场效应管的识别方法及测量

常用场效应管的种类与识别

常用场效应管的种类与识别场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体电子器件，主要用于放大和开关电路中。

根据FET的工作原理和结构不同，常用的场效应管主要有三种类型：结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor FET，MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor，IGBT）。

下面将详细介绍这三种常用的场效应管以及它们的识别方法。

1.结型场效应管（JFET）：结型场效应管是最早发展的一种场效应管，其结构简单，用途广泛。

根据导电型别的不同，可分为N沟道（N-Channel）和P沟道（P-Channel）两类。

结型场效应管的导通主要是通过沟道中的少数载流子进行的。

其主要特点包括输入电阻较高、噪声较低、电路稳定性好等。

JFET的识别方法：（1）引脚识别：JFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。

可以使用万用表的电阻档位来测量两两引脚间的电阻大小，栅源电阻较大，约为数兆欧姆，漏源电阻较小，约为几千欧姆，可以根据这些特点来判断引脚的功能。

（2）标识识别：通常JFET上会有标志性的标识，例如“2N”或“BF”等，通过这些标识可以辨认出具体的型号和制造商。

（3）参数识别：可以通过查阅JFET的参数手册或型号手册，了解其具体的参数范围和特性，从而辨认出具体的JFET型号。

2.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：金属氧化物半导体场效应管是应用最为广泛的一种场效应管，也是目前集成电路中使用最多的晶体管。

根据栅极结构的不同，可以分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两种。

增强型MOSFET的导通需要在栅极上施加正电压，而耗尽型MOSFET的导通则需要在栅极上施加负电压。

MOSFET的识别方法：（1）引脚识别：MOSFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。

常用场效应管型号全参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

如何识别场效应管晶体管的管脚

如何识别场效应晶体管的管脚？新闻出处：电子市场发布时间： 2008年09月02日测量场效应晶体管的管脚可以用万用表R X 1K电阻挡位进行测试。

试探结型场效应管的哪个管脚为栅极的方法是：将万用表中的红表笔接一个管脚，黑表笔分别去接另外两个管脚。

如果两次测出的结果相同，所测的阻值都很大或所测的阻值都很小，则可判断出红表笔所测的管脚为栅极。

一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

场效应管检测方法

场效应管检测方法一、用指针式万用表对场效应管进行（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表之欧阳语创编

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

如何识别场效应管晶体管的管脚

如何识别场效应晶体管的管脚？新闻出处：电子市场发布时间：2008年09月02日测量场效应晶体管的管脚可以用万用表R X 1K电阻挡位进行测试。

试探结型场效应管的哪个管脚为栅极的方法是：将万用表中的红表笔接一个管脚，黑表笔分别去接另外两个管脚。

如果两次测出的结果相同，所测的阻值都很大或所测的阻值都很小，则可判断出红表笔所测的管脚为栅极。

一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表公司内部编号：（GOOD-TMMT-MMUT-UUPTY-UUYY-DTTI-常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

