磁控溅射Ni-Mn-Ga磁驱动记忆薄膜的组织结构与成分研究

磁控溅射Ni-Mn-Ga磁驱动记忆薄膜的组织结构与成分研究刘超;吴冶;蔡伟;赵连城
【期刊名称】《功能材料》
【年(卷),期】2005(036)004
【摘要】利用射频磁控溅射技术成功地在Si衬底上沉积Ni-Mn-Ga薄膜,并采用XRD、SEM、AFM及EMPA系统研究Ni-Mn-Ga薄膜的晶体学结构、断面形貌、表面形貌、成分及其影响规律.结果表明,经823K退火1h Ni-Mn-Ga薄膜完全晶化,室温下呈L21型体心立方结构;断面形貌揭示Ni-Mn-Ga薄膜呈柱状结构.Ni-
Mn-Ga薄膜的表面粗糙度随溅射功率和溅射时间的增加而增大;Ni-Mn-Ga薄膜中Ga的含量受溅射功率影响较大,Ni的含量受溅射时间影响较大.
【总页数】3页(P543-545)
【作者】刘超;吴冶;蔡伟;赵连城
【作者单位】哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈
尔滨,150001
【正文语种】中文
【中图分类】TG111.92
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