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光电技术简介-PPT精选文档

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干 性



R S 光
SR应 用 测 量 光谱测量 物理性质测量 表面、界面测量


太 屋 大 太 宇
阳 顶 规 阳 宙
能 发 模 能 发
发电 电 集中发电 汽车 电
功 能 器 件




高清晰度图像系统 壁挂式大型电视 立体显示器 高清晰度摄像机
光电子计算机 超 高 速 运 算 (ps~fs) 2维 并 行 处 理 光互连
理学院物理科学与技术系 School of Science, Physical Science and Technology Department 杨应平
理学院物理科学与技术系
School of Science, Physical Science and Technology Department
杨应平
功 激 光 太 光 光 液 集 量
能 光 接 阳 开 调 晶 成 子
ห้องสมุดไป่ตู้
器 、 收 能 关 制 器 光 效
件 发 光 器 件 器 件 电 池 器 件 路 应 器 件

量 容 大 超
信息高速公路 光纤传输 相干光传输 量子光传输 光交换

多媒体 传真、电话、可视电话 广播、有线电势 光盘、CD 激光打印机
“光”和“电”彼此间渗透和结合==〉 光电混合系统
------(简称)光电系统
理学院物理科学与技术系 School of Science, Physical Science and Technology Department 杨应平
1.2 光电系统
研究大功率光辐射的产生、控制、 利用和转换--光电能量系统 以光辐射和电子流为(光电子)信息 载体,通过光电或电光相互变换方 法,进行相关的信息处理--光电信 息系统

