基于LDMOS电容的振荡器设计

基于LDMOS电容的振荡器设计
黄维海;戴宇杰;张小兴;吕英杰;王洪来
【期刊名称】《南开大学学报（自然科学版）》
【年(卷),期】2009(042)001
【摘要】基于0.5μm CMOS工艺,考虑面积、功耗和工作状态中电容容值等因素,采用LDMOS电容来实现高精度频率的振荡器.一般的CMOS电容特性是非单调变化的,而LDMOS电容只工作在积累区和耗尽区,电容特性可近似理想电容.仿真和测试结果表明,在电源电压1.5～5 V大范围变动的情况下,振荡频率稳定性高,达到设计预期效果.在给电容充电用的静态电流只有40 nA的低电流条件下,振荡器模块中电容的版图面积只有65 μm×65 μm,而且LDMOS工艺和CMOS工艺兼容,可以在不增加工艺复杂度的前提下,用较小的版图面积产生高精度时钟信号.
【总页数】5页(P67-71)
【作者】黄维海;戴宇杰;张小兴;吕英杰;王洪来
【作者单位】南开大学微电子研究所,天津,300457;南开大学微电子研究所,天津,300457;南开大学微电子研究所,天津,300457;南开大学微电子研究所,天
津,300457;南开大学微电子研究所,天津,300457
【正文语种】中文
【中图分类】TN752.1
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