2类瓷介电容
贴片电容材质分类
贴片电容材质分类文稿归稿存档编号：[KKUY-KKIO69-OTM243-OLUI129-G00I-FDQS58-这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II 类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。
贴片电容COG、NPO、X7R、Y5V、X5R介质区别-cog与x7r
贴片电容COG、NPO 、X7R、Y5V、X5R介质区别在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。
这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一、NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
电容选用资料(2)瓷介电容器(公布)
三、瓷介电容器（一）概述1、电容器用陶瓷的分类方法：适合做电容器的陶瓷很多，为了生产和使用上的规范，将电容器用陶瓷材料按照其性能特点进行分类，分类的主要依据是介电常数ε、损耗角正切tgδ、频率特性、温度特性、电压特性等综合考虑，我国已有完整的电容器用陶瓷材料分类标准，将电容器瓷分成三类（1、2、3类），由此也将陶瓷电容器分成1、2、3类瓷介电容器。
通常将1类瓷称做高频瓷（顺电体陶瓷），2类瓷称为低频瓷（铁电体陶瓷），3类瓷称为半导体瓷。
2、电容器瓷的介电常数并非一个恒定值，是一个与温度有关的电参数，为了描述介电常数这种温度特性，对1类瓷用温度系数TC(也用α表示，单位10-6/℃)来表达，对2、3类瓷用介电常数ε随温度的变化率△ε/ε（%）来表达。
温度特性是各类陶瓷电容器瓷分组的主要依据。
3、陶瓷电容可以有引线，也可以无引线（比如MLCC：贴片陶瓷电容）；其包封材料可以是酚醛树脂（液体涂封）、环氧树脂（粉末涂装，兰色、红色、绿色各种颜色）、釉膜涂装（烧结涂装）。
4、相关词语解释：1）结构类似元件：用相同的工艺和材料制造的电容器，即使它们的外形尺寸和数值可能不同，也可以认为是结构类似的电容器。
2）初始制造阶段：单层电容器的初始制造阶段是形成电极的介质金属化（即被银瓷片生产）。
多层电容器的初始制造阶段是介质-电极叠压后的第一次共同烧结。
3）1类瓷介固定电容器：专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器。
例如，在电路中做温度补偿之用。
该类陶瓷介质是以标称温度系数来确定的。
4）2类瓷介固定电容器：适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来确定的。
5）3类瓷介固定电容器：是一种具有半导体特征的瓷介电容器。
该类电容器适于作旁路、耦合之用。
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来确定的。
【重磅】贴片电容COG、NPO、X7R、Y5V、X5R介质区别
贴片电容COG、NPO、R7R、R5V、R5R介质区别在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的R5R，R7R，R5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。
这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为R7R；能用级（Ⅲ）的介质材料R5V。
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：R7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；R5P与R5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，R5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
下面我们仅就常用的NPO、R7R、Z5U和R5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVR公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、R7R、Z5U和R5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一、NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
瓷介电容的组成