高度集成的μLED 显示技术研究进展

高度集成的μLED 显示技术研究进展

第41卷㊀第10期2020年10月发㊀光㊀学㊀报CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCEVol 41No 10Oct.ꎬ2020㊀㊀收稿日期:2020 ̄07 ̄03ꎻ修订日期:2020 ̄08 ̄04㊀㊀基金项目:国家自然科学基金面上项目(11674016)ꎻ国家重点研发计划(2017YFB0403102)资助项目SupportedbyNationalNaturalScienceFoundationofChina(11674016)ꎻNationalKeyR&DProgramofChina(2017YFB0403102)文章编号:1000 ̄7032(2020)10 ̄1309 ̄09高度集成的μLED显示技术研究进展严子雯1ꎬ2ꎬ严㊀群1ꎬ2ꎬ李典伦1ꎬ2ꎬ张永爱1ꎬ2ꎬ周雄图1ꎬ2ꎬ叶㊀芸1ꎬ2ꎬ郭太良1ꎬ2ꎬ孙㊀捷1ꎬ2∗(1.福州大学物理与信息工程学院ꎬ福建福州㊀350108ꎻ2.中国福建光电信息科学与技术创新实验室ꎬ福建福州㊀350117)摘要:微型发光二极管(μLED)是当今国际最前沿的显示技术之一ꎬ它一般指单个尺寸小于50μm的LED阵列ꎮμLED相对于液晶显示(LCD)㊁有机发光二极管(OLED)显示等技术有其独特的优势:寿命长㊁响应时间短㊁亮度高ꎮ最重要的是ꎬ它可以实现高度集成显示ꎬ既包括像素密度远远高于常规显示技术的高PPI显示器件ꎬ也包括我们首次提出的集成了某些非显示元件的超大规模集成半导体信息显示器件(HISID)ꎮ在许多显示技术的指标上ꎬμLED的性能都很优异ꎮ但是ꎬ由于μLED将常规LED器件的尺寸大大缩小ꎬ且往往密度提高ꎬ因此产生了许多新的技术和物理上的挑战ꎬ例如巨量转移技术㊁全彩化显示等ꎬ所以μLED尚未实现真正意义上的产业化ꎮ本文对高度集成μLED显示技术的研究和发展情况进行了较系统的论述ꎬ首先对μLED的基本原理和结构进行了介绍ꎬ然后对其重点核心技术进行了分类研究和点评ꎬ最后对μLED显示技术的发展方向及其应用前景做出了分析ꎮ关㊀键㊀词:微型发光二极管(μLED)ꎻ驱动ꎻ巨量转移ꎻ全彩化ꎻ高度集成中图分类号:TN312.8㊀㊀㊀文献标识码:A㊀㊀㊀DOI:10.37188/CJL.20200191ResearchProgressofHighIntegrationDensityμLEDDisplayTechnologyYANZi ̄wen1ꎬ2ꎬYANQun1ꎬ2ꎬLIDian ̄lun1ꎬ2ꎬZHANGYong ̄ai1ꎬ2ꎬZHOUXiong ̄tu1ꎬ2ꎬYEYun1ꎬ2ꎬGUOTai ̄liang1ꎬ2ꎬSUNJie1ꎬ2∗(1.CollegeofPhysicsandInformationEngineeringꎬFuzhouUniversityꎬFuzhou350108ꎬChinaꎻ2.FujianScience&TechnologyInnovationLaboratoryforOptoelectronicInformationofChinaꎬFuzhou350117ꎬChina)∗CorrespondingAuthorꎬE ̄mail:jie.sun@fzu.edu.cnAbstract:Microlight ̄emittingdiode(μLED)isoneofthemostcutting ̄edgedisplaytechnologiesintheworld.ItgenerallyreferstotheLEDarraywithasinglemesasizelessthan50microns.Com ̄paredwithliquidcrystaldisplay(LCD)andorganiclightemittingdiode(OLED)displayꎬμLEDdisplaytechnologyhasitsuniqueadvantages:longlifetimeꎬshortresponsetimeꎬandhighbright ̄ness.Mostimportantlyꎬitenablestherealizationofhighlyintegrateddisplaysꎬwhichincludesbothhigh ̄PPIdisplayswithmuchhigherpixeldensitiesthanconventionaldisplaytechnologiesꎬandhigh ̄lyintegratedsemiconductorinformationdisplays(HISID)thathavebeenproposedfirstbyusandcontaincertainnon ̄displaycomponents.InmanyfiguresofmeritofdisplaytechnologyꎬμLEDsper ̄formexcellently.HoweverꎬasμLEDsgreatlyreducethesizeofconventionalLEDdevicesandtypi ̄callyhaveanincreaseddevicedensityꎬmanynewtechnicalandphysicalchallengeshavearisenꎬsuchasmasstransfertechnologyꎬfull ̄colordisplayꎬetc.ThereforeꎬμLEDshavenotyetachieved1310㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第41卷anyrealindustrialization.InthispaperꎬthehighlyintegratedμLEDdisplaytechnologyresearchandprogressaredescribedsystematically.FirstofallꎬthebasicprincipleandstructureofμLEDsarein ̄troducedꎬfollowedbytheclassificationandreviewofthekeytechnologies.FinallyꎬthedevelopmenttrendsandapplicationprospectsoftheμLEDdisplaytechnologyareanalyzed.Keywords:microlight ̄emittingdiode(μLED)ꎻdriverꎻmasstransfertechnologyꎻcolorizationꎻhighintegrationdensity1㊀引㊀㊀言20世纪以来ꎬ随着信息时代的发展ꎬ显示技术逐渐进入人们的生活中ꎬ其应用领域覆盖从医疗㊁教育㊁娱乐到工业㊁军事㊁航空航天的方方面面ꎮ显示技术也从最初的阴极射线管(CRT)逐渐发展到如今的平板显示ꎮ液晶显示(LCD)和等离子显示(PDP)两种新的平板显示技术推出后ꎬ它们凭借节能㊁体积较小等优点ꎬ逐渐取代了占据显示市场数十年的CRTꎮ由于LCD不断降低成本和提高性能ꎬPDP在不久后失去了竞争力ꎬ但是LCD需要使用背光通过液晶矩阵发光产生图像ꎬ所以存在响应时间慢㊁转换效率低㊁均匀性差㊁色彩饱和度低等缺点ꎮ近年来ꎬ新型显示技术逐渐发展起来ꎬ例如有机发光二极管(OLED)显示㊁发光二极管(LED)显示等ꎮ与LCD相比ꎬOLED显示是自发光显示ꎬ无需背光㊁视角宽㊁对比度高㊁省电㊁响应速度快㊁每个像素都可以独立控制ꎮ而且ꎬOLED的组成为固态结构ꎬ没有液态物质ꎬ抗机械振动性能更好ꎮ然而ꎬOLED显示屏寿命相对较短ꎬ加上色彩纯度不够以及成本略高等因素ꎬOLED的市场占有率并未超过LCDꎮLED显示则较多用于大型户外显示屏ꎬ具有寿命长㊁功耗低㊁亮度高㊁色彩饱和度高等优点ꎮ目前ꎬLED显示技术中ꎬ像素日趋微型化ꎮ越来越多的科研人员开始了关于微型LED(μLED)的研究[1 ̄13]ꎬ并将其视为下一代显示技术ꎮ相比于LCD和OLEDꎬμLED具有很多优势ꎬ如效率高㊁耐候性好㊁寿命长㊁分辨率可以很高等ꎬ更重要的是ꎬ它可以实现所谓 高度集成显示 ꎮ本文中ꎬ这一概念有两重含义ꎮ其一ꎬ由于μLED单个像素面积极小ꎬ因此可实现超高分辨率显示ꎻ其二ꎬ也可适当降低像素密度ꎬ而在其间隙处集成微传感器等非显示元素ꎬ与用户互动ꎮ这些都是传统技术很难实现的ꎮ但目前μLED尚未产业化ꎬ主要是因为μLED将LED器件尺寸缩小ꎬ且往往密度很高ꎬ所以许多新的技术挑战随之产生ꎬ如巨量转移技术和全彩化显示等ꎮ一方面ꎬ由于难以将驱动电路直接制备在μLED衬底上ꎬ因此需要将μLED器件从其衬底上转移并键合到互补金属氧化物半导体(CMOS)或薄膜晶体管(TFT)驱动电路衬底上ꎮ然而ꎬ转移的μLED尺寸小㊁数量多㊁需要精确对位且良率至少大于99.9999%ꎬ所以这种巨量转移是μLED公认的一个关键性技术ꎮ另一方面ꎬ由于在GaN上制备的红光μLED的效率比较低ꎬ所以实现全彩化显示也是μLED的一个重要技术难点ꎮ本文主要介绍高度集成的μLED显示技术的研究现状ꎬ将结合我们的科研实践ꎬ分别从μLED显示技术的基本原理㊁结构与性能㊁驱动方式㊁重点技术等方面进行分析说明ꎬ最后介绍其最新市场应用ꎬ提出在显示领域有革命性意义的超大规模集成半导体信息显示器件(HISID)的理念ꎬ并加以评述ꎮ2㊀μLED基本原理、结构与性能LED[14]是一种将电能转化为光能的电致发光器件ꎬ其核心结构是由半导体材料形成的PN结ꎮ当对LED施加正向电压时ꎬ通过电极从N区和P区分别向空间电荷区注入电子和空穴ꎬ并在结区复合发光ꎮμLED技术就是将LED微缩化和矩阵化ꎬ其发光单元尺寸在50μm以下ꎬ且较高密度地集成在芯片上ꎮμLED可以通过巨量转移的方式批量地转移到驱动电路基板上ꎬ该基板可以为硬性或柔性㊁透明或不透明ꎮ然后ꎬ再利用物理气相沉积等方法在其上制备保护层和外接电极ꎬ并进行封装ꎮ制备μLED的材料一般是GaN基半导体ꎮμLED主要由以下几部分组成:衬底㊁缓冲层㊁N型半导体㊁MQWs(多量子阱)㊁P型半导体以及电极ꎬ有些还有P ̄AlGaN电子阻挡层ꎮ为进一步提高性能ꎬ还可加入光栅㊁光子晶体㊁分布式布拉格㊀第10期严子雯ꎬ等:高度集成的μLED显示技术研究进展1311㊀反射镜(DBR)等附加结构ꎮμLED芯片的结构主要分为正装结构㊁倒装结构㊁垂直结构等ꎮ如图1(a)所示ꎬ正装结构较为简单且易于加工ꎬ但是由于顶部需要制备电极因而使得出光面积减少ꎬ且散热性能较差ꎻ倒装结构如图1(b)所示ꎬ相比较于正装结构ꎬ光提取效率更高ꎬ器件的散热性能㊁可靠性和寿命也都得到了提高ꎮP 鄄G a N M Q W s N 鄄G a NU 鄄G a N蓝宝石电极凸点(a )(b )I T O P 鄄GaN MQWs电极U 鄄G a N 图1㊀(a)μLED正装结构ꎻ(b)μLED倒装结构ꎮFig.1㊀(a)Structureofface ̄uppackagedμLED.(b)Struc ̄tureofflip ̄chippackagedμLED.3㊀μLED显示的驱动μLED的驱动方式主要有两种模式:无源寻址驱动和有源寻址驱动ꎮ3.1㊀无源寻址驱动(PM)无源寻址驱动[15]是指在μLED阵列中使用金属连线分别将每列像素阳极相连ꎬ每行像素阴极相连ꎬ由外加行列控制器对行列电极进行动态Data current sourceScan driver图2㊀无源寻址驱动Fig.2㊀Passiveaddressingdriver扫描ꎮ图2是无源寻址驱动的典型电路结构ꎬ当第x行和第y列选通时ꎬ其交点(xꎬy)处像素被点亮ꎮ使用无源寻址驱动方式对屏幕高速地逐点扫描ꎬ就可以实现全屏画面显示ꎮ无源寻址驱动方式结构简单且易实现ꎬ在设计和制备方面具有成本优势ꎮ图3是典型的无源寻址驱动阵列的剖面和三维结构示意图ꎮP m et a l N metalA c t i v e r eg i o n Insulating layerITOP m e t a lI n s u l a t i n g l a y e r N 鄄G a NS a p ph i r e滋LEDN metal图3㊀无源寻址驱动阵列ꎮ(a)剖面图ꎻ(b)3D结构图ꎮFig.3㊀Passiveaddressingdriverarray.(a)Cross ̄sectionalstructure.