集成电路芯片封装第2章-芯片互连技术
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第2章 封装工艺流程 ——芯片互连技术 ——芯片互连技术
前课回顾
1.集成电路芯片封装工艺流程 1.集成电路芯片封装工艺流程
2.成型技术分类及其原理 2.成型技术分类及其原理
转移成型技术（ ）、喷射成型技术 转移成型技术（Transfer Molding）、喷射成型技术 ）、 ）、预成型技术 （Inject Molding）、预成型技术（Pre-Molding） ）、预成型技术（ ）
TAB关键技术 封胶保护 关键技术-封胶保护 关键技术
环氧树脂： 环氧树脂： 盖印或点胶
然后，筛选与测试 然后，
7、外引线键合 OLB 、
测试完成
8、TAB技术的关键材料 、 技术的关键材料
1）基带材料 基带材料要求高温性能好、热匹配性好、 基带材料要求高温性能好、热匹配性好、收 缩率小、机械强度高等，聚酰亚胺（PI） 缩率小、机械强度高等，聚酰亚胺（PI）是良好 的基带材料，但成本较高，此外，可采用聚酯类 的基带材料，但成本较高，此外， 材料作为基带。 材料作为基带。
3.常见芯片互连方法有哪些？ 3.常见芯片互连方法有哪些？ 常见芯片互连方法有哪些
主要内容
引线键合技术（WB） 一、引线键合技术（WB） 二、载带自动键合技术（TAB） 载带自动键合技术（TAB） 载带自动键合技术 三、倒装芯片键合技术（FCB） 倒装芯片键合技术（FCB） 倒装芯片键合技术
引线键合技术（WB） 一、引线键合技术（WB） 1、引线键合技术概述 、
引线键合技术是将半导体裸芯片（Die） 引线键合技术是将半导体裸芯片（Die）焊区 与微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区 与微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区 I/O Pad）用金属细丝连接起来的工艺技术。 （Pad）用金属细丝连接起来的工艺技术。
2、引线键合技术分类和应用范围 、
Biblioteka Baidu
载带自动键合技术（TAB） 二、载带自动键合技术（TAB） 1、载带自动键合（TAB）技术概述 、载带自动键合（ ）
载带自动焊(Tape Bonding，TAB)技术 技术是 载带自动焊(Tape Automated Bonding，TAB)技术 一种将芯片组装在金属化柔性高分子聚合物载带上的集成 电路封装技术；将芯片焊区与电子封装体外壳的I/O或基板 上的布线焊区用有引线图形金属箔丝连接，是芯片引脚框 架的一种互连工艺。
常用引线键合方式有三种： 常用引线键合方式有三种： 热压键合 超声波键合 热超声波（金丝球）键合 热超声波（金丝球） 特点：低成本、高可靠、高产量等，WB成为芯片互 特点：低成本、高可靠、高产量等，WB成为芯片互 连主要工艺方法，用于下列封装: 连主要工艺方法，用于下列封装: ·陶瓷和塑料BGA、SCP和MCP 陶瓷和塑料BGA、SCP和 陶瓷和塑料BGA ·陶瓷和塑料封装QFP 陶瓷和塑料封装QFP 陶瓷和塑料封装 ·芯片尺寸封装 (CSP) 芯片尺寸封装
3、WB技术作用机理 、 技术作用机理
