第一章 半导体二极管测试题
电子技术基础题库(I_II类题)[1]
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第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。
2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？ 答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。
PN 结最基本的特性是单向导电性。
3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。
二、计算题1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。
II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。
3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。
第一章 二极管章节测试题
第1 页 共 2页第一章 二极管章节测试题一、选择(每空2分，共22分) 1、本征半导体又叫（ ）A 、普通半导体B 、P 型半导体C 、掺杂半导体D 、纯净半导体 2、关于晶体二极管的正确叙述是：（ ）A 普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN 结温度迅速升高而烧坏。
B 普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。
C 硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。
D 以上说法都不对。
3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是（ ）-5.3V -6V -6V -5.3V -5V -5V 0V -0.7V4、变压器中心抽头式全波整流电路中，每只二极管承受的最高反向电压为（ ） A 、U 2 B 、2U 2 C 、1.2 U 2 D 、22 U 25、关于滤波器，正确叙述是：（ ）A 电容滤波器电路的电容量越大，负载越重，输出直流越平滑。
B 电容量越小，负载越重，输出电压越接近脉动电压峰值。
C 电感滤波器是利用电感具有反抗电流变化的作用，使负载电流的脉动程度 减小，从而使输出电压平滑。
D 电感量越大，产生的自感电动势越大，滤波效果越差。
6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（ ）7、如右图，电源接通后，正确说法为：（ ） A H 1、H 2、H 可能亮。
B H 1、H 2、H 都不亮。
C H 1可能亮，H 2、H 不亮。
D H 不亮，H 2、H 1可能亮。
8、二极管两端加上正向电压时（ ）A 一定导通B 超过死区电压才能导通 B 超过0.7伏才能导通 D 超过0.3伏才能导通 9、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。
A. 增大 B. 不变 C. 减小10、稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
A ．正向导通区 B ．反向截止区 C ．反向击穿区二、判断（每题1分，共10分） （ ）1、本征半导体中没有载流子。
（ ）2、将P 型半导体和N 型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN 结。
电子技术基础第一单元《半导体二极管》测试卷
《电子基础基础》单元测试卷姓名：学号：得分：一、填空题：1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和三类。
2、PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极；PN结反偏时，P区接电源的极，N区接电源的极。
3、PN结具有特性，即加正向电压时PN结，加反向电压时PN结。
4、硅二极管导通时的正向管压降约V，锗二极管导通时的管压降约V。
5、有一锗二极管正、反向电阻均接近于零，表明该二极管已；有一硅管正、反向电阻均接近于无穷大，表明二极管已。
6、三极管有三个电极，即极、极和极，分别用符号、和或、和表示。
7、半导体三极管有型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。
8、硅三极管发射结的死区电压约V，锗三极管发射结的死区电压约V。
9、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结，集电结或时，工作在饱和区；发射结或、集电结时，工作在截止区。
10、三接管电流放大系数太小，电流放大作用，电流放大系数太大，会使三极管的性能。
11、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
二、选择题：1、最常用的半导体材料是（）A、铜B、硅C、铝D、锗2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管（）A、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通3、当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）A、很小的电阻B、很大的电阻C、短路D、电阻4、某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）A、约等于150VB、略大于150VC、等于75VD、等于300V5、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A、增大B、减小C、不变D、先变大后变小6、测量小功率二极管的好坏时，一般把万用表欧姆档拨到（）A、R╳100B、R╳1KC、R╳1D、R╳10K7、用万用表R╳100档来测试二极管，如果二极管（），说明管子是好的。
A、正、反向电阻都为零B、正、方向电阻都为无穷大C、正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D、反向电阻为几百欧，正向电阻为几百千欧8、发光二极管工作时，应加（）A、正向电压B、反向电压C、正向电压或反向电压9、三极管放大的实质是（）A、将小能量换成大能量B、将低电压放大成高电压C、将小电流放大成大电流D、用较小电流的变化控制较大电流的变化10、在一块正常放大的电路板上，测得三极管1、2、3脚对地电压分别为－10V、－10.3V、－14V，下列符合该三极管叙述的是（）A、该三极管是PNP型B、该三极管是硅三极管C、1脚是发射极D、2脚是基极11、用直流电压表测量NPN型三极管中管子各极电位是U B=4.7V，U C=4.3V，U E=4V，则该晶体三极管的工作状态是（）A、截止状态B、饱和状态C、放大状态D、击穿状态12、在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是（）A、NPN管的集电极B、PNP管的集电极C、NPN管的发射极D、PNP管的发射极13、三极管各极对地电位如图所示，工作于饱和状态的三极管是（）A 、B 、C 、14、满足I C=βI B的关系，三极管工作在（）A、饱和区B、放大区C、截止区D、击穿区15、晶体三极管处于饱和状态，它的集电极电流将（）A、随基极电流的增加而增加B、随基极电流的增加而减小C、与基极电流变化无关，只取决于U CC和R C16、三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。
电子技术基础(第六版)习题册答案
