半导体工艺离子注入专题培训课件

8、注入损伤：
离子注入衬底单晶与衬底原子作级联碰撞，产 生大量的位移原子，注入时产生的空位、填隙原子 等缺陷称为一次缺陷。在剂量达到一定数值后，衬 底单晶非晶化，形成无定型结构。使衬底完全非晶 化的注入剂量称为阈值剂量。
不同衬底和不同的注入离子，在不同的能量、 剂量率和不同温度下有不同的非晶剂量。轻原子的 大、重原子的小；能量低大，能量高小；衬底温度 低大，衬底温度高小。当衬底温度高于固相外延温 度时，可以一直保持单晶。
2、离子束的性质：
离子束是一种带电原子或带电分子的束状流， 能被电场或磁场偏转，能在高压下加速而获得很高 的动能。
离子束的用途： 掺杂、曝光、刻蚀、镀膜、退火、净化、改性、 打孔、切割等。不同的用途需要不同的离子能量 E ：
E < 10 KeV ，刻蚀、镀膜 E = 10 ~ 50 KeV，曝光 E > 50 KeV，注入掺杂
中性束偏移器：利用偏移电极和偏移角度分离中 性原子。
聚焦系统：用来将加速后的离子聚集成直径为数 毫米的离子束。
偏转扫描系统：用来实现离子束 x、y 方向的一
定面积内进行扫描。 工作室：放置样品的地方，其位置可调。
离子注入系统
5、离子注入的特点：
特点： ·可以独立控制杂质分布（离子能量）和杂质浓度
10、离子注入的 优缺点：
优点：
1、可控性好，离子注入能精确控制掺杂的浓度分布 和掺杂深度，因而适于制作极低的浓度和很浅的结深；
2、注入温度低，一般不超过 400℃，退火温度也在 650℃ 左右，避免了高温过程带来的不利影响，如结 的推移、热缺陷、硅片的变形等；
3、工艺灵活，可以穿透表面薄膜注入到下面的衬底 中，也可以采用多种材料作掩蔽膜，如 SiO2 、金属 膜或光刻胶等；
1、离子注入：
离子注入出现：随着集成电路集成度的提高，对器 件源漏结深的要求，且传统的扩散已无法精确控制杂 质的分布形式及浓度了。
离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面， 这个现象叫做溅射；
当离子束射到固体材料时，从固体材料表面弹回来， 或者穿出固体材料而去，这些现象叫做散射；
离子束射到固体材料以后，离子束与材料中的原子 或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射 离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料 表面成分、结构和性能发生变化，这一现象就叫做离 子注入。
7、离子与衬底原子的相互作用：
注入离子与衬底原子的相互作用，决定了注入离 子的分布、衬底的损伤。
注入离子与靶原子的相互作用，主要有离子与电 子的相互作用，称为电子阻止。和离子与核的相互作 用，称为核阻止。核阻止主要表现为库仑散射。
在同样能量下，靶原子质量越大，核阻止越大，靶原 子质量越小电子阻止越大。
注入离子将能量转移给晶格原子 – 产生自由原子（间隙原子－空位缺陷对）
自由原子与其它晶格原子碰撞 – 使更多的晶格原子成为自由原子 – 直到所有自由原子均停止下来，损伤才停止
一个高能离子可以引起数千个晶格原子位移
9、退火：
退火：将完成离子注入的硅片在一定的温度下，经 过适当的热处理，则硅片上的损伤就可能得到消除， 少数载流子寿命以及迁移率也会不同程度的得到恢复， 杂质也得到一定比例的电激活。
退火目的：离子注入过程中造成晶格损伤，导致散 射中心增加，载流子迁移率下降，缺陷中心的增加， 载流子的寿命减少，漏电流增大，同时由于注入的离 子大多存在于间隙中起不到施主或受主的作用。
硅单晶退火：
离子束
修复硅晶格结构并激活杂 质—硅键
a) 注入过程中损伤的硅晶格
b) 退火后的硅晶格
热退火特性：将欲退火的硅片置于真空或高纯气体 的保护下，加热到某一温度进行热处理，由于热退火 处于较高的温度，原子的振动能较大，导致原子的移 动能加强，可使复杂的缺陷分解点缺陷，当它们相互 靠近时就可能复合而使缺陷消失。
缺点：
1、离子注入将在靶中产生大量晶格缺陷； 2、离子注入难以获得很深的结深； 3、离子注入的生产效率比扩散工艺低； 4、离子注入系统复杂昂贵。
END
THANK YOU!
4、可以获得任意的掺杂浓度分布；
5、结面比较平坦；
6、均匀性和重复性好；
7、可以用电的方法来控制离子束，因而易于实现自动 控制，同时也易于实现无掩模的聚焦离子束技术；
8、扩大了杂质的选择范围；
9、横向扩展小，有利于提高集成电路的集成度、提高 器件和集成电路的工作频率；
10、离子注入中通过质量分析器选出单一的杂质离子， 保证了掺杂的纯度。
4、离子注入系统：
离子源：用于离化杂质的容器。常用的杂质源气 体有 BF3、 AsH3 和 PH3 等。
质量分析器：不同离子具有不同的电荷质量比， 因而在分析器磁场中偏转的角度不同，由此可分离出 所需的杂质离子，且离子束很纯。
加速器：为高压静电场，用来对离子束加速。该 加速能量是决定离子注入深度的一个重要参量。
对单晶材料的轴沟道和面沟道(基材晶向)，由于散 射截面小，注入离子可以获得很深的穿透深度，称为 沟道效应。 为了尽可能避免沟道效应，离子束在 注入硅片时必须偏离沟道方向约7°。通常，这种偏转 是用倾斜硅片来实现。
离子束
（100）Si
除了转动靶片，还可以用事先生长氧化层或用Si、 F等离子预非晶化的方法来消除沟道效应。对大直径 Si片，还用增大倾斜角的方法来保证中心和边缘都能 满足大于临界角。
（离子流密度和注入时间） ·各向异性掺杂 ·容易获得高浓度掺杂 （特别是：重杂质原子，如P和As等）。
离子注入与扩散的比较：
扩散
离子注入
高温，硬掩膜 900－1200 ℃ 各向同性
低温，光刻胶掩膜 室温或低于400℃ 各向异性
不能独立控制结深和浓 可以独立控制结深和
度浓度Leabharlann 6、沟道效应及避免方法：缺点：缺陷不能完全消除，而且容易产生二次缺陷， 杂质电激活率不高，容易增加表面污染，高温容易导 致杂质再分布，破坏了离子注入的优点。
快速退火：
优点：通过降低退火温度，缩短退火时间
脉冲激光退火 ：
特点：退火区域受热时间短，因而损伤区杂质几乎 不扩散，可以通过改变激光的波长和能量密度，可在 深度上和表面上进行不同的退火处理。从而可在同一 硅片上制造处不同结深和不同击穿电压的器件。