提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物， 提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，使焊区金 属产生塑性变形，使得引线与被焊面紧密接触， 属产生塑性变形，使得引线与被焊面紧密接触，达到原子 间引力范围并导致界面间原子扩散而形成焊合点。 间引力范围并导致界面间原子扩散而形成焊合点。 引线键合键合接点形状主要有楔形和球形，两键合接 引线键合键合接点形状主要有楔形和球形， 楔形和球形 点形状可以相同或不同。 点形状可以相同或不同。
6、内引线键合 (ILB) 、
内引线键合是将裸芯片组装到TAB载带上的技术， 内引线键合是将裸芯片组装到TAB载带上的技术，通常采 TAB载带上的技术 用热压焊方法。焊接工具是由硬质金属或钻石制成的热电极。 用热压焊方法。焊接工具是由硬质金属或钻石制成的热电极。 当芯片凸点是软金属，而载带Cu箔引线也镀这类金属时，则 当芯片凸点是软金属，而载带Cu箔引线也镀这类金属时， Cu箔引线也镀这类金属时 用“群压焊”。 群压焊”
7、WB可靠性问题 、 可靠性问题
1）金属间化合物形成——常见于Au-Al键合系统，紫斑 金属间化合物形成 和白斑 2）引线弯曲疲劳——引线键合点跟部出现裂纹。 引线弯曲疲劳 3）键合脱离——指键合点颈部断裂造成电开路。 键合脱离—— 4）键合点和焊盘腐蚀 腐蚀可导致引线一端或两端完全断开，从而使引线 在封装内自由活动并造成短路。
1、倒装芯片键合技术 、
凸点下金属层(UBM) 凸点下金属层(UBM) 芯片上的凸点，实际上包括凸点及处在凸点和铝电极 芯片上的凸点， 之间的多层金属膜(Under Metallurgy)， 之间的多层金属膜(Under Bump Metallurgy)，一般称为 凸点下金属层，主要起到粘附和扩散阻挡的作用。 粘附和扩散阻挡的作用 凸点下金属层，主要起到粘附和扩散阻挡的作用。
TAB关键技术 凸点制作 关键技术-凸点制作 关键技术
5、载带制作工艺实例 、载带制作工艺实例—Cu箔单层带 箔单层带
1）冲制标准定位传送孔 Cu箔清洗 2） Cu箔清洗 50~70 Cu箔叠层 3） Cu箔叠层 m Cu箔涂光刻胶 双面） 箔涂光刻胶（ 4）Cu箔涂光刻胶（双面） 5）刻蚀形成Cu线图样 刻蚀形成Cu线图样 Cu 6）导电图样Cu镀锡退火 导电图样Cu镀锡退火 Cu镀锡
6、WB线材及其可靠度 、 线材及其可靠度
键合对金属材料特性的要求： 键合对金属材料特性的要求： 可塑性好，易保持一定形状， 可塑性好，易保持一定形状，化学稳定性 尽量少形成金属间化合物， 好；尽量少形成金属间化合物，键合引线和焊 盘金属间形成低电阻欧姆接触。 盘金属间形成低电阻欧姆接触。 低电阻欧姆接触 柯肯达尔效应： 柯肯达尔效应：两种扩散速率不同的金属交互 扩散形成缺陷： Al-Au键合后 Au向Al中迅速 键合后， 扩散形成缺陷：如Al-Au键合后，Au向Al中迅速 扩散，产生接触面空洞。 扩散，产生接触面空洞。通过控制键合时间和 温度可较少此现象。 温度可较少此现象。
倒装芯片键合技术（FCB） 三、倒装芯片键合技术（FCB） 1、倒装芯片键合技术 、
倒装芯片键合（FCB）是指将裸芯片面朝下， 倒装芯片键合（FCB）是指将裸芯片面朝下，芯片焊区与 将裸芯片面朝下 基板焊区直接互连的一种键合方法： 基板焊区直接互连的一种键合方法：通过芯片上的凸点直接 将元器件朝下互连到基板、载体或者电路板上。 WB和TAB则 将元器件朝下互连到基板、载体或者电路板上。而WB和TAB则 是将芯片面朝上进行互连的。 是将芯片面朝上进行互连的。由于芯片通过凸点直接连接基 朝上进行互连的 板和载体上，倒装芯片又称为DCA（Direct Chip Attach ） 板和载体上，倒装芯片又称为DCA（ DCA FCB省掉了互连引线，互连线产生的互连电容、 FCB省掉了互连引线，互连线产生的互连电容、电阻和电 省掉了互连引线 感均比WB和TAB小很多，电性能优越。 感均比WB和TAB小很多，电性能优越。 WB 小很多