瓷介电容是一种常见的电容器类型，它由以下几个主要组成部分构成：
1.瓷质介电材料：瓷介电容的名称中的"瓷"指的就是瓷质介电材料。
瓷质介电材料通常由
陶瓷或氧化物制成，例如二氧化铝(Al2O3)、钛酸锆(ZrTiO4) 等。
这些瓷质材料具有高介电常数和良好的绝缘性能。
2.两个金属电极：瓷介电容器的内部有两个金属电极，通常是以金属箔或金属涂层的方式
存在。
这两个电极分别与瓷质介电材料接触，并用于存储和传导电荷。
3.引线和外壳：瓷介电容器通常还包括引线和外壳。
引线连接在金属电极上，用于将电容
器连接到电路中。
外壳则起到保护内部元件和提供机械支撑的作用。
总的来说，瓷介电容的组成主要包括瓷质介电材料、两个金属电极、引线和外壳。
这些组成部分共同作用，使得瓷介电容器能够存储和释放电荷，实现电容功能。
电容的分类、作用及图解
结构：云母微调电容器由定片和动片构成，定片为固定金属片，其表面贴有一层云母薄片作为介质，动片为具有弹性的铜片或铝片，通过调节动片上的螺钉调节动片与定片之间的距离，来改变电容量。 云母微调电容器有单微调和双微调之分。
用途：应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。
12.瓷介微调电容器（CC）
8.金属化纸介电容器（CJ）
结构：金属化纸介电容器采用真空蒸发技术，在涂有漆膜的
纸上再蒸镀一层金属膜作为电极而成。
优点：与普通纸介电容相比，体积小，容量大，击穿后能自愈能力强。
常见有CJ10、CJ11等系列。
9.铝电解电容器（CD）
结构：有极性铝电解电容器是将附有氧化膜的铝箔（正极）和浸有电解液的衬垫纸，与阴极（负极）箔叠片一起卷绕而成。外型封装有管式、立式。并在铝壳外有蓝色或黑色塑料套。
用途： 一般应用于中、低频电路中。
常用的型号有CL11、CL21等系列。
3.聚苯乙烯电容器（CB）
结构：有箔式和金属化式两种类型。
用途： 一般应用于中、高频电路中。
常用的型号有CB10、CB11（非密封箔式）、CB14~16（精密型）、CB24、CB25（非密封型金属化）、CB80（高压型）、 CB40 （密封型金属化）等系列。
4.聚丙烯电容器（CBB）
结构：用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。有非密封式（常用有色树脂漆封装）和密封式（用金属或塑料外壳封装）两种类型。
用途： 一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。常用的箔式聚丙烯电容：CBB10、CBB11、CBB60、 CBB61 等；金属化式聚丙烯电容： CBB20、CBB21、CBB401 等系列。
14.空气可变电容器（CB）
质量等级说明
按质量认证标准，经中国电子元器件质量认证委员会认证合格的产品
补充说明：符合QZJ 8406XX“七专”技术条件的产品
工业级
B1
（军筛）
按军用标准的筛选要求进行筛选的B2质量等级的产品
补充说明：按“七九〇五”七专质量控制技术协议组织生产的产品
B2ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
执行国家标准或行业标准的工业级产品
商业级
C
低档产品，其它民用或未知筛选等级的产品
A5
在列入军用电子元器件合格制造厂目录（QML）的生产线生产的符合国军标的产品
混合集成电路
军品级
A6
符合国家标准，质量评定水平为K级产品（详见GB/T11498膜集成电路和混合膜集成电路分规范，用于鉴定批准和质量一致性检验的K级评定水平）；
补充说明：符合QZJ混合集成电路840616“七专”技术条件组织生产的产品
工业级
B1
（军筛）
符合国家标准，质量评定水平为L级产品（详见GB/T11498膜集成电路和混合膜集成电路分规范，用于鉴定批准和质量一致性检验的L级评定水平）；
补充说明：按“七九〇五”七专质量控制技术协议组织生产的产品
B2
符合国家标准，质量评定水平为M级产品（详见GB/T11498膜集成电路和混合膜集成电路分规范，用于鉴定批准和质量一致性检验的M级评定水平）
补充说明：按QZJ840614－840615 “七专”技术条件组织生产的Ⅰ(最高工作温度：125±3℃)、ⅠA类产品(最高工作温度：85±2℃)；符合SJ331的Ⅰ(最高工作温度：125±3℃)、ⅠA类产品(最高工作温度：85±2℃)
工业级
B1
（军筛）
按军用标准的筛选要求进行筛选的B2质量等级的产品；符合国家标准Ⅱ类产品（GB/半导体器件、分立器件和集成电路总规范：该类器件符合A组和B组逐批检验要求以及C组周期检验要求）；
2类陶瓷介质MLCC容量衰减特性
深圳市宇阳科技发展有限公司Ⅱ类陶瓷介质电容器容量衰减特性Ⅱ类陶瓷介质（包括X7R、X5R及Y5V特性类）的电容器使用的是铁电体材料。