习题册参考答案第一章半导体二极管§1-1 半导体的基本知识一、填空题1. 导体绝缘体半导体2. 半导体3. 硅锗4. 热敏光敏掺杂5. 正负负正6. 单向导电导通截止7. 高二、判断题1.×2.×3.√三、选择题1.C2.A3.C4.A§1-2 半导体二极管一、填空题1. 阳正阴负2.硅二极管锗二极管普通整流稳压开关光敏发光变容3.正极负极4.0.7 0.35.单向导电性导通小大截止大小6.大小7.0.5 0.28.最大整流电流最高反向工作电压9.烧毁击穿10.硅稳压锗普通硅整流锗开关11.击穿开路12.小好13.电光光电发光二极管二、判断题1.×2.×3.×4.√5.×6.×7.×8.×9.× 10.√ 11.× 12.× 13.× 14.× 15.× 16.√三、选择题1.C2.C 3．B 4.B 5.B 6.D 7.B 8.C 9.A 10.A11.C 12.C 13.B 14.D 15.A 16.A 17.A 18.A四、综合题1. 答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2. 答：图b）中的灯不亮。
3. 答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。
4. 答：5.答：6.答：2CZ83： N 型硅材料整流二极管序号为83 2CW55： N 型硅材料稳压二极管序号为55 2DK14： P 型硅材料开关二极管序号为14 7.答：序号 型号 所用材料F I （mA ）RM U (V)R I (μA)1 2AP9 锗 5 202 1N4148 硅 100 75 5 32CZ56A硅3000258.答：图a ）中，在表头处串联一个二极管，若直流电源极性接错，二极管V1反向截止，使表头指针不发生反偏，起保护表头的目的。
模拟电子技术基础-自测题答案
第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，假设掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；假设掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单项选择题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
(√)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
(×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(×)第2章半导体三极管及其基本应用2．1 填空题1．晶体管从结构上可以分成PNP 和NPN两种类型，它工作时有2种载流子参与导电。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4．当温度升高时，晶体管的参数β增大，I CBO增大，导通电压U BE 减小。
半导体二极管练习题
管 练习题1一、单选题(每题1分)1. 管 管 管 值 。
A. 直 相 相B. 交 相 相C. 直D. 交2. 中（ 敏感。
A. 少子B. 多子C. 离子D. 空穴3. PN 结形成 空 （ 构成。
A. 子 空穴B. 离子 受 离子C. 离子 子D. 受 离子 空穴4. 管 管 为（ 。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V5. 在PN 结 扩散 漂移 当PN 结 扩散 漂移 。
A. 小 大B. 大 小C. 大 大D. 小 小6. 中多 子 要取决 （ 。
A. B. 掺 工艺 C. 掺 D. 晶 缺陷7. 当 管 分别（ 。
A. 左移 下移B. 右移 上移C. 左移 上移D. 右移 下移8. 管 端 为U 管 为（ 。
A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I9. 下 中 管 为（ 。
A B C D10. 在25ºC 管 死 U t h ≈0.5V I S ≈0.1pA 在35ºC下 ：（ 。
A U th ≈0.525V I S ≈0.05pAB U th ≈0.525V I S ≈0.2pAC U th ≈0.475V I S ≈0.05pAD U th ≈0.475V I S ≈0.2pA11. 管工 应满足( )。
A. I D = 0B. I D < IZ 且 > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM12. 管 管 端 大 （ 。
A. 0B. 死C. D.、判断题(每题1分)1.因为N 多子 子。
（2. PN结在无 、无 结 为 。
电子技术试题及答案
电子技术试题及答案-(《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。
一、填空题：第一章半导体二极管○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。
Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。
○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。
Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。
○5、PN结具有单向导电特性。
○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。
Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类；○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。
★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。
○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。
Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。
★12、发光二极管将电信号转换为光信号。
★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。
第二章半导体三极管及其放大电路○15、三极管是电流控制元件。
○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。
Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。
★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。
Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小.Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。
第1章 半导体二极管及其基本电路习题答案
解：uO的波形如解图P1-6所示。
解图P1-6
1-7电路如图P1-7所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？
解：二极管的直流电流
ID＝（V－UD）/R＝2.6mA
其动态电阻
（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1-9已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。试求图P1-9所示电路中电阻R的取值范围。
解：稳压管的最大稳定电流
IZM＝PZM/UZ＝25mA
电阻R的电流为IZM～IZmin，所以其取值范围为
（5）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A。
A.增大B.不变C.减小
1-3能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？
解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。
1-4电路如图P1-4所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。
图p1-17
解:各个二极管在交流三相电源的每个周期中导通的相位角均为120度,电压波形如图所示.
