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根限制测 量角度的金属管 而得以实现
漏源 电压( 0 一4 V和 一 0 及可 由逻辑 门 非 常小的范 围内 ,从而大 大地减少 后面 的 。通过对温度计的调校 ,( 6 V) 温度 )测量 驱动产品 。由于采用 了 UMO 一 S 4工艺 , 的器件受到 静 电冲击 的能量 ,很好 地保 的精确性仍然能够得 到很 好的保持。
新型压敏 电阻器可杜绝 由过压或漏
5s 0 的超快 速点火 时间以及高 达 7 % 的 异 。 0 无火 /点火 比。E I P C电阻 ( 也称 为桥式
电流过大 引起的火灾 或爆炸危 险。特殊
这一 系列低导通 电阻器件符合 P沟 塑胶涂 层也 可防止烟 雾的产生 。当故障
电阻 )件 ,可在精 确的 电热转 换过程 中 道器件在汽车 电子 应用中 日益增长 的需 发生时 ,不会对压敏 电阻 器附 近的其他
S mie e tl

阻芯片
新产 品按 照AEC -QI 1 O 流程制造 ,
电 话 :0 l 8 l 9 9 2 一6 9 一6 9
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EI P C是 专门满 足烟火 工程 师的苛 额定温 度为 1 5 7 ℃,纯 锡 电镀管 脚完全
HS要 求 。雪 崩能 量从 l mJ 9 刻需求的特殊 薄膜 电阻芯片 。新 型电子 符 合 RO
P l5 P 06S L G J 烟火 启动 器 电阻芯片 E I P C是可提 供焦 (N )~55 0m 新型家电用矗可靠性 压敏 电阻器
耳效应 点火的此类 器件 ,该 器件 可实现 ( l 0 0 P G) 因芯 片不 同而有所差 NP 0 P 4 L ,
维普资讯
新品发布
为 9. m NP 0 0 S 6 Q( 5 P 4 DG) 7 m 的传输 信号几乎 没有任何影 响 , 和 5 Q 而使 用 ( lP 6 L , NP 5 0 S G)而在 D P 2 AK封装系列 高 电容的半导体E D S 保护 器件对信号 的 中 ,额定漏极 电流为 一l o 0 A的器件的导 影响 非常大 。 RD ( ) 则降至 3 7 Q。 .m 新 型电子烟火启动器特殊 薄囊电 通电阻( SON)
S 接 的红外辐射异常灵敏的薄膜 。 定制的信号 器件( ) ) 0 中的导通电阻( 【 ) 采用低 电容的高分子 E D对 HDMI 口 I ( <5 A) I Dc 1 o) N
今 日电子 ・ 2 0 年 2月 08
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超低 电容矗分子 E D保护 元件 S
高分子E D保护 元件其半导 体压敏 S
NP系列 P沟道功率 MO F T产品 钳位 电压时 ,会通过 内电极 之 间的缝 隙 SE
采用 TO一2 2 DPAK) TO一2 之 间的压敏材料 放电 , 5( 和 63 从而使后面 的I 通过 在ML 0 l 的 T 3 架构上添加 C X9 6 4 O- 9 ( 2 AK) 片封 装。产品包含两种额定 受 到保护 :它能 将静 电波 形钳制在 一个 DP 贴
合物 。
Vi h y I t r e l o o y s a n e t cm l g
电话 :0 0 8 3 -1 5 1- 25 5 1
网址 :h t :/ t / www.n nc1cr p c .ee.o n
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据要 求还可提 供其他尺 寸 ,其具 有易于 供高效率 的 电源管理 。
设置的 点火水平 ,并且 与各种烟 火混合
NEC
力 为 5 0 A,且在 2 时 最大消耗 能量 00 ms
为 1 6 。典 型应用为家 用电器和 电源。 3J
EPCOS
物兼容 ,甚 至是那些 无须雷管 的烟火混
该P 沟道功率 MOS E F T实现 了超低导通 护 该器件 。E D保护 器件对 电路 的影响 S MⅨ 9 64 0 l中的感应器件其实是一枚
阻抗 , 在DP AK封装 系列 中, 漏极 电流 主要 体现 在其 电容பைடு நூலகம் 对信 号的干 扰上 。 硅芯片连接着一 层由微机械加工、 低 对外物
将 电能转换成热 能 , 以用于 在受控 的能 求 。在电池反接保 护 、H桥直流 电机驱 元件造 成损害 ,从 而提高 整体 电路 的可
量 反应中启动 一系列点火 反应 。凭借 低 动等标准 应用中 , P沟道功率 MO F T 靠性 。凭借耐热 性及 阻燃 性设计 ,该产 SE
至 5 J 0 点火能量 ,该 器件为设计 人员 与 N沟道器件相 比具有 明显的优势 。该 品符 合 UL 4 0与 C A标准 。新 型压 9 V一 S 汽车系统 、电机 敏 电阻器型号标 记为S S 4 8 E2 专 提供 了极其可 预测 、可再 生及可靠 的行 NP系列产 品可 为电源 、 F l K3 5 , 8 VRMS电压设计 。其浪涌 电流 能 为。该 电阻采用标准 0 0 封 装尺寸 , 63 根 控制 和办公室 、机 器人和不 间断电源提 为 3 5
具 有 超 低 导 通 电 阻 的 P 沟 道 材料隐 匿于 多层线路 板之 内,当静 电加 适 用于 窄视 野精 密测 量 的低 价 ,
M OSFET
在外 电极 上 , 电上 升到高分子 E D的 静 S
非接奠式沮度传感器
ML 9 6 4 AC的 3 。测量视野是 X 0 1x 5
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