【热点】上海交大考研材料科学基础总结

第1章原子结构和键合
1.1原子结构
1.1.1物质的组成（Substance Construction ）
物质由无数微粒（Particles ）聚集而成
分子（Molecule ）：单独存在 保存物质化学特性
dH2O=0.2nm M(H2)为2 M （protein ）为百万
原子（Atom ）： 化学变化中最小微粒
1.1.2原子的结构
1.1.3原子的电子结构
核外电子排布遵循以下3个原则：
1.1.4元素周期表
⎧⎧⎪⎪⎨⎪⎪⎩⎪⎨⎪⨯⎪⎪⎩
-27-27-31（proton）（neutron）质子：正电荷m＝1.6726×10kg 原子核（nucleus)：位于原子中心、带正电中子：电中性m＝1.6748×10kg 电子（electron）：核外高速旋转，带负电，按能量高低排列，如电子云（ele ctron cloud ） m ＝9.109510kg，约为质子的1/1836i i n K L M N l (the orbital quantum number)主量子数（the principal quantum number)： 决定原子中电子能量和核间距离(the energy of the electron)， 即量子壳层，取正整数1、2、3、4、5?…， 用、、、……表示轨道动量量子数： 给出电子在同一量子壳层内所处的能级, 与电子运动的角动量有i n 1, s p d f m the inner quantum number)(spatial orientation of an electron cloud)1),1,0,⋅⋅⋅⋅⋅⋅--⋅⋅⋅⋅⋅⋅-i i 关(shape of the electron subshell)， 取值为0，1，2，用，，，……表示磁量子数( ：
决定原子轨道或电子云在空间的伸展方向， 取值为-l ，-(l i 1,s the spin quantum number)⎧⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎪⋅⋅⋅⋅⋅⋅⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩i l 自旋角动量量子数( ： 表示电子自旋（spin moment ）的方向，11
取值为＋或-22不可能有运动状态完全相同的电子， 同一亚层中电子尽量分占不同能级，2能量最低原理（Minimum Energy principle)电子总是占据能量最低的壳层 1s -2s -2p -3s -3p -4s -3d -4p -5s -4d -5p -Pauli 不相容原理（Pauli Exclusion principle): 2n Hund 原则（Hund' Rule)自⎧⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎧⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎩⎩全充满半充满 全空旋方向相同 −−−−−−−−−−−→−−−−−−−−−−−−→电离核电荷↑，原子半径↓能↑，失电子能力↓，得电子能力↑
最外层电子数相同，电子层数↑，原子半径↑电离能↓，失电子能力↑，得电子能力↓
同周期元素：左右，金属性↓，非金属性↑同主族元素：上下，金属性↑，非金属性↓
1.2原子间的键合
1.2.1金属键（Metallic bonding ）
典型金属原子结构：最外层电子数很少，即价电子（valence electron ）极易 挣脱原子核之束缚而成为自由电子（Free electron ），形成电子云（electron cloud ）金属中自由电子与金属正离子之间构成键合称为金属键
特点：电子共有化，既无饱和性又无方向性，形成低能量密堆结构
性质：良好导电、导热性能，延展性好
1.2.2离子键（Ionic bonding)
实质： 金属原子 带正电的正离子（Cation ）
非金属原子 带负电的负离子（anion ）
特点：以离子而不是以原子为结合单元，要求正负离子相间排列，
且无方向性，无饱和性
性质：熔点和硬度均较高，良好电绝缘体
1.2.3共价键（covalent bonding ）
亚金属（C 、Si 、Sn 、 Ge ），聚合物和无机非金属材料
实质：由二个或多个电负性差不大的原子间通过共用电子对而成
特点：饱和性 配位数较小 ，方向性（s 电子除外）
性质：熔点高、质硬脆、导电能力差
1.2.4范德华力（Van der waals bonding)