1-18本题图中， L 1 、 L 2 是继电器 J 1 、 J 2 的吸引线圈，它们的直流电阻均为 10kΩ，当流过的电流大于 2mA 时，继电器才能动作。试判断，对于这一电路在下列四种答案种，哪个是正确的。
rD≈UT/ID＝10Ω
故动态电流有效值
Id＝Ui/rD≈1mA
图P1-7
1-8现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问：
模拟电子技术第一章 半导体二极管及其电路练习题(含答案)
第一章半导体二极管及其电路【教学要求】本章主要介绍了半导体的基础知识及半导体器件的核心环节—PN结。
PN结具有单向导电特性、击穿特性和电容特性。
介绍了半导体二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数。
理想情况下，二极管相当于开关闭合与断开。
介绍了二极管的简单应用电路，包括整流、限幅电路等。
同时还介绍了稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管。
教学内容、要求和重点见如表1.1。
表1.1 教学内容、要求和重点【例题分析与解答】【例题1-1】二极管电路及其输入波形如图1-1所示，设U im>U R,，二极管为理想，试分析电路输出电压，并画出其波形。
解：求解这类电路的基本思路是确定二极管D在信号作用下所处的状态，即根据理想二极管单向导电的特性及具体构成的电路，可获得输出U o的波形。
本电路具体分析如下：当U i增大至U R时，二极管D导通，输出U o被U R嵌位，U o=U R，其他情况下，U o=U i。
这类电路又称为限幅电路。
图1-1【例题1-2】二极管双向限幅电路如图1-2 (a)所示，若输入电压U i=7sinωt (V)，试分析并画出电路输出电压的波形。
（设二极管的U on为0.7V，忽略二极管内阻）。
图1-2解：用恒压降等效模型代替实际二极管，等效电路如图1-2(b)所示，当U i<－3.7V时，D2反偏截止，D1正偏导通，输出电压被钳制在－3.7V；当－3.7V<U i <3.7V时，D1、D2均反偏截止，此时R中无电流，所以U o=U i；当3.7V<U i时，D1反偏截止，D2正偏导通，输出电压被钳制在3.7V。
综合上述分析，可画出的波形如图1-20(c)所示，输出电压的幅度被限制在正负3.7V 之间。
【例题1-3】电路如图1-3（a），二极管为理想，当B点输入幅度为±3V、频率为1kH Z的方波，A点输入幅度为3V、频率为100kH Z的正弦波时，如图1-3（b），试画出Uo点波形。
第一章半导体二极管及其应用典型例题
当 时，二极管截止, ﻫ当 时，二极管导通,
由此画出输出电压 的波形如图（ｂ)所示。
图 (b)
【例1-6】在图示电路中，设二极管正向导通时的压降为０．７Ｖ,试估算ａ点的电位。
【相关知识】ﻫ(1)二极管的线性等效模型。ﻫ(2)二极管的工作状态工作状态(导通、截止)。ﻫ（2）选用合适的二极管线性等效模型。
【解题过程】ﻫ 该电路利用二极管的负温度系数，可以用于温度的测量。其温度系数–2mＶ／℃。ﻫ20℃时二极管的正向电压降
UD=６60mV
50℃时二极管的正向电压降ﻫＵD=66０ –（２´30)＝6０0 mV
因为二极管的正向电压降UD是温度和正向电流的函数，所以应使用电流源以稳定电流，使二极管的正向电压降ＵD仅仅是温度一个变量的函数。
（3）利用线性电路的方法进行分析计算。
【解题过程】
首先分析二极管开路时，管子两端的电位差,从而判断二极管两端加的是正向电压还是反向电压。ﻫ若是反向电压，则说明二极管处于截止状态;若是正向电压,但正向电压小于二极管的死区电压，ﻫ则说明二极管仍然处于截止状态；只有当正向电压大于死区电压时，二极管才能导通。ﻫ 在图示电路中,当二极管开路时,二极管两端的正向电压 ,二极管反向偏置，处于ﻫ截止状态,故 。
【例1－2】电路如图(a)所示，已知 ，二极管导通电压 。试画出uＩ与uＯ的波形,并标出幅值。
图(a)
模拟电子技术第一章 半导体二极管及其电路练习题(含答案)
第一章半导体二极管及其电路【教学要求】本章主要介绍了半导体的基础知识及半导体器件的核心环节—PN结。
PN结具有单向导电特性、击穿特性和电容特性。
介绍了半导体二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数。
