全国4月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题及答案解析历年试卷及答案解析
全国4月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题及答案解析历年试卷及答案解析
全国2018年4月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题课程代码:02234一、单项选择题(本大题共15小题,第1—10小题,每小题1分,第11—15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
1.当P—N结承受反向电压时,其内部电流关系为( )A.扩散电流大于漂移电流B.扩散电流等于漂移电流C.扩散电流小于漂移电流D.无法确定2.半导体三极管的特点是( )A.输入电流控制输出电流B.输入电压控制输出电压C.输入电流控制输出电压D.输入电压控制输出电流3.图示电路,R F引入了( )A.串联电流负反馈B.串联电压负反馈C.并联电压负反馈D.正反馈4.共模抑制比K CMRR是( )A.差模输入信号与共模输入信号之比B.输入量中差模成份与共模成份之比C.差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比D.交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比5.与八进制数(537)8相等的十六进制数是( )A.(17C)16B.(16B)16C.(17B)16D.(16C)166.四变量逻辑函数F(ABCD)的最小项m8为( )A.ABC DB.A BC DC.A B CDD.ABCD7.电路如图所示,设灯F亮为逻辑1,灭为逻辑0,开关A、B的逻辑状态如图中所示,则灯F与开关A、B的逻辑关系为( )A.F=A+BB.F=A B+A BC.F+ABD.D=AB+AB8.图示电路,当EN=1时,F的状态为( )A.F=0B.F=1C.F=AD.F=A9.基本RS触发器,当R D,S D都接高电平时,该触发器具有( )A.置“1”功能B.保持功能C.不定功能D.置“0”功能10.图示逻辑符号代表( )A.或非门电路B.与或非门电路C.集电极开路与非门电路(OC门)D.异或门电路11.NPN型三极管工作于饱和状态时,三个电极的电位关系为( )A.U B>UC,U B>U EB.U E>U C,U C>U BC.U C>U B>U ED.U E>U B>U C12.图示电路,若β=100,UBE=0.7伏,则静态基极电流I BQ等于( )A.6μAB.8μAC.9.5μAD.10.5μA13.图示OCL功率放大电路,在输入u i为正弦电压时,互补管T2、T3的工作方式为( )A.甲类B.乙类C.始终截止D.甲乙类14.图示LC振荡电路,为了满足振荡的相位条件,应将( )A.1与4连接,2与5连接B.1与5连接,2与4连接C.2与3连接,4与5连接D.1与3连接,2与4连接15.图示电路,变压器副边电压u2=2U2sinωt V,该电路的输出特性(外特性),应是图中( )A.①B.②C.③D.④二、多项选择题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)在每小题列出的五个选项中有二至五个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
电子技术基础及参考答案(自考)
电子技术基础及参考答案(自考)电子技术基础及参考答案(02234)一、选择题(共75小题,每题2分,共150分)1、在电路理论中叠加原理适用于【】A. 线性电路B. 非线性电路C. 积分电路D. 都可以2、铜线可以作为导线是因为它是【】A. 半导体B. 绝缘体C. 导体D. 稳定性好3、在线性电路中,每个节点电流的总和为【】A. 0B. -1C. 1D. 104、在纯阻性负载串联电路中,每个电阻两端的电压【】A. 大小方向均不相同B.大小方向均相同C. 大小不同、方向相同D.大小相同方向不同5、白炽灯的负载性质是【】A. 感性负载B. 容性负载C. 阻性负载D. 不确定6、日光灯的负载性质是【】A. 感性负载B. 容性负载C. 阻性负载D. 都不是7、本征半导体是指半导体中【】A. 自由电子和空穴数量相等B. 只有电子C. 只有空穴D. 电子数量大于空穴数量8、杂质半导体是指半导体中【】A. 自由电子和空穴数量相等B. 只有电子C. 只有空穴D. 电子数量和空穴数量不相等9、P型半导体是指半导体中【】A. 自由电子和空穴数量相等B. 自由电子数量大于空穴数量C. 空穴数量大于自由电子数量D. 自由电子数量和空穴数量不相等10、N型半导体是指半导体中【】A. 自由电子和空穴数量相等B. 自由电子数量大于空穴数量C. 空穴数量大于自由电子数量D. 自由电子数量和空穴数量不相等11、杂质半导体有【】A. P型半导体B. N型半导体C. P型和N型半导体D. S型半导体12、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于【】A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷13、二极管有多少个PN结?【】A. 3个B. 2个C. 1个D. 0个14、二极管的特性是【】A. 放大特性B. 单向导电特性C. 恒温特性D. 恒流特性15、三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是【】A. 放大B. 饱和C. 截止D. 倒置16、双极型三极管的输出电流大小是靠【】A. 输入电压控制B. 输入电流控制C. 功率控制D. 都可以控制17、三极管工作在放大区的条件是【】A. 发射结反偏,集电结正偏B. 反射结反偏,集电结反偏C. 发射结正偏,集电结反偏D. 发射结正偏,集电结正偏18、测得NPN三极管的U B=1.2V,U E=0.5V,U C=3V,该三极管处在【】A. 击穿状态B. 截止状态C. 放大状态D. 饱和状态19、工作在放大状态的某三极管,当输入电流I B=10μA时,I C=1mA;而I B=20μA时,I C=1.8mA,则该三极管的交流电流放大系数为【】A. 50B. 80C. 100D. 18020、放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V 和-9.3V,则该管为【】A. NPN硅管B. NPN锗管C. PNP硅管D. PNP锗管21、三极管两个PN结都反偏时,工作在【】A. 放大状态B. 饱和状态C. 截止状态D. 倒置状态22、以下电路中,可用作电压跟随器的是【】A. 差分放大电路B. 共基放大电路C. 共射放大电路D. 共集放大电路23、下列哪种失真不属于非线性失真?【】A. 饱和失真B. 截止失真C. 交越失真D. 频率失真24、共射极放大器的输出电压和输入电压在相位上相差【】A. 90°B. 180°C. 60°D. 30°25、理想集成运放的输入电流为【】A. 无穷大B. 零C. mA级D. μA级26、在集成运放电路中,各级放大电路之间采用了【】A. 直接耦合方式B. 变压器耦合方式C. 阻容耦合方式D.光电耦合方式27、在比例运算电路中,比例系数大于1的电路是【】A. 反相比例电路B. 