当温度低于居里温度时，介质的立方晶体结构转为四方相，其对称性降低，晶体点阵中的离子会连续移动到势能较小的位置，引起电容量按对数规律随时间不断地减小，这一现象称为Ⅱ类陶瓷介质材料的老化现象，一般引用老化常数来表示，X7R/X5R材质的老化常数约-1％～-2％， Y5V材质的老化常数约-3％～-4％。
MLCC老化特性如下图所示：
上述现象是可逆的，在经过去老化（去老化条件：150℃、1h）后容量就可以恢复到初始值。
因此焊接时的高温对产品有去老化的作用，焊接后产品的容量会恢复到初始值。
深圳市宇阳科技发展有限公司。
电容参数详解
在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。
例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。
表4-1 电容的温度与容量误差编码下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是A VX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一：NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05% ，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
电容命名原则
命名原则根据GB/T 2470-1995《电子设备用固定电阻器、固定电容器型号命名方法》总规定，电容器型号由四部分组成，每部分代表不同含义。
第一部分第二部分第三部分第四部分名称材料特性序号第一部分是产品主称，用一个字母表示，电容器的主称用字母C表示。
第二部分是产品的主要材料，用一个字母表示，如下表：代号材料A 钽电解B 非极性有机薄膜介质C 1类陶瓷介质D 铝电解J 金属化纸介质S 3类陶瓷介质T 2类陶瓷介质Y 云母介质Z 纸介质第三部分是产品的主要特征，一般用一个数字或字母表示，典型品种特性如下表：特征代号瓷介电容器有机介质电容器电解电容器1 圆形非密封（金属箔）箔式2 管形（圆柱）非密封（金属化）箔式3 叠片密封（金属箔）烧结粉非固体4 多层（独石）密封（金属化）烧结粉固体5 穿心穿心/6 支柱式交流交流7 交流片式无极性第四部分是序号，一般用数字来表示。
如GJB 192B-2011《有失效率等级的无包封多层片式瓷介电容器总规范》中规定的命名如下：CCK BC A101J S M 4101型号特性额定电压标称电容量电容量允许偏差引出端失效率等级另外，各电容生产厂家对电容器命名在符合有关标准的基础上增加了生产商标识，宏科公司各类电容器命名原则如下：多层瓷介电容器按照温度特性/系数可分为1类和2类多层瓷介电容器，包括CCK41L、CTK41L、CC41L、CC4L、CT4L、CT48L、CTK48等。
其中CC表示1类高频多层瓷介电容器，CT标识2类低频多层瓷介电容器，K标识带可靠性指标或失效率等级，4表示多层结构，1表示贴片电容器，8标识高电压电容系列，L为宏科电子标识。
多芯组瓷介电容器：按照产品温度特性/系数、材料可分为1类、2类多层瓷介电容器，包CC4M/MCC4L、CT4M/MCT4L。
其中CC表示1类高频多层瓷介电容器，CT表示2类低频多层瓷介电容器，M表示多芯组瓷介电容器。
微波瓷介芯片电容器（含单层和多层）：按照产品温度特性/系数、材料可分为1类、2类和3类瓷介电容器，包括：CC101（表示1类瓷）、CT1101（表示2类瓷）、CS1101（表示3类瓷）；按照产品结构可分为：SC型（表示垂直侧面或电极留边型）、GC型（表示双片串联型）、EC型（表示多片阵列型）、FC型（表示二进制可调容值型）。
电容的分类与选型(1类,2类的定义.MLCC,电解电容各参数对选型的意义)
I 类瓷介电容特点是容量稳定性好，基本不随之温度、电压、时间的变化而 变化，但是容量一般较小；温度特性 (温度范围:-55 度～125 度、温度系数： 0±30ppm/℃以内。II 类瓷介电容的容量稳定较差，X7R(工作温度范围： -55--125),X5R(工作温度范围：-55--85 度)，Y5U、Y5V（工作温度范围：-30--85 度），但是容量相对较大，目前技术最大可达 6.3V-100uF/25V-47uF 的水平。
℃之间，容量变化为+22%到-56%，介质损耗最大为 4%。Z5U 电容器主要特点是它的小尺寸和
ic 低成本。对于上述两种 MLCC 来说在相同的体积下，Z5U 电容器有最大的电容量，但它的电
容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率也是最大，可达每 10 年பைடு நூலகம்降 5%。