包括：静电力(electrostatic)、诱导力(induction)和色散力(dispersive force) 属物理键 ，系次价键，不如化学键强大，但能很大程度改变材料性质
1.2.5氢键（Hydrogen bonding ）
极性分子键 存在于HF 、H2O 、NH3中 ，在高分子中占重要地位，
氢 原子中唯一的电子被其它原子所共有（共价键结合），裸露原子核
将与近邻分子的负端相互吸引——氢桥
介于化学键与物理键之间，具有饱和性
1.3高分子链（High polymer Chain)
⎧⎨⎩键电对键键两键间
极性(Polar bonding):共用子偏于某成原子非极性（Nonpolar bonding): 位于成原子中⎧⎨⎩链结构（Chain Structure)高分子结构聚集态结构（Structure of aggregation state)
1.3.1高分子链的近程结构
1.结构单元的化学组成（the Chemistry of mer units)
2.高分子链的几何形态（structure ）
热塑性：具有线性和支化高分子链结构，加热后会变软，可反复加工再成型
热固性：具有体型（立体网状）高分子链结构，不溶于任何溶剂，也不能熔融，一旦受热固化后不能再改变形状，无法再生
3.高分子链的键接方式
4.高分子链的构型（Molecular configurations ）
o 线热变软动热链联线胶联变强韧状性高分子（linear polymers）: 加后，甚至流，可反复加工－ 塑性（therm plastic）
支高分子（branched polymers）：交高分子（crosslinked polymer）：性天然橡用S交后耐磨体型（立体网）高分子（network on three -dimensional poly ⎧⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎩mer)
1.3.2高分子链的远程结构
1.高分子的大小
2.高分子链的内旋转构象
主链以共价键联结，有一定键长 d 和键角θ，每个单键都能内旋转（Chain twisting ）故高分子在空间形态有mn-1( m 为每个单键内旋转可取的位置数，n 为单键数目)
※ 键的内旋转使得高分子存在多种构象
统计学角度高分子链取 伸直（straight ）构象几率极小，呈卷曲（zigzag ）构象几率极大
3.影响高分子链柔性的主要因素
（the main influencing factors on the molecular flexibility ）
高分子链能改变其构象的性质称为柔性（Flexibility ）
处链两侧两单处链边体间无规（syndisotactic configurations): （isotactic configurations):（atactic configuration R取代基交替地在主平面， 即旋光异构元交替R取代基全在主平面一， 即全部由一种旋光异构同立构全同立构立构⎧⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎩链两侧规则s):R取代基在主平面不排列⎧⎪⎪⎨⎪⎪⎩
链结响决内势垒从酰响链链对称积响联响联单键内转碍联时主构的影：起定性作用,C -O,C -N,Si-O 旋的比C -C低，而使聚酯， 聚胺、聚胺酯，聚二甲基硅氧烷等柔性好取代基的影：取代基的极性，沿分子排布距离，在主上性，体均有影交的影：因交附近的旋受阻，交度大，柔性↓↓
第2章固体结构
2.1晶体学基础（Basis Fundamentals of crystallography）
晶体结构的基本特征：原子（或分子、离子）在三维空间呈周期性重复排列（periodic repeated array），即存在长程有序（long-range order）
性能上两大特点：1.固定的熔点（melting point）,2.各向异性（anisotropy）
2.1.1空间点阵和晶胞
※空间点阵的概念
将晶体中原子或原子团抽象为纯几何点（阵点 lattice point），即可得到一个由无数几何点在三维空间排列成规则的阵列—空间点阵（space lattice）
特征：每个阵点在空间分布必须具有完全相同的周围环境(surrounding)
※晶胞（Unite cells）
代表性的基本单元（最小平行六面体）small repeat entities
选取晶胞的原则：
Ⅰ)选取的平行六面体应与宏观晶体具有同样的对称性；
Ⅱ）平行六面体内的棱和角相等的数目应最多；
Ⅲ）当平行六面体的棱角存在直角时，直角的数目应最多；
Ⅳ）在满足上条件，晶胞应具有最小的体积。