同相比例电路C. A和B都可以D. A和B都不行28、为了增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用【】A. 共射放大电路B. 共集放大电路C. 共基放大电路D.共漏极放大电路29、在负反馈放大电路中,电压串联负反馈使输入电阻【】A. 增大C. 不变D. 近似不变30、构成反馈网络的元件【】A. 只能是电阻元件B. 只能是有源元件C. 只能是无源元件D. 可以是有源元件也可以是无源元件31、交流负反馈在电路中主要作用是【】A. 稳定静态工作点B. 防止电路产生自激振荡C. 降低电路增益D. 改善电路的动态性能32、直流负反馈在电路中的主要作用是【】A. 稳定静态工作点B. 降低输出电阻C. 提高输入电阻D. 增大电路增益33、RC正弦波振荡电路可以产生【】A. 方波B. 锯齿波C. 高频正弦波D. 低频正弦波34、在共射放大电路中,若输出电压出现了顶部失真,则该失真为【】A. 饱和失真B. 截止失真C. 交越失真D. 频率失真35、乙类功放电路中三极管的导通角为【】B. 270度C. 180度D. 90度36、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是【】A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差D. 输出电压37、典型的串联型线性稳压电路正常工作时,调整管处于【】A. 饱和状态B. 放大状态C. 截止状态D. 倒置状态38、集成稳压器7805的输出电压是【】A. +10VB. -10VC. +5VD. -5V39、十进制数6在8421BCD 码中表示为【】A. 0101B. 0110C. 0111D. 100040、当逻辑函数有n 个变量时,共有多少个变量取值组合?【】A .nB .2nC .2nD .n 241、逻辑表达式F = A + BD + CDE + D = 【】A .AB .A+DC .D D .A+BD42、逻辑表达式A + BC = 【】A .A+B B .A+C C .B+CD .(A+B )(A+C )43、逻辑函数F = A ⊕(A ⊕B ) = 【】A .B B .AC .A ⊕BD .A B ⊕44、逻辑函数()Y AC ABD BCD E F =+++的最简与或式为【】A .AC BD +B .AC ABD + C .AC B + D .A BD +45、逻辑函数Y AB AB BC =++的标准与或式为【】A .()2,3,4,5,7m ∑B .()12346m ∑,,,, C .()01235m ∑,,,, D .()34567m ∑,,,, 46、逻辑表达式L =AB+C 的对偶式为【】A .A+BCB .(A+B )C C .A+B+CD .ABC47、逻辑函数F AB BC =+的反函数F = 【】A .()()AB BC ++ B. ()()A B B C ++C. A B C ++D. AB BC +48、在四变量卡诺图中,逻辑上不相邻的一组最小项为【】A .m 1与m 3B .m 4与m 6C .m 5与m 13D .m 2与m 849、和TTL 电路相比,CMOS 电路最突出的优点在于【】A .可靠性高B .抗干扰能力强C .速度快D .功耗低50、下列几种TTL 电路中,输出端可实现线与功能的电路是【】A. 或非门B. 与非门C. OC 门D. 异或门51、OC 门是【】A. 集电极开路门B. 三态门C. 与非门D. 非门52、某逻辑函数的卡诺图如图1所示,则该逻辑函数最简与或表达式为【】A .Y = ABC B. Y = AB+AC C .Y = BC+AB D .无答案图153、逻辑函数F 1、F 2、F 3的卡诺图如图2所示,它们之间的逻辑关系是【】A .F 3= F 1? F 2B .F 3= F 1+ F 2C .F 2= F 1? F 3D .F 2= F 1+ F3F 1 F 2 F 3图254、已知某电路的真值表如表1所示,该电路的逻辑表达式为【】A .Y C = B. Y ABC = C .Y ABC =+D .Y BC C =+表155、逻辑电路如图3所示,逻辑函数表达式为【】A .F ABC =+ B .F AB C =+ C .F AB C =+D .F A BC =+ABCF图356、已知AB A C BC AB A C ++=+,左式和右式的两个逻辑函数分别是X 和Y ,产生竞争冒险的是【】A .XB .YC .X 和YD .都不会57、在下列逻辑电路中,不是组合逻辑电路的有【】A .译码器B .编码器C .全加器D .寄存器58、若在编码其中有50个编码对象,则要求输出二进制代码位数为【】A .5B .6C .10D .5059、一个16选一的数据选择器,其地址输入端个数为【】A .1B .2C .4D .1660、用四选一数据选择器实现1010Y A A A A =+,应使【】A .03120,1D D D D ====B .03121,0D D D D ====C .01230,1D D D D ==== D .01231,0D D D D ====61、半加器的两个加数为A 和B ,进位输出端的表达式为【】A .AB B .+A BC .ABD .AB62、已知74LS138译码器的三个使能端(11E =,23=0E E =)时,地址码A 2A 1A 0=011,则输出7Y ~0Y 是【】A .11111101B .10111111C .11110111D .1111111163、逻辑状态功能表如表2所示,则实现该功能的逻辑部件是【】A .比较器 B. 二进制译码器C .二进制编码器 D. 十进制编码器表264、设计一个同步模8计数器需要的触发器数目为【】A .1B .3C .5D .865、一个触发器可记录一位二进制代码,它有多少个稳态?【】A .0B .1C .2D .366、为将D 触发器转换为T 触发器,图4所示电路的虚线框内应是【】A.或非门B.与非门C.异或门D.同或门图467、N个触发器可以构成能寄存多少位二进制数码的寄存器?【】A. NB. N-1C. N+1D. 2N68、在下列触发器中,有约束条件的是【】A.RS B.JK C.D D.T69、存储8位二进制信息要多少个触发器?【】A.2 B.3 C.4 D.870、可用来暂时存放数据的器件是【】A. 译码器B. 寄存器C. 全加器D. 编码器71、要使JK触发器在时钟脉冲作用下的次态与现态相反,输入端JK应该为【】A.00 B.01 C.10 D.1172、某计数器的状态转换图如图5所示,其计数容量为【】A.八 B. 五 C. 四 D. 三图5+=逻辑功能的电路是【】73、如图所示电路中,能完成1n nQ QA.B.C.D.74、指出下列电路中能够把串行数据变成并行数据的电路应该是【】A. JK触发器B. 3/8线译码器C. 移位寄存器D. 十进制计数器75、输入100Hz脉冲信号,要获得10Hz的输出脉冲信号需要用多少进制计数器实现?【】A .100进制 B. 10进制 C .50进制 D .5进制二、判断题(共25小题,每题2分,共50分)1、目前国家民用电交流电的频率时100HZ 。
电子技术基础(含答案).docx
