脉冲激光沉积制备硅基金红石相TiO薄膜的方法[发明专利]

专利名称：脉冲激光沉积制备硅基金红石相TiO薄膜的方法专利类型：发明专利
发明人：杨光,陆培祥,龙华,戴能利,李玉华,杨振宇
申请号：CN200710053648.5
申请日：20071019
公开号：CN101139701A
公开日：
20080312
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种脉冲激光沉积制备硅基金红石相TiO薄膜的方法。

先将清洗后的Si基片和纯度大于等于99.9％的二氧化钛靶放入真空室中，再将真空室抽真空到1×10－6×10Pa，通入0.5Pa －5Pa的氩气气氛，或者通入0.05Pa－0.5Pa的氧气气氛，并将Si基片加热到500－800℃；然后采用KrF准分子激光器，将激光通过透镜聚焦到二氧化钛靶材上，激光束的能量为340－750mJ，激光重复频率为1－10Hz，产生的二氧化钛等离子体向外发射至Si基片上，得到金红石相的纳米二氧化钛薄膜。

本发明采用二氧化钛靶材，改变脉冲激光沉积过程中的参数，在硅基片上直接生长纯金红石相的TiO薄膜。

本发明方法简单，薄膜组分均匀，且具有良好的结晶性能。

本发明方法可以较好地与传统半导体工艺相衔接，具有较好的应用前景。

申请人：华中科技大学
地址：430074 湖北省武汉市洪山区珞瑜路1037号
国籍：CN
代理机构：华中科技大学专利中心
代理人：曹葆青
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