2、TAB技术分类 、 技术分类
TAB按其结构和形状可分为：Cu箔单层带、 TAB按其结构和形状可分为：Cu箔单层带、 按其结构和形状可分为 箔单层带 Cu-PI双层带、Cu-粘接剂-PI三层带和Cu-PI三层带和Cu Cu-PI双层带、Cu-粘接剂-PI三层带和Cu-PI-Cu 双层带 双金属带等四种。 双金属带等四种。
载带自动键合（ 载带自动键合（TAB）技术 ）
TAB技术首先在高聚物上做好元件引脚的引线 TAB技术首先在高聚物上做好元件引脚的引线 技术首先在高聚物上做好元件引脚的 框架，然后将芯片按其键合区对应放在上面， 框架，然后将芯片按其键合区对应放在上面，然 后通过热电极一次将所有的引线进行键合。 后通过热电极一次将所有的引线进行键合。 热电极一次将所有的引线进行键合 TAB工艺主要是先在芯片上形成凸点， TAB工艺主要是先在芯片上形成凸点，将芯片 工艺主要是先在芯片上形成凸点 上的凸点同载带上的焊点通过引线压焊机自动的 键合在一起，然后对芯片进行密封保护。 键合在一起，然后对芯片进行密封保护。
4、引线键合接点外形 、
球形键合
第一键合点
第二键合点
楔形键合
第一键合点
第二键合点
5、引线键合技术实例 、
采用导线键合的芯片互连
6、WB线材及其可靠度 、 线材及其可靠度
不同键合方法采用的键合材料也有所不同： 不同键合方法采用的键合材料也有所不同： 热压键合和金丝球键合主要选用金（Au） 热压键合和金丝球键合主要选用金（Au） 超声键合则主要采用铝（Al）丝和Si Al丝 Si丝，超声键合则主要采用铝（Al）丝和Si-Al丝 （Al-Mg-Si、Al-Cu等） Al-Mg-Si、Al-Cu等 99. 键 合 金 丝 是 指 纯 度 约 为 99.99 ％ ， 线 径 为 50μm的高纯金合金丝，为了增加机械强度， μm的高纯金合金丝 l8～50μm的高纯金合金丝，为了增加机械强度， 金丝中往往加入铍(Be)或铜。 金丝中往往加入铍(Be)或铜。 或铜
3、TAB技术工艺流程 、 技术工艺流程
3、TAB技术工艺流程 、 技术工艺流程
3、TAB技术工艺流程 、 技术工艺流程
4、TAB关键技术 、 关键技术
TAB工艺关键部分有：芯片凸点制作、TAB载带 TAB工艺关键部分有：芯片凸点制作、TAB载带 工艺关键部分有 制作和内、外引线焊接等 制作和内、外引线焊接等。
3、WB技术作用机理 、 技术作用机理
超声波键合：超声波发生器使劈刀发生水平弹性振动， （1）超声波键合：超声波发生器使劈刀发生水平弹性振动， 同时施加向下压力。 同时施加向下压力 。 劈刀在两种力作用下带动引线在焊区 金属表面迅速摩擦， 引线发生塑性变形， 金属表面迅速摩擦 ， 引线发生塑性变形 ， 与键合区紧密接 触完成焊接。常用于Al丝键合，键合点两端都是楔形 。 触完成焊接。常用于Al丝键合，键合点两端都是楔形 Al丝键合 两端都是 热压键合：利用加压和加热， （2）热压键合：利用加压和加热，使金属丝与焊区接触面 原子间达到原子引力范围， 实现键合。 一端是球形， 原子间达到原子引力范围 ， 实现键合 。 一端是球形 ， 一端 常用于Au丝键合。 Au丝键合 是楔形 ，常用于Au丝键合。 金丝球键合：用于Au Cu丝的键合 采用超声波能量， Au和 丝的键合。 （3）金丝球键合：用于Au和Cu丝的键合。采用超声波能量， 键合时要提供外加热源。 键合时要提供外加热源。