精品文档《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】:本课程《电子技术基础》(编号为 08001)共有单选题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型,其中,本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。
一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ,U =0.5V ,U =3V,该三极管处在()B E C状态。
A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是()。
A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中()。
A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。
A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流 I B=10μA时,I C=1mA;而 I B=20μA时,IC=1.8mA,则该三极管的交流电流放大系数为()。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在()。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V,则该管为()。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为:U B=2.8V , U E=2.1V , U C= 3.6V ,则该管处于()状态。
精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。
A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入()。
A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是()。
电子技术基础与技能考试题(附答案)
电子技术基础与技能考试题(附答案)一、单选题(共46题,每题1分,共46分)1.温度影响了放大电路中()的参数,从而使静态工作点不稳定。
A、三极管B、电阻C、电容D、电源正确答案:A2.要七段共阳数码管要显示字母b,则abcdefg分别为A、1101111B、0110000C、0010000D、1010000正确答案:B3.常用的74××系列是指A、TTL器件B、CMOS器件C、NMOS器件D、PMOS器件正确答案:A4.十进制数126转换为二进制数为A、1111110B、1111010C、1111101D、1101110正确答案:A5.单相整流电路实现整流是利用二极管的A、稳压特性B、光电特性C、单向导电性D、变容特性正确答案:C6.接成二十九进制计数器需要的同步十进制计数器74160的片数为A、1B、2C、3D、4正确答案:B7.在三个输入量只有1个为1或3个全为1时,输出为1,实现这一功能的组合逻辑电路是A、加法器B、数据比较器C、编码器D、奇校验器正确答案:D8.在相同的时钟脉冲作用下,同步计数器与异步计数器比较,前者的工作速度A、较快B、较慢C、一样D、不确定正确答案:A9.下列触发器中,没有克服空翻现象的有A、维持组塞D触发器B、JK触发器C、同步RS触发器D、主从RS触发器正确答案:C10.下列关于电容滤波电路的叙述中,正确的是A、电路的滤波,利用了电容器的B、电路的滤波,利用了电容器的C、电容器充电时,输出电压下降;D、电容量C越大,滤波效果越差。
正确答案:B11.74LS161是()进制加计数器。
A、异步、十六B、同步、十六C、异步、二D、同步、二正确答案:B12.若使主从JK触发器的输出状态由1变为0,则应使A、1→0时,JK=10B、1→0时,JK=01C、0→1时,JK=10D、0→1时,JK=01正确答案:B13.CT74LS194工作时,应在电源VCC和地之间接入A、电阻B、电感C、电容D、无正确答案:C14.以下关于理想集成运放的各种表述中,错误的是A、开环共模电压放大倍数无穷大B、共模抑制比无穷大C、线性应用时,有“虚短”概念D、线性应用时,有“虚断”概念正确答案:A15.在钟控同步RS触发器中,当RS取值不同时,则Q=A、RB、1C、SD、0正确答案:C16.模拟信号是指A、在数值上和时间上均不连续变化的信号B、在数值上和时间上均连续变化的信号C、在数值上连续、时间上不连续变化的信号D、在数值上不连续、时间上连续变化的信号正确答案:B17.下列不属于组合逻辑电路的有A、数据分配器B、计数器C、编码器D、译码器正确答案:B18.二极管正极电位为9V,负极电位为5V,则该管处于A、正偏B、零偏C、击穿D、反偏正确答案:A19.主从JK触发器的初态为0,JK=11时,经过2n+1个触发脉冲后,输出状态为A、在0、1间翻转,最后为1B、在0、1间翻转,最后为0C、一直为1D、一直为0正确答案:A20.下列关于扇出系数描述正确的是A、门电路输出电压由0跳变到1时的传输延迟时间B、门电路的输出电压C、门电路输出电压由1跳变到0时的传输延迟时间D、门电路正常工作时能驱动同类门的数目正确答案:D21.当二极管工作在正向特性区,且所受正向电压大于其死区电压时,则二极管相当于A、大电阻B、断开的开关C、大电容D、接通的开关正确答案:D22.74LS192是()进制可逆计数器。
电子技术自考试题及答案
电子技术自考试题及答案一、单项选择题(每题1分,共10分)1. 在半导体材料中,N型半导体的导电主要依靠:A. 电子B. 空穴C. 离子D. 原子答案:A2. 一个电路的负载电阻为1000欧姆,通过它的电流为0.2A,根据欧姆定律,该电路的电压为:A. 100VB. 200VC. 500VD. 50V答案:B3. 在数字逻辑中,非门(NOT)的输出与输入的关系是:A. 相同B. 相反C. 无关系D. 有时相同有时相反答案:B4. 下列哪个元件不是构成放大电路的基本元件?A. 晶体管B. 电阻C. 电容器D. 开关答案:D5. 一个正弦波信号的频率为50Hz,其周期为:A. 0.01秒B. 0.02秒C. 20毫秒D. 20秒答案:B6. 在电子电路中,滤波器的作用是:A. 放大信号B. 缩小信号C. 去除噪声D. 转换信号类型答案:C7. 集成电路的英文缩写是:A. ICB. CPUC. RAMD. ROM答案:A8. 下列哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 随时间变化C. 数字化D. 可以是周期性的答案:C9. 在电子电路中,二极管的正向导通电压一般为:A. 0.2VB. 0.7VC. 5VD. 12V答案:B10. 一个电路的总电阻为500欧姆,其中包含一个1000欧姆的电阻,如果另外两个电阻并联,则这两个并联电阻的等效电阻为:A. 200欧姆B. 250欧姆C. 500欧姆D. 1000欧姆答案:B二、多项选择题(每题2分,共10分)11. 下列哪些属于数字电路的特点?A. 处理数字信号B. 抗干扰能力强C. 工作速度快D. 体积小答案:A, B, C, D12. 在电子技术中,下列哪些因素会影响晶体管的放大作用?A. 晶体管的类型B. 电源电压C. 负载电阻D. 晶体管的制造工艺答案:A, B, C, D13. 下列哪些属于电子电路中的反馈类型?A. 正反馈B. 负反馈C. 直流反馈D. 交流反馈答案:A, B, C, D14. 在电子电路中,下列哪些元件可以用来实现电压放大?A. 二极管B. 三极管C. 运算放大器D. 变压器答案:B, C15. 下列哪些是电子电路中常用的滤波器?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:A, B, C, D三、简答题(每题5分,共20分)16. 简述二极管的单向导电性原理。
