达林顿管的四种接法与常用型号
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
达林顿电路有四种接法:NPN+NPN,PNP+PNP,NPN+PNP,PNP+NPN.
前二种是同极性接法,后二种是异极性接法。NPN+NPN的同极性接法:B1为B,C1C2为C,E1B2接在一起,那么E2为E。这里也说一下异极性接法。以NPN+PNP为例。设前一三极管T1的三极为C1B1E1,后一三极管T2的三极为C2B2E2。达林顿管的接法应为:C1B2应接一起,E1C2应接一起。等效三极管CBE的管脚,C=E2,B=B1,E=E1(即C2)。等效三极管极性,和前一三极管相同。即为NPN型。
PNP+NPN的接法和此类同。
如下图所示,两级放大器元件同为NPN型晶体管,将前级晶体管的射极电流直接引入下一级的基极,当作下级的输入。「同极型达林顿」连接,是使用相同类型的晶体管.而「异极型达林顿」连接,是使用NPN和PNP晶体管相互串接达成达林顿的特性。
同极型达林顿管
异极型达林顿管
达林顿管的典型应用
1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。
2、驱动小型继电器
利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路,如右上图所示。虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。
3、驱动LED智能显示屏
LED智能显示屏是由微型计算机控制,以LED矩阵板作显示的系统,可用来显示各种文字及图案。该系统中的行驱动器和列驱动器均可采用高β、高速低压降的达林顿管。图2是用BD683(或BD677)型中功率NPN达林顿管作为列驱动器,而用BD682(或BD678)型PNP 达林顿管作行驱动器,控制8×8LED矩阵板上相应的行(或列)的像素发光。
应注意的是,达林顿管由于内部由多只管子及电阻组成,用万用表测试时,be结的正反向阻值和普通三极管不同。对于高速达林顿管,有些管子的前级be结还反并联一只输入二极管,这时测出be结正反向电阻阻值很接近;容易误判断为坏管,这个请注意
4、判断达林顿管等效为何种类型的三极管:
首先看看第一只管是什么类型的,第一只管是什么类型的,那么这只达林顿管就是什么类型的,和第二只无关!更加重要的是要看看这两只管构成的达林顿管能不能正常工作,如果工作电流冲突,则直接否定这只管。
达林顿管的分类检测
1.普通达林顿管的检测方法
普通达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极连接在一起复合而成,其基极B和发射极E之间包含多个发射结。检测时可使用万用表的R×1k或R×10k档来测量。
测量达林顿管各电极之间的正、反向电阻值。正常时,集电极C和基极B之间的正向电阻值(测NPN管时,黑表笔接基极B;测PNP管时,黑表笔接集电极C)值和普通硅晶体管集电结的正向电阻值相近,为3~10kΩ之间,反向电阻值为无穷大。而发射极E和基极B 之间的的正向电阻值(测NPN管时,黑表笔接基极 B;测PNP管时,黑表笔接发射极E)是集电极C和基极B之间的正、反向电阻值的2~3倍,反向电阻值为无穷大。集电极C和发射极E之间的正、反向电阻值均应接近无穷大。若测得达林顿管的C、E极间的正、反向电阻值或BE极、BC极之间的正、反向电阻值均接近0,则说明该管已击穿损坏。若测得达林顿管的 BE极或BC极之间的、反向电阻值为无穷大,则说明该管已开路损坏。
2. 大功率达林顿管的检测
大功率达林顿管在普通达林顿管的基础上增加了由续流二极管和泄放电阻组成的保护电路,在测量时应注意这些元器件对测量数据的影响。
用万用表R×1k或R×10k档,测量达林顿管集电结(集电极C和基极B之间)的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(NPN管的基极接黑表笔时)应较小,为1~10kΩ,反向电阻值应接近无穷大。若测得集电结的正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则说明该管已击穿短路或开路损坏。
用万用表R×100档,测量达林顿管发射极E和基极B之间的正、反向电阻值,正常值均为几百欧姆至几千欧姆(具体数据根据B、E极之间两只电阻器的阻值不同而有所差异。例如,BU932R、MJ10025等型号大功率达林顿管B、E极之间的正、反向电阻值均为600Ω左右),若测得阻值为0或无穷大,则说明被测管已损坏。
用万用表R×1k或R×10k档,测量达林顿管发射极E和集电极C之间的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(测NPN管时,黑表笔接发射极E,红表笔接集电极C;测PNP管时,黑表笔接集电极C,红表笔接发射极E)应为5~15kΩ(BU932R为7kΩ),反向电阻值应为无穷大,否则是该管的C、E极(或二极管)击穿或开路损坏。
达林顿管的常用参数
型号 Pcm[W] Icm[A] Vceo [V] fT[MHz] 封装用途
说明
2N6035 40 4 60
- TO-225 - PNP -2N6036 40 4 80
- TO-225 - PNP -2N6038 40 4 60
- TO-225 - NPN -2N6039 40 4 80
- TO-225 - NPN -2N6040 75 8 60
- TO-220 - PNP
2N6042 75 8 100
- TO-220 - PNP
2N6043 75 8 60
- TO-220 - PNP
2N6045 - -
- TO-220 - -
2SB794 10 60
- TO-126 - PNP NEC 2SB795 10 80
- TO-126 - PNP NEC 2SC3075 - - -
- TO-126 - - -2SC3294 - -
- TO-202 - - -BD643 8 45
- TO-220 - NPN -
BD644 8 45
- TO-220 - PNP -BD645 8 60
- TO-220 - NPN -BD646 8 60
- TO-220 - PNP -BD647 8 80
- TO-220 - NPN -BD648 8 80
- TO-220 - PNP -BD649 8 100
- TO-220 - NPN -BD650 8 100
- TO-220 - PNP -BD651 8 120
- TO-220 - NPN -BD652 8 120
- TO-220 - PNP -BD677 40 4 60
- SOT-32 - NPN -BD678 40 4 60
- SOT-32 - PNP -BD679 40 4 80
- SOT-32 - NPN -BD680 40 4 80
- SOT-32 - PNP -BD681 40 4 100
- SOT-32 - NPN -