常用场效应管型参数管脚识别及检测表

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为12kΩ;表针摆动的幅度较大;说明该管是好的;并有较大的放大能力..运用这种方法时要说明几点：首先;在测试场效应管用手捏住栅极时;万用表针可能向右摆动电阻值减小;也可能向左摆动电阻值增加..这是由于人体感应的交流电压较高;而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同或者工作在饱和区或者在不饱和区所致;试验表明;多数管的RDS增大;即表针向左摆动；少数管的RDS减小;使表针向右摆动..但无论表针摆动方向如何;只要表针摆动幅度较大;就说明管有较大的放大能力..第二;此方法对MOS场效应管也适用..但要注意;MOS场效应管的输人电阻高;栅极Ｇ允许的感应电压不应过高;所以不要直接用手去捏栅极;必须用于握螺丝刀的绝缘柄;用金属杆去碰触栅极;以防止人体感应电荷直接加到栅极;引起栅极击穿..第三;每次测量完毕;应当G-S极间短路一下..这是因为G-S结电容上会充有少量电荷;建立起ＶGＳ电压;造成再进行测量时表针可能不动;只有将G-S极间电荷短路放掉才行..4用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚;也就是源极Ｓ和漏极Ｄ;余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2..把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来;对调表笔再测量一次;把其测得电阻值记下来;两次测得阻值较大的一次;黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ..用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极;还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证;即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极;两种方法检测结果均应一样..当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后;按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路;一般G1、G2也会依次对准位置;这就确定了两个栅极G1、G2的位置;从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序..5用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时;可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ;这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压..此时栅极是开路的;管的反向电阻值是很不稳定的..将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档;此时表内电压较高..当用手接触栅极Ｇ时;会发现管的反向电阻值有明显地变化;其变化越大;说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小;用此法测时;反向阻值变化不大..二、.场效应管的使用注意事项1为了安全使用场效应管;在线路的设计中不能超过管的耗散功率;最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值..2各类型场效应管在使用时;都要严格按要求的偏置接人电路中;要遵守场效应管偏置的极性..如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结;Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压;等等..3MOS场效应管由于输人阻抗极高;所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路;要用金属屏蔽包装;以防止外来感应电势将栅极击穿..尤其要注意;不能将MOS场效应管放人塑料盒子内;保存时最好放在金属盒内;同时也要注意管的防潮..4为了防止场效应管栅极感应击穿;要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时;先焊源极；在连入电路之前;管的全部引线端保持互相短接状态;焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时;应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然;如果能采用先进的气热型电烙铁;焊接场效应管是比较方便的;并且确保安全；在未关断电源时;绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出..以上安全措施在使用场效应管时必须注意..5在安装场效应管时;注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动;有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时;应当大于根部尺寸５毫米处进行;以防止弯断管脚和引起漏气等..对于功率型场效应管;要有良好的散热条件..因为功率型场效应管在高负荷条件下运用;必须设计足够的散热器;确保壳体温度不超过额定值;使器件长期稳定可靠地工作..总之;确保场效应管安全使用;要注意的事项是多种多样;采取的安全措施也是各种各样;广大的专业技术人员;特别是广大的电子爱好者;都要根据自己的实际情况出发;采取切实可行的办法;安全有效地用好场效应管..常用场效应管型号参数表型号参数IRF530NMOS100V14A79WIRFP9530PMOS100V12A75WIRF540NMOS100V28A150WIRFP9540PMOS60V18A100WIRF630 NMOS200V9A75W IRFP9630 PMOS200V6.5A75WIRF640 NMOS200V18A125WIRF720 NMOS400V3.3A50WNMOS400V5.5A75WIRF740NMOS400V10A125WIRF830NMOS500V4.5A75WIRF840NMOS500V8A125W场效应管分类型号耐压电流封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V;0.115A TO-92MOS FET 2N7002 60V;0.2A SOT-23 DISCRETEMOS FET IRF510A 100V;5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V;9.2A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF530A 100V;14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF540A 100V;28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF610A 200V;3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF620A 200V;5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF630A 200V;9A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF634A 250V;8.1A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF640A 200V;18A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF644A 250V;14A TO-220MOS FET IRF650A 200V;28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF654A 250V;21A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF720A 400V;3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF730A 400V;5.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF740A 400V;10A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF750A 400V;15A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF820A 500V;2.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF830A 500V;4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF840A 500V;8A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9520 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9540 TO-220MOS FET IRF9610 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9620 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFP150A 100V;43A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP250A 200V;32A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP450A 500V;14A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFR024A 60V;15A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR120A 100V;8.4A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR214A 250V;2.2A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR220A 200V;4.6A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR224A 250V;3.8A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR310A 400V;1.7A D-PAKMOS FET IRFR9020TF D-PAK DISCRETEMOS FET IRFS540A 100V;17A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS630A 200V;6.5A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS634A 250V;5.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS640A 200V;9.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS644A 250V;7.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS730A 400V;3.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS740A 400V;5.7A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS830A 500V;3.1A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS840A 500V;4.6A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V;12A TO-220FMOS FET IRFSZ24A 60V;14A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V;20A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFU110A 100V;4.7A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU120A 100V;8.4A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU220A 200V;4.6A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU230A 200V;7.5A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU410A 500V I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU420A 500V;2.3A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFZ20A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V;17A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ30 TO-220MOS FET IRFZ34A 60V;30A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ40 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V;50A TO-220 DISCRETEMOS FET IRLS530A 100V;10.7A;Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V;8A;Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V;17A;Logic TO-220 DISCRETEMOS FET IRLZ44A 60V;50A;Logic TO-220 DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V;36A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP65N06 60V;65A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9540 -100V;17A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9634 -250V;5A TO-220MOS FET SFP9644 -250V;8.6A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V;18A TO-220 DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V;1.53A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9224 -250V;2.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9310 -400V;1.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFS9630 -200V;4.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFS9634 -250V;3.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFU9220 -200V;3.1A I-PAK DISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOPMOS FET SSH10N80A 800V;10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V;10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V;5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V;6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V;70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V;7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V;9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V;9A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V;1A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V;2A TO-220MOS FET SSP35N03 30V;35A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V;3A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V;4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V;4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V;4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V;5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V;60A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V;6A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V;55A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V;7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V;7A TO-220MOS FET SSP80N06A 60V;80A TO-220 DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V;0.9A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V;1.8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR3055A 60V;8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V;5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V;1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V;2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V;2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V;3.5A TO-220F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V;2.3A TO-220F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V;2.3A TO-220FMOS FET SSS4N90AS 900V;2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V;3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V; TO-220F/P。