(全新整理)4月全国自考电子技术基础(一)试题及答案解析
全国2018年4月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题课程代码:02234一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.PN结加反向偏置时,其PN结的厚度将()A.变宽B.变窄C.不变D.不能确定2.理想二极管构成的电路如题2图,其输出电压u0为()A.-10VB.-6VC.-4VD.0V3.NPN型三级管,处在饱和状态时是()A.U BE<0,U BC<0B.U BE>0,U BC>0C.U BE>0,U BC<0D.U BE<0,U BC>04.某放大状态的三极管,测得各管脚电位为:①脚电位U1=2.3V,②脚电位U2=3V,③脚电位U3=-9V,则可判定()A.Ge管①为e B.Si管③为eC.Si管①为e D.Si管②为e5.在下列组态的放大电路中,若要求输出电阻低,应选()A.共射组态B.共集组态C.共基组态D.共源组态6.若要求放大电路输入电阻高,且稳定输出电压,在放大电路中应引入的负反馈类型为()A.电流串联B.电流并联C.电压串联D.电压并联127.电流放大系数为β1和β2的两个晶体管构成等效复合晶体管,其等复合管的β值约为( )A .β1B .β2C .β1+β2D .β1·β28.制做频率为20~20KHz 的音频信号发生电路,应选用( ) A .电感三点式正弦波振荡器 B .电容三点式正弦波振荡器 C .RC 桥式正弦波振荡器D .石英晶体正弦波振荡器9.桥式整流电容滤波电路如题9图所示,已知变压器次级电压有效值U 2=20V ,则输出直流电压U 0为( ) A .24V B .-24V C .18V D .-18V10.十六进制数(3D.B )16所对应的二进制数为( ) A .(00111101.1011)2 B .(00111001.1011)2 C .(00111101.1001)2D .(00111001.1001)211.逻辑函数F (A ,B ,C )=C B AC BC A ++的最小项表达式为( ) A .F=∑(0,2,4,6) B .F=∑(1,3,5,7) C .F=∑(0,3,5,7)D .F=∑(1,3,6,7)12.已知逻辑函数F (A ,B ,C ,D )=A BD C D A B A C B ++++,其最简与或式为( ) A .F=C+D B D C + B .F=C+D+B C .F=D+C D B D +D .F=C+D+D B13.TTL 电路如题13图所示,其输出函数F 为( ) A .C B C B A +• B .C B BC A +3C .C B C B A +•D .C B C B A +•14.主从JK 触发器的触发时刻为( ) A .CP=1期间 B .CP=0期间 C .CP 上升沿D .CP 下降沿15.用四个触发器构成一个十进制计数器,无效状态的个数为( ) A .2个 B .4个 C .6个D .10个二、填空题(本大题共10小题,每空1分,共10分)请在每小题的空格中填上正确答案。
04108电工电子技术基础真题及解答
全国高等教育自学考试《电工电子技术基础》试题课程代码:04108一、单项选择题(本大题共15d \题,每小题2分,共30分)1.对于b 条支路、n 个节点的电路,应用KCL 定律可以列写出独立节点电流方程的个数为( B )个。
A .nB .1-nC .1-bD .)1(--n b2.对称三相负载作星形联结时,已知相电压V U B30110.-∠=,则线电压AB U .为( A ) A .V 1203110∠ B .V 03110∠ C .V 903110∠ D .V 603110-∠3.时间继电器的文字符号为( C )A .SB B .KRC .KTD . ST4.如题4图所示电路中的电流i 为( A )A .0AB .1AC .2AD .-4A5.在交流铁心线圈中电压U 的有效值为( D )A .m fN Φ11B .m fN Φ22.2C .m fN Φ33.3D . m fN Φ44.46.正弦振荡电路的起振幅度条件为( D )A .1=AFB .1≥F AC .1=F AD . 1>F A 7.如题7图所示二端网络Ⅳ的功率为( A )A .发出功率45VB .吸收功率45VC .发出功率5VD .吸收功率5V8.PLC 指令系统中数据处理指令MOV 为( B )A .比较指令B .数据传送指令C .译码指令D .通道(字)移位指令9.视在功率S 、用功功率P 、无功功率Q 之间满足关系( C )A .22Q S P +=B .22S P Q +=C .22Q P S +=D .PQ S =10.为使电压表测量结果更准确,要求电压表的内阻要( C )A .远远小于负载电阻B .小于或等于负载电阻C 。
远远大于负载电阻D .大于或等于负载电阻11.我国交流电源频率为( B )A .25HzB .50HzC .75HzD . 100Hz12.调换三相异步电动机定子绕组任意两相的电源线,则( B )A .可改变三相绕组的联结方式B .可改变电动机旋转方向C .可改变感应电流大小D .没有任何影响13.T 触发器的特征方程为( D )A .n n Q T T Q +=+1B .T Q n =+1C .n n n Q T TQ Q +=+1D . n n n Q T Q T Q +=+114.若要求稳定放大器的输出电压,提高输入电阻,降低输出电阻,则需引入( B )A .电压并联负反馈B .电压串联负反馈C .电流并联负反馈D .电流串联负反馈15.若逻辑函数CD AB F +=的输出是逻辑“1”,则( A )A .全部输入为“0”B . A 、B 同时为“1”C .全部输入为“1”D . C 、D 同时为“1”二、填空题(本大题共10小题,每小题2分,共20分)16.交流电的三要素为 角频率 、最大值和初相角。
最新4月全国自学考试电子技术基础(一)试题及答案解析