理想情况下，二极管相当于开关闭合与断开。
介绍了二极管的简单应用电路，包括整流、限幅电路等。
同时还介绍了稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管。
教学内容、要求和重点见如表1.1。
表1.1 教学内容、要求和重点【例题分析与解答】【例题1-1】二极管电路及其输入波形如图1-1所示，设U im>U R,，二极管为理想，试分析电路输出电压，并画出其波形。
解：求解这类电路的基本思路是确定二极管D在信号作用下所处的状态，即根据理想二极管单向导电的特性及具体构成的电路，可获得输出U o的波形。
本电路具体分析如下：当U i增大至U R时，二极管D导通，输出U o被U R嵌位，U o=U R，其他情况下，U o=U i。
这类电路又称为限幅电路。
图1-1【例题1-2】二极管双向限幅电路如图1-2 (a)所示，若输入电压U i=7sinωt (V)，试分析并画出电路输出电压的波形。
（设二极管的U on为0.7V，忽略二极管内阻）。
图1-2解：用恒压降等效模型代替实际二极管，等效电路如图1-2(b)所示，当U i<－3.7V时，D2反偏截止，D1正偏导通，输出电压被钳制在－3.7V；当－3.7V<U i <3.7V时，D1、D2均反偏截止，此时R中无电流，所以U o=U i；当3.7V<U i时，D1反偏截止，D2正偏导通，输出电压被钳制在3.7V。
综合上述分析，可画出的波形如图1-20(c)所示，输出电压的幅度被限制在正负3.7V 之间。
【例题1-3】电路如图1-3（a），二极管为理想，当B点输入幅度为±3V、频率为1kH Z的方波，A点输入幅度为3V、频率为100kH Z的正弦波时，如图1-3（b），试画出Uo点波形。
《电子技术基础》第一章半导体二极管试卷
《电子技术基础》第一章半导体二极管测试一、单项选择题（每题2分，共20分）1.测量二极管(小功率)的管脚极性时,万用表的电阻档应选( )。
(2 分)A.R×1B.R×10C.R×100或R×1kD.R×10k2.测量二极管反向电阻时,若用两手将两管脚捏紧,其电阻值会( )。
(2 分)A.变大B.先变大后变小C.变小D.不变 3.二极管正反向电阻相差( )。
(2 分)A.越小越好B.越大越好C.无差别最好D.无要求 4.用万用表R×100Ω挡来测试二极管,其中( )说明管子是好的。
(2 分)A.正、反向电阻都为零B.正、反向电阻都为无穷大C.正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧D.反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧 5.变容二极管工作时,应加( )。
(2 分)A.反向电压B.正向电压C.正向电压或反向电压6.把电动势为1.5V 的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管 的负极,则该管( )。
(2 分)A.基本正常B.击穿C.烧坏D.电流为零7.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V 与10V,判断二极管应是( )。
(2 分)A.正偏B.反偏C.零偏 8.2AP9表示( )。
(2 分)A.N 型材料整流管B.N 型材料稳压管C.N 型材料普通管D.N 型材料开关管 9.变容二极管常用在( )电路中。
(2 分)A.高频B.低频C.直流10.用于整流的二极管型号是( )。
(2 分)A.2AP9B.2CW14CC.2CZ52BD.2CK84A二、判断题（每题2分，共20分）1.( )发光二极管可以接收可见光线。
(2 分)2.( ) 二极管加反向电压时一定截止。
(2 分)3.( )当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿 电压后,其反向电流迅速增加。
(2 分)4.( )PN 结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。
第1章半导体二极管三极管(例题)
(二)光电二极管 光电二极管工作于反向偏置状态. 光电二极管工作于反向偏置状态.无光照时电路 中电流很小,有光照时电流会急剧增加. 中电流很小,有光照时电流会急剧增加.