2.1.2晶向指数和晶面指数
1.晶向指数（Orientation index）
求法：
1)确定坐标系
2)过坐标原点，作直线与待求晶向平行；
3)在该直线上任取一点，并确定该点的坐标（x ，y ，z ），若某一坐标值为负，则在其上加一负号。

4)将此值化成最小整数u ，v ，w 并加以方括号[u v w]即是。

（代表一组互相平行，方向一致的晶向）
※晶向族<u v w>：具有等同性能的晶向归并而成；
2.晶面指数（Indices of Crystallographic Plane ）
求法：
1） 在所求晶面外取晶胞的某一顶点为原点o ，三棱边为三坐标轴x ，y ，z
2） 以棱边长a 为单位，量出待定晶面在三个坐标轴上的截距。

若某一截距为负，则在其上加一负号。

3） 取截距之倒数，并化为最小整数h ，k ，l 并加以圆括号（h k l ）即是。

（代表一组互相平行的晶面；指数相同符号相反晶面互相平行）
晶面族{hkl}：晶体学等价的晶面总合。

3.六方晶系指数（Indices of hexagonal crystal system orhexagonal indices ）
4.晶带（Crystal zone ）
所有相交于某一晶向直线或平行于此直线的晶面构成一个“晶带”
此直线称为晶带轴（crystal zone axis ），所有的这些晶面都称为共带面。

晶带轴[n v w]与该晶带的晶面（h k l ）之间存在以下关系
凡满足此关系的晶面都属于以[h k l]为晶带轴的晶带
⎫⎬⎭⎧⎨⎩晶面指数的标定方式与前述相同晶向（h k i l ） i ＝-（h ＋k ）[u v t w] t ＝-
（u ＋v ）指三指数系统 → 四数系统three
－index system four－index system
5.晶面间距（Interplanar crystal spacing ）
上述公式仅适用于简单晶胞,对于复杂晶胞则要考虑附加面的影响
立方晶系： fcc 当（hkl ）不为全奇、偶数时，有附加面：
bcc 当h ＋k ＋l ＝奇数时，有附加面：
六方晶系
※通常低指数的晶面间距较大，而高指数的晶面间距则较小
2.1.3
对称性元素
点群（point group ）—晶体中所有点对称元素的集合
根据晶体外形对称性，共有32种点群
空间群（space group ）—晶体中原子组合所有可能方式
根据宏观、微观对称元素在三维空间的组合，可能存在230种空间群（分属于32种点群）
2.1.4极射投影 Stereographic projection
hkl d 1如{1 0 0},{1 1 1}
h 2k 3n n 0123 当＋＝（＝，，，，
），l=奇数，有附加面：hkl d 1
2.2金属的晶体结构
2.2.1 三种典型的金属晶体结构
点阵常数（lattice parameter ） a ，c
原子半径（atomic radius ） R
配位数（coordination number ） N 致密度（Efficiency of space filling ） 轴比（axial ratio ） c/a
2.2.2 晶体的原子堆垛方式和间隙
fcc ，hcp 间隙为正多面体，且八面体和四面体间隙相互独立
bcc 间隙不是正多面体，四面体间隙包含于八面体间隙之中
343n R nv K V V π==
2.2.3多晶型转变（allotropic transformation）
同素异构转变
2.3合金的相结构
合金：由两种或两种以上的金属或金属与非金属经熔炼，烧结或其他方法组合而成并具有金属特性的物质
2.3.1固溶体 Solid solution
固溶体：溶质原子(solute atom)溶入基体(matrix)中所形成的均匀结晶相。

晶体结构保持基体金属的结构
1.置换固溶体 Substitutional solid solution
溶质原子置换了部分的溶剂原子
影响溶解度的因素：
ⅰ) 组元的晶体结构crystal structure of components
晶体结构相同是组元之间形成无限固溶体的必要条件
ⅱ）原子尺寸因素the size factor effect
Δr＜14～15％才有可能形成溶解度较大甚至无限固溶的固溶体ⅲ）化学亲和力（电负性因素）the electrochemical effect
在不形成化合物的条件下，电负性差值增大，溶解度增大
在形成化合物的条件下，电负性差值增大，溶解度减小
ⅳ）电子浓度（原子价因素）the relative valency effect
合金中各组元的价电子总和（e）与组元的原子数总和（a）之比
极限电子浓度（临界电子浓度）与溶剂晶体点阵类型有关
对一价溶剂而言fcc:1.36; bcc:1.48; hcp:1.75
2. 间隙固溶体 Interstitial solid solution
间隙固溶体：溶质原子分布于溶剂晶格间隙而形成的固溶体
溶质原子（R<0.1nm）
如： H B C N O
0.046 0.097 0.077 0.071 0.060
※间隙固溶体都是有限固溶体，且溶解度很小
溶解度不仅与溶质原子大小有关，溶解度还与溶剂元素的晶格类型密切相关
C 在α-Fe（bcc） 0.0218 wt %
ν-Fe (fcc) 2.11 wt %
3.固溶体的微观不均匀性
※长程有序固溶体——超结构
4. 固溶体的性质
⑴点阵畸变点阵常数间隙原子
⑵固溶强化 HV，
⑶物理化学性能ρμ电极电位
⑷有序化影响ρ HV 磁性
2.3.2中间相 Intermediate Phase
中间相：两组元A和B组成合金时，除了形成以A为基或以B为基的固溶体外，还可以形成晶体结构与A、B两组元均不相同的新相。