全国2018年4月自学考试电子技术基础(一)试题课程代码:02234一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.PN结加反向偏置其耗尽层将()A.不变B.变窄C.变宽D.不能确定2.理想二极管构成的电路如题2图所示,其输出电压U0为()A.-6VB.4VC.6VD.10V3.测得某电路中硅三极管的管脚电位如题3图所示,则该管处在()A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.不能确定4.题4图的转移特性是()A.P沟道增强型管的B.N沟道增强型管的C.P沟道耗尽型管的D.N沟道耗尽型管的5.下述放大电路比较,输入电阻最低输出电阻高的是()A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.共漏放大电路6.要得到一个电压控制的电压源,在放大电路中应引入()A.电流并联负反馈B.电流串联负反馈C.电压并联负反馈D.电压串联负反馈7.下列放大电路中低频特性最好的放大电路是()A.OTL电路B.阻容耦合电路1C.变压器耦合电路D.直接耦合电路8.单相桥式整流电路中,变压器的次级电压有效值为30V,则每个整流二极管所承受的最高反向电压为()A.30V B.42.42VC.60V D.84.84V9.逻辑函数F=A○+B○+C,其最小项表达式为()A.F=∑(1,3,4,7) B.F=∑(0,2,5,7)C.F=∑(1,2,4,7) D.F=∑(1,3,4,6)10.逻辑函数F(A,B,C)=CAB++,与其相等的表达式为()ACBA.C=B.F=AB+CF+ABBC.CF=D.F=ABA11.题11图所示波形所表示的逻辑关系是()A.F=ABB.F=A○+BC.F=A○·BD.F=A+B12.题12图所示TTL电路输出F的逻辑表达式是()A.F=(A○+B)·C+CBB.F=(A○+B)·C+BCC.F=(A○·B)·C+CBD.F=(A○·B)·C+CB13.题13图电路输出F的逻辑表达式是()A.F=ABB.F=AB·CC.F=CA+BD.F=114.触发器电路如题14图所示,触发器次态Q n+1等于()A.0B.1C.Q nQD.n215.由与非门构成的基本RS触发器,欲使Q n+1=Q n,则输入信号应为()A.R D=0,S D=1 B.R D=1,S D=0C.R D=S D=0 D.R D=S D=1二、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分)请在每小题的空格中填上正确答案。
电子技术基础习题答案解析
第1章检测题(共100分,120分钟)一、填空题:(每空0.5分,共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。
5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。
二、判断正误:(每小题1分,共10分)1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
(错)2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
电子技术基础与技能题库(含参考答案)
电子技术基础与技能题库(含参考答案)一、单选题(共46题,每题1分,共46分)1.在钟控同步RS触发器中,当RS取值不同时,则Q=A、0B、SC、RD、1正确答案:B2.放大器的通频带指的是A、频率响应曲线B、下限频率以上的频率范围C、放大器上限频率和下限频率之间的频率范围D、以上均不正确正确答案:C3.下列说法中正确的是A、晶体三极管具有能量放大作用B、锗材料晶体三极管的饱和压降是0.1VC、硅材料晶体三极管的导通电压是0.3VD、体现晶体三极管电流放大特性的公式是正确答案:B4.联合国安理会每个常任理事国都拥有否决权,假设设计一个表决器,常任理事国投反对票时输入“0”,投赞成或弃权时输入“1”,提案通过为“1”,通不过为“0”,则这个表决器应具有的逻辑关系为A、与非门B、或门C、与门D、非门正确答案:C5.以下关于理想集成运放的各种表述中,错误的是A、线性应用时,有“虚短”概念B、开环共模电压放大倍数无穷大C、共模抑制比无穷大D、线性应用时,有“虚断”概念正确答案:B6.主从JK触发器的初态为0,JK=00时,经过2n+1个触发脉冲后,输出状态为A、一直为1B、一直为0C、在0、1间翻转,最后为0D、在0、1间翻转,最后为1正确答案:B7.数码寄存器的输入、输出方式为A、串行输入、并行输出B、并行输入、串行输出C、串行输入、串行输出D、并行输入、并行输出正确答案:D8.LED数码管显示不含小数点的数通常由()段组成。
A、4B、5C、6D、7正确答案:D9.影响放大器静态工作点稳定的最主要因素是A、管子参数的变化B、电阻变值C、温度D、管子老化正确答案:C10.如果三极管的基极电流是40μA,集电极电流是2mA,则三极管的电流放大系数为A、20B、50C、200D、500正确答案:B11.利用二极管反向电击穿时两端电压保持稳定的特性来稳定电路两点电压的二极管称为A、整流二极管B、光电二极管C、变容二极管D、稳压二极管正确答案:D12.理想运放电路接成反相器,其输入电压为4V,则输出电压约为A、-2VB、-4VC、2VD、4V正确答案:B13.JK触发器,若J=K=0,则可实现的逻辑功能是A、翻转B、保持C、置1D、置0正确答案:B14.放大电路中三极管的静态工作点选得过高,容易产生A、饱和失真和截止失真都存在B、饱和失真C、截止失真D、以上说法都不正确正确答案:B15.D触发器的D端和Q端相连,D触发器的初态为“0”状态,试问经过10个时钟脉冲后触发器的状态为A、1状态B、0状态C、不定状态D、高阻状态正确答案:B16.具有记忆功能的逻辑电路是A、译码器B、显示器C、加法器D、计数器正确答案:D17.十进制数126转换为二进制数为A、1111101B、1111010C、1111110D、1101110正确答案:C18.射极输出器的主要特点是A、电压放大倍数略大于1,输入电阻高,输出电阻低B、电压放大倍数略小于1,输入电阻低,输出电阻高C、电压放大倍数略大于1,输入电阻低,输出电阻高D、电压放大倍数略小于1,输入电阻高,输出电阻低正确答案:D19.下列叙述中正确的是A、十进制数11用8421BCD码表示为1001B、8421BCD码0001表示的十进制数为2C、8421BCD码0111比十进制数5大D、8421BCD码0011比二进制数10小正确答案:C20.有一型号为2AP9的二极管,其中“2”表示二极管,“A”表示采用N型锗材料为基片,“9”表示产品性能序号,则“P”表示A、检波二极管B、普通用途管C、开关二极管D、变容二极管正确答案:B21.乙类推挽功放电路与甲类功放电路相比主要优点是A、无交越失真B、输出功率大C、不用输出变压器D、效率高正确答案:D22.与门电路的逻辑功能是A、输入有高,输出为低;输入全低,输入为高。
最新4月全国自考电子技术基础(一)试题及答案解析
全国2018年4月自学考试电子技术基础(一)试题课程代码:02234一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.N型杂质半导体中,多数载流子是( )A.正离子B.负离子C.空穴D.自由电子2.理想二极管构成的电路如题2图所示,则输出电压U0为( )A.-5VB.+5VC.+10VD.+15V3.测得电路中某晶体三极管(锗管)各管脚的电位,如题3图所示,则可判定该管处在( ) A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.不确定状态4.测得某放大状态的晶体三极管,各管脚的电位如题4图所示,则可判定该管为( ) A.PNP型管,①是e极B.PNP型管,③是e极C.NPN型管,①是e极D.NPN型管,②是e极5.下列基本放大电路中,有电压放大作用无电流放大作用的是( )A.共射极放大电路B.共集电极放大电路C.共基极放大电路 D. 共源极放大电路16.题6图所示特性曲线是( )A.P沟道增强型管的转移特性B.P沟道耗尽型管的转移特性C.N沟道增强型管的转移特性D.N沟道耗尽型管的转移特性7.为了使输出电阻降低,在放大电路中应引入交流( )A.