(b)3Dviewofthepassiveaddressingdriver.3.2㊀有源寻址驱动(AM)典型的有源寻址驱动[16 ̄18]方式一般是指采用金属键合工艺将μLED芯片倒装在驱动基板上(如CMOS)ꎬ每个像素的阴极通过共用N型GaN连接ꎬ阳极则与CMOS驱动基板金属键合ꎮ使用这种方式ꎬ每个像素都有独立的驱动电路ꎬ可以方便地单独寻址控制ꎮ有源寻址驱动方式中ꎬ经常使用两个晶体管一个电容(2T1C)驱动电路ꎬ如图4所示ꎮ每个μLED的电流控制通过寻址晶体管T1㊁驱动晶体管T2和一个存储电容C实现ꎮ信号存储在电容中ꎬ使得像素器件处于保持状态ꎬ直至下一帧信号刷新ꎬ从而在整个周期产生所需的连续电流[12]ꎮ此处介绍2T1C结构是因为它是有源驱动的一种基本电路ꎬ简单且易实现ꎬ但其本质是电压控制电流源ꎬ而μLED是电流型器件ꎬ所以该电路较难控制显示灰度ꎮ更精细的设计ꎬ例如4T2C电路ꎬ是一种电流控制电流源的电流比例型1312㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第41卷驱动电路ꎬ对实现μLED的灰阶更有利ꎬ此处不详述ꎮLEDT2V DDCT1V scanV data图4㊀2T1C有源寻址驱动电路图Fig.4㊀Schematicofa2T1CAMdrivingcircuit目前主要有整片转移和晶粒转移两种方式来组装有源寻址驱动μLEDꎮ整片转移方式是将外延片制成μLED阵列后ꎬ整体倒装在驱动基板上ꎬ但由于目前很难在同一基板上有选择地生长不同颜色的μLEDꎬ所以很难实现全彩化ꎮ晶粒转移方式是将μLED衬底切割成单晶粒ꎬ通过巨量转移方式转移到驱动基板上ꎮ但是当前巨量转移技术还不成熟ꎬ所以组装成本较高ꎮ3.3㊀两种驱动方式对比与无源寻址驱动方式相比ꎬ有源寻址驱动方式更适合应用在μLED器件中ꎬ它有着显著的优势ꎮ虽然无源寻址驱动方式结构简单且易实现ꎬ但是也存在许多不足:它采用共行共列的电极ꎬ会产生较大的寄生电阻和电容ꎬ导致功耗大ꎻ驱动电压较高时ꎬ驱动电流从选定像素通过ꎬ但其周围像素也会受到电流影响ꎬ产生像素串扰ꎬ影响显示质量ꎻ由于外部集成电路的驱动能力有限ꎬ每个像素的亮度受这一行或列中已经亮起像素的数量影响ꎬ当行或列亮起的像素个数不同时ꎬ施加到每个像素上的驱动电流不同ꎬ亮度产生差异ꎬ对于大面积的显示应用而言ꎬ会极大地影响屏幕亮度的均匀性及对比度ꎻ对于彩色μLED阵列ꎬ单个像素中包含3种不同的μLEDꎬ每种μLED需要的驱动电压不同ꎬ需要更复杂的驱动电路ꎬ使得驱动的难度增大ꎮ图3为无源寻址驱动阵列剖面图和3D结构图ꎮ因为需要深刻蚀到衬底以确保每个μLED之间都是电学隔离的ꎬ所以电极经过深隔离槽时有可能会出现断裂ꎬ器件可靠性降低ꎬ并且这种结构使得发光单元的间距增大ꎬ像素密度受到影响ꎮ所以无源寻址驱动方式不是非常适合于大尺寸和超高分辨率的显示ꎮ与此相反ꎬ对于有源寻址驱动方式ꎬ其驱动能力更强ꎬ驱动速度更快ꎬ所以更加适合大面积和高分辨率的μLED显示ꎻ有源寻址驱动方式无行列扫描损耗ꎬ功耗更小ꎬ效率更高ꎻ有源寻址驱动方式的亮度均匀性和对比度也较好ꎻ每个像素都有独立的驱动电路ꎬ被点亮像素不影响周围的像素ꎬ可以较好地解决串扰问题ꎮ4㊀μLED巨量转移技术μLED巨量转移技术主要是指将生长在外延衬底上的μLED阵列快速精准地转移到驱动电路基板上ꎬ并与驱动电路之间形成良好的电气连接和机械固定的技术ꎬ也是当前限制μLED产业化的一个瓶颈技术ꎬ能否大量㊁快速㊁准确地转移μLED芯片到目标基板上决定着μLED是否能够真正实现量产ꎮ巨量转移技术在μLED显示中之所以十分必要ꎬ主要是由于以下几点:由于GaNμLED表1㊀主要巨量转移技术Tab.1㊀Majormasstransfertechnologies方法主要机理具体细节流体自组装重力和毛细管力利用重力和毛细管力驱动悬浮在液体中的μLED到达指定位置ꎬ并与基板表面合金产生电气连接ꎮ范德华力利用弹性印章和μLED之间的范德华力作用ꎬ将μLED转移到目标基板上ꎮ印章抓取磁力通过电磁力控制μLED芯片的吸取和放置ꎮ静电力印章头被介电层分开ꎬ形成一对分别带有正电和负电的硅电极ꎬ通过控制电极正负来抓取和放置芯片ꎮ选择性释放激光剥离利用激光将μLED与原衬底之间的界面层分离ꎬ通过局部产生的机械力将μLED芯片推向目标衬底ꎮ滚轴转印滚轴式印章通过滚轮将TFT与μLED转移到目标衬底上ꎮ㊀第10期严子雯ꎬ等:高度集成的μLED显示技术研究进展1313㊀外延片与GaN晶体管外延片结构差异很大ꎬ在GaNμLED外延片上直接制备基于GaN晶体管的驱动电路需要二次外延生长ꎬ工艺复杂且可靠性较差ꎬ因此需要巨量转移μLED到另外的驱动衬底上ꎻ为了实现可穿戴设备ꎬ需要将μLED转移到柔性或可拉伸衬底上ꎻ有时需要通过巨量转移技术来有选择地转移部分μLEDꎬ以匹配不同分辨率显示设备的像素间距ꎻ巨量转移技术可以用于实现μLED全彩化显示ꎬ亦即通过巨量转移技术分别将红绿蓝(RGB)三色μLED晶粒转移到驱动电路基板上ꎬ以实现全彩化ꎻHISID器件中ꎬ也需要采用巨量转移技术加入非显示元件等ꎮ目前μLED巨量转移技术主要有流体自组装技术㊁印章抓取技术㊁选择性释放技术㊁滚轴转印技术等ꎮ4.1㊀流体自组装技术(FSA)流体自组装技术[19 ̄20]是通过重力和毛细管力驱动并捕获μLED至驱动电路基板的一种转移方式ꎮ自组装一般是在液体中进行ꎬμLED在液体中悬浮并在目标基板表面流动ꎬ到达被捕获的位置ꎬ与目标基板表面合金接触并与目标基板形成电气连接ꎮCho等[21]采用流体自组装方式ꎬ将圆形芯片㊁表面具有低熔点合金涂层的基板和组装溶液放入玻璃小瓶ꎬ加热并振荡ꎬ芯片在流动时被低熔点合金捕获并与基板形成电气连接ꎬ在1min内将19000多块直径为45μm的蓝色μLED组装在基板上ꎬ成功率达99.9%ꎮ4.2㊀印章抓取技术印章抓取技术是指通过范德华力㊁磁力或者静电力将μLED芯片黏附在转移用的印章上ꎬ然后放置在目标基板上[22]ꎮX ̄Celeprint[23]在2015年提出一种弹性印章技术ꎬ如图5所示ꎬ弹性印章一般由聚二甲基硅氧烷(PDMS)为载体ꎮ为了使μLED芯片更好地被印章抓取并脱离原基板ꎬ在制备μLED过程中加入一层牺牲层ꎬ去除牺牲层后ꎬμLED器件与原基板中间有一部分镂空ꎮ印章和器件之间通过范德华力结合ꎬ提起印章将使器件与原基板镂空处的连接断裂ꎬ并按原有阵列排布的格局转移到印章上ꎬ良率大于99.9%ꎮITRI提出将μLED中混入铁钴镍等材料ꎬ通过电磁力控制芯片抓取ꎮLuxVue[24]提出采用静电力抓取芯片ꎬ通过对印章施加正负电压来控制μLED的抓取和放置ꎮNative substrate with滋LED devicesElastomer stamp(PDMS)Devices are transferred onto stampDevices are printed onto target substrate图5㊀印章抓取技术示意图Fig.5㊀Illustrationofthestamp ̄basedpick&placetech ̄nique4.3㊀选择性释放技术选择性释放技术[25]是使用激光束将μLED从衬底上剥离ꎬ然后再转移到目标基板上ꎮ如图6所示ꎬ在激光照射下ꎬ原始衬底与μLED的界面处发生反应ꎬ分解界面层ꎬμLED脱离衬底ꎬ同时有局部的机械力将μLED推向目标基板ꎮ目前有报道使用大规模并行激光转移技术ꎬ实现了每小时1亿次以上的转移效率ꎮThin filmLaser sourceBeam shapingDonorsubstrateReceiversubstrate图6㊀选择性释放技术示意图Fig.6㊀Illustrationofthelaser ̄inducedforwardtransfer4.4㊀滚轴转印技术滚轴转印技术[26]是由韩国KIMM提出的一种μLED转移方式ꎬ可以用于转移厚度小于10μm㊁尺寸小于100μm的μLED芯片ꎮ这个方法可以用于柔性㊁可拉伸和轻量级的显示设备ꎬ转移速率高达每秒10000个ꎮ如图7所示ꎬ首先利用涂覆一次性转移膜的滚轮将TFT阵列拾取并放置在临时基板上ꎻ然后将μLED用同样的方法拾取放置在有TFT的临时基板上ꎬ与TFT焊接ꎻ最后ꎬ将μLED和TFT互联阵列滚动转移到目标衬底上ꎮ1314㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第41卷图7㊀滚轴转印技术示意图Fig.7㊀Illustrationoftheroll ̄to ̄rolltransfer目前ꎬ与流体自组装技术㊁选择性释放技术㊁滚轴转印技术相比ꎬ有关印章抓取技术的研究更加广泛ꎮ我们认为ꎬ这种技术是更有可能使μLED实现产业化的巨量转移技术ꎮ流体自组装技术虽然转移方式简单㊁成本低㊁可以并行组装ꎬ但是这种方式组装成品率低ꎬ对芯片形状有要求ꎬ并且需要解决如何将芯片准确定位于结合点这个问题ꎻ滚轴转印技术虽然工艺步骤比之前减少ꎬ生产速度有所提高ꎬ但是技术难度较大ꎬ很难保证生产良率ꎮ相比之下ꎬ印章抓取技术则可以有效地实现大批量有选择性的转移ꎮ该方法可控性强㊁转移效率高㊁成品率高㊁印章易于加工且灵活性大ꎬ因此我们认为相比较于其他几种转移方式ꎬ印章抓取技术更有可能成为日后进行巨量转移的主要转移方法ꎮ下一阶段应主要追求进一步提高准确性和降低技术成本ꎮ5㊀μLED彩色化技术对于大多数显示器而言ꎬ其显示的图像都需要全色(红㊁绿㊁蓝三原色组成)ꎬ因此μLED显示的彩色化也是一个重要的研究方向ꎮ目前主流的彩色化方式有3种:三色RGB法㊁短波长μLED+发光介质法以及将图像色彩化的透镜合成法ꎮ5.1㊀三色RGB法三色RGB法是指分别在不同的衬底上外延并制作红色㊁绿色㊁蓝色的μLED芯片ꎬ然后将其切割ꎬ转移到目标基板上ꎮPeng等[27]利用垂直结构的红光μLED器件和正装结构的蓝㊁绿光μLED器件ꎬ通过板上芯片(COB)技术在石英衬底上制备了全彩μLED显示器ꎮ如图8所示ꎬ这种全彩技术中ꎬ每个像素中都包含RGB3个μLED器件ꎬ通过不同电流来控制亮度ꎬ使得三原色混合实现全彩化ꎮ但是ꎬ这种方式也存在一些问题待解决:RGB3种μLED所使用的材料不同ꎬ所以寿命㊁温度等方面的性能也不相同ꎻ需要复杂的驱动电路来维持工作ꎻ需要将3种不同的μLED转移到目标基板上ꎬ对巨量转移要求很高ꎮ例如ꎬ制造一个4k分辨率的显示器ꎬ需要将2500万个μLED精确地(误差在1μm以下)组装和连接在基板上ꎬ转移如此大量的3个不同的μLED是非常困难的ꎮ滋LED array图8㊀三色RGB法阵列Fig.8㊀RGBμLEDfull ̄colordisplayarray5.2㊀短波长μLED+发光介质法短波长μLED+发光介质法是指利用沉积在短波长μLED上的发光介质(目前常用荧光粉或者量子点)作为颜色转换层来实现全彩化显示ꎮ2020年ꎬKim等[28]使用光固化丙烯酸材料与纳米有机复合材料的混合物ꎬ通过光刻技术在蓝光μLED上沉积红色㊁绿色颜色转换层ꎮ该转换层在底部蓝光照射下光致发光ꎬ产生红光和绿光ꎬ与无转换层的蓝光混合形成白光ꎬ实现全彩显示ꎮ为避免像素间颜色串扰ꎬ还在μLED之间沉积了黑色胶ꎮLi等[29]在蓝宝石上制备蓝/绿双波长μLED器件ꎬ使用红色量子点作为颜色转换层实现了全彩显示ꎬ与其他报道的结果相比ꎬ提高了量子点的转换效率ꎮZhuang等[30]在紫光/蓝光μLED上制备纳米孔阵列并填充量子点ꎬ形成白光光源ꎮ这些有序的纳米孔阵列作为光子晶体ꎬ与无纳米孔阵列的平面结构相比ꎬ光的提取效率显著增强ꎮ本课题组先通过在蓝光μLED台面上用纳米压印和干法刻蚀的方法制备纳米孔阵列ꎬ再填入对高温有较强耐受性的红光量子点ꎬ成功地实现了将蓝光高效地转换成红光ꎬ如图9所示ꎮ短波长μLED+发光介质法可以回避目前很难将μLED芯片巨量转移到目标基板的问题ꎬ它㊀第10期严子雯ꎬ等:高度集成的μLED显示技术研究进展1315㊀5滋m1滋m(a )(b )图9㊀使用纳米孔结构的蓝光μLED的色彩转换ꎮ(a)填入量子点后纳米孔SEM图ꎻ(b)填入红色量子点后μLED发光图ꎮFig.9㊀ColorconversionofblueμLEDusingnanoholestruc ̄ture.(a)SEMimageofthenanoholeafterfillinginthequantumdots.(b)μLEDluminescencefigureaf ̄terfillingintheredquantumdots.也无需复杂的驱动电路ꎮ但这个方法需要将颜色转换层精确地放置在尺寸很小的像素上ꎬ并且由于颜色转换层会吸收部分能量ꎬ所以整体的亮度和色彩转换效率都较低ꎮ目前常用的荧光粉材料的颗粒尺寸大ꎬ对于小尺寸的像素容易造成沉积不均匀ꎬ量子点材料尺寸小ꎬ但是材料存在稳定性较差且寿命短等缺点ꎮ5.3㊀透镜合成法透镜合成法是指通过透镜将红光㊁绿光和蓝光进行合成ꎬ从而实现彩色化的方法ꎬ但是这种方法中像素仍为单色ꎬ它只是一种将图像彩色化的方式ꎮ2013年ꎬLiu等[31]使用三色棱镜和投影透镜来制备全彩微显示器ꎮ如图10所示ꎬ分别制备红色㊁绿色和蓝色的微显示器ꎬ使用三色棱镜将从3个单独控制的微显示器产生的图案组合成彩色的图像ꎬ再通过在三色棱镜前增加投影透镜ꎬ可以调整图像颜色并将图像投影到屏幕ꎮ投影出来的颜色可以通过改变3个单色微显示器的强度来调整ꎮ这种方法在技术上较易实现ꎬ但仅限于在投影技术方面的应用ꎮProjection lensTrichroic prismRed 滋LEDBlue 滋LEDGreen 滋LED图10㊀透镜合成法示意图Fig.10㊀Schematicdiagramoflenssynthesis6㊀μLED产业发展现状目前ꎬμLED的潜在市场主要是平板显示ꎮ随着消费者对于节能㊁亮度㊁分辨率等方面需求的提高ꎬ以及μLED技术不断地发展ꎬμLED市场将不断地增长ꎮ根据国际市场研究机构ResearchandMarkets的预测ꎬ全球潜在μLED显示市场2025年将达到205亿美元ꎮ手机㊁智能手表㊁电视㊁笔记本电脑㊁增强现实/虚拟现实(AR/VR)等设备的需求ꎬ是市场增长的主要原因ꎮ随着μLED显示的优势日益凸显ꎬ国内外大批企业都开始着手μLED显示的研发ꎮ2012年ꎬ索尼公司首先将μLED显示技术在消费电子领域试用ꎬ在国际消费电子展(InternationalConsumerElectron ̄icsShow)上展出了尺寸为55寸的 CrystalLEDDisplay 电视ꎬ其上像素约600万个ꎬ亮度约400cd/m2ꎮ2014年ꎬ苹果公司收购了拥有多项μLED显示技术专利的LuxVue公司ꎬ将μLED技术用于AppleWatch及AR/VR方面ꎮ2019年ꎬ三星推出75英寸μLED电视ꎬ芯片尺寸为之前的1/15ꎬPPI较之前增加了4倍左右ꎮ在国内ꎬ重庆惠科与MikroMe ̄sa于2017年初创立μLED面板实验室ꎮ2019年ꎬ京东方公司与美国Rohinni成立μLED合资公司ꎬ主要针对μLED显示器和MiniLED背光方面进行研发ꎮ7㊀μLED应用前景如前所述ꎬμLED的效率㊁速度㊁寿命㊁亮度及分辨率都很高ꎬ同时具备轻薄㊁省电和全天候使用的优势ꎬ使得它在显示方面的应用尤为突出ꎮ初期应用包括柔性㊁透明显示屏ꎬAR/VR的微显示㊁1316㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第41卷中小尺寸车载/机载显示和大尺寸显示屏等ꎮ本实验室率先提出HISID的概念ꎬ得到了国际信息显示学会(SID)的认可ꎮ由于μLED器件尺寸在微米级ꎬ远小于正常显示像素(通常在几百微米或更大)ꎬ发光的μLED芯片面积往往只占像素全部面积的千分之一ꎬ所以有足够的空间来通过巨量转移技术集成微型集成电路(IC)和各类微米级传感器等非显示元件ꎬ并使之成为交互式富媒体信息显示终端ꎬ即HISIDꎮ其产品形态已经不是传统的显示屏ꎬ而很有可能有机地融入在室内和户外装潢之中ꎮ它将拥有许多非显示功能ꎬ甚至可以与用户进行一定程度的互动ꎬ实现浸入式 