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化学机械抛光液的应用及原理

化学机械抛光液的应用及原理1. 什么是化学机械抛光液？化学机械抛光液是一种在半导体加工中广泛使用的液体材料，它具有复杂的化学成分和特殊的物理性质。

它主要由溶剂、氧化剂、腐蚀抑制剂、表面活性剂等组成。

化学机械抛光液的主要作用是对待加工物表面进行腐蚀，以达到去除不均匀材料的目的。

它在微电子、光电子和显示器件制造等领域具有重要的作用。

2. 化学机械抛光液的原理化学机械抛光液利用了腐蚀性和机械性的相互作用原理。

首先，化学机械抛光液中的溶剂和氧化剂起到了腐蚀物料表面的作用，这些溶剂和氧化剂能够与待加工物表面的材料发生化学反应，改变其化学特性。

其次，液体中的表面活性剂能够减小液体与物料表面的表面张力，使得化学机械抛光液能够更好地湿润待加工物表面。

此外，加入适量的腐蚀抑制剂可以控制腐蚀反应的速率，使得抛光过程更加稳定和可控。

3. 化学机械抛光液的应用领域化学机械抛光液在微电子、光电子和显示器件制造等领域得到了广泛应用。

3.1 微电子领域在微电子制造中，化学机械抛光液主要用于去除晶圆上的氧化层，使晶圆表面更加平整。

此外，在集成电路的制造过程中，化学机械抛光液还可以用于去除金属层和多层膜之间的残留物，以确保电路的正常工作和可靠性。

3.2 光电子领域在光电子器件的制造中，化学机械抛光液主要用于去除光学元件表面的缺陷和不均匀材料，以提高元件的光学性能。

化学机械抛光液能够减小光学面的微观凹凸和纳米级表面粗糙度，从而提高光子元件的光学损耗和传输效率。

3.3 显示器件制造领域在显示器件制造过程中，化学机械抛光液主要用于去除显示器件表面的缺陷和不均匀材料，改善显示效果。

化学机械抛光液可以快速地去除元件表面的非均匀材料，使得显示器件的亮度和清晰度更加稳定和高效。

4. 化学机械抛光液的优势和局限性4.1 优势•高效性：化学机械抛光液能够快速而彻底地去除待加工物表面的缺陷和不均匀材料。

•稳定性：化学机械抛光液可以在一定的操作条件下保持稳定的抛光效果。

化学机械抛光液配方组成,抛光液成分分析及技术工艺

化学机械抛光液配方组成，抛光原理及工艺导读：本文详细介绍了化学机械抛光液的研究背景，机理，技术，配方等，需要注意的是，本文中所列出配方表数据经过修改，如需要更详细的内容，请与我们的技术工程师联系。

禾川化学专业从事化学机械抛光液成分分析，配方还原，研发外包服务，提供一站式化学机械抛光液配方技术解决方案。

1.背景基于全球经济的快速发展，IC技术（Integrated circuit, 即集成电路）已经渗透到国防建设和国民经济发展的各个领域，成为世界第一大产业。

IC 所用的材料主要是硅和砷化镓等,全球90%以上IC 都采用硅片。

随着半导体工业的飞速发展，一方面，为了增大芯片产量，降低单元制造成本，要求硅片的直径不断增大；另一方面，为了提高IC 的集成度，要求硅片的刻线宽度越来越细。

半导体硅片抛光工艺是衔接材料与器件制备的边沿工艺，它极大地影响着材料和器件的成品率，并肩负消除前加工表面损伤沾污以及控制诱生二次缺陷和杂质的双重任务。

在特定的抛光设备条件下，硅片抛光效果取决于抛光剂及其抛光工艺技术。

禾川化学技术团队具有丰富的分析研发经验，经过多年的技术积累，可以运用尖端的科学仪器、完善的标准图谱库、强大原材料库，彻底解决众多化工企业生产研发过程中遇到的难题，利用其八大服务优势，最终实现企业产品性能改进及新产品研发。

样品分析检测流程：样品确认—物理表征前处理—大型仪器分析—工程师解谱—分析结果验证—后续技术服务。

有任何配方技术难题，可即刻联系禾川化学技术团队，我们将为企业提供一站式配方技术解决方案！2.硅片抛光技术的研究进展20世纪60年代中期前，半导体抛光还大都沿用机械抛光，如氧化镁、氧化锆、氧化铬等方法，得到的镜面表面损伤极其严重。