件 n 尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、 o 良好的频率响应等特点，使其具有广泛的应用范围，尤其是在去耦电路中的应用。 元 r Y5V 电容器 子 t Y5V 电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，Y5V 介质损耗最大为 5%。Y5V 材质的电容， n 温度特性不强，温度变化会造成容值大幅变化，在-30℃到 85℃范围内其容量变化可达+22% c 到-82%，Y5V 会逐渐被温度特性好的 X7R、X5R 所取代。 电 w. 各种不同材质的比较
化物组成的。C0G 电容量和介质损耗最稳定，使用温度范围也最宽，在温度从-55℃到+125 ℃时容量变化为 0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。C0G 电容的漂移或滞后 小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿 命的变化小于±0.1%。
II类瓷片电容器规格
一、特性Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型（High Dielectric Constant Type），是适用於作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵。
其特性符合以下标准：用途：1). 旁路和耦合；2). 对Q 值和容量稳定性要求一般的分步电路。
二、温度系数、额定电压、静电容量关系表：温度特性Y5P Z5U Y5V X7R额定电压(VDC)50-200500 -10002000 3000 50-20050010002000 300050-2005001000 2000 300050-200500-10002000 3000测试条件 1KHz±20%, 1.0Vrms±0.2Vrms at 25± 1℃ΔC K M M/ Z K T -25~+ 85 ℃+10~+ 85 ℃-25~+ 85 ℃-55~+ 125 ℃DF 0.025 max 0.025 max 0.050 max 0.025 max Ri Ri≥4000MΩU R (U R≥500VDC测试电压为500V DC ) 充电60S耐电压测试U R <1KV DC: 2.5U RU R≥1KV DC: 1.5U R +500V构造尺寸说明：(1). 上图为标准引线长度、形式图形，但也可根据客户要求进行生产。
(2). C 尺寸要求为：环氧树脂包封3.0mm 最大；酚醛树脂包封额定电压在250VDC 以上者为2.0mm 最大，否则为1.5mm 最大。
(3). D 与T 尺寸根据标称容量与额定电压大小决定，一般来说：同材质情况下，容量越大，D 尺寸越大；额定电压越高，T 尺寸越厚。
(4). 可根据客户要求生产散件与适合A/I 自动插件的编带( 带装) 产品。
三、编带尺寸规格弯脚型：直脚型编带尺寸规格表：项目标记特征值备注标称值(mm) 允许误差(mm)本体直径 D 11.0 max本体厚度T 3.5 max引脚直径 d 0.6 +0.06/-0.05 元件中心间距P 12.7 +/-1.0编带孔中心间距P0 12.7 +/-0.3编带孔中心与元件引脚间距P1 3.85 +/-0.7编带孔中心与元件中心间距P2 6.35 +/-1.3 元件脚距 F 5.0 +0.8/-0.2△H 0 +/-2.0 编带宽度W 18.0 +1.0/-0.5胶纸宽度W0 5.0 min胶纸内边距W19.0 +/-0.5胶纸外边距W2 3.0 max元件下沿到编带孔中心之高度H 20.0 +1.5/-1.0 弯脚底部到编带孔中心之高度H016.0 +/-0.5 元件上沿到编带孔中心之高度H132.25 max元件底部引脚允许超出编带长度l 1.0 max 编带孔直径D0 4.0 +/-0.2编带厚度t 0.7 +/-0.2L 11.0 max四、电性能4.1静电容量电容器之静电容量是以图一、图二、图三为原则，依据测定条件定其容量应在规定允许误差范围内，并在室温25℃之状态下进行。
2类瓷介电容标准
2类瓷介电容标准
瓷介电容器通常分为不同类别，而这些类别受到特定的标准和规范的影响。
以下是两种常见的瓷介电容器类别及相关标准的简要概述：
1.X 类和Y 类瓷介电容器：
•X 类瓷介电容器：主要用于在交流电路中提供对高电压尖峰的抑制。
它们设计用于在电源线上连接到电源线和地
线之间，以保护设备免受电源线中的瞬态过电压的影响。
相关的标准包括IEC 60384-14。
•Y 类瓷介电容器：主要用于抑制电信号线上的高电压尖峰。