效果ꎬ特别是在游戏㊁影视领域潜力巨大ꎮ若能实现基于μLED的照明㊁空间三维显示㊁空间定位及信息通信高度集成的系统ꎬ并将μLED引入人工智能技术完成高度智能型高速信息交互空间网络ꎬ这将成为继互联网㊁移动通信之后的第三代信息高速网络ꎬ在民生和军事上具有重大战略性意义ꎬ同时也可以促成可交互的富媒体崭新产业ꎮ目前ꎬ本实验室联合外延㊁显示㊁封装龙头企业及科研院所ꎬ正在积极推进HISID研究ꎬ力争使我国在新一轮国际竞争中先发制人ꎮ8㊀结㊀㊀论本文介绍了μLED显示技术的研究和进展情况ꎬ对μLED的基本原理和结构㊁重点技术以及研究发展现状都做出了分析ꎮμLED相比OLED㊁LCD等显示技术有着显著的优势ꎬ但是目前还面临许多问题亟待解决ꎬ如巨量转移技术㊁全彩化方案㊁驱动电路的设计和实现以及后续的检测和修复技术都尚不成熟ꎬ这些问题直接影响μLED显示的量产和商业发展ꎮ这些问题多为工程技术问题而非本征性科学问题ꎬ产学两界现在正在对其进行广泛的研究ꎮ结合μLED在可穿戴㊁AR/VR等高端显示方面的巨大潜力ꎬ我们有理由期待未来的研究在这些领域中取得突破ꎬ实现μLED显示技术光明的前景ꎮ在μLED走向产业化的过程中ꎬ各国处在同一起跑线上ꎬ只要我们抓住机遇ꎬ就能掌握核心技术和自主知识产权ꎬ避免在未来显示中被 卡脖子 ꎮ参㊀考㊀文㊀献:[1]BIXPꎬXIETꎬFANBꎬetal..Aflexibleꎬmicro ̄lens ̄coupledLEDstimulatorforopticalneuromodulation[J].IEEETrans.Biomed.CircuitsSyst.ꎬ2016ꎬ10(5):972 ̄978.[2]SANDAꎬRAKKOLAINENI.Mixedrealitywithmultimodalhead ̄mountedpicoprojector[C].ProceedingsofVirtualRe ̄alityInternationalConference:LavalVirtualꎬLavalꎬFranceꎬ2013:1 ̄2.[3]LEEVWꎬTWUNꎬKYMISSISI.Micro ̄LEDtechnologiesandapplications[J].Inf.Disp.ꎬ2016ꎬ32(6):16 ̄23. [4]HENRYW.MicroLEDarraysfindapplicationsintheverysmall[J].PhotonicsSpectraꎬ2013ꎬ47(3):52 ̄55. [5]李继军ꎬ聂晓梦ꎬ李根生ꎬ等.平板显示技术比较及研究进展[J].中国光学ꎬ2018ꎬ11(5):695 ̄710.LIJJꎬNIEXMꎬLIGSꎬetal..Comparisonandresearchprogressofflatpaneldisplaytechnology[J].Chin.J.Opt.ꎬ2018ꎬ11(5):695 ̄710.(inChinese)[6]CHONGWCꎬCHOWKꎬLIUZJꎬetal..1700pixelsperinch(PPI)passive ̄matrixmicro ̄LEDdisplaypoweredbyASIC[C].Proceedingsof2014IEEECompoundSemiconductorIntegratedCircuitSymposiumꎬLaJollaꎬCAꎬUSAꎬ2014:1 ̄4. [7]WANGZꎬSHANXYꎬCUIXGꎬetal..CharacteristicsandtechniquesofGaN ̄basedmicro ̄LEDsforapplicationinnext ̄generationdisplay[J].J.Semicond.ꎬ2020ꎬ41(4):041606.[8]TEMPLIEF.GaN ̄basedemissivemicrodisplays:averypromisingtechnologyforcompactꎬultra ̄highbrightnessdisplaysys ̄tems[J].J.SIDꎬ2016ꎬ24(11):669 ̄675.[9]WONGMSꎬHWANGDꎬALHASSANAIꎬetal..HighefficiencyofⅢ ̄nitridemicro ̄light ̄emittingdiodesbysidewallpas ̄sivationusingatomiclayerdeposition[J].Opt.Expressꎬ2018ꎬ26(16):21324 ̄21331.[10]KIMHMꎬUMJGꎬLEESꎬetal..66 ̄4:highbrightnessactivematrixmicro ̄LEDswithLTPSTFTbackplane[J].SIDSymp.Dig.Tech.Pap.ꎬ2018ꎬ49(1):880 ̄883.[11]OLIVIERFꎬTIRANOSꎬDUPRÉLꎬetal..Influenceofsize ̄reductionontheperformancesofGaN ̄basedmicro ̄LEDsfordisplayapplication[J].J.Lumin.ꎬ2017ꎬ191:112 ̄116.[12]ZHANGKꎬPENGDꎬCHONGWCꎬetal..Investigationofphoton ̄generatedleakagecurrentforhigh ̄performanceactivematrixmicro ̄LEDdisplays[J].IEEETrans.ElectronDevicesꎬ2016ꎬ63(12):4832 ̄4838.㊀第10期严子雯ꎬ等:高度集成的μLED显示技术研究进展1317㊀[13]LIUZJꎬCHONGWCꎬWONGKMꎬetal..360PPIflip ̄chipmountedactivematrixaddressablelightemittingdiodeonsilicon(LEDoS)micro ̄displays[J].J.DisplayTechnol.ꎬ2013ꎬ9(8):678 ̄682.[14]MUKAIT.Recentprogressingroup ̄Ⅲnitridelight ̄emittingdiodes[J].IEEEJ.Sel.Top.QuantumElectron.ꎬ2002ꎬ8(2):264 ̄270.[15]MCGOVERNBꎬBERLINGUERPALMINIRꎬGROSSMANNꎬetal..Anewindividuallyaddressablemicro ̄LEDarrayforphotogeneticneuralstimulation[J].IEEETrans.Biomed.CircuitsSyst.ꎬ2010ꎬ4(6):469 ̄476.[16]UMJGꎬJEONGDYꎬJUNGYꎬetal..Active ̄matrixGaNμ ̄LEDdisplayusingoxidethin ̄filmtransistorbackplaneandflipchipLEDbonding[J].Adv.Electron.Mater.ꎬ2019ꎬ5(3):1800617 ̄1 ̄8.[17]CHENCJꎬCHENHCꎬLIAOJHꎬetal..Fabricationandcharacterizationofactive ̄matrix960ˑ540blueGaN ̄basedmi ̄cro ̄LEDdisplay[J].IEEEJ.QuantumElectron.ꎬ2019ꎬ55(2):3300106 ̄1 ̄6.[18]ZHANGXꎬLIPAꎬZOUXBꎬetal..ActivematrixmonolithicLEDmicro ̄displayusingGaN ̄on ̄Siepilayers[J].IEEEPhoton.Technol.Lett.ꎬ2019ꎬ31(11):865 ̄868.[19]VANDOMMELENRꎬFANZIOPꎬSASSOL.Surfaceself ̄assemblyofcolloidalcrystalsformicro ̄andnano ̄patterning[J].Adv.ColloidInterfaceSci.ꎬ2018ꎬ251:97 ̄114.[20]PARKSCꎬFANGJꎬBISWASSꎬetal..Approachingroll ̄to ̄rollfluidicself ̄assembly:relevantparametersꎬmachinedesignꎬandapplications[J].J.Microelectromech.Syst.ꎬ2015ꎬ24(6):1928 ̄1937.[21]CHOSꎬLEEDꎬKWONS.Fluidicself ̄assemblytransfertechnologyforMicro ̄LEDdisplay[C].ProceedingsofThe201920thInternationalConferenceonSolid ̄StateSensorsꎬActuatorsandMicrosystems&EurosensorsⅩⅩⅩⅢꎬBerlinꎬGermanyꎬ2019:402 ̄404.[22]CORBETTBꎬLOIRꎬZHOUWDꎬetal..Transferprinttechniquesforheterogeneousintegrationofphotoniccomponents[J].Prog.QuantumElectron.ꎬ2017ꎬ52:1 ̄17.[23]BOWERCAꎬMEITLMAꎬBONAFEDESꎬetal..Heterogeneousintegrationofmicroscalecompoundsemiconductorde ̄vicesbymicro ̄transfer ̄printing[C].ProceedingsofThe2015IEEE65thElectronicComponentsandTechnologyConfer ̄enceꎬSanDiegoꎬCAꎬUSAꎬ2015:963 ̄967.[24]BIBLAꎬHIGGINSONJAꎬHUHHꎬetal..Methodoftransferringandbondinganarrayofmicrodevices:USAꎬWO/2013/119671[P].2013 ̄08 ̄15.[25]DELAPORTEPꎬALLONCLEAP.Laser ̄inducedforwardtransfer:ahighresolutionadditivemanufacturingtechnology[J].Opt.LaserTechnol.ꎬ2016ꎬ78:33 ̄41.[26]SHARMABKꎬJANGBꎬLEEJEꎬetal..Load ̄controlledrolltransferofoxidetransistorsforstretchableelectronics[J].Adv.Funct.Mater.ꎬ2013ꎬ23(16):2024 ̄2032.[27]PENGDꎬZHANGKꎬCHAOVSDꎬetal..Full ̄colorpixelated ̄addressablelightemittingdiodeontransparentsubstrate(LEDoTS)micro ̄displaysbyCoB[J].J.DisplayTechnol.ꎬ2016ꎬ12(7):742 ̄746.[28]KIMWHꎬJANGYJꎬKIMJYꎬetal..High ̄performancecolor ̄convertedfull ̄colormicro ̄LEDarray[J].Appl.Sci.ꎬ2020ꎬ10(6):2112.[29]LIPAꎬZHANGXꎬLIYFꎬetal..Monolithicfull ̄colorLEDmicro ̄displayusingdualwavelengthLEDepilayers[C].ProceedingsofInternationalDisplayWorkshopsꎬSapporoꎬJapanꎬ2019:770 ̄773.[30]ZHUANGZꎬGUOXꎬLIUBꎬetal..HighcolorrenderingindexhybridⅢ ̄nitride/nanocrystalswhitelight ̄emittingdiodes[J].Adv.Funct.Mater.ꎬ2016ꎬ26(1):36 ̄43.[31]LIUZJꎬCHONGWCꎬWONGKMꎬetal..AnovelBLU ̄freefull ̄colorLEDprojectorusingLEDonsiliconmicro ̄displays[J].IEEEPhoton.Technol.Lett.ꎬ2013ꎬ25(23):2267 ̄2270.严子雯(1995-)ꎬ女ꎬ陕西西安人ꎬ硕士研究生ꎬ2017年于西安邮电大学获得学士学位ꎬ主要从事化学液相沉积法制备氧化物薄膜及应用㊁以及氮化镓μLED微显示的研究ꎮE ̄mail:729384816@qq.com孙捷(1977-)ꎬ男ꎬ内蒙古阿拉善人ꎬ博士ꎬ教授ꎬ博士研究生导师ꎬ2007年于中国科学院半导体研究所获得博士学位ꎬ主要从事氮化镓μLED集成信息显示㊁二维半导体材料生长及其在纳米电子学中应用的研究ꎮE ̄mail:jie.sun@fzu.edu.cn。