1965年Walsh和Herzog 提出SiO2溶胶-凝胶抛光后，以氢氧化钠为介质的碱性二氧化硅抛光技术就逐渐代替旧方法，国内外以二氧化硅溶胶为基础研究开发了品种繁多的抛光材料。

化学机械抛光工艺(CMP)全解(可编辑修改word版)

化学机械抛光液（CMP）氧化铝抛光液具体添加剂摘要：本文首先定义并介绍 CMP 工艺的基本工作原理，然后，通过介绍 CMP 系统，从工艺设备角度定性分析了解 CMP 的工作过程，通过介绍分析 CMP 工艺参数，对 CMP 作定量了解。

在文献精度中，介绍了一个 SiO2的CMP 平均磨除速率模型，其中考虑了磨粒尺寸，浓度，分布，研磨液流速，抛光势地形，材料性能。

经过实验，得到的实验结果与模型比较吻合。

MRR 模型可用于CMP 模拟，CMP 过程参数最佳化以及下一代 CMP 设备的研发。

最后，通过对 VLSI 制造技术的课程回顾，归纳了课程收获，总结了课程感悟。

关键词：CMP、研磨液、平均磨除速率、设备Abstract：This article first defined and introduces the basic working principle of the CMP process, and then, by introducing the CMP system, from the perspective of process equipment qualitative analysis to understand the working process of the CMP, and by introducing the CMP process parameters, make quantitative understanding on CMP.In literature precision, introduce a CMP model of SiO2, which takes into account the particle size, concentration, distribution of grinding fluid velocity, polishing potential terrain, material performance.After test, the experiment result compared with the model.MRR model can be used in the CMP simulation, CMP process parameter optimization as well as the next generation of CMP equipment research and development.Through the review of VLSI manufacturing technology course, finally sums up the course, summed up the course.Key word: CMP、slumry、MRRs、device1.前言随着半导体工业飞速发展，电子器件尺寸缩小，要求晶片表面平整度达到纳米级。

