美国实现1nm制程工艺 突破半导体工艺极限
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美国实现1nm制程工艺突破半导体工艺极限
美国
【期刊名称】《军民两用技术与产品》
【年(卷),期】2017(0)11
【摘要】美国能源部（DOE）下属布鲁克海文国家实验室的研究人员采用电子束印刷工艺，成功制造出了尺寸仅1nm的印刷设备，创造了新的世界纪录。
【总页数】1页(P25-25)
【关键词】美国能源部;半导体工艺;制程工艺;极限;国家实验室;印刷工艺;研究人员;印刷设备
【作者】美国
【作者单位】
【正文语种】中文
【中图分类】TN305
【相关文献】
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