串联负反馈B.并联负反馈C.电压负反馈D.电流负反馈8.已知某放大电路的电压放大倍数为104,则该电压放大倍数用分贝表示为( ) A.40dB B.60dBC.80dB D.100dB9.乙类互补对称功率放大电路会产生( )A.频率失真B.交越失真C.饱和失真D.截止失真10.单相桥式整流电路,已知输出电压平均值U0=9V,则变压器二次侧电压有效值应为( )A.4.5V B.4.52VC. 9V D.10V11.逻辑函数F=A B+A C的最小项表达式为( )A.F(A,B,C)=∑m(1,3,4,5) B.F(A,B,C)=∑m(0,2,4,5)C. F(A,B,C)=∑m(1,2,5,6) D.F(A,B,C)=∑m(1,3,5,6)12.三位二进制编码器,可实现的编码状态为( )A.2个B.4个C.8个D.12个13.下列与或逻辑函数式F=ABC+A BC具有相同逻辑功能的为( )A.F=AB B.F=AC.F=A(CB ) D.ABC+BC14.逻辑电路如题14图所示,其输出函数表达式为( )2A.F=AB.F=1C.F=AD.F=015.集成双向移位寄存器74LS194应用电路如题15图,该电路初始状态为Q0Q1Q2Q3=0001,则经过三个CP后,电路的状态应为Q0Q1Q2Q3=( )A.0100B.0001C.1000D.0010二、填空题(本大题共9小题,每空1分,共9分)请在每小题的空格中填上正确答案。
全国2004年4月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码02234
浙02234# 电子技术基础(一)试题 第 1 页 共 7 页全国2004年4月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题课程代码:02234一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( ) A .本征半导体 B .温度 C .杂质浓度D .掺杂工艺2.理想二极管构成的电路如题2图所示,则( ) A .V 截止U 0=-10V B .V 截止U 0=-3V C .V 导通U 0=-10V D .V 导通U 0=-6V3.某电路中晶体三极管的符号如题3图,测得各管脚电位标在图上,则该管处在( ) A .放大状态 B .饱和状态 C .截止状态 D .状态不能确定4.FET 的转移特性如题4图所示,则该管为( ) A .N 沟道耗尽型 B .N 沟道增强型 C .P 沟道耗尽型 D .P 沟道增强型5.下列各组态放大电路中,若要求既有电压放大作用,又有电流放大作用,应选( ) A .共射组态 B .共基组态 C .共集组态D .共漏组态6.某单级放大电路的通频带为1B ωf,由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路,其总浙02234# 电子技术基础(一)试题 第 2 页 共 7 页的通频带B ωf 应是( ) A .B ωf =21B ωf B .1B ωf >1B ωf C .1B ωf >21B ωfD .1B ωf <1B ωf7.若要求放大电路取用信号源的电流小,而且带负载能力强,在放大电路中应引入的负反馈类型为( ) A .电流串联 B .电压串联 C .电流并联 D .电压并联 8.要想使振荡电路获得单一频率的正弦波,主要是依靠振荡器中的( ) A .正反馈环节B .稳幅环节C .基本放大电路环节D .选频网络环节9.在单相桥式整流电路中,变压器次级电压为10V (有效值),则每只整流二极管承受的最大反向电压为( ) A .10VB .210VC .210VD .20V10.下列数中,最大的数是( ) A .(3D )16B .(57)10C .(65)8D .(111010)211.逻辑函数F =CD AB +的反函数为( ) A .D)(C B A F +∙+= B .CD AB F += C .)D C (B A F +∙+=D .D C B A F +∙+=12.逻辑函数F (A 、B 、C )=m 1+m 3+m 6+m 7,其最简与或表达式为( ) A .F =AB +C A B .F =A B +A C C .F =A B +B CD .F =AB +BC13.逻辑函数F =A B +AB +A C +ACDEF 的最简与或式为( ) A .F =A +A CB .F =A +CC.F=A D.F=AB14.TTL集电极开路门构成的电路如题14图所示,其输出函数F为()A.F=ABC+DE Array B.F=ABC+DEC.F=ABC·DED.F=ABCDE15.要使T触发器Q n+1=nQ则T=()A.Q n B.0C.1 D.nQ二、填空题(本大题共10小题,每空1分,共10分)请在每小题的空格中填上正确答案。
4月全国电子技术基础(一)自考试题及答案解析
全国2019年4月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题课程代码:02234一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。
请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.半导体三极管处在放大状态时是( )A.C结正偏e结正偏B.C结反偏e结反偏C.C结正偏e结反偏D.C结反偏e结正偏2.理想二极管构成的电路如题2图,则输出电压U0为( )A.-18VB.-3VC.+3VD.+15V3.某放大状态的三极管,测得其管脚电位为:①脚u1=0V,②脚u2=-0.7V,③脚u3=6V,则可判定该管为( )A.NPN型①是e极B.NPN型③是e极C.NPN型②是e极D.NPN型①是c极4.场效应管的转移特性如题4图,则该管为( )A.P沟道增强型FETB.P沟道耗尽型FETC.N沟道增强型FETD.N沟道耗尽型FET5.由NPN型管构成的基本共射放大电路,当输入u i为正弦波时,在示波器上观察输出u0的波形如题5图示,则该电路产生了( )A.频率失真B.交越失真C.饱和失真D.截止失真6.三种组态的放大电路中,共集电极放大电路的特点是( )A.能放大电流能放大电压B.能放大功率不能放大电压C.能放大功率不能放大电流D.能放大电压不能放大电流7.放大电路中自给偏压偏置电路适用的管子是( )A.NPN型晶体管B.结型P沟道FETC.N沟道增强型FETD.N沟道耗尽型FET8.题8图所示电路为一般比较器电路,其门限电压U T为( )A.-4VB.-2VC.+2VD.+4V9.单相桥式整流电路变压器次级电压为10V(有效值),则每个整流二极管所承受的最大反向电压为( )A.10VB.14.14VC.20VD.28.28V10.八进制数(75.4)8对应的十进制数是( )A.61.4B.61.5C.64.4D.75.411.函数F(A ,B ,C)=B A +AC+B 的最小项表达式为( )A.F=Σ(0,1,4)B.F=Σ(1,3,4,7)C.F=Σ(0,2,3,5,6,7)D.F=Σ(0,4,5,6,7)12.已知函数F=AB+CD B C B C A ++,其最简与或式为( )A.AB+DB.B C A +C.B C A +D.AB+C13.由与非门构成的基本RS 触发器,要使Q n+1=Q n ,则输入信号应为( )A.S D =R D =1B.S D =R D =0C.S D =1,R D =0D.S D =0,R D =114.由TTL 集电极开路门构成的电路如题14图所示,其输出函数F 为( ) A.AB B.C AB •C.0D.C AB +15.TTL 三态门电路如题15图所示,其输出函数F 为( )A.ABB.CDC.高组态D.低阻态16.触发器电路如题16图所示,其次态方程为( )A.Q n+1=Q nB.Q n+1=1C.Q n+1=0D.Q n+1=n Q二、填空题(本大题共14小题,每小题1分,共14分)17.将PN结的N区接电源的正极,P区接电源的负极,则为PN结的_______偏置。