毕业论文《光电传感器技术的新发展及应用》

毕业论文《光电传感器技术的新发展及应用》

摘要摘要在科学技术高速发展的现代社会中,人类已经入瞬息万变的信息时代,人们在日常生活,生产过程中,主要依靠检测技术对信息经获取、筛选和传输,来实现制动控制,自动调节,目前我国已将检测技术列入优先发展的科学技术之一。

由于微电子技术,光电半导体技术,光导纤维技术以及光栅技术的发展,使得光电传感器的应用与日俱增。

这种传感器具有结构简单、非接触、高可靠性、高精度、可测参数多、反应快以及结构简单,形式灵活多样等优点,在自动检测技术中得到了广泛应用,它一种是以光电效应为理论基础,由光电材料构成的器件。

它可用于检测直接引起光量变化的非电量,如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等;也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量,如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度,以及物体的形状、工作状态的识别等。

光电式传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点,因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。

关键字:光电元件传感器分类传感器应用摘要ABSTRACTThe photoelectric transducer adopts the photoelectric component as the transducer measuring the component. It changes the change measured into a change of the optical signal at first, then further change the optical signal into an electric signal through the photoelectric component. The photoelectric transducer is generally made up of light source, optical thorough fare and photoelectric component three parts. The photoelectric detection method has precision high, reacts fast, advantage of exposed to ing etc.s, and can examine the parameter more,the transducer is of simple structure, the form is flexible, so, it is very extensive that the photoelectricity type transducer is employed in measuring and controlling. The photoelectric transducer realizes the key component that the photoelectricity changes in various photoelectric detection systems, it change into electric device of signal optical signal (infrared can seeing and purple other ray radiation). The photoelectricity type transducer is regarded photoelectric device as and changed the transducer of the component. It was not electric consumption that it caused the light quantity to change directly that it can be used for measuring, only strong, illuminance, radiation examine warmly, the gas composition is analyzed etc.; Other ones that can also be used and measured and can change into a light quantity and change are not the electric consumption such as part diameter, surface roughness, meets an emergency, the displacement, vibration, pace, acceleration, and the form of object, discernment of working state,etc.. The photoelectricity type transducer is not exposed to, respond the fast, reliable characteristic of performance, so won extensive application in the industrial automation device and machine philtrum. In recent years, new Devices photoelectric constantly emerge, especially CCD picture the births of transducer, transducers photoelectric the further to last chapter innovated to turn on.Keywords:Photoelectric component Transducer classification Application of transducer目录第一章绪论 (1)1.1 传感器发展史 (1)1.2光电传感概述 (2)第二章光电传感器基本原理 (3)2.1 光电效应 (3)2.2 光电元件及特性 (3)2.3 光电传感器 (6)第三章 CCD传感器 (11)3.1 光固态图象传感器 (11)3.1.1 CCD的结构和基本原理 (11)3.1.2 线型CCD图像传感器 (12)3.1.3 面型CCD图像传感器 (13)3.2 C CD图像传感器应用 (15)3.2.1 工件尺寸检测 (15)3.2.2 CCD传感器在公共交通上的应用 (16) 第四章光纤传感器 (17)4.1 光纤传感器的原理和组成 (17)4.2 光纤传感器的类型及特点 (17)4.3 光纤传感器的应用领域 (18)4.4 光纤传感器(FOS)应用原理 (20) 4.5 光纤传感器的实际应用 (21) 4.5.1 光纤液位传感器 (22)4.5.2 电力工业中的应用 (22)第五章其它光电传感器 (25)5.1 高速光电二极管 (25)5.1.1 PIN结光电二极管 (25)5.1.2 雪崩光电二极管(APD) (26) 5.2 色敏光电传感器 (26)5.3 光位置传感器 (27)第六章总结与展望 (29)6.1 总结 (29)6.2 展望 (30)致谢 (31)参考文献 (33)第一章绪论 1第一章绪论1.1 传感器发展史传感技术的发展经历了三个阶段,即结构型传感器、物性型传感器和智能型传感器,其测量技术、方法和特点的发展历程见表1。

TFT-LCD 概况及技术原理

TFT-LCD 概况及技术原理
➢驱动方式:主动矩阵 TFT 单纯矩阵 TN/STN
➢Array制程:需要 TFT 不需要 TN/STN
➢液晶材料:Nematic/Chiral dopant TFT/TN Cholesteric(Chiral Nematic) STN
➢配向方向: Twist 90o TFT/TN Twist 180o~270o STN
数据源:工研院IEK,台湾TFT-LCD产业协会
投資金額
(億台幣) 200 238 200 250 200 250 38 160 160 155 200 150 75 200 250
基板總產能
(萬片/月) 3.5 3 5 3 5 3 -3.75 3.75 2.5 4 4 3.6 3 --
量產時間
1999/5 2001/5 1999/7 2001/1 1999/12 2001/3Q 1995/10 2000/1 2000/4Q (已暫停) 1999/12 2001/2Q 1995/10
AAttttaacchhmmeenntt
大片组合
UV胶
CF基板
TFT基板
力盛光电
HHoott Press
气囊热压
压力表 大片组合之基板
力盛光电
CCeell l液液晶晶段段制制程程
Scribing
Breaking 切裂
Inspection
Injection
End Seal 注入&封口
Cleaning
4-Mask
力盛光电
AArrrraayy ((55 MMask)
Cr
SiNx;a-Si; n+-Si
Cr/Al Passivation
ITO
Gate端子部
Gate 力盛光电

2023年光电新材料行业市场环境分析

2023年光电新材料行业市场环境分析

2023年光电新材料行业市场环境分析光电新材料(Optoelectronic new material)是指一类用于光电器件中的新型制造材料,包括光电材料以及相关制备工艺。

光电新材料是一种涉及到多个学科领域的产品,具有很高的科技含量和经济效益,同时也是现代工业发展中一个具有很大潜力的领域。

下面将结合市场分析、供应链分析、行业生态及新技术的趋势等因素,对光电新材料行业市场环境进行分析。

一、市场分析1.需求端:光电新材料的主要需求端为通信、显示器件、LED、太阳能电池、飞行器和医疗器械等领域。

其中,随着5G技术的发展和智能化产业的兴起,通信、显示器件的需求量增长迅速,同时LED、太阳能电池等领域的市场需求也有较大的增长。

2.供给端:随着国家重视科技创新和产业升级的推动下,光电新材料行业也得以快速发展。

目前国内光电新材料的主要供应商集中在科研机构、大企业及大型制造商等领域,以半导体材料、光学材料和太阳能材料为主。

国内光电新材料产业链供应较为丰富,业内企业竞争局面比较激烈。

3.市场规模:光电新材料行业市场规模增长迅速。

统计数据显示,2019年我国光电新材料市场规模大约为1500亿元,预计到2025年市场规模将达到3000亿元以上。

其中最主要的增长点在于智能手机、电视等消费品的增长以及5G时代的到来,这将会对手机摄像头、显示器件、基线LED芯片、VCSEL和6寸以上深紫外LED等光学器件市场带来潜在需求。

二、供应链分析1.产品制备:光电新材料产品制备流程一般包括材料合成、材料清洗、材料化学处理、材料制备和表面处理等步骤。

一些大型企业和研究机构具有全流程制备能力,同时,有些小型企业则会依托于合作伙伴来获得原材料制备和工艺加工的支持。

2.上下游关系:光电新材料生产商与设备制造商之间的关系较为密切,设备制造商在新型材料制备方面一直是光电新材料产业链上非常重要的一环。

大约60%的光电新材料市场需求来自于设备制造商和应用厂商,其中应用厂商与新材料供应商的关系也较为紧密,在新技术的技术支持、产品开发上有着良好合作关系。

全彩光电传感器技术参考说明书

全彩光电传感器技术参考说明书
/photoelectric
Photoelectric
2
Contents Selection Guide Applications Tubular Block Distance Measurement (Analog) Slot & Angle Fiber Optics Full Color Detection Color Mark (Contrast) Detection Luminescence (UV) Detection Optical Windows Dimensional Light Grids
and 7 or 15 outputs is desirable, we
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2023年光伏发电行业发展趋势:光伏发电技术效率不断提升