8、TAB技术的关键材料 、 技术的关键材料
TAB金属材料 2）TAB金属材料 制作TAB引线图形的金属材料常用Cu箔 制作TAB引线图形的金属材料常用Cu箔，少数 TAB引线图形的金属材料常用Cu 采用Al箔 导热性和导电性及机械强度、延展性。 采用Al箔：导热性和导电性及机械强度、延展性。 Al 3）凸点金属材料 芯片焊区金属通常为Al， 芯片焊区金属通常为Al，在金属膜外部淀积制 Al 作粘附层和钝化层，防止凸点金属与Al互扩散。典 作粘附层和钝化层，防止凸点金属与Al互扩散。 Al互扩散 型的凸点金属材料多为Au或Au合金 合金。 型的凸点金属材料多为Au或Au合金。 Au
8、TAB技术的关键材料 、 技术的关键材料
9、TAB的优点 、 的优点
1）TAB结构轻、薄、短、小，封装高度<1mm TAB结构轻、 结构轻 封装高度<1mm 2）TAB电极尺寸、电极与焊区间距较之WB小 TAB电极尺寸、电极与焊区间距较之WB小 电极尺寸 WB 3）TAB容纳I/O引脚数更多，安装密度高 TAB容纳I/O引脚数更多， 容纳I/O引脚数更多 4）TAB引线电阻、电容、电感小，有更好的电性能 TAB引线电阻、电容、电感小， 引线电阻 5）可对裸芯片进行筛选和测试 6）采用Cu箔引线，导电导热好，机械强度高 采用Cu箔引线，导电导热好， Cu箔引线 7）TAB键合点抗键合拉力比WB高（3-10倍） TAB键合点抗键合拉力比WB高 10倍 键合点抗键合拉力比WB 8）TAB采用标准化卷轴长带，对芯片实行多点一次焊接， TAB采用标准化卷轴长带，对芯片实行多点一次焊接， 采用标准化卷轴长带 自动化程度高
前课回顾
1.集成电路芯片封装工艺流程 1.集成电路芯片封装工艺流程
2.成型技术分类及其原理 2.成型技术分类及其原理
转移成型技术（ ）、喷射成型技术 转移成型技术（Transfer Molding）、喷射成型技术 ）、 ）、预成型技术 （Inject Molding）、预成型技术（Pre-Molding） ）、预成型技术（ ）
TAB关键技术 封胶保护 关键技术-封胶保护 关键技术
环氧树脂： 环氧树脂： 盖印或点胶
然后，筛选与测试 然后，
7、外引线键合 OLB 、
测试完成
8、TAB技术的关键材料 、 技术的关键材料
1）基带材料 基带材料要求高温性能好、热匹配性好、 基带材料要求高温性能好、热匹配性好、收 缩率小、机械强度高等，聚酰亚胺（PI） 缩率小、机械强度高等，聚酰亚胺（PI）是良好 的基带材料，但成本较高，此外，可采用聚酯类 的基带材料，但成本较高，此外， 材料作为基带。 材料作为基带。
3.常见芯片互连方法有哪些？ 3.常见芯片互连方法有哪些？ 常见芯片互连方法有哪些
主要内容
引线键合技术（WB） 一、引线键合技术（WB） 二、载带自动键合技术（TAB） 载带自动键合技术（TAB） 载带自动键合技术 三、倒装芯片键合技术（FCB） 倒装芯片键合技术（FCB） 倒装芯片键合技术
引线键合技术（WB） 一、引线键合技术（WB） 1、引线键合技术概述 、
引线键合技术是将半导体裸芯片（Die） 引线键合技术是将半导体裸芯片（Die）焊区 与微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区 与微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区 I/O Pad）用金属细丝连接起来的工艺技术。 （Pad）用金属细丝连接起来的工艺技术。