它们设计用于在设备的输入和输出线之间，以防止电
信号线上的瞬态过电压对设备的影响。
相关的标准包括
IEC 60384-14。
2.一般性瓷介电容器标准：
•IEC 60384 系列：该系列标准是国际电工委员会（IEC）制定的，涵盖了各种电子元件的规范，其中包括瓷介电容
器。
这一系列标准为不同类型和应用的瓷介电容器提供了
性能和测试的一般性要求。
请注意，以上只是一些典型的标准，具体的标准可能因地区、生产商和产品类型而有所不同。
在选择和使用瓷介电容器时，建议查阅相应的国际、国家或行业标准，以确保其符合规定的要求。
电容的分类作用及图解
1、瓷介电容器(CC)结构:用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属(银)薄膜,再经高温烧结后作为电极而成。
瓷介电容器又分 1 类电介质(NPO、CCG));2 类电介质(X7R、2X1)与3 类电介质(Y5V、2F4)瓷介电容器。
用途:主要应用于高频电路中。
2、涤纶电容器(CL)结构:涤纶电容器,就是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数(即温度升高时,电容量变大)的无极性电容。
用途: 一般应用于中、低频电路中。
常用的型号有CL11、CL21等系列。
3、聚苯乙烯电容器(CB)结构:有箔式与金属化式两种类型。
用途: 一般应用于中、高频电路中。
常用的型号有CB10、CB11(非密封箔式)、CB14~16(精密型)、CB24、CB25(非密封型金属化)、CB80(高压型)、CB40 (密封型金属化)等系列。
4、聚丙烯电容器(CBB)结构:用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。
有非密封式(常用有色树脂漆封装)与密封式(用金属或塑料外壳封装)两种类型。
用途: 一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。
常用的箔式聚丙烯电容:CBB10、CBB11、CBB60、CBB61 等;金属化式聚丙烯电容: CBB20、CBB21、CBB401 等系列。
5、独石电容器结构:独石电容器就是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片状超小型电容器。
用途:广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等。
常用的有CT4 (低频) 、CT42(低频);CC4(高频)、CC42(高频)等系列。
6、云母电容器(CY)结构:云母电容器就是采用云母作为介质,在云母表面喷一层金属膜(银)作为电极,按需要的容量叠片后经浸渍压塑在胶木壳(或陶瓷、塑料外壳)内构成。
用途:一般在高频电路中作信号耦合、旁路、调谐等使用。
常用的有CY、CYZ、CYRX等系列。
7、纸介电容器(CZ)结构:纸介电容器就是用较薄的电容器专用纸作为介质,用铝箔或铅箔作为电极,经卷饶成型、浸渍后封装而成。
无极电容
4 G ±30 U 紫 -750
5 H 棕 -30 ±60 V -1000
6 J ±120 W -1500
7 K ±250 X -2200
8 L 红 -80 ±500 Y -3300
9 M ±1000 Z -4700
10 N ±2500 SL +350~-1000
(3) 色标法:和电阻的表示方法相同,单位一般为pF.小型电解电容器的耐压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示:
颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰
耐压 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V
(4) 进口电容器的标志方法:进口电容器一般有6项组成.
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 -30℃ --- +85℃
温度特性 +22% ---- -82%
介质损耗 最大 5%
1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C25表示编号为25的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。
47μF容值代码表示为476； 330μF容值代码表示为337。
电容的型号命名:
1) 各国电容器的型号命名很不统一,国产电容器的命名由四部分组成:
第一部分:用字母表示名称,电容器为C.
第二部分:用字母表示材料.
第三部分:用数字表示分类.
