Cu／Ta／SiO2／Si薄膜在纳米压痕下的分层现象研究
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Cu／Ta／SiO2／Si薄膜在纳米压痕下的分层现象研究
吴子景;吴晓京;卢茜;Shen Weidian;蒋宾
【期刊名称】《半导体技术》
【年(卷),期】2008(33)9
【摘要】采用磁控溅射技术在热氧化单晶硅衬底上先后淀积了厚度分别为50 nm 的Ta膜和400 nm的Cu膜。
使用纳米压入仪在样品表面进行压入测试,在薄膜表面制造出残留压痕。
使用扫描电镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)、透射电镜(TEM)和X 射线能谱仪(EDX)对残留压痕形貌、剖面上的分层现象进行观察,确定分层所在的位置。
发现在69 mN的最大载荷作用后,在Ta/SiO2界面处发生分层。
分层的原因主要归结为在应力作用下,多层膜中各种材料的应变、弹性恢复能力不同。
【总页数】4页(P787-790)
【关键词】Cu/Ta薄膜;纳米压痕;分层
【作者】吴子景;吴晓京;卢茜;Shen Weidian;蒋宾
【作者单位】复旦大学材料科学系,上海200433;复旦大学微纳电子平台,上海200433;Department of Physics and Astronomy,Eastern Michigan University, Ypsilanti MI 48197;上海集成电路研发中心,上海201203
【正文语种】中文
【中图分类】TN304.55
【相关文献】
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