D E
D I E
RL
光电二极管电路
发光二极管电路
(三)发光二极管 发光二极管工作于正向偏置状态. 发光二极管工作于正向偏置状态.正向电流通过 发光二极管时,它会发出光来, 发光二极管时,它会发出光来,正向工作电压一般不 左右. 超过 2 V,正向电流为 mA左右.发光二极管常用 ,正向电流为10 左右 于数字仪表和音响设备中的显示器.冷光源. 于数字仪表和音响设备中的显示器.冷光源.
∵ UDA > UDB VY 优先导通, 截止. ∴ DA 优先导通, DB截止. 理想二极管: 理想二极管:VY = VA = 3V 锗二极管: 锗二极管:VY = VA - UD = 2.7V R 硅二极管: 硅二极管:VY = VA - UD = 2.3V -6V
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, 时 分析输出端的电位V 例4: 当VA = 3V,VB = 0V时,分析输出端的电位 Y.
+6V
DA
R VY
VA VB VA VB
DB DB DA
∵ UDB > UDA 优先导通, 截止. ∴ DB 优先导通, DA截止. 理想二极管: 理想二极管:VY = VB = 0V 锗二极管: 锗二极管:VY = VB B + UD = 0.7V
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分别为3 , 例6 当Us 分别为 2 V,4 V,而 ui 分别为 V, , , 3 V 时,试画出 uo 的波形. 的波形.
习题01章_半导体基础知识
RL
I Z I I RL 20 6 14mA
U UZ 30mA R
② I ③ I RL
I Z I I RL 30 6 24mA I Z I I RL 20 3 17mA
UZ 3mA RL
习题1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压值均为6V， 当工作在正向时管压降均为0.7V，如果将他们用不同的方 法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出 各种不同的串联方法。
1 0.99 解：① 1 1 1
当 I B1 10 A 时， I C1 0.99mA ,
I E1 1mA
② 2
2 19 1 2
当 I E 2 1mA 时， I C 2 0.95mA , I B 2 50 A
习题1-11 设某三极管在20℃时的反向饱和电流ICBO=1μA， β=30；试估算该管在50℃的ICBO和穿透电流ICEO大致等于多少。 已知每当温度升高10℃时，ICBO大约增大一倍，而每当温度 升高1℃时， β大约增大1% 。 解： 20℃时， I CEO 1 I CBO 31 A
在80℃时的反向电流约为： 23 10 A 80 A
习题1-4 已知在下图中，uI = 10sinωt (V)，RL=1kΩ，试 对应地画出二极管的电流 iD、电压uD以及输出电压uO的波 形，并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向 电流可以忽略。 u I /V 10 + uD 0 t + + iD /m A uI iD uD 10 RL 0 (a) t uI/V 0 t -10 uo/V 10
50℃时， I CBO 8 A
0 1 1%
第一章 半导体二极管练习
第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移 2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于 3.下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
ABCD4. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0 B. I D < I Zm 且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Zm < I D < I ZM5. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴6. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降 7. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。
A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 8. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V9. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。
A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同 二、判断题1. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）2. 二极管在工作电流大于最大整流电流I F 时会损坏。
（ ）3. 二极管在工作频率大于最高工作频率f M 时会损坏。
（ ）4. 二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM 时会损坏。
（ ）5. 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
第一章+半导体二极管及其应用-自测题
第一章半导体二极管及其应用1．本征半导体中的自由电子浓度_________空穴浓度(a)大于（b）小于 (c)等于2．在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于_________。
（a) 温度（b）材料 (c) 掺杂浓度3．在掺杂半导体中，少子的浓度受_________的影响很大。