由于它们在二元相图的位置是位于中间，故通常把这些相称为中间相。

中间相的特征：具有不同于组元的晶体结构可用化学分子式表示，但并不一定符合化合价规律
原子间的结合方式：(金属键＋其他键）混合，具有金属性
1.正常价化合物（electrochemical compounds）
M ＋Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ族元素
按化学上的正常原子价规律形成
成分可用分子式来表示：Mg2Pb，Mg2Sn，Mg2Ge，Mg2Si
负电性差愈大，化合物愈稳定，愈趋于离子键结合
负电性差愈小，化合物愈不稳定，愈趋于金属键结合
2.电子化合物
对应于同类分子式的离子化合物结构
特点：凡具有相同电子浓度，则相的晶体结构类型相同
3.原子尺寸因素化合物 Size factor Compounds
(1)间隙相和间隙化合物 Interstitial Phase and Compounds
原子半径较小的非金属元素占据晶格的间隙，然而间隙相，间隙化合物的晶格与组成他们的任一组元晶格都不相同。

他们成分可在一定范围内波动，但组成他们的组元大致都具有一定的原子组成比,可用化学分子式来表示。

(2)拓扑密堆相 Topological close-packed phase
由两种大小不同的原子所构成的一类中间相，其中大小原子通过适当的配合构成空间利用率和配位数很高的复杂结构，具有拓扑学特点。

a）结构特点
大小原子的适当配合，由四面体间隙组成的晶体点阵，配位数可以达12、14、15及16 ①配位多面体：把晶体点阵中一个原子周围最近邻原子的中心彼此用
直线连接起来所构成的多面体
特点：凸出的面，呈三角形；每个顶角至少连接五个三角形
②原子密堆层
TCP相可以看作由两种排列不同的原子层相间地组成密集层状结构。

主层系由三角形、四边形、六边形组成起来的网状结构。

系由原子半径较小组元构成的密堆层；次层则由较大原子组成并分布于主层的大空隙中（由小原子组成三维配位多面体的中心位置）
4.超结构（有序固溶体）
有序化影响因数：
1.温度升高，原子热运动提高，S降低
2.冷却速度 Tc 以上温度快速冷却→无序
3.合金成分例：对 CuAu 合金 Cu:Au＝3:1 或 1:1 时完全有序
2.4离子晶体结构 Ionic Crystal
这类晶体是以正离子（cation)、负离子(anions) 为结合单元，即依靠正、负离子之间的库仑作用结合。

例如NaCl晶体Na＋、Cl－为单元结合成的。

陶瓷材料(Ceramics)的晶体结构，大多属离子晶体，部分则为共价晶体。

离子键没有方向性和饱和性
离子晶体的配位数也较高
典型结构有四种：AB、AB2、A2B3、AB2O4
2.4.1离子晶体结构规则
1.Pauling第一规则－负离子配位多面体规则
在离子晶体中，正离子（cations）的周围形成一个负离子（anions)配位多面体，正负离子间的平衡距离取决于离子半径之和，而正离子的配位数则取决于正负离子的半径比。

r+/r- 0~0.155 0.155~0.255 0.255~0.414 0.414~0.732 0.732~1 1
配位数 2 3 4 6 8 12 形状哑铃状三角形四面体八面体立方体立方八面体
2. Pauling第二规则－电价规则
3. Pauling第三规则－负离子多面体共用顶、棱和面规则
在一个配位结构中，共用棱特别是共用面的存在，结构稳定性降低。

