涂布曝光显影刻蚀流程

涂布曝光显影刻蚀流程
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涂布曝光显影刻蚀流程。

1. 基底准备，清洁并处理基底，去除污染物和氧化物。

2. 光刻胶涂布，在基底上旋涂或喷涂感光光刻胶。

3. 软烘干，在低温下烘烤光刻胶，蒸发溶剂。

4. 曝光，通过光掩模将紫外线图案照射到光刻胶上，使其发生化学变化。

5. 后烘干，在较高温度下烘烤曝光后的光刻胶，使化学反应完全。

6. 显影，使用显影液溶解未曝光的光刻胶部分，留下曝光部分。

7. 硬烘干，在高温下烘烤显影后的光刻胶，使图像固定。

8. 刻蚀，使用蚀刻剂选择性地刻蚀曝光区域以下的基底材料，形成凹槽或图案。

9. 剥离，使用剥离剂从刻蚀后的基底上去除光刻胶残留物。