电子技术基础(含答案)
《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院所有习题【说明】:本课程《电子技术基础》(编号为 08001)共有单项选择题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 剖析题 , 化简题等多种试题种类,此中,本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题种类未进入。
一、单项选择题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ,U =0.5V ,U =3V,该三极管处在()B E C状态。
A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特征是()。
A. 放大特征B.恒温特征C.单导游电特征D.恒流特征3.在 N 型半导体中()。
A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。
A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流 I B=10μA时,I C=1mA;而 I B=20μA时,IC=1.8mA,则该三极管的沟通电流放大系数为()。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在()。
A. 正导游通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V,则该管为()。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中,多半载流子的浓度主要取决于()。
A.温度B.混杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺点9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为:U B=2.8V , U E=2.1V , U C= 3.6V ,则该管处于()状态。
A. 饱和B.截止C.放大D.击穿10.P 型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。
A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入()。
A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是()。
电子技术基础考试模拟题与参考答案
电子技术基础考试模拟题与参考答案一、单选题(共70题,每题1分,共70分)1、采用四位比较器对两个四位数比较时,先比较()A、最低位B、第二位。
C、最高位。
正确答案:C2、单相半波整流电路,负载电阻RL=750W,变压器次级电压有效值,U2=20V,则整流二极管承受的最大反向电压URM为。
A、20VB、25.8VC、28.2V正确答案:C3、编码器属于()逻辑电路A、组合B、时序C、触发器正确答案:A4、将二进制数1111011写成十进制数应是()A、132B、123C、173正确答案:B5、与门的逻辑功能是()A、有0出1。
有1出0。
B、有1出1。
全0出0。
C、有0出0。
全1出1。
正确答案:C6、对运算放大器进行调零是由于()A、存在输入失调电流。
B、存在输入失调电压。
C、存在输入偏置电压。
正确答案:B7、理想运算放大器的输出电阻为()B、不定正确答案:B8、由两个并联开关控制一只电灯,电灯的亮灭同两个开关的闭合,断开之间的对应关系是与逻辑关系。
A、✔B、×正确答案:B9、在JK啊?出发器中,当J=0 k=1时触发器()A、状态不变B、置0C、置1正确答案:B10、测得在放大状态的三极管的三个关脚电压分别是,-0.7,-1,-6责-0.7对应的是()A、集电极。
B、基极C、发射极。
正确答案:C11、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
A、×B、✔正确答案:B12、用真值表表示逻辑函数缺乏直观性。
A、×B、✔正确答案:A13、与二进制数100110等值的十进制数为26。
A、✔B、×正确答案:B14、半波整流电容滤波电路输出电压的平均值UO=()A、0.9U2B、U2正确答案:B15、时序逻辑电路分析的关键是求出状态方程和状态转换真值表才可画出时序图。
A、×B、✔正确答案:B16、风压骗子电路调静态工作点时,主要应调节()偏置电阻。
A、上B、下C、中正确答案:A17、共集电极放大电路的负反馈组态是()A、电压串联负反馈。
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全国2018年4月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题课程代码:02234一、单项选择题(本大题共15小题,第1—10小题,每小题1分,第11—15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
1.当P—N结承受反向电压时,其内部电流关系为( )A.扩散电流大于漂移电流B.扩散电流等于漂移电流C.扩散电流小于漂移电流D.无法确定2.半导体三极管的特点是( )A.输入电流控制输出电流B.输入电压控制输出电压C.输入电流控制输出电压D.输入电压控制输出电流3.图示电路,R F引入了( )A.串联电流负反馈B.串联电压负反馈C.并联电压负反馈D.正反馈4.共模抑制比K CMRR是( )A.差模输入信号与共模输入信号之比B.输入量中差模成份与共模成份之比C.差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比D.交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比5.与八进制数(537)8相等的十六进制数是( )A.(17C)16B.(16B)16C.(17B)16D.(16C)166.四变量逻辑函数F(ABCD)的最小项m8为( )A.ABC DB.A BC DC.A B CDD.ABCD7.电路如图所示,设灯F亮为逻辑1,灭为逻辑0,开关A、B的逻辑状态如图中所示,则灯F与开关A、B的逻辑关系为( )A.F=A+BB.F=A B+A BC.F+ABD.D=AB+AB8.图示电路,当EN=1时,F的状态为( )A.F=0B.F=1C.F=AD.F=A9.基本RS触发器,当R D,S D都接高电平时,该触发器具有( )A.