对电价高，配位数低的正离子，此效应尤为显著
4. Pauling第四规则－不同种类正离子多面体间连接规则
在含多种正负离子的离子晶体中，电价高、配位数低的正离子配位多面体间，尽量互不结合5. Pauling第五规则－节约规则
同一晶体同种正离子与同种负离子的结合方式应最大限度的趋于一致
2.4.2典型的离子晶体结构
1.AB型化合物结构
CsCl型结构：Cs+ 和 Cl—各自组成简单立方，套配而成的复式简单立方点阵
NaCl型结构：由 Na＋和 Cl－各自组成的两个fcc叠加而成的：其中一个不动，而另一
个fcc的所有阵点都相对于第一个点阵平移一个点阵矢量
2.4.3硅酸盐(Silicate)晶体结构
基本特点：
(1)基本结构单元[SiO4]4-四面体Silicon-oxygen tetrahedron
(2)每个O2-最多只能为两个[SiO4]4-四面体所共有
(3)可共用四面体顶点彼此连接成单链、双链或成层状、网状复杂结构，不能共棱和共
面连接，且同一类硅酸盐中[SiO4]4-四面体间连接只有1种
(4) [SiO4]4-四面体中的Si-O-Si结合键
通常呈键角为145º的折线。

1.孤岛状硅酸盐
特点：[SiO4]4-以孤立态存在，即[SiO4]4-只通过与其他正离子连接，而使化合物达到饱和，可以是单一四面体，成对或环状四面体
2.组群状硅酸盐
特点：通过共用氧而连接成2个，3个，4个或6个硅氧组群。

3.链状硅酸盐
特点：通过桥氧在一维方向伸展或单链或双链
4.层状硅酸盐
特点：[SiO4]4-的某一面在平面内以共用顶点方式连接成六角对称的二维结构即层状结构。

5.架状硅酸盐
特点：每个[SiO4]4-四面体中的氧离子全部都被共用。

[SiO4]4-四面体连成无限六元环状。

2.5共价晶体结构 Covalent Crystal
※金刚石结构
碳的价电子数为4，按8-N规则，
其配位数为8-4=4 复杂立方晶体结构
该结构可视为两个面心立方晶胞沿体对角线相对位移1/4长度穿插而成。

碳原子在胞内除按fcc排列之外，在相当于fcc内四个四面体间隙位置处还各有一个碳原子，故每个晶胞内原子数为8。

在SiC晶体结构与金刚石结构相同，只不过Si原子取代了复杂立方晶体结构中位于四面体间隙中的C原子。

2.6聚合物晶态结构
当聚合物的一次和二次结构规则简单的以及分子键作用力强的大分子易于形成晶体结构。

与一般低分子晶体相比，聚合物晶体具有不完善、无完全确定的熔点结晶速度慢的特点。

聚合物晶体结构包括晶胞结构、晶体中大分子链的形态以及单晶和多晶的形态等。

2.6.1聚合物的晶体形态
1.高分子单晶
2.高分子球晶
3.高分子树枝状晶
4.高分子串晶
5.伸直链晶体
2.6.2聚合物晶态结构模型
基本模型有三种：
1、缨须状胶束模型－它认为聚合物结晶中存在许多胶束和胶束间区域，胶束是结晶区，胶束间是非晶区；
2、折叠链模型－它认为在聚合物晶体中大分子链是以折叠形式堆砌而成；
3、伸直链模型－如聚乙烯和聚四氟乙烯等不带侧基的聚合物在极高压力下缓慢结晶－多层片晶，片晶是大分子链系取最紧密伸直链结构。