cmp抛光液的主要技术指标

cmp抛光液的主要技术指标
CMP抛光液（化学机械抛光液）是平坦化精密加工工艺中超细固体研磨材料和化学添加剂的混合物。

它的主要技术指标包括以下几个方面：
1. 化学成分：CMP抛光液中包含去离子水、磨料、pH值调节剂、氧化剂、抑制剂和表面活性剂等化学成分。

这些成分的种类和比例对于抛光效果至关重要。

2. 磨料：磨料是CMP抛光液中的重要组成部分，一般包括纳米级SiO2、Al2O3粒子等。

磨料的粒度、形状和分布对抛光速率、表面粗糙度和抛光均匀性都有显着影响。

3. pH值：pH值是衡量CMP抛光液酸碱度的指标。

合适的pH值可以确保抛光液中的各种成分保持稳定，同时也有助于控制抛光过程中的化学反应。

4. 粘度：CMP抛光液的粘度会影响其流动性和铺展性，从而影响抛光效果。

合适的粘度可以确保抛光液在抛光过程中均匀分布在待抛光表面。

5. 稳定性：CMP抛光液需要具有良好的稳定性，包括化学稳定性和物理稳定性。

化学稳定性可以防止抛光液在存储和使用过程中发生分解或变质；物理稳定性则可以确保抛光液在抛光过程中保持均匀和稳定的状态。

6. 抛光速率和抛光效果：这是衡量CMP抛光液性能的重要指标。

抛光速率过快可能导致表面粗糙度增加，而抛光速率过慢则可能影响生产效率。

因此，需要根据具体的应用场景选择合适的抛光液。

此外，随着集成电路技术的发展，CMP步骤数量和复杂性也大幅增加，对CMP材料种类和用量的需求也在增加。

因此，CMP抛光液的技术指标也需要不断更新和优化，以适应半导体行业的需求。

cmp抛光液定义

cmp抛光液定义CMP抛光液，全称为化学机械抛光液（Chemical Mechanical Polishing），是一种在半导体制造过程中广泛使用的关键材料。

它具有独特的化学组成和物理性质，在芯片的平坦化加工中起着重要的作用。

本文将就CMP抛光液的定义、组成、原理以及应用领域进行详细介绍。

一、定义CMP抛光液是一种结合了化学和机械作用的材料，用于半导体芯片制造过程中的平坦化加工。

它通过在芯片表面施加化学药剂和机械力的双重作用，达到去除表面杂质和粗糙度，使芯片表面得到良好的平坦度。

二、组成CMP抛光液通常由多种成分组成，其中包括研磨颗粒、碱性或酸性溶液、螯合剂、表面活性剂等。

研磨颗粒是抛光液的核心组成部分，其粒径大小和硬度直接影响抛光效果。

溶液中的酸碱性成分和螯合剂可以调节抛光过程中的化学反应，起到去除杂质的作用。

表面活性剂则有助于稳定液体的性质，减少气泡和泡沫的产生。

三、原理CMP抛光液的作用原理十分复杂，涉及化学反应和机械研磨两个方面。

在抛光过程中，研磨颗粒与芯片表面发生作用，既可以去除表面的凸起部分，又能填充表面的凹陷区域，使整个表面得到均匀化处理。

此外，抛光液中的化学药剂可以与芯片表面的杂质发生反应，进行去除和修复。

四、应用领域CMP抛光液主要应用于半导体行业，特别是芯片制造和研发过程中。

它在各个制程步骤中都有广泛的应用，包括晶圆平坦化、电路定义、金属化、填充物除净等。

通过使用不同成分和浓度的抛光液，可以满足不同工艺要求和芯片制造的需要。

总结CMP抛光液是一种在半导体制造过程中不可或缺的关键材料，通过化学和机械作用，实现了对芯片表面的平坦化加工。

它的定义、组成、原理以及应用领域，对于了解CMP抛光液的作用和重要性具有重要意义。

在今后的研究和应用中，我们需要进一步研究 CMP抛光液的性能和优化方法，以满足不断发展的半导体制造需求，推动技术的进步和创新。

集成电路封装材料-化学机械抛光液

10.1 化学机械抛光液在先进封装中的应用
抛光垫主要含有微量填充物（氧化铈、氧化锆等）的聚氨酯材料组成，
抛光垫的作用是在CMP过程中基于离心力的作用将CMP液均匀地抛洒到抛光垫表面，确保晶圆能够全面接触到抛光液，同时CMP过程中的反应产物带出抛光垫。
其质量、力学性能和表面组织性能将直接影响晶圆CMP后的表面质量，是关系到CMP效果的直接因素之一。
制程不同，绝缘层的下面分为氮化硅和没有氮化硅两种情况，对就要求抛光扩散阻挡层的抛光液有高选择比和非选择比两种。对于氮化硅去除制程，还需要高氮化硅/氧化硅选择比的抛光液。
10.2 化学机械抛光液类别和材料特性
2）晶圆背面化学机械抛光液晶圆正面工艺制程结束后，正面会采用临时键合工艺与硅或玻璃等晶圆载体黏接，再对晶圆背面进行减薄和抛光。首先使用机械粗磨工艺把晶圆减薄到离硅通孔顶端约数微米的高度，然后使用CMP抛光。根据流程不同，分为硅/铜晶圆背面CMP液和铜/绝缘层晶圆背面CMP 液。
10.2 化学机械抛光液类别和材料特性
金属络合剂分为氨基类、羟基羧酸类、羟基铵酸类和有机磷酸等。其在酸性条件下对铜离子的络合效果较好，但酸性抛光液对铜的腐蚀性较强，需要引入表面抑制剂来抑制对铜的腐蚀。常用表面抑制剂为苯并三唑（1H-Benzotriazole，BTA）。分散剂减少溶液中纳米磨料的团聚，提高抛光液的分散稳定性。
化学机械抛光技术（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是集成电路制造中获得晶圆全局平坦化的一种手段，是目前机械加工中最好的可实现全局平坦化的超精密的工艺技术，
这种技术是为了能够获得低损伤的、即平坦又无划痕和杂质等缺限的表面而专门设计的，加工后的表面具有纳米级面型精度及亚纳米级表面粗糙度，同时表面和亚表面无损伤，