第四部分:用数字表示序号.
2) 电容的标志方法:
11 P 橙 -150 YN -800~-5800
陶瓷介质电容器
第一类陶瓷介质电容器的温度性质按照美国标准EIA-198-D，在用字母或数字表示的陶瓷电容器的温度性质有三部分：第一部分为（如字母C）温度系数的有效数字；第二部分是有效数字的倍乘；第三部分为随温度变化的容差。
三部分字母与数字所表达的意义如下表第一类陶瓷介质电容温度特性（EIA-198-D）温度系数α的有效数字倍乘随温度变化的容差C=0.0 S=3.3 0=1 5=+1 G=±30L=±500M=1.0 T=4.7 1=-10 6=+10 H=±60M=±1000P=1.6 U=7.5 2=-100 7=+100 J=±120 N =±2500R=2.2 3=-1000 8=+1000 K=±1250（1）α的额定值和伴随值的限制误差用-20～+85℃间的电容变化来定义，（2）温度系数为0和限制偏差为±30ppm/℃的电容字码为C0G（类别为1B）例如C0G（NP0）=±30ppm/℃，C0H=±60ppm/℃，S2H=(3.3*100)±60ppm/℃第一类陶瓷介质电容器的容量几乎不随温度变化，以C0G为例，±30ppm/℃，实际上温度系数只有一半，在-55℃到+125℃间，电容量变化为0.3%，其损耗因素在40℃到60℃时最小，绝缘电阻随温度上升而下降，-40℃时为10000s（ohm*F），+125℃时为200s多一点，电容量基本不因频率变化而改变。
第二类陶瓷介质电容器的温度性质按照美标EIA-198-D，第一部分为最低工作温度，第二部分有效数字为最高工作温度，第三部分为随温度变化的容差，三部分字母与数字表达意义如下表第二类陶瓷介质电容温度特性最低温度最高温度随温度变化的容值偏差Z=-10℃4=+65℃ 7=+125℃ A=±1.0 D=±3.3 P=±10 T=+22%/-32%Y=-30℃5=+85℃ 8=+15℃ B=±1.5 E=±4.7 R=±15 U=+22%/-56 %X=-55 ℃ 6=+105℃ C=±2.2 F=±7.5 S=±22 V=+22%/-82%例子X7R：-55 ℃，+125 ℃，±15%容差；Z5U：+10 ℃，+85 ℃，T=+22%/-32%容差；Y5V：-30 ℃，+85 ℃，T=+22%/-56%容差几种常见的陶瓷介质温度系数如下表温度特性温度范围容量变化或温度系数工作温度范围类别SL -55℃～+85℃+350～1000ppm/℃-55℃～+125℃ 1C0G -55℃～+125℃ 0±30ppm/℃ -55℃～+125℃ 1C0H -55℃～+125℃ 0±60ppm/℃ -55℃～+125℃ 1P2H -55℃～+85℃-150±60ppm/℃-55℃～+125℃ 1S2H -55℃～+85℃-220±60ppm/℃-55℃～+125℃ 1T2H -55℃～+85℃ -470±60ppm/℃-55℃～+125℃ 1U2J -55℃～+85℃ -750±60ppm/℃ -55℃～+125℃ 1B -25℃～+85℃ ±10% -25℃～+85℃ 2Z5U -10℃～+85℃ +22%/-56% -10℃～+85℃ 2Y5V -30℃～+85℃ +22%/-82% -30℃～+85℃ 2R -55℃～+125℃±15% -55℃～+125℃ 2X5R -55℃～+85℃ ±15% -25℃～+125℃ 2X7R -55℃～+125℃ ±15% -55℃～+125℃ 2Y5V瓷片电容Z5V瓷片C0G（NP0）瓷片SL瓷片Z5UY5P瓷片由于NPO属零温度系数器件，因此它主要是和同样零温度系数的高稳定电感器配合使用，或者在无电感器的晶振、定时电路中使用。
2类瓷介电容
2类瓷介电容瓷介电容器是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中，起着储存电荷、滤波、耦合等重要作用。
根据材料和结构的不同，瓷介电容器可以分为多种类型，其中最常见的是2类瓷介电容器。
本文将对2类瓷介电容器的特点、应用和制造工艺进行介绍。
2类瓷介电容器是一种采用瓷介质作为介质的电容器，主要由两个电极和介质层组成。
瓷介质具有较高的介电常数和绝缘性能，因此2类瓷介电容器具有较高的介电容量和工作稳定性。
另外，瓷介电容器还具有体积小、重量轻、耐高温等优点，适用于各种环境条件下的电子设备。
2类瓷介电容器根据介质的不同可以分为多种型号，如氧化铝介质电容器、氧化锆介质电容器等。
氧化铝介质电容器具有介电常数高、温度稳定性好的特点，适用于高频电路和滤波电路中。
而氧化锆介质电容器具有介电常数更高、损耗更低的特点，适用于要求更高性能的电路中。
2类瓷介电容器在电子设备中应用广泛，常见于电源管理电路、射频模块、通信设备、医疗设备等领域。