2、引线键合技术分类和应用范围 、
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载带自动键合技术（TAB） 二、载带自动键合技术（TAB） 1、载带自动键合（TAB）技术概述 、载带自动键合（ ）
载带自动焊(Tape Bonding，TAB)技术 技术是 载带自动焊(Tape Automated Bonding，TAB)技术 一种将芯片组装在金属化柔性高分子聚合物载带上的集成 电路封装技术；将芯片焊区与电子封装体外壳的I/O或基板 上的布线焊区用有引线图形金属箔丝连接，是芯片引脚框 架的一种互连工艺。
常用引线键合方式有三种： 常用引线键合方式有三种： 热压键合 超声波键合 热超声波（金丝球）键合 热超声波（金丝球） 特点：低成本、高可靠、高产量等，WB成为芯片互 特点：低成本、高可靠、高产量等，WB成为芯片互 连主要工艺方法，用于下列封装: 连主要工艺方法，用于下列封装: ·陶瓷和塑料BGA、SCP和MCP 陶瓷和塑料BGA、SCP和 陶瓷和塑料BGA ·陶瓷和塑料封装QFP 陶瓷和塑料封装QFP 陶瓷和塑料封装 ·芯片尺寸封装 (CSP) 芯片尺寸封装
3、WB技术作用机理 、 技术作用机理
提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物， 提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，使焊区金 属产生塑性变形，使得引线与被焊面紧密接触， 属产生塑性变形，使得引线与被焊面紧密接触，达到原子 间引力范围并导致界面间原子扩散而形成焊合点。 间引力范围并导致界面间原子扩散而形成焊合点。 引线键合键合接点形状主要有楔形和球形，两键合接 引线键合键合接点形状主要有楔形和球形， 楔形和球形 点形状可以相同或不同。 点形状可以相同或不同。
6、内引线键合 (ILB) 、
内引线键合是将裸芯片组装到TAB载带上的技术， 内引线键合是将裸芯片组装到TAB载带上的技术，通常采 TAB载带上的技术 用热压焊方法。焊接工具是由硬质金属或钻石制成的热电极。 用热压焊方法。焊接工具是由硬质金属或钻石制成的热电极。 当芯片凸点是软金属，而载带Cu箔引线也镀这类金属时，则 当芯片凸点是软金属，而载带Cu箔引线也镀这类金属时， Cu箔引线也镀这类金属时 用“群压焊”。 群压焊”
7、WB可靠性问题 、 可靠性问题
1）金属间化合物形成——常见于Au-Al键合系统，紫斑 金属间化合物形成 和白斑 2）引线弯曲疲劳——引线键合点跟部出现裂纹。 引线弯曲疲劳 3）键合脱离——指键合点颈部断裂造成电开路。 键合脱离—— 4）键合点和焊盘腐蚀 腐蚀可导致引线一端或两端完全断开，从而使引线 在封装内自由活动并造成短路。
1、倒装芯片键合技术 、
凸点下金属层(UBM) 凸点下金属层(UBM) 芯片上的凸点，实际上包括凸点及处在凸点和铝电极 芯片上的凸点， 之间的多层金属膜(Under Metallurgy)， 之间的多层金属膜(Under Bump Metallurgy)，一般称为 凸点下金属层，主要起到粘附和扩散阻挡的作用。 粘附和扩散阻挡的作用 凸点下金属层，主要起到粘附和扩散阻挡的作用。
TAB关键技术 凸点制作 关键技术-凸点制作 关键技术
5、载带制作工艺实例 、载带制作工艺实例—Cu箔单层带 箔单层带