cmp抛光液定义

cmp抛光液定义
CMP（Chemical Mechanical Polishing）抛光液是一种用于半导体制造过程中的化学机械抛光（CMP）的液体溶液。

CMP是一种关键的表面加工技术，常用于半导体芯片的制造，以及其他需要高度平坦、光滑表面的领域。

CMP抛光液通常包含一些化学物质和磨料，它们通过化学和机械作用来改善表面的平坦度、光滑度和精度。

这种液体在半导体制造中的应用包括：
1.去除材料：CMP抛光液的化学成分可以与半导体器件上的特
定材料发生反应，从而实现去除或刻蚀的效果。

2.平坦化表面：CMP用于平坦化半导体芯片上的不同层，确保
各层之间的接口平整，提高器件的性能和可靠性。

3.去除氧化层：在制造过程中，氧化层可能会形成在器件表面，
CMP抛光液可以去除这些氧化层，揭示干净的表面。

4.调整尺寸：CMP还可以用于微调半导体芯片上的结构尺寸，
确保其满足设计要求。

CMP抛光液的成分和配方会根据特定的应用和要求而有所不同。

常见的成分包括氧化铝、氧化硅等磨料，以及酸、碱、络合剂等化学物质。

制造商通常会根据其特定的技术需求开发定制的CMP抛光液。

在使用CMP抛光液时，需要精确控制工艺参数，以确保获得所需的表面质量和几何特性。

(机械制造行业)化学机械平坦化抛光液嘉兴南湖科技

海外技术合作支援业务的TechnologySales Kit技术名称：化学机械平坦化抛光液企业名称：ACE高科技株式会社公司名称一．出口范围及合作形式1．技术名称化学机械平坦化抛光液2．技术的简介利用泥浆和衬垫对氧化膜或金属表面进行化学性或机械性研磨，从而实现广域平坦化的近期半导体的核心技术。

3．技术适用领域、应用范围及用途其适用范围不仅有为了实现元件的高速化而要求多层配线技术的逻辑元件，还逐渐扩大到引进多层化配线技术实现高集成化的存储器元件。

4．技术开发状态1）产品批量生产2）韩国产品上市5．合作方式技术转让&商品出口二．企业介绍1．代表董事：张正洙2．企业获奖情况1）指定为风险企业(风险资本投资企业)2）获得ISO9002认证(2003年变更，获得ISO9001)3）指定为风险企业(技术评估优秀企业)4）产业资源部选定为零部件材料专业企业5）选定为京畿道有前途中小企业6）定为韩国产业银行有前途中小企业7）2004. 12：亚太地区500个高速增长企业(Deloitte公司选定) 3．企业的简介公司名称ACE高科技株式会社代表人张正洙成立日期1993年9月半导体装备零部件、半行业制造主要产品导体研磨剂三．技术概要及特征1．技术概要及技术的必要性1）技术概要2．技术特征、优点及竞争力1）技术特征、优点目前，利用最为广泛的氧化物化学机械平坦化泥浆有两种，一种是气体状态下制造的将煅制二氧化硅粉末强制分散于碱性溶液中的煅制二氧化硅，另一种是本公司采用的液体状态下利用溶胶-凝胶法在溶液中形成核，随着核的成熟可以调整粒子大小的胶体氧化硅。

以煅制二氧化硅制造的化学机械平坦化泥浆的二氧化硅粒子约为150nm~500nm左右，比胶体氧化硅的30nm~100nm粗而粗糙，因此预计很难应用于1G DRAM以上的半导体中。

本公司有如下优势，除了极少一部分的添加剂外，所有的原、辅材料都可以轻易地采购使用，而且使用的原、辅材料都不是只有国内限定企业才可以供应的产品，而是可以轻易采购的素材。

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本公司的泥浆长期保存时，含分散剂或分散稳定剂的情况下，超过一年也不会发生凝固或沉淀的现象，可保证长期的稳定性，因为煅制二氧化硅需要强制分散，含有大量为分散的稳定性添加的界面活性剂及胺系列化合物等对环境有害的物质，而本公司的胶体氧化硅泥浆中不含有上记化学物质，有着环保的优势。

而且，本公司胶体氧化硅生产设备构筑了整个系统的无人自动化，实现了劳动力的最小化，由于整个工程的完全自动化，形成了不仅可以大量生产的体系，还可以积极对应量少、品种多的高附加值产品生产的系统。