在电源管理电路中，瓷介电容器可以起到滤波、稳压的作用，提高电路的稳定性和效率。
在射频模块中，瓷介电容器可以用于匹配和耦合电路，提高信号传输的质量和稳定性。
在通信设备和医疗设备中，瓷介电容器可以起到隔直、隔交、耦合等作用，保证设备的正常运行。
2类瓷介电容器的制造工艺主要包括材料选择、成型、烧结、电极镀银等步骤。
首先需要选择合适的瓷介质材料，然后将材料进行成型，通常采用压制或注塑工艺。
成型后的零件需要进行烧结处理，以提高材料的致密性和电气性能。
最后在电极上进行镀银处理，以提高电极与介质的粘附力和导电性能。
经过这些步骤制造出来的2类瓷介电容器具有良好的性能和稳定性。
2类瓷介电容器是一种重要的电子元件，具有较高的介电容量和工作稳定性，广泛应用于各种电子设备中。
通过选择合适的材料和制造工艺，可以生产出性能优良的瓷介电容器，满足不同电路的需求。
希望本文的介绍能够帮助读者更好地了解2类瓷介电容器的特点和应用。
2类瓷介电容标准
2类瓷介电容标准
摘要：
1.2 类瓷介电容的概述
2.2 类瓷介电容的分类
3.2 类瓷介电容的标准
4.2 类瓷介电容的应用领域
5.2 类瓷介电容的发展前景
正文：
一、2 类瓷介电容的概述
2 类瓷介电容，又称陶瓷电容，是一种以陶瓷为介质的电容器。
由于其具有较小的体积、较高的电容量和稳定性能，因此在电子元器件市场中具有广泛的应用。
二、2 类瓷介电容的分类
根据瓷介电容的性能和用途，可以将其分为两类：
1.I 类瓷介电容：主要用于低频电路，具有较低的电容量和稳定性能。
2.II 类瓷介电容：主要用于高频电路，具有较高的电容量和稳定性能。
三、2 类瓷介电容的标准
在我国，2 类瓷介电容需符合GB/T 11022-2011《高频陶瓷电容器》标准。
该标准规定了2 类瓷介电容的尺寸、电性能、可靠性能等方面的技术要求。
四、2 类瓷介电容的应用领域
2 类瓷介电容广泛应用于通信、计算机、家电、仪器仪表等领域，尤其是高频通信设备、无线通信设备等高频电路。
五、2 类瓷介电容的发展前景
随着科技的进步和电子技术的发展，2 类瓷介电容在5G 通信、物联网、新能源汽车等领域将发挥更大的作用。
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2类瓷介电容
瓷介电容是一种常见的电子元器件，广泛应用于各种电路中。
根据其
材料和结构的不同，可以将瓷介电容分为多个类别。
其中比较常见的
有2类，下面将对这两类瓷介电容进行详细介绍。
一、高频陶瓷介电容
高频陶瓷介电容是一种采用高纯度氧化铝等陶瓷材料制成的电容器。
由于其具有良好的高频特性和稳定性，因此广泛应用于各种高频电路中。
1.材料
高频陶瓷介电容主要采用氧化铝等高纯度陶瓷材料制成。
这些材料具
有良好的机械强度、耐腐蚀性和稳定性，可以在各种恶劣环境下使用。
2.结构
高频陶瓷介电容通常采用片式结构。
它由两个金属片夹持一块陶瓷片
组成，金属片上分别涂有导体层和绝缘层，形成两个极板。
当外加电
压时，在两个极板之间就会产生一个带有能量的场强，使得介质中的
电荷分布发生变化，从而形成电容器。
3.特性
高频陶瓷介电容具有良好的高频特性和稳定性。
它的电容值可以在很大范围内调整，而且不受温度和频率的影响。
此外，它还具有较低的损耗因子和较高的工作温度范围。
4.应用
高频陶瓷介电容广泛应用于各种高频电路中，例如射频放大器、滤波器、振荡器等。
由于其良好的高频特性和稳定性，可以保证电路的稳定运行。
二、多层陶瓷介电容
多层陶瓷介电容是一种采用多个薄片陶瓷片层堆叠而成的电容器。
由于其具有小体积、大电容值和优异的温度特性，因此被广泛应用于各种微型电子设备中。
1.材料
多层陶瓷介电容主要采用氧化铝等高纯度陶瓷材料制成。
这些材料具
有良好的机械强度、耐腐蚀性和稳定性，可以在各种恶劣环境下使用。
2.结构
多层陶瓷介电容由多个薄片陶瓷片层堆叠而成，每个薄片上都涂有导
体层和绝缘层。
这些薄片通过金属电极连接在一起，形成一个整体。
当外加电压时，在各个薄片之间就会产生一个带有能量的场强，使得
介质中的电荷分布发生变化，从而形成电容器。
3.特性
多层陶瓷介电容具有小体积、大电容值和优异的温度特性。
它的电容
值可以在很大范围内调整，而且不受温度和频率的影响。
此外，它还
具有较低的损耗因子和较高的工作温度范围。
4.应用
多层陶瓷介电容广泛应用于各种微型电子设备中，例如手机、平板电脑、数码相机等。
由于其小体积、大电容值和优异的温度特性，可以
满足微型设备对高性能元器件的要求。
总之，高频陶瓷介电容和多层陶瓷介电容是两种常见的瓷介电容。
它
们具有不同的材料、结构和特性，适用于不同的电路和设备。
在实际
应用中，需要根据具体情况选择合适的瓷介电容，并且注意其使用条件和限制，以保证电路的稳定运行。