(a) 温度（b）掺杂工艺 (c) 掺杂浓度4．在掺杂半导体中,多子的浓度越高，少子的浓度越_________。
(a）高 (b）低（c) 不变5．N型半导体_________ 。
（a）带正电 (b）带负电 (c）呈中性6．温度升高N型半导体的电阻率将_________ 。
（a) 增大 (b）减小 (c) 不变7．当PN结正向偏置时，耗尽层将_________.(a）不变（b）变宽小于（c) 变窄8．当环境温度升高时,二极管的正向电压将_________。
(a) 升高 (b) 降低（c）不变9．当环境温度升高时，二极管的死区电压将_________.(a）升高 (b) 降低（c) 不变10．当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流将_________。
(a）增大（b) 减小（c）不变11．二极管的正向电压降一般具有_________温度系数.(a) 正 (b）负 (c）零12．确保二极管安全工作的两个主要参数分别是_________和_________。
(a） U D，I F (b） I F，I S (c） I F，U R13．理想二极管的主要性能指标为_________。
（a) U D=0 ，I R =0，（b） U D=0.3V ，I R =0 (c） U D=0。
5V ,I R =Is 14．稳压管通常工作于_________,来稳定直流输出电压。
(a) 截止区 (b）正向导通区（c) 反向击穿区15．对于稳定电压为10V的稳压管,当环境温度升高时,其稳定电压将_________。
（a) 升高（b) 降低 (c) 不变16．二极管的反偏电压升高,其结电容_________.（a) 增大 (b) 减小（c) 不变17．二极管正向偏置时，其结电容主要是_________.(a）势垒电容 (b）扩散电容 (c) 无法判断18．锗二极管的死区电压约为_________.(a) 0。
第1章 半导体二极管及其基本应用自测
第一章 半导体二极管及其基本应用自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（每题5分）1.P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
（ ）2.在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ）3.PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）4.P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ）5.PN 结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（ ）6.漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（ ）7.由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。
（ ）8.PN 结方程可以描述PN 结在的正向特性和反向特性，也可以描述PN 结的反向击穿特性。
（ ）9. 锗晶体二极管的导通电压约为0.6-0.8伏左右，硅晶体二极管的导通电压约为0.2-0.3伏左右。
（ ）10. 当PN 结导通时参与导电的只有多数载流子。
（ ）解：1.√ 2.× 3.√ 4.× 5.× 6.√ 7.× 8.×9.× 10.×二、选择题（每题5分）1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将 [ ]A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2.设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 [ ]A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S －T U U I3.稳压管的稳压区是其工作在 [ ]A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿4.在如图所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定5.在如图所示电路中电源V=5V 不变。
当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定6.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷7.二极管的主要特性是[ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性8.在P型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质9.在N型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10.下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大解：1.A 2.C 3.C 4.C 5.C6.C7.C8.B9.A 10.A。
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第一章半导体二极管
班级：___________姓名：___________分数：___________
一、填空题（1分/空，共30分）
1.导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是________。
2.半导体具有______特性、_______特性和_______特性。
3.PN结正偏时，P区接电源的____极，N区接电源的____极；PN结反偏时，P区接电源的______极，N区接电源的_____极。
4.PN结具有_________________的特性，即加正向电压时，PN结______，加反向电压时，PN结_______.