1）冲制标准定位传送孔 Cu箔清洗 2） Cu箔清洗 50~70 Cu箔叠层 3） Cu箔叠层 m Cu箔涂光刻胶 双面） 箔涂光刻胶（ 4）Cu箔涂光刻胶（双面） 5）刻蚀形成Cu线图样 刻蚀形成Cu线图样 Cu 6）导电图样Cu镀锡退火 导电图样Cu镀锡退火 Cu镀锡
6、WB线材及其可靠度 、 线材及其可靠度
键合对金属材料特性的要求： 键合对金属材料特性的要求： 可塑性好，易保持一定形状， 可塑性好，易保持一定形状，化学稳定性 尽量少形成金属间化合物， 好；尽量少形成金属间化合物，键合引线和焊 盘金属间形成低电阻欧姆接触。 盘金属间形成低电阻欧姆接触。 低电阻欧姆接触 柯肯达尔效应： 柯肯达尔效应：两种扩散速率不同的金属交互 扩散形成缺陷： Al-Au键合后 Au向Al中迅速 键合后， 扩散形成缺陷：如Al-Au键合后，Au向Al中迅速 扩散，产生接触面空洞。 扩散，产生接触面空洞。通过控制键合时间和 温度可较少此现象。 温度可较少此现象。
倒装芯片键合技术（FCB） 三、倒装芯片键合技术（FCB） 1、倒装芯片键合技术 、
倒装芯片键合（FCB）是指将裸芯片面朝下， 倒装芯片键合（FCB）是指将裸芯片面朝下，芯片焊区与 将裸芯片面朝下 基板焊区直接互连的一种键合方法： 基板焊区直接互连的一种键合方法：通过芯片上的凸点直接 将元器件朝下互连到基板、载体或者电路板上。 WB和TAB则 将元器件朝下互连到基板、载体或者电路板上。而WB和TAB则 是将芯片面朝上进行互连的。 是将芯片面朝上进行互连的。由于芯片通过凸点直接连接基 朝上进行互连的 板和载体上，倒装芯片又称为DCA（Direct Chip Attach ） 板和载体上，倒装芯片又称为DCA（ DCA FCB省掉了互连引线，互连线产生的互连电容、 FCB省掉了互连引线，互连线产生的互连电容、电阻和电 省掉了互连引线 感均比WB和TAB小很多，电性能优越。 感均比WB和TAB小很多，电性能优越。 WB 小很多
2、TAB技术分类 、 技术分类
TAB按其结构和形状可分为：Cu箔单层带、 TAB按其结构和形状可分为：Cu箔单层带、 按其结构和形状可分为 箔单层带 Cu-PI双层带、Cu-粘接剂-PI三层带和Cu-PI三层带和Cu Cu-PI双层带、Cu-粘接剂-PI三层带和Cu-PI-Cu 双层带 双金属带等四种。 双金属带等四种。
载带自动键合（ 载带自动键合（TAB）技术 ）
TAB技术首先在高聚物上做好元件引脚的引线 TAB技术首先在高聚物上做好元件引脚的引线 技术首先在高聚物上做好元件引脚的 框架，然后将芯片按其键合区对应放在上面， 框架，然后将芯片按其键合区对应放在上面，然 后通过热电极一次将所有的引线进行键合。 后通过热电极一次将所有的引线进行键合。 热电极一次将所有的引线进行键合 TAB工艺主要是先在芯片上形成凸点， TAB工艺主要是先在芯片上形成凸点，将芯片 工艺主要是先在芯片上形成凸点 上的凸点同载带上的焊点通过引线压焊机自动的 键合在一起，然后对芯片进行密封保护。 键合在一起，然后对芯片进行密封保护。
4、引线键合接点外形 、
球形键合
第一键合点
第二键合点
楔形键合
第一键合点
第二键合点
5、引线键合技术实例 、
采用导线键合的芯片互连
6、WB线材及其可靠度 、 线材及其可靠度