置“1”功能B.保持功能C.不定功能D.置“0”功能10.图示逻辑符号代表( )A.或非门电路B.与或非门电路C.集电极开路与非门电路(OC门)D.异或门电路11.NPN型三极管工作于饱和状态时,三个电极的电位关系为( )A.U B>UC,U B>U EB.U E>U C,U C>U BC.U C>U B>U ED.U E>U B>U C12.图示电路,若β=100,UBE=0.7伏,则静态基极电流I BQ等于( )A.6μAB.8μAC.9.5μAD.10.5μA13.图示OCL功率放大电路,在输入u i为正弦电压时,互补管T2、T3的工作方式为( )A.甲类B.乙类C.始终截止D.甲乙类14.图示LC振荡电路,为了满足振荡的相位条件,应将( )A.1与4连接,2与5连接B.1与5连接,2与4连接C.2与3连接,4与5连接D.1与3连接,2与4连接15.图示电路,变压器副边电压u2=2U2sinωt V,该电路的输出特性(外特性),应是图中( )A.①B.②C.③D.④二、多项选择题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)在每小题列出的五个选项中有二至五个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
多选、少选、错选均无分。
16.实验测得放大电路中半导体三极管的三个电极位分别为U1=3.2V,U2=2.5V,U3=12V,则( )A.该管为硅管B.1为基极,2为发射极,3为集电极C.该管为NPN型D.该管为PNP型E.1为集电极,2为基极,3为发射极17.固定偏流放大电路中,当基极偏流电阻R B减小时( )A.基极电流增大B.电压放大倍数增加C.集电极电流增大D.交流输出电阻增加E.r be减小18.在运算放大电路中,引入深度负反馈的目的是( )A.提高电路放大倍数稳定性B.使运放工作在线性区C.使运放工作在非线性区D.降低电路放大倍数稳定性E.提高电路放大倍数19.下列器件中属于组合逻辑电路的有( )A.加法器B.译码器C.编码器D.计数器E.寄存器20.图示是由二进制同步可预置计数器芯片T214(74LS161)构成的时序电路。
可判定该电路为( )A.二进制计数器B.四进制计数器C.十二进制计数器D.十二分频器E.四分频器三、填空题(本大题共10小题,每小题2分,共20分)21.图示电路,二极管VD1,VD2为理想元件出,则U AB 为_________伏。
22.温度T对三极管输入特性的影响如图示,则图中温度较高的一条输入特性应是________。
23.放大电路输出端开路时的电压放大倍数比带上负载后的电压放大倍数________(大,小)。
24.放大电路的非线性失真,是由于晶体管工作时进入_________引起的。
25.图25放大电路,电压放大倍数u0/u i为_________。
26.图26电路,R 2=22K Ω中的电流I 为_________mA 。
27.图27为RC 振荡电路的选频网络,已知R 1=R 2,C 1=C 2,则反馈系数F •=_________。
28.图28为电容三点式振荡电路,则该电路振荡频率的表达式f 0=_________。
29.组合逻辑电路的输出状态仅决定于_________。
30.图示电路,输出端Q 次态的表达式为Q n+1=_________。
四、简单计算题(本大题共6小题,每小题5分,共30分)31.图示分压式偏置稳定放大电路,若r be =1.6K Ω,β=50,求电压放大倍数A •u?若射极旁路电容Ce 开路则电压放大倍数变为多大?32.图示电路中,运放为理想元件,(1)指出A1,A2各为何种运算电路(2)求出u 0与U i1和u i2之间的运算关系式。
33.图示电路,已知负载电阻R L=100Ω,电压表V 的读数为12V,二极管VD为理想元件,(1)直流安培计A 的读数;(2)交流伏特计V1(3)变压器副边电流i2的有效值。
34.用逻辑代数公式把逻辑函数F=ABC+AC D+A C+CD化简为最简与或式。
35.图示电路,写出各触发器的驱动方程,分别列出x=″0″,″1″时电路的真值表,并说明该电路的逻辑功能。
设电路的初态为″00″。
36.由555集成定时器组成的电路如图(a)所示。
已知R1=R2=100kΩ,c=50μF。
输出电压u0的波形如图(b)所示。
试说明该电路是555集成定时器的何种应用电路(单稳态触发器、多谐振荡器,施密特触发器)。
并求T1和T2。
五、综合应用题(本大题共2小题,每小题10分,共20分)37.电路如图(a)所示,运放为理想元件。
(1)求u0与u i的运算关系式?(2)已知R f=200kΩ,c=25μF,图(a)电路的输入波形如图(b)所示,画出u0端对应的波形。
38.一奇偶校验电路输入为ABC 三位二进制代码,当输入ABC 中有奇数个1时,输出F 为1,否则输出为0,试设计该逻辑电路,要求(1)列出真值表(2)写出逻辑函数(3)画出用异或门实现该逻辑功能的逻辑图。
全国2018年4月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题参考答案课程代码:02234一、单项选择题(本大题共15小题,第1—10小题,每小题1分,第11—15小题,每小题2分,共20分)1.C2.A3.C4.C5.C6.C7.B8.A9.B 10.C11.A 12.C 13.D 14.C 15.A二、多项选择题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)16.ABC 17.ABCE 18.AB 19.ABC 20.ABE三、填空题(本大题共10小题,每空2分,共20分)21.022.T 223.大24.饱和或截止区(非线性区) 25.1+R R 2126.-0.5mA27.1/328.f 0=121212πL C C C C ⋅+29.电路当时的输入状态 30.Q n四、简单计算题(本大题共6小题,每小题5分,共30分)31.解:(1) A •u=-'=-⨯=-βγR L be 5051615625.. (2)ce 开路时,A •u’=-'++=-⨯+⨯=-βγβR R L be e () (1505165133)147 R L '=10//10=5k Ω 32.解:(1)A 1为反相比例器A2为减法器(2)u01=-10010u i1=-10u i1u0= 5010(u i2-u i1)=5(u i2-u01)=5u i2+50u i133.解:电流表A的读数I=12100=120mA(2)交流伏特计V1 U2=12045.=26.7V(3)变压器副边电流i2的效值为I2=1.57I0=1.57×120=188.4mA 34.解:F=ABC+AC D+A C+CD=ABC+A(C+C D)+CD=ABC+A(C D+)+CD=ABC+A CD+CD=ABC+A+CD=A+CD35.解:J KJ K X Q112211====⊕⎫⎬⎭由状态表可知,当控制端X=0时,电路为一同步两位二进制加法计数器;当X=1时,电路为一同步两位二进制减法计数器。
36.解:多谐振荡器T1=0.7(R1+R2)C=0.7×200×103×50×10-6=7ST2=0.7R2C=0.7×100×103×50×10-6=3.5S五、综合应用题(本大题共2小题,每小题10分,共20分)37.u0=R f C dudti+ui38.。