2.7非晶态（Amorphous）结构
气态和液态物质都是非晶体。

固体的非晶体实际上是一种过冷状态的液体，其原子在三维空间不存在长程的周期性排列。

玻璃是典型例子，故往往将非晶体称为玻璃态。

性能特点：1.没有固定熔点2.各向同性
第3章晶体缺陷
晶体缺陷：晶体中各种偏离理想结构的区域
根据几何特征分为三类:
1.点缺陷（point defect) 三维空间的各个方向均很小
2.线缺陷（line defect) 在二个方向尺寸均很小
3.面缺陷（plane defect) 在一个方向上尺寸很小
3.1点缺陷
3.1.1点缺陷的形成
空位：原子有足够大的振动能使振幅增大到一定程度时，就能克服周围原子对它的制约作用，跳离原来的位置，使点阵中形成空结点，称为空位。

原因：热运动：强度是温度的函数
能量起伏=〉原子脱离原来的平衡位置而迁移别处
空位(vacancy)：Schottky 空位，-〉晶体表面
Frenkel 空位，-〉晶体间隙
色心F ch:电子受激活而逸出，脱离原子核束缚变成载流子进入到负离子的空位上，在其原位留下正孔，这种并发缺陷称为色心F ch。

色心V ch:电子受激活而逸出，脱离原子核束缚变成载流子进入到正离子的空位上，在其原位留下负孔，这种并发缺陷称为色心V ch
3.1.2点缺陷的平衡浓度
3.1.3点缺陷的运动
)
exp(
kT
E
A
N
n
c v
-
=
=
)k/
S
(
exp
)
kT
/
E
(
zexp m
m
0∆
-
∆
-
=νν
点缺陷对性能的影响：
1。

电阻增大
2。

提高机械性能
3。

有利于原子扩散
4。

体积膨胀，密度减小
3.2位错
3.2.1位错的基本类型和特征
1.刃型位错
其形状类似于在晶体中插入一把刀刃而得名。

特征： 1）有一额外原子面，额外半原子面刃口处的原子列称为位错线
2）位错线垂直于滑移矢量，位错线与滑移矢量构成的面是滑移面，刃位错的滑移面是唯一的。

3）半原子面在上,正刃型位错┻；在下, 负刃型位错┳
4）刃位错的位错线不一定时直线，可以是折线，也可以是曲线，但位错线必与滑移矢量垂直。

5）刃型位错周围的晶体产生畸变，上压，下拉，半原子面是对称的，位错线附近畸变大，远处畸变小。

6）位错周围的畸变区一般只有几个原子宽（一般点阵畸变程度大于其正常原子间距的1/4的区域宽度，定义为位错宽度，约2~5个原子间距。

）
※畸变区是狭长的管道，故位错可看成是线缺陷。

2.螺型位错
特征： 1）无额外半原子面，原子错排是轴对称的
2）位错线与滑移矢量平行，且为直线
3）凡是以螺型位错线为晶带轴的晶带由所有晶面都可以为滑移面。

4）螺型位错线的运动方向与滑移矢量相垂直
5) 分左（右）螺旋位错
6）螺型位错也是包含几个原子宽度的线缺陷
3.混合型
3.2.2伯氏矢量
1.伯氏矢量的确定
2.伯氏矢量的特性
该矢量的方向表示位错运动导致晶体滑移的方向，而该矢量的模表示畸变的程度称为位错的强度。

3柏氏矢量的表示法
在立方晶体中， 可用于相同的晶向指数来表示：
位错强度
位错合并
3.2.3位错的运动
1.位错的滑移
螺形位错的交滑移：从原滑移面转移到与之相交的另一滑移面
螺形位错的双交滑移：
222w v u n a b ++=
2.位错的攀移
3.位错的交割
3.2.4位错的弹性性质（静力学）
1.位错的应力场
螺型位错的应力场
刃型位错的应力场
直角坐标系：
圆柱坐标系：
2.位错的应变能
位错周围点阵畸变引起弹性应力场导致晶体能量增加，这部分能量称为位错的应变能
混合位错角度因素：螺K=1 刃K=1- n
应变能与b2 成正比，故具有最小b的位错最稳定b，大的位错有可能分解为b小的位错，以降低系统能量。

错的存在使晶体处于高能的不稳定状态，可见位错是热力学不稳定的晶体缺陷。

3.位错的线张力
4.作用在位错上的力
5.位错间的作用力
a.两平行螺形位错的交互作用
两刃位错间作用力的讨论
3.2.5位错的生成和增殖
1.位错的密度
2.位错的生成
晶体生长过程中产生的位错：
1。