3个月之后6个月之后3个月之后6个月之后ACE高科技胶体泥浆煅制泥浆胶体泥浆和煅制泥浆的长期稳定保存性实验四．技术（产品）的国内外市场规模及前景1980年末，报道了美国IBM对实现广域平坦化的研磨技术领域进行研究的结果，成功完成了依据化学机械平坦化(Chemical mechanical Planarization)的大规模集成电路装置的平坦化，由此，其重要性被广泛认知，不仅是美国，日本及韩国半导体元件生产商开始全力投入到装置开发的核心技术---依据化学机械平坦化的平坦化确立领域，目前全世界半导体元件生产商中，化学机械平坦化技术已成为必须应用于半导体元件制造工程的技术。

2001年为标准，全世界化学机械平坦化泥浆市场情况如下，市场占有率第一位的Cabot为52%，其次是Rodel为20%，其余是EKC、富士美、拜耳、杜邦、日产化学等。

但是，最近化学机械平坦化泥浆市场却因为一些以高技术力量和差别化的价格竞争力为铺垫而诞生，宣誓进入第二代泥浆市场的新生企业形成了新的格局。

2003年为止，国内的氧化物化学机械平坦化泥浆市场也是由Cabot以60%以上的市场占有率独守垄断性市场地位，最近，伴随半导体元件企业的政策，国内开始出现了一些开发化学机械平坦化泥浆的后发企业，由此减少了悬殊的市场占有率差距。

国内化学机械平坦化泥浆生产企业的情况如下。

【国内化学机械平坦化泥浆生产企业和各工程的适用性】(◎：最佳，○：适用，×：不适用)一般小而均匀，保留球形粒子特性的胶体氧化硅比煅制二氧化硅更适合于化学机械平坦化工程，但因为技术掌握上的难度和制造工程上的成本等不利因素，煅制二氧化硅的利用更为广泛。

但是，体现半导体装置集成化的细微图象指向更加强烈时，粒子均匀而球形的胶体氧化硅想当然地转化为化学机械平坦化泥浆。

不仅如此，煅制二氧化硅生产商从国外进口二氧化硅粉末进行强制分散，但本公司生产的胶体氧化硅从国内采购原材料，并以通过核的成长调节粒子的方法和完全自动化的系统节省劳务费，与煅制二氧化硅相比具有供应价格上的竞争力。

根据各半导体元件生产商以及各Fab工程的特殊性，各个客户的要求都有所不同，因此掌握客户的技术特征，迅速开发多种新产品是半导体企业占领竞争优势的最重要因素。

(a) (b)化学机械平坦化泥浆全世界市场规模(a) 根据研磨粒子种类的泥浆市场规模(b) 根据泥浆种类的世界市场与韩国国内外竞争技术的比较五、进入中国市场的必要信息1．中国市场内的技术定义及进入屏障1）评估对象技术/产品的定义、范围、用途等分析定义：所谓化学机械平坦化工程是利用泥浆和衬垫对氧化膜或金属表面进行化学性或机械性研磨，从而实现广域平坦化的近期半导体的核心技术范围：适用范围不仅有为了实现元件的高速化而要求多层配线技术的逻辑元件，还逐渐扩大到引进多层化配线技术实现高集成化的存储器元件。

用途：工程技术越以装置的高集成化实现，化学机械平坦化(存储器：氧化物用化学机械平坦化泥浆，非存储器：Matal用化学机械平坦化泥浆 + 氧化物用化学机械平坦化泥浆)工程越迅速受到瞩目。

