-40 GHz 4位单片数字衰减器 [J], 文星;郁发新;孙玲玲
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