2023年光伏发电行业发展趋势:光伏发电技术效率不断提升
2. 单晶硅电池的应用普及单晶硅电池由于晶格结构更加完整,具有更高的转换效率。预计到2023年,单晶硅电池的平均转换效率将达到25%以上,相对于目前的平均水平提高了约3个百分点。
3. 薄膜太阳能电池技术的创新薄膜太阳能电池具有柔性、轻薄等优点,在建筑、汽车等领域的应用前景广阔。预计到2023年,薄膜太阳能电池的平均转换效率将达到15%以上,相较于目前的平均水平提高了约2个百分点。
高效太阳能电池技术
正在成为光伏发电行业发展的重要趋势之一。未来到2023年,光伏技术的效率将继续提升,为光伏发电行业带来更多的发展机会和潜力。
在高效太阳能电池技术方面,有以下几个关键趋势:
多晶硅太阳能电池的效率提升:多晶硅太阳能电池是当前市场上最常见和广泛应用的太阳能电池类型。随着制造工艺和材料科学的不断进步,多晶硅太阳能电池的转换效率将继续提高。这意味着同样面积的太阳能电池板能够产生更多的电能,从而提高光伏发电系统的整体效率。
3.光伏器件表面与界面的优化优化光伏器件的表面和界面:通过利用纳米技术和微纳结构技术,对光伏器件的表面进行微观和纳米级的处理和工程,可以显著提高表面反射率和光伏效率。同时,优化光伏器件的界面结构和界面能级匹配,减少能量损失和载流子复合,提高光子的利用率。
4.集成光学与光子管理技术提高光伏效率采用集成光学和光子管理技术:通过设计和制造具有特殊光学功能的光伏器件结构,如光子晶体、光波导、衍射结构等,可以实现对入射光的高效捕获和控制,提高光子的利用率和功率输出。同时,引入光子管理技术,如准单色光源、反射镜、透明导电层等,可进一步提高光伏系统的光电转换效率。
降低光伏组件光损耗
1.2023年,光伏组件材料将迎来革命,降低光损耗利用优质材料:光伏组件的光损耗主要是因为材料的光吸收和反射造成的。在2023年,随着技术的进步,优质材料的研发和使用将成为降低光伏组件光损耗的关键。采用具有较高光吸收率和较低反射率的优质材料,如新型光伏材料的应用,将有效提高光伏组件的光电转换效率。

光电信息技术英语

光电信息技术英语

光电信息技术英语In the heart of modern technological advancements lies the fascinating realm of optoelectronics, where light and electricity converge to revolutionize our world. This field, often dubbed the "language of the future," is shaping our communication, computing, and even our understanding of the cosmos. From the intricate dance of photons within fiberoptic cables that transmit information at blistering speeds, to the awe-inspiring advancements in solar energy that harness the sun's rays to power our homes, optoelectronics is the cornerstone of a greener, more connected planet.Imagine a world where data travels not through wires, but through beams of light, where the speed of communication is only limited by the speed of light itself. This is the promise of optoelectronic technology, which has already begun to transform industries. In healthcare, optoelectronic sensors are paving the way for non-invasive diagnostics, providing real-time monitoring of vital signs with unprecedented precision. In the automotive sector, the integration of light-based sensors is making our roads safer, with systems that can detect obstacles and adjust vehicle speed accordingly.As we delve deeper into the realm of optoelectronics, we encounter the cutting-edge technology of quantum computing, where the manipulation of individual photons holds the key to solving complex problems that are beyond the reach oftraditional computing. This is a technology that could unlock new frontiers in cryptography, drug discovery, and even artificial intelligence.But perhaps the most exciting aspect of optoelectronicsis its potential to make our world more sustainable. Solar panels, powered by optoelectronic principles, are becoming more efficient and affordable, pushing us closer to a future where clean, renewable energy is the norm. And as researchers continue to explore the boundaries of this field, we can expect to see even more innovative applications that will not only enrich our lives but also help us to preserve our planet for generations to come.The journey through the world of optoelectronics is one of discovery and wonder, a testament to human ingenuity and our unrelenting quest for knowledge. As we continue to push the boundaries of what is possible, the future looks brighter than ever, illuminated by the boundless potential of light and electricity.。

全球十大液晶屏生产厂家排行

全球十大液晶屏生产厂家排行

全球十大液晶屏生产厂家排行1、LG Display(LG)LG Display(中文名是乐金显示)是目前世界第一液晶面板制造商,隶属于LG集团,总部位于韩国首尔,在中日韩及美欧都设有研发、生产和贸易机构。

LGDisplay的客户包括Apple,HP,DELL,SONY,Toshiba,PHILIPS,Lenovo,Acer等等世界一流消费电子制造商,苹果公司的iPhone4,iPhone4S,iPhone5,iPad,iPad2,TheNewiPad和最新的iPadmini均采用了LG Display的液晶显示面板。

2、SAMSUNG(三星)三星电子是韩国最大的电子工业企业,同时也是三星集团旗下最大的子公司。

上世纪90年代后期,三星电子的自主技术开发和自主产品创新的能力进一步提升,它的产品开发战略除了强调“技术领先,用最先进技术开发处在导入阶段的新产品,满足高端市场需求”的匹配原则外,同时也强调“技术领先,用最先进技术开发全新产品,创造新的需求和新的高端市场”的匹配原则。

3、群创光电(Innolux)群创光电是2003年由富士康科技集团所创立的TFT-LCD面板专业制造公司。

工厂坐落于深圳龙华富士康科技园区,前期投资金额人民币100亿元。

群创光电拥有强大的显示技术研发团队,加上富士康强大的生产制造能力,有效发挥垂直整合效益,对于提升世界平面显示器产业的水准将具指针性的贡献。

群创光电以一条龙方式进行生产、销售作业,提供集团系统客户整体解决方案。

群创光电重视新产品的研发。

手机、携带式、车载式DVD、数字相机、游戏机、PDA 液晶显示屏等明星产品陆续投入量产,并且迅速抢占市场,赢得市场先机。

已经取得多项专利。

4、友达光电(AUO)友达光电原名为达碁科技,成立于1996年8月,2001年与联友光电合并后更名为友达光电,2006年再度并购广辉电子。

经过合并,友达拥有了完善的制造大中小尺寸液晶面板的各世代生产线。

OLED产品技术路线图

OLED产品技术路线图

OLED产品技术路线图(Roadmap of OLEDproduction)有机电致发光的英文名称为Organic Electro luminescence,做成器件后在欧美称为有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED),在日、韩被称为有机电致发光显示器(OELD)是一种在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致有机材料发光的显示器件。

与其他平板显示器相比,OLED具有成本低、全固态、主动发光、亮度高、对比度高、视角宽、响应速度快、厚度薄、低电压直流驱动、功耗低、工作温度范围宽、可实现软屏显示等特点,被称为“梦幻显示器”。

一、OLED概述1、与其它平板显示器的比较优势首先,OLED视野角度宽、轻薄、便于携带。

作为自发光器件,OLED的视角上下、左右一般可以达到160度以上,没有视角范围限制。

因为OLED是薄膜层叠结构,包括封装在内总厚度仅为2毫米左右,因此可以说是世界上最轻便的显示器。

图1 平板显示器性能对比图资料来源:Universal Display其次,它亮度、对比度高、色彩丰富、响应速度快。

与LCD相比,OLED的亮度和色彩具有明显的优势。

OLED显示器件单个像素的响应速度在1O微秒左右,而LCD显示器的响应速度通常是几千至几万微秒,两者相差悬殊。

因此,0LED显示器更适合于显示各种活动图像,如用于便携电视和游戏机等领域。

更加独特的是,OLED产品可实现软屏。

OLED的生产更近似于精细化工产品,因此可以在塑料、树脂等不同的材料上生产。

如果将有机层蒸镀或涂布在塑料基衬上,就可以实现软屏。

一旦该技术成熟并加以应用,将彻底改变目前很多电器的外观形态,使得令人神往的可折叠电视、电脑的制造成为可能。

OLED还有工作温度范围宽、低压驱动、工艺简单、成本低等优点。

OLED的工作温度在-40℃~70℃之间,因此可以运用在很多具有特殊要求的工作场合。

同时,OLED的驱动电压仅需2V~l0V,而且安全、噪声低,容易实现低功率。

MicroLED显示技术发展概述

MicroLED显示技术发展概述

Industry Observation产业观察DCW45数字通信世界2021.051 M icroLED 显示技术应用领域20世纪90年代,日本日亚科学家中村修二成功制备出商用高亮度蓝光GaN 基LED ,标志着LED 全面商业化的开始。

LED 已被广泛的应用在照明、紫外消毒、显示背光、三原色全彩显示、红外探测等领域。

随着显示技术的飞速发展,LED 器件也逐渐发挥越 来越 重要的作用。

目前,主流显示技术主要包括:液晶显示(LCD )、有机发光二极管(OLED )、微缩矩阵化发光二极管(MicroLED )显示等,其中,MicroLED 显示被认为是将颠覆传统的新一代显示技术,已成为LED 产业领域新的增长和爆发点。

MicroLED 显示相比于其他显示技术具有自发光、高对比度、高分辨率、高可靠性、寿命长、功耗低等诸多优势。

MicroLED 在大尺寸电视墙显示器、汽车抬头数字显示、智能手表、柔性屏幕、增强及虚拟现实等领域具有巨大的市场应用前景,同时,5G 技术结合8K 显示将会是MicroLED 在5G 时代浪潮下的最新应用趋势。

2 M icroLED 显示技术发展历程MicroLED 显示技术是基于常规LED 显示技术基础上发展而来。

1999年,Jin 等人首次通过感应耦合等离子体(ICP )干法刻蚀工艺制备了直径为12μm 、间距为15μm 的MicroLED 阵列器件,研究发现相比于常规LED 器件,MicroLED 阵列可以承受更高的工作电流密度,这可以归因于MicroLED 器件电极接触的方式及小尺寸器件更有效的电流扩散效应,器件在8 mA 驱动电流下的发光功率达到20μW ,首次验 证了MicroLED 器件在显示领域的适用性。