2）与对象技术的进出口，生产，销售及流通相关的政府法律和规定该项目属中国政府鼓励引进的高技术项目，该产品属目前中国市场急需的高端产品，市场规模巨大，空间广阔。

根据“十一五”规划内容分析，“十一五”期间是中国发展高科技、高附加值产品的高峰期。

相应的，现有的工业标准、规则也会越来越规范，环保产品将越来越受到国家政策和相关技术改造、技术转移的资金的扶持。

另外，各地方政府对外资、合资企业和引进国外先进技术和产品都有不同的优惠政策，各开发区也对引进外资企业有相应的税收政策优惠。

本项目如能落户中国，设立生产基地，将会是中国第一家抛光液供应厂。

从市场前景看，中国及周边台湾地区、韩国和新加坡IC业界已开始逐步应用CMP技术，尤其是氧化物介质的CMP技术加工，CMP 抛光液在我国及周边市场的发展潜力很大。

考虑就近供应及运送成本、条件等因素，将在中国大陆、台湾地区及东南亚区域具有较强的市场竞争力。

按照一般贸易进口（经销代理等形式）：该类产品在中国海关归类为“有机化学品”，进口普通税30％，进口最惠国税为5.5％，产品增值税为17%，属允许类。

2．相关技术的产业结构及先进性分析世界半导体产业进入八英寸晶圆时代后，要求IC元件有最优的表面平整度，以满足微米及次微米集成电路的制造工艺。

半导体生产中产生的聚焦深度问题的解决方案即是新的平坦化技术-化学机械抛光CMP技术。

CMP抛光液主要由直径为纳米的微粒与化学成分组成。

与传统的CVC技术、蚀刻技术相比具有很多优势，如成本低、产率高、全程平坦化等，现已成为硅圆片镜面加工、多层布线用金属导线以及层间绝缘膜微加工的代名词，是世界十大IC制造厂广为接受的技术。

IBM(该公司在CMP技术的许多方面起先锋作用)，Intel，Micron和Motorola等最先进的半导体公司在CMP技术领域投入了大量资金进行CMP技术研究开发。

SEMATECH也把CMP技术认为是进行多层金属膜平坦化加工的一个强有力技术，并发起了重要的联合开发计划以促进CMP设备和消耗品的研究开发。

ACE公司的产品为CMP抛光液，属消耗品，为电子化学品。

CMP 抛光液一般可分为氧化物抛光液和金属层抛光液两种，其中氧化物抛光液的使用较为广泛。

氧化物抛光液又可分为两种：一种是煅制二氧化硅，另一种是ACE公司采用的胶体氧化硅。

与煅制二氧化硅抛光液相比，胶体氧化硅颗粒更微细（适用于1G DRAM以上的半导体制造），可长期保存（超过一年），且不含对环境有害的物质，技术上具有先进性。

经过专家分析比较，与国际players如美国Rodel & Onden Nalco、美国的DUPONT公司、日本FUJIMI公司相比，在半导体行业的中高端领域如1G的内存条等，ACE公司的“化学机械平坦化抛光液”技术处于持平或略有领先的水平。

此外，该产品除了极少一部分的添加剂外，所有的原、辅材料都可以轻易采购，最具价值之处为抛光液配方及抛光液配制和分散技术，属典型的精抛光液高附加值产品。

3．相应技术的中国市场性1）对象技术/产品的中国国内主要市场目前在我国半导体硅抛光片加工中，所使用的抛光液绝大多数都靠进口。

国外半导体硅抛光液的市场占有率较高生产厂家，主要有美国Rodel & Onden Nalco、美国的DUPONT公司、日本FUJIMI公司等。

尽管我国目前在抛光液行业现已发展到有几十家的企业，但是真正涉足到半导体硅片抛光液制造、研发方面的企业很少。

无论是产品质量上、还是在市场占有率方面，国内企业都表现出与国外厂家具有相当的差距。

目前市场上CMP抛光液多为Cabot及Rodel的产品，Cabot 因进入此领域早且其能自行制造高纯度、稳定性佳的SiO2粉末而能在世界市场占有率超过80%。

Rodel因为在抛光垫方面具有极高的市场占有率而获得CMP抛光液的一部分市场。

尽管中国目前在抛光液行业现已发展到有几十家的企业，但是真正涉足到半导体硅片抛光液制造、研发方面的企业很少。

2）中国市场规模及可能达到的最大销售额中国半导体市场大约占全球市场的15%。

据推算，该市场在2008年以前年增长率将会达到20%，是全球增长最快的半导体市场。

2005年，中国电子化学品市场规模超过200亿元，是化工行业中发展速度最快，最有活力的行业之一，具有巨大的潜力，特别是新型电子化学品，其发展空间不可限量。

CMP技术的飞速发展不仅提供了CMP抛光机的整体市场需要，而且提供了消耗性材料（包括氧化物抛光液和金属抛光液）非常广阔的市场。

CMP技术消耗的大量抛光液是不循环使用的，随着CMP技术的发展，抛光液的消耗量迅速增长,实际上抛光液成本占CMP的制程的40%。

预计在2005年-2010年期间，在我国半导体抛光片业内整体需求抛光液量，每年会以平均增长率为25%比率的增长。

2005年CMP抛光液市场规模在20亿元以上。