场效应管的识别方法及测量

场效应管的识别方法及测量一、符号：“Q、VT”，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件场效应管分三个极：Ｄ极为漏极（供电极）Ｓ极为源极（输出极）Ｇ极为栅极（控制极）Ｄ极和Ｓ极可互换使用场效应管图例：二、场效应管的分类：场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。

按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。

三、场效应管的特性：1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通4、场管的ＤＳ功能可互换Ｎ沟道场管的导通截止电压：导通条件：ＶＧ>ＶＳ，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大截止条件：ＶＧ<ＶＳ，ＩＤ没有电流或有很小的电流四、场效应管的作用：放大、调制、谐振、开关五、场效应管的测量及好坏判断1、测量极性及管型判断红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准2、好坏判断测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场管为开路软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。

六、场管的代换原则（只适合主板）场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可功率大的可以代换功率小的技嘉主板的场管最好原值代换七、主板上常见的场管型号N沟道：702、712、G16、SG、SS、7EW、12KSH、72KGG、KF中等大小的场管：3055、09N05、40N03、45N03外型较大的场管：L3103S、K3296、K3289、6030、703055N03、76139D、76129S、10N03、15M03F827、F841、BPS100P沟道：352A、356Welcome To Download !!!欢迎您的下载，资料仅供参考！。

常用场效应管的种类与识别

常用场效应管的种类与识别一、什么是场效应管场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）简称场效应管。

这种晶体管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体元件。

具有输入阻抗高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

场效应管分结型、绝缘栅型两大类。

结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极（闸极）与其他电极完全绝缘而得名。

按沟道半导体材料的不同，场效应管又分为N沟道和P沟道两种。

P沟道场效应管的工作原理与N沟道场效应管完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已，这如同三极管有NPN型和PNP型一样。

同普通三极管一样，场效应管也有三个引脚，分别是门极（又称栅极）、源极、漏极3个端子。

场效应管可看做一只普通三极管，栅极（闸极）G对应基极B，漏极D对应集电极C，源极S对应发射极E（N沟道对应NPN型晶体管，P沟道对应PNP晶体管）。

二、常用场效应管的种类与识别目前应用最为广泛的是绝缘栅型场效应管，简称MOS管或简称MOSFET（Met al Oxide Semiconductor FET，即金属-氧化物-半导体场效应管），这里就侧重介绍绝缘栅型场效应管的相关知识与测量方法。