2006年,Liang 等人采用湿法刻蚀工艺结合衬底减薄技术、介质 桥技术成功实现了MicroLED 器 件阵列的光电隔离,制备出尺寸为16×16μm 2的AlGaInP 基橙光LED 微显示器件。

武汉华星光电第6代LTPSAMOLED显示面板生产线项目,武汉,中国

武汉华星光电第6代LTPSAMOLED显示面板生产线项目,武汉,中国

武汉华星光电第6代L T P S /A M O L E D 显示面板生产线项目,武汉,中国Wuhan CSOT 6th Generation LTPS/AMOLED Display Panel Production-Line, Wuhan, China, 2016迚筑设计:中国电r •工程设计院财源科技工程有限公司Architects: China Electronic Engineering Design Institute S.Y. Technology Engineering Co., Ltd.近年来,随着显示技术的迅猛发展,L T P S 、 A M O LED 显示屏因其卓越的视觉效果及超薄特性,广泛应用于智能手机及iPad 显示终端设备。

武汉华星光电第6代LTPS (O XIDE).LCD/A M O L E D 显示面板生产线项目位于武汉东湖新技术幵发区左岭光谷智能制造产业园内,主要产品为4~9in 高端中小尺寸显示器件,是国内目前技术领先的第6代L T P S 和A M O L E D 混合面板生产线, 建成后经济效益显著。

超大超长的体量、组合集约式布局、多样性和 复合性的建筑空间是现代工业建筑的主要特征。

厂 房为生产空间,根据不同阶段的产能需求,可进 行室内空间的弹性拓展和分期实施,以保持生产 空间的灵活性、功能互换性,提升厂房空间的整 体使用效率。

研发楼、餐厅等办公生活空间趋于 连续和幵放,以获得更舒适的环境体验。

各功能 体块按实际需求布置,量体裁衣,疏密相间,再配上架空连廊、管廊(架)的联络,紧密协作并 共同奏出华丽的乐章。

设计中利用南北向6m 高差的地形,将左岭大 道一侧作为园区的礼仪广场和访客、研发楼的主 要入口空间。

建筑体块根据功能需要组合和链接, 将生产、办公、餐厅等不同功能形态的体量整合 在一起,并与规划的二期F A B 厂房相连接,建筑 体量沿左岭大道由南至北贯通,形成一组功能连 续、形态完整、尺度巨大的高科技工业建筑群体 形象,建筑形体简洁流畅,一气呵成。

新强光电(NeoPac Lighting Group)LEDs照明技术的优势

新强光电(NeoPac Lighting Group)LEDs照明技术的优势

五、 舒適 .............................................................................................................................................................. 4
七、 性能卓越 ...................................................................................................................................................... 5
一、 NeoBulb LEDs Epoch VIII 112 W 取代 400 W 傳統水銀汞燈 .................................................................. 15
二、 NeoBulb LEDs Avenue 80 W 取代 175 W 傳統複金屬燈 : ...................................................................... 17
一、 超高功率、多晶封裝的 NeoPac Emitter。............................................................................................... 12
二、 高效的熱管理技術..................................................................................................................................... 12

光电技术观后感400字作文

光电技术观后感400字作文

光电技术观后感400字作文中文回答:光电技术观后感。

光电技术是指利用光电器件将光信号转换为电信号或将电信号转换为光信号的技术。

这项技术在当今的科技发展中起着举足轻重的作用,无论是在通信领域还是在医疗、能源、军事等领域都有着广泛的应用。

我对光电技术有了更深刻的了解后,对其前景和应用领域有了更加清晰的认识。

Firstly, I was amazed by the wide range of applications of optoelectronic technology. For example, in the field of communication, optoelectronic technology plays a crucial role in fiber optic communication, which enables high-speed and long-distance transmission of data. In the medical field, it is used in diagnostic imaging and laser surgery. In the energy sector, it is applied in solar panels to convert sunlight into electricity. The versatility and significance of optoelectronic technology have left a deepimpression on me.其次,我对光电技术的发展前景有了更加乐观的看法。

随着科技的不断进步,光电技术将会得到更广泛的应用,并且不断推动各个领域的发展。

例如,在智能手机和电脑显示屏的发展中,液晶显示技术和OLED技术都是光电技术的应用之一。

此外,随着人们对清洁能源的需求不断增加,光电技术在太阳能发电领域的应用也将会得到进一步的推动。

光电技术简介-PPT精选文档

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理学院物理科学与技术系
--光电能量系统
杨应平
School of Science, Physical Science and Technology Department
光通信系统
光 纤
驱动电路 调制器 光源 中继器 光纤中继器 光器件
光接收机

理学院物理科学与技术系
半导体光电子学家 中国科学院院士
--王启明
21 世纪的人类社会将是一个高度信息化的社。…社会 对信息量的要求将以太比特/秒(1Tbit/s = 1012 bit/s) 为 起点呈现超越摩尔定律的爆炸性增长,物理学家又称 它为三“T”高度信息化社会,即Tb/s 的信息传输容量, TB 位元的信息存储密度和T/ 秒的信息处理速度
“光”和“电”彼此间渗透和结合==〉 光电混合系统
------(简称)光电系统
理学院物理科学与技术系 School of Science, Physical Science and Technology Department 杨应平
1.2 光电系统
研究大功率光辐射的产生、控制、 利用和转换--光电能量系统 以光辐射和电子流为(光电子)信息 载体,通过光电或电光相互变换方 法,进行相关的信息处理--光电信 息系统
理学院物理科学与技术系 School of Science, Physical Science and Technology Department 杨应平
理学院物理科学与技术系
School of Science, Physical Science and Technology Department
光电技术
Optoelectronic Technology
理学院物理科学与技术系 School of Science, Physical Science and Technology Department 杨应平

光电显示技术02

光电显示技术02

2、栅格式
3、沟槽状
栅格式及点状
Slot Mask(沟槽式荫罩)
电子束只有通过荫罩板的电子才有用,其余的电子束会轰击在荫 罩板上,长时间的电子轰击,荫罩板会受热变形。所以我们在测试 CRT显示器的各种性能时都需要等显示器加电30分钟以后,同时 还要保持室温在25度左右,这一切都是为了尽可能的保证荫罩板 减少形变,避免图像的还原受到影响。 图像的色彩丰富性和饱和度受阴极电流的强弱来控制发射电子 的多少而影响,图像的亮度受控于CRT的栅极电压的高低控制。一 般情况下,阳极高压的输出相对稳定,现在最新的技术,为了减少 因为图像明亮变化对图像大小的影响(即减弱呼吸效应),阳极高压 也设置了稳压电路,索尼特丽珑显示器可以通过控制对每一对应像 素输出稳定的阳极高压,而不是对整屏图像使用一个相对稳定的阳 极高压,所以索尼的CRT显示器能够更加完美的还原自然色彩。
Cl S:Au, Al S:Eu S:Tb
5:Tb 4:Mn
颜色
蓝色
绿色
红色
红色
绿色
绿色

屏幕的亮度取决于荧光粉的发光效率,余辉时 间和电子束轰击的功率。余辉时间略小于40ms, 余辉时间长也可导致平均亮度大。 余辉是指停止电子轰击后光输出减少到初始值 10%所经历的时间,<1ms为短余辉,1~100 ms 为中余辉,>0.1s为长余辉。显像管的余辉约为 2ms左右。
4 荫罩:处在玻壳和电子枪之间,起分色作用。分为点状、 栅格式、沟槽状结构。
荫罩 在显示器中的位置及作用
1、点状
点状荫罩板是在一块金属板上开有几十万个圆孔,红、绿、蓝三个电 子束同时从一个圆孔中穿过,在荧光屏上投射出呈三角形分布的三种颜色 的亮斑,由此组成一个像素。由于像素分布都是呈三角形的,所以这种显 像管的点距有水平点距和点距之分,水平点距比点距更小。点状荫罩板显 像管可以显示出效果很好的斜线和锐利的边缘效果,文本显示效果突出。 这种荫罩板经常在传统的球面CRT显像管使用,不易变形和受振动影 响,但是通过的电子相对较少,屏幕亮度和颜色还原不如索尼特丽珑亮丽 和真实。

IGZO技术解析

IGZO技术解析

IGZO技术解析IGZO技术解析⼀、什么是“IGZO”随著智能型⼿机与平板计算机等终端应⽤的兴起,250ppi以上的⾼精细度⾯板要求逐渐成为搭配趋势,也促使更多⾯板⼚投⼊⾼精细度的低温多晶矽(Low Temperature Poly Silicon;LTPS)TFT扩产,但由于LTPS TFT⽣产线的制程复杂度⾼,且良率也是⼀⼤问题,因此⾯板⼚积极投⼊⾦属氧化物半导体的研发⼯作,⽬前⼜以⾮结晶氧化铟镓锌(amorphous Indium Gallium Zinc Oxide;a-IGZO)技术较为成熟。

IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)为氧化铟镓锌的缩写,它是⼀种薄膜电晶体技术,在TFT-LCD主动层之上打上的⼀层⾦属氧化物。

IGZO技术由夏普(Sharp)掌握,是与⽇本半导体能源研究所共同开发的产品。

除了夏普外,三星SDI以及LG Display也同样具备⽣产IGZO⾯板的能⼒。

⼆、IGZO电⽓特性IGZO与⾮晶质硅(a-Si)材料相⽐,电⼦迁移率较a-Si TFT快20到50倍,IGZO使⽤铟、镓、锌、氧⽓,取代了传统的a-Si现⽤图层,可以⼤⼤降低液晶屏幕的响应时间,缩⼩电晶体尺⼨,提⾼液晶⾯板画素的开⼝率,较易实现⾼精细化,由此将简单的外部电路整合⾄⾯板之中,使移动装置更轻薄,耗电量也降⾄之前的三分之⼆。

三、TFT在液晶⾯板中的位置⽬前,液晶显⽰器、⼿机屏幕、电视机产品都采⽤的是“主动式矩阵” ,⽽这种结构采⽤“薄膜电晶体”(TFT)来作为开启和关闭像素的电⽓转换装置。