5.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位_______。
6.二极管P区的引端叫________极或________极，N区的引出端叫_______极或_______极。
7.按二极管所用的材料不同可分为_______和_______两类。
8.二极管的正向接法是______接电源的正极，______接电源的负极；反向接法则相反。
9.硅二极管导通时的正向管压降约为______V，锗二极管导通时的管压降约为______V。
10.二极管最主要的特性是______，它是指：PN结正偏时呈______状态，正向电阻很小，正向电流很______（小，大）；PN结反偏时呈_____状态，反向电阻很大；反向电流很______（小，大）。
11.二极管是用一个PN结制成的半导体器件，它的最基本的性质是____________。
12.有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已______；有一硅二极管正、反向电阻均接近于无穷大，表明二极管已_____________。
二、判断题（2分/题，共22分）
1.N型半导体又称为空穴型半导体。
（）
2.PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。
（）
3.二极管是线性元件。
（）
4.一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
（）
5.不论是那种类型的半导体二极管，其正向电压都为0.3V左右。
（）
6.二极管具有单向导电性。
（）
7.二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
（）8.二极管加正向电压时一定导通。
（）
9.二极管加反向电压时一定截止。
（）
10.有两个电极的元件都叫二极管。
（）
11.用数字万用表测试二极管时，显示“000”，说明该二极管内部开路。
（）
三、选择题（2分/题，共40分）
1.PN结的最大特点是具有（）。
A．导电性 B. 绝缘性 C. 单向导电性 D. 负阻性
2.半导体受光照，导电性能（）。
A. 增强
B. 减弱
C. 不变
D.不一定
3.当外界温度升高时，半导体的导电能力（）。
A. 不变
B. 增加
C. 显著增加 C. 先减小后增加
4.PN结正向偏置时( )。
A．P区接电源正极，N区接电源负极 B. N区接电源正极，P区接电源负极
C. 电源极性可以任意调换
D. 不接电源
5.PN结的主要特征为（）。
A. 正向导电特性
B. 单向导电性
C. 反向击穿特性 B. 可控的单向导电特性
6.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V，判断二极管应是（）
A.正偏
B.反偏
C.零偏
D.损坏
7.硅二极管加正向电压（）
A.立即导通
B.超过0.3V导通
C.超过0.7V导通
D.超过死区电压导通
8.用万用表直流电路挡分别测出V1、V2和V3正极与负极对地的电位如图1-1所示，V1.V2和V3的偏置状态为（）
A.V1、V2和V3均正偏
B.V1反偏，V2和V3正偏
C.V1、V2反偏，V3正偏
D.V1、V2和V3均反偏
9.某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）
A．约等于150V B略大于150V
V2
V1 +13V
V3
-11V -12V
+12V
0V -1V
图1-1
C.等于75V D 等于300V 10.下列（ ）不是二极管的主要参数。
A ．电流放大倍数 B 最大整流电流 C.最高反向工作电压 D 反向电流
11.当环境温度升高时，二极管的反向电流将（ ） A.增大 B.减小 C.不变 D.先大后小 12.2AP9表示（ ）
A.N 型材料整流管
B.N 型材料稳压管
C.N 型材料普通管
D.N 型材料开关管 13.判断二极管的极性用万用表（ ）挡
A.直流电压
B.直流电流
C.交流电流
D.欧姆
14.测量小功率二极管的好坏时，一般把万用表欧姆挡拨到（ ） A.R ×100 B.R ×10k C.R ×1 D.R ×10
15.用万用表R ×100挡来测试二极管，其中（ ）说明管子是好的 A.正、反向电阻都为零 B.正、反向电阻都为无穷大
C.正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧
D.反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧
16.用万用表的电阻档判断小功率二极管管脚极性时，应选用（ ）挡 A.R ×1 B.R ×1k C.R ×10k D.R ×10
17.在测量二极管正向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会（ ） A.变大 B.变小 C.不变化 D.不能确定 18.二极管正反向电阻相差（ ）
A.越小越好
B.越大越好
C.无差别最好
D.无要求
19.用数字式万用表测试二极管时，显示0.550—0.700V ，则该二极管（ ） A.是锗管 B.短路 C.开路 D.是硅管
20.用万用表不同的电阻档测量一个正常二极管的正向电阻，测量结果（ ） A.相同 B.不同 C.可能相同也肯可能不同 D.以上都正确
四、综合题（4分/题，共8分）
1.在图1-2所示的电路中，哪一个灯泡不亮？
2.在图1-3所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止，并求出U AO 的值
3k Ω 6V V
12V A O a)
3k Ω 15V V 12V A
O
b) 5V 2V d) 6V 10V b) VV
10V a) 图1-2 图1-3。