1、常用场效应管的种类（1）小功率场效应管常用的小功率场效应管主要有TO-92封装和SOT-23、SOT-223等封装形式。

采用TO-92封装的场效应管型号常用的有2N7002、BSP254、BS170、1N60等。

这种场效应管主要用在放大、电子开关电路中。

TO-92封装场效应管的实物如图1所示。

图1 TO-92封装场效应管采用SOT-23封装的有代码为K1N、K72、K7A、K7B的2N7002（N沟道）、代码为335的FDN335N（N沟道）、NDS356AP（P沟道）等型号。

这种场效应管主要用在放大、电子开关电路中。

6.场效应管识别与测量详解

-1 V -1. 5 V
O
-2 V
2
VDS /V
ID 只受 VGS 控制，而与 VDS 近似无关。
数学模型：
V GS I D I DSS 1 V GS(off)
在饱和区，JFET 的 ID 与 VGS 之间也满足平方律关系，但由于 JFET 与 MOS 管结构不同，故方程不同。
利用半导体内的电场效应，通过栅源电压 VGS 的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流 ID。综上所述，JFET 与 MOSFET 工作原理相似，它们都是利用电场效应控制电流，不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。
3、结型场效应管特性曲线伏安特性曲线
NJFET 输出特性
截止区
ID = 0 以下的工作区域。条件： VGS < VGS(th) 沟道未形成时的工作区特点： IG 0，ID 0
O ID/mA VDS = VGS – VGS(th)
VGS = 5 V
4.5 V 4V 3.5 V VDS /V
相当于 MOS 管三个电极断开。
击穿区
• VDS 增大到一定值时漏衬 PN 结雪崩击穿 ID 剧增。 • VDS 沟道 l 对于 l 较小的 MOS 管穿通击穿。
10、场效应管的特性曲线
NEMOS 管输出特性曲线
非饱和区
沟道预夹断前对应的工作区。条件：特点：
ID/mA VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V 4.5 V
VGS > VGS(th) V DS < VGS – VGS(th)
O
4V 3.5 V
VDS /V
ID 同时受 VGS 与 VDS 的控制。

场效应管、晶闸管和单结晶体管的识别与检测

第6章场效应管、晶闸管和单结晶体管的识别与检测
6.1 场效应管的识别与检测场效应管是场效应晶体管的简称，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、安全工作区域宽、受温度影响小等优点，特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路。场效应管和三极管都能实现信号的控制和放大，但由于它们的结构和工作原理截然不同，所以二者的差别很大。三极管是一种电流控制元件，而场效应管是一种电压控制器件。场效应管（FET）是一种电压控制型半导体器件（通过改变栅极和源极之间电压来控制其漏极电流），在电路中主要起信号放大、阻抗变换等作用；晶体闸流管简称晶闸管（可控硅），是可控整流半导体器件，主要用于交直流无触点开关、调光、调速、过压保护等电路中；单结晶体管因只有一个PN 结，但它与二极管的特性却不相同，多用于触发电路、振荡电路及双稳态等电路中。
（2）单向晶闸管触发能力的判断
1 .对1A～10A的晶闸管，可用万用表的R×1档，红表笔接A极，黑表笔接K极，表针不动；然后使红表笔周与A极相接的情况下，同时与控制极 G接触。此时可从万用表的指针上看到晶闸管的A-K之间的电阻值明显变小，指针停在几欧到十几欧处，晶闸管因触发处于导通状态。给G极一个触发电压后离开，仍保持红表笔接A极，黑表笔接K极，若晶闸管处于导通状态不变，则表明晶闸管是好的；否则，晶闸管可能是损坏的。
6.1.2 场效应管的命名法国产场效应管的型号命名方法有两种：第一种是与普通三极管相同，第一部分用数字3表示主称；第二部分用字母表示材料：D是P型硅N沟道，C是N 型硅P沟道；第三部分用字母表示管子种类：字母J 代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管；第四部分用数字表示序号。例如，3DJ6D表示结型N沟道场效应三极管， 3DO6C表示绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法采用字母“CS”+“XX﹟”的形式，其中“CS”代表场效应管，“XX”以字代表型号的序号， “﹟”用字母代表同一型号中的不同规格，如CS16A、 CS55G等。