成分不同=〉晶块点阵常数不同=〉位错过渡
2。

晶块偏转、弯曲=〉位相差=〉位错过渡
3。

晶体表面受到影响=〉台阶或变形=〉产生位错
快速凝固=〉过饱和空位=〉聚集=〉位错
热应力和组织应力=〉界面和微裂纹处应力集中=〉局部滑移=〉位错3.位错的增殖
Frank-Read 位错源
3.2.6实际晶体结构中的位错
1.实际晶体中位错的伯氏矢量
典型晶体结构中的单位位错的柏氏矢量
单位位错：伯氏矢量等于单位点阵矢量的位错
全位错：伯氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错
不全位错：伯氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错
部分为错：伯氏矢量小于点阵矢量
2.堆垛层错
堆垛层错: 实际晶体中的密排面的正常堆垛顺序遭到破坏
实际晶体中的堆垛顺序：密排原子面按一定顺序堆垛而成。

面心立方：
密排六方：
特点: 一个插入型层错相当于两个抽出型层错
面心立方晶体中存在层错时相当于在其间形成了一薄层的hcp晶体结构
3.不全位错
不全位错：堆垛层错与完整晶体的分界线（b矢量不等于点阵矢量），不全位错与堆垛层错有关。

Fcc晶体中两种重要的不全位错：
肖克莱（Schckley)不全位错（可动位错）:
特点：1）b矢量永远平行于层错面
2）层错为一平面=>其边界在一平面内
3）可以为刃型、螺形、混和位错
4）滑移的结果是层错面的扩大或缩小。

但不能攀移，因它必须和层错始终相连
弗兰克（Frank) 不全位错（固定位错）
特点：a) (a/3)*<111>，纯刃型位错
b ）不能在滑移面上滑移，只能攀移
c ）属不动位错（sessile dislocation)
4.位错反应
1）几何条件：b 矢量总和不变
2）能量条件：反应降低位错总能量
5.面心立方晶体中的位错
汤普森四面体（1) 四个面即为4个可能的滑移面(111), (-1,1,1), (1,-1,1), (1,1,-1)
(2) 6条棱边代表12个晶向，即FCC 中所有可能的12个全位错的b 矢量
※每个顶点与其中心的连线共代表24个(a/6)<112> 肖克莱不全位错的b 矢量
※4个顶点到它所对的三角形中点连线代表8个(a/3)<111>弗兰克不全位错的b 矢量 ※4个面中心相连即为(a/6)<110> 压杆位错
b.扩展位错
一种特殊的位错组态，系由两个不全位错以及在两个不全位错之间的一片层错所构成。

一般由全位错分解而成。

扩展位错：通常把一个全位错分解为两个不全位错中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态称为扩展位错
[][][]
112621161102a a a +↔
（1）扩展位错的宽度：
（2）扩展位错的束集：在外切应力作用下，层错宽度减小至零，局部收缩成原来的全位错：位错扩展的反过程
（3）扩展位错的交滑移
扩展位错=>束集=>交滑移=>重新扩展（在新滑移面上）
扩展位错的交滑移比全位错困难，层错能越低，扩展位错越宽，交滑移越困难
c.位错网络
d.面角位错
πγ2)(21b b G d ∙
=
面角位错对面心立方的加工硬化可起重大作用
6.其他晶体中的位错
a.体心立方晶体中的位错
单位位错：(a/2)<111>, 滑移方向<111>, 通常可能的滑移面有{110}，{112}，{123}，随成分、温度计变形速度而异。

交滑移=>滑移线呈波纹形<=层错能高，不易出现扩展位错
滑移切应力的不对称性
<111>螺位错的核心具有独特的性质
3.3表面及界面
界面包括：外表面（自由表面）和内界面
表面：固体与气体或液体的分界面
界面：几个原子层厚，原子排列于成分不同于内部
3.3.1外表面
表面能：定义为形成单位面积的新表面所需做的功
3.3.2晶界和亚晶界
晶界：属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面（内界面）
晶界具有5个自由度：两晶粒的位相差（3），界面的取向（2）
1.小角度晶界。