TFT位于液晶⾯板的下⽅玻璃基板中的像素驱动模组中,其形态为薄膜状,与像素元件⼀起嵌⼊在这个驱动模组当中。

TFT是对像素电容充电,并点亮像素的电器转换装置,⽽IGZO材料则使⽤在TFT上。

四、 IGZO TFT液晶⾯板的结构IGZO-TFT液晶⾯板采⽤了连续晶粒硅晶体管像素(CG硅),它是⼀种低温多晶硅,特点是电⼦流动性⽐传统的⾮晶体硅具有更⾼的流动性,使它可能与其它部件电路形成连同置于液晶⾯板的玻璃基底上。

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人类视觉所感受的外部信息中,90%以上是由外 部物体对光的反射,而不是来自物体发光。所以, 被动显示更适合人的视觉习惯,不会引起疲劳。 当然,被动显示在黑暗的环境下是无法显示的, 这时我们必须为器件配上外光源。比如LED、各 种光阀管(light valve)投影仪等。
第1章 绪论



按显示屏幕大小分类有:超大屏幕(>4m2)、 大屏幕(1~4m2)、中屏幕(0.2~1m2)和小屏 幕(<0.2m2)。 按色调显示功能分类有:黑白二值色调显示、 多值色调显示(三级以上灰度)和全色调显示。 按色彩显示功能分类有:单色(monochrome) 黑白或红黑显示、多色(multi color)显示 (三种以上)和全色显示。 按显示内容、形式分类有:数码、字符、轨迹、 图表、图形和图像显示。 按成像空间坐标分类有:二维平面显示和三维 立体显示。
提高电视显示效率
改进可靠性
第1章 绪论
原则上把显示设备上出现的视觉信息直接观看 1.1.2 光电显示器件分类 的方式称为直观型
如果根据收视信息的状态分类,可分成: 把由显示设备或者光控装置所产生的比较 1. 直观型(Direct View Type) 小的光信息经过一定的光学系统放大投射 到大屏幕后收看的方式称为投影型。 2. 投影型(Projection Type) 3. 空间成像型(Space Imaging Type)
d I d
第1章 绪论


光照度 单位受光面积上(S)所接收的光通量 称为光照度,符号为E,单位为勒克斯 (lx)。光照度E可由下式表示: E d dS 亮度 垂直于传播方向单位面积( S cos )上的 发光强度称为亮度,符号为L,单位为 cd/m2。亮度L可由下式表示:
d L dS cos d
1.1.2 光电显示器件分类

1.2 显示参量与人的因素
1.2.1 光的基本特性 1.2.2 人眼视觉特性 1.2.3 色彩学基础 1.2.4 显示器件主要性能指标

习题一
光电显示技术
第1章 绪论

1.1光电显示技术概述
1.1.1.显示技术研究的意义 1.显示技术研究的意义 光电子(Optical Electronic)技术是由光学、激 光、电子学和信息技术互相渗透、交叉而形成的一门高 新技术学科,具有广泛应用背景。光电子技术以物理学 为基础,涉及激光技术、光波导技术、光检测技术、光 计算和信息处理技术、光存储技术、光电显示技术、激 光加工与激光生物技术、光生伏特技术、光电照明技术, 已逐渐形成了光电子材料与元件产业、光信息产业、现 代光学产业、光通信产业、激光器与激光应用产业等五 大类光电子信息产业,开创出了“光电子时代”!
光电显示技术
第1章 绪论
2.显示技术的发展历史
自1897年德国人布劳恩(Braun)发明阴极射线管 (CRT:Cathode Ray Tube)以来,随着电视广播媒体和计 算机等媒体的出现和发展,显示器件产业取得了极大的 进步。 全世界第一只球形彩色布劳恩管(CRT)于1950年问 世。当时因为它的体积大、重量沉,而且还拖了一个 “尾巴”,就有人认为不超过10年,它就会被某些平板 显示器所替代。殊不知,体积和重量不是它的缺点,而 是存在的问题,如CRT电视机只能做到40英寸1)以下。 但人们关心的屏幕上显示图像的质量,如亮度、对比度、 分辨率、视野角、刷新频率和响应时间等综合性的视觉 性能。 迄今为止,任何平板显示器件的工作性能都不如 CRT。而且,由于它的工作原理很巧妙,本身及相应配 合线路也简单,成本低,所以在显示器件中,CRT的性 能价格比是最高的。2001年,市场规模达到了2.74亿只、 250亿美元。
第1章 绪论
图1.2 电磁波的波谱
第1章 绪论
对光量的测量称为测光(Photometry)。 介绍几个主要的测光量的定义及其基本单位: 光通量(Luminous flux) 光源单位时间内发出的光量称为光通量,符号 为Φ,单位为流明(lm)。 发光强度(Luminous intensity) 光源在给定方向的单位立体角(ω)辐射的光 通量称为发光强度,符号为I,单位为坎德拉 (cd)。发光强度I可由下式表示:
第1章 绪论
按所用显示材料分类有:固体(晶体和非晶 体)、液体、气体、等离子体、液晶体显示等。 按显示原理分类有:阴极射线管(CRT)、真 空荧光管(VFD)、辉光放电管(GDD)、液 晶显示器(LCD)、等离子体显示器(PDP)、发 光二极管(LED)、场致发射显示器(FED)、电 致发光显示器(ELD)、电致变色显示器 (ECD)、激光显示器(LPD)、电泳显示器 (EPD)、铁电陶瓷显示器(PLZT)等等。
第1章 绪论

1.2.2 人眼视觉特性
1.人眼的视觉生理基础 : 外界信息以光波形式射入眼帘,通过眼睛的 光学系统在视网膜上成像。视网膜内的视觉细胞 把光信息变换为电信号,传递给视神经。由左右 眼引出的视神经在视交叉处把左右眼分别获得的 右视觉信号和左视觉信号进行整理,然后传向外 侧膝状体。外界右半部分的视觉信息传入左侧的 外侧膝状体,而左半部分的视觉信息传入右侧的 外侧膝状体。两个外侧膝状体经视放射线神经连 接于左右后头部的大脑视觉区域。

指采用某种光学手段(如激光)在空间形成可供 观看图像的方式,从原理上说,图像大小与显示 器无关,可以很大。空间成像显示因为图像具有 纵深而大大提高了真实感和现场感。
第1章 绪论

从显示原理的本质来看,光电显示技术利用 了发光和电光效应两种物理现象。所谓电光 效应是指加上电压后物质的光学性质(如折 在外加电信号作用下,主动发光型器件本身 射率、反射率、透射率等)发生改变的现象。 产生光辐射刺激人眼而实现显示。比如CRT、 PDP、ELD、激光显示器(LPD:Laser 因此,根据像素本身发光与否,又可将显示 Projection Display)等。 器件分为以下两大类: 1. 主动发光(emissive)型 在外加电信号作用下,被动显示型器件 单纯依靠对光的不同反射呈现的对比度 2. 被动显示(passive)型 达到显示目的。

第1章 绪论
在大屏幕显示方面影仪外,近期开发的直观式 HDTV大屏幕显示系统把HDTV、PAL和NTSC制式普通 电视以及计算机的VGA、SVGA、XGA等全在一个大屏 幕上显示,被称为“多媒体大屏幕显示墙” (Multimedia Display Wall),还有蓝光LED(Light Emitting Diode)和高亮度、超高亮度LED组成的三基 色全彩色LED大显示屏由于使用寿命长、环境适应能力 强、价格性能比高、使用成本低等特点,在大屏幕显示 领域得到了广泛的应用。 如今的显示器件世界,无论是市场还是技术都处于急剧 变化的时期,可谓是百花齐放、争奇斗艳。各种显示器 的应用范围不断扩大,争夺未来潜在的大市场。2002年 全世界显示器件销售额为500亿美元,估计到2025年将 达到5000亿美元。显示器行业群雄争霸,前景难料。

光电显示技术
第1章 绪论
然而,到了1983年,日本的科技人员对传统反射型的液晶显 示器(LCD:Liquid Crystal Display)作了一些改进,除偏光 片外,又在其背面加上了背景光源,在前面加上了微型彩色滤 光片,改变为透射型彩色LCD。从此开创了平板显示的新纪元。 接着,日本政府又组织企业和高等院校的研究所,共同攻关, 先后投资达200亿美元,在此基础上研制出薄模晶体管液晶显示 器(TFT-LCD)。如今TFT-LCD已逐步替代了计算机显示器的 彩色显示器(CDT:Color Display Tube),并向大屏幕发展, 进入TV领域,2005年已形成一个240亿美元的庞大显示器件产 业。也就是说,CRT构筑了大众媒体时代的现代工业社会, LCD则构筑了个人媒体为主导的现代信息社会。 另一方面,显示技术已不再局限于以前的CRT和LCD,等 离子体显示器(PDP:Plasma Display Panel)和有机电致发光 效应(EL:Electro Luminescence)等多种新型的显示技术和 显示方式已在多媒体市场上闪亮登场。PDP不仅用于40英寸以 上的彩色显示器,用于高清晰度电视(HDTV)的PDP已进入 家庭用显示器领域,并成为一个新兴显示器件产业。
第1章 绪论
另一方面,显示技术已不再局限于以前的CRT和LCD, 等离子体显示器(PDP:Plasma Display Panel)和有机 电致发光效应(EL:Electro Luminescence)等多种新 型的显示技术和显示方式已在多媒体市场上闪亮登场。 PDP不仅用于40英寸以上的彩色显示器,用于高清晰度 电视(HDTV)的PDP已进入家庭用显示器领域,并成为 一个新兴显示器件产业。 最近几年还出现了有机发光二极管平板显示器 (OLED:Organic Light Emitting Diode)及场致发射显 示器(FED:Field Emission Display)。OLED甚至可 以折叠,被誉为“梦幻显示器”,可用于可视移动多媒 体。
光电显示技术
目 录
1. 绪论 2. 阴极射线管(CRT)显示技术 3. 液晶显示器件 4. 发光二极管(LED)显示技术 5. 等离子显示器件
6. 激光显示技术
7. 新型光电显示技术 8. 大屏幕显示技术
光电显示技术
第1章 绪论

1.1 光电显示技术概述
1.1.1 显示技术研究的意义
第1章 绪论
显示器 件 发展趋势 显示器 件 发展趋势
阴极射 提高分辨率,小型化, 电致变 线管 平板化 色显示 器
真空荧 光显示 器 交流等 离子体 显示器 直流等 离子体 显示器 电泳显 示器 多色,矩阵显示的实 际使用 驱动的简化 液晶显 示器 发光二 极管 电致发 光显示 器
改进可靠性
彩色,小电视的实际 使用 高亮度,蓝LED的实 际使用 矩阵显示商品化
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