场效应管的分类及识别

三、场效应管的特性：
1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压
2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高
3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通
4、场管的ＤＳ功能可互换
Ｎ沟道场管的导通截电压：
55N03、76139D、76129S、10N03、15M03 F827、F841、BPS100)
2、好坏判断
测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场管为开路
软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。
六、场管的代换原则（只适合主板）
场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可
功率大的可以代换功率小的
一、符号： “Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件
场效应管分三个极：Ｄ极为漏极（供电极）
导通条件：ＶＧ>ＶＳ，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大, )
截止条件：ＶＧ<ＶＳ，ＩＤ没有电流或有很小的电流"
四、场效应管的作用：
放大、调制、谐振、开关
五、场效应管的测量及好坏判断
1、测量
极性及管型判断
红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道
红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道
如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿
贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测, 场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准

测量MOS管好坏方法

一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

MOS管原理及实际应该和测量

场场效应晶体管应管工作原理（1）场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。

结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。

目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。

若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。

结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。

而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

见下图。

二、场效应三极管的型号命名方法现行有两种命名方法。

第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。

第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。

例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。

例如CS14A、CS45G等。

如何测试场效应管

如何测试场效应管1、结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。

将万用表置于R×1K档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。

当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换），余下的一个管脚即为栅极G。

对于有个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。

2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极.若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。

源极与漏极间的电阻约为几千欧。

注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。

因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。

3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1。

5V的电源电压.这时表针指示出的是D-S极间电阻值.然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上.由于管子的放大作用，UDS 和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。

如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动,说明管子已经损坏。

由于人体感应的0Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。

少数的管子RDS减小,使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。

无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动,就说明管子具有放大能力。

本方法也适用于测MOS管。

为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏.MOS管每次测量完毕，G—S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS,再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。

测量场效应管好坏和极性

用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。

给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。

再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。

二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。

若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。

欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。

判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。

若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。

如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。

反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS ↓，IDS↑。

但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。

注意事项：（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。

但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。

其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。

（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。

三、晶体三极管管脚判别三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管是硅平面管，又分PNP和NPN型两类。

现在锗合金管已经少见了。

这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。

项目6 场效应管的检测与识别.

2、绝缘栅型场效应管（MOSFET)的构造与原理 ◆ 结构在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS 管。 MOS管的源极和衬底接在一起，栅极与源、漏极是绝缘的。 ◆ 原理增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时，即使加上漏-源电压VDS，而且不论VDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流 I D≈0。
项目小结
1、场效应管的主要技术指标有夹断电压UGS（Off）、开启电压： UGS（th）、和饱和漏电流IDSS、低频跨导gm、最大耗散功率PDM 和栅源击穿电压U(BR)GS等。 2、检测场效应管最常用的方法是用万用表测量PN结的正反向电阻，根据测量结果可以判定场效应管的管型、极性、好坏。
（5）跨导gm 漏极电流的微变量与栅－源电压微变量之比，即 gm＝△ID/△ VGS。它是衡量场效应管栅－源电压对漏极电流控制能力的一个参数。 gm相当于三极管的hFE。（6）最大漏极功耗PD PD=UDS*ID，相当于三极管的PCM。
知识2 ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ效应管的识别与检测
1、场效应管的识别（1）两种命名方法： ① 与普通三极管相同，第三位字母：J：结型场效应管；O：绝缘栅场效应管；第二位字母：D:P型硅N型沟道；C：N型硅P型沟道；例：3DJ6D: 结型N型沟道场效应管； 3DO6C:绝缘栅型N沟道场效应管； ② 采用“CS”＋“XX＃” CS：场效应管； XX：以数字代表型号的序号；＃：代表同一型号中的不同规格；例：CS16A；CS55G