不同键合方法采用的键合材料也有所不同： 不同键合方法采用的键合材料也有所不同： 热压键合和金丝球键合主要选用金（Au） 热压键合和金丝球键合主要选用金（Au） 超声键合则主要采用铝（Al）丝和Si Al丝 Si丝，超声键合则主要采用铝（Al）丝和Si-Al丝 （Al-Mg-Si、Al-Cu等） Al-Mg-Si、Al-Cu等 99. 键 合 金 丝 是 指 纯 度 约 为 99.99 ％ ， 线 径 为 50μm的高纯金合金丝，为了增加机械强度， μm的高纯金合金丝 l8～50μm的高纯金合金丝，为了增加机械强度， 金丝中往往加入铍(Be)或铜。 金丝中往往加入铍(Be)或铜。 或铜
3、TAB技术工艺流程 、 技术工艺流程
3、TAB技术工艺流程 、 技术工艺流程
3、TAB技术工艺流程 、 技术工艺流程
4、TAB关键技术 、 关键技术
TAB工艺关键部分有：芯片凸点制作、TAB载带 TAB工艺关键部分有：芯片凸点制作、TAB载带 工艺关键部分有 制作和内、外引线焊接等 制作和内、外引线焊接等。
3、WB技术作用机理 、 技术作用机理
超声波键合：超声波发生器使劈刀发生水平弹性振动， （1）超声波键合：超声波发生器使劈刀发生水平弹性振动， 同时施加向下压力。 同时施加向下压力 。 劈刀在两种力作用下带动引线在焊区 金属表面迅速摩擦， 引线发生塑性变形， 金属表面迅速摩擦 ， 引线发生塑性变形 ， 与键合区紧密接 触完成焊接。常用于Al丝键合，键合点两端都是楔形 。 触完成焊接。常用于Al丝键合，键合点两端都是楔形 Al丝键合 两端都是 热压键合：利用加压和加热， （2）热压键合：利用加压和加热，使金属丝与焊区接触面 原子间达到原子引力范围， 实现键合。 一端是球形， 原子间达到原子引力范围 ， 实现键合 。 一端是球形 ， 一端 常用于Au丝键合。 Au丝键合 是楔形 ，常用于Au丝键合。 金丝球键合：用于Au Cu丝的键合 采用超声波能量， Au和 丝的键合。 （3）金丝球键合：用于Au和Cu丝的键合。采用超声波能量， 键合时要提供外加热源。 键合时要提供外加热源。
8、TAB技术的关键材料 、 技术的关键材料
TAB金属材料 2）TAB金属材料 制作TAB引线图形的金属材料常用Cu箔 制作TAB引线图形的金属材料常用Cu箔，少数 TAB引线图形的金属材料常用Cu 采用Al箔 导热性和导电性及机械强度、延展性。 采用Al箔：导热性和导电性及机械强度、延展性。 Al 3）凸点金属材料 芯片焊区金属通常为Al， 芯片焊区金属通常为Al，在金属膜外部淀积制 Al 作粘附层和钝化层，防止凸点金属与Al互扩散。典 作粘附层和钝化层，防止凸点金属与Al互扩散。 Al互扩散 型的凸点金属材料多为Au或Au合金 合金。 型的凸点金属材料多为Au或Au合金。 Au
8、TAB技术的关键材料 、 技术的关键材料
9、TAB的优点 、 的优点
1）TAB结构轻、薄、短、小，封装高度<1mm TAB结构轻、 结构轻 封装高度<1mm 2）TAB电极尺寸、电极与焊区间距较之WB小 TAB电极尺寸、电极与焊区间距较之WB小 电极尺寸 WB 3）TAB容纳I/O引脚数更多，安装密度高 TAB容纳I/O引脚数更多， 容纳I/O引脚数更多 4）TAB引线电阻、电容、电感小，有更好的电性能 TAB引线电阻、电容、电感小， 引线电阻 5）可对裸芯片进行筛选和测试 6）采用Cu箔引线，导电导热好，机械强度高 采用Cu箔引线，导电导热好， Cu箔引线 7）TAB键合点抗键合拉力比WB高（3-10倍） TAB键合点抗键合拉力比WB高 10倍 键合点抗键合拉力比WB 8）TAB采用标准化卷轴长带，对芯片实行多点一次焊接， TAB采用标准化卷轴长带，对芯片实行多点一次焊接， 采用标准化卷轴长带 自动化程度高