4——东京工大细野秀雄

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吉田秀雄

吉田秀雄

吉田秀雄最大的特色是对人才的重视。他唯才是聘,是个人才收集狂。吉田秀雄曾如此批评日本另一家广告公司博报堂的人才政策:“战后博报堂经营干部极为消极,对于在战时离职战后回来的旧有职员也不加以收留。”对招收的人才,电通有极为严格的进修制度,对初级职员主要是培养必要的基本知识与管理技术素质,对中级职员主要培养现代经营能力,对最高级职员则努力培养其自我启发的能力。电能奉行“广告是人”的经营哲学,公司的职员每隔几年有10天出差学习的机会,每半年便选拔全公司的2名优秀职员出国学习。吉田秀雄是个与部属有交流瓣“独裁者”,即使部属令其难堪,只要是个人才也善加照顾;当不得已降调部属时也倍加爱护,不损伤其自尊心;当部属长期生病时,吉田并不随便开除而是待其痊愈并加以安慰;吉田对部属常常会问“令尊好吗?”,令部属倍感亲切。吉田也经常斥责属下,然而令属下感到激励而非其他:每次骂完部属,吉田总是将他们叫到总经理室,赠送他们礼物或宣布对他们的晋升。电通中流传着这样的话:“不被吉田社长斥责的人,前途黯淡矣!”吉田秀雄曾这样勉励部属:“我们这些耄耄的干部迟早总要离开这个世界的。在诸位当中,如有人信奉广告为天职,在广告之中感到人生乐趣,在电通的城池里有誓死而战的气概与才能,而最有勇气的人将毫无疑问地会被选为新的总经理。电能不属于任何人,是属于诸位的!”
吉田秀雄1930年出生于日本的九州小仓。少年丧父,家境贫寒。在上小学期间他就给当 地报社做报纸派送员。不过,此人好学,向来以“将来要做大臣”的雄心激励自己。
1928年,吉田秀雄从东京帝国大学(现在的东京大学)毕业,正遇日本经济不景气,工作 不好 找,就到了株式会社日本电报通信社(现在的日本电通)应聘。据说面试不到一分钟就被录用 了,安置在营业部的地方内勤科工作。当时日本广告行业的社会地位很低,被视为“贱业” 。

石黑一雄是谁

石黑一雄是谁

石黑一雄是谁石黑一雄是一位日本画家,被誉为“现代的歌川国芳”。

他于1901年出生在日本东京市,是家中的长子。

石黑一雄从小就表现出对绘画的浓厚兴趣,在兄弟姐妹中独树一帜。

他的父亲是一位商人,对儿子的兴趣没有过多干涉,反而支持他的艺术追求。

石黑一雄最早就读于东京美术学校,这也是日本最早的艺术学府之一。

在学校中,他受到了传统日本绘画的深深影响,特别是对于浮世绘的痴迷。

他认为浮世绘的创作技法和题材是绘画的极大丰富,为自己未来的路线奠定了基础。

在石黑一雄的作品中,可以看到他对人物的描绘非常细腻且富有表现力。

他擅长通过人物的面部表情和肢体语言来传达情感。

尤其是在他的系列作品《丰臣秀吉浮世绘》中,他通过丰富多样的面部表情和细腻的线条,将丰臣秀吉的强烈个性完美地展现出来。

除了人物画之外,石黑一雄也善于描绘风景和动物。

他的风景画常常给人一种恬静的感觉,能够让观者陶醉其中。

他的动物画则展示了他对生命的热爱和对自然界的敬畏。

石黑一雄的作品被广泛收藏,并且在国内外举办了多次个展。

他的作品不仅在日本国内受到瞩目,也受到了国际上的赞赏。

他曾于1951年获得《毎日新聞》的美术奖,并于1956年被任命为日本艺术院院长。

石黑一雄在艺术生涯中,始终坚持以传统绘画为基础,并在其中加入了自己的创新和想法。

他追求的不仅是画面的美感,更是通过绘画来表达自己对世界和生命的感悟。

这种深刻的艺术表达令人由衷敬佩。

石黑一雄去世于1991年,享年90岁。

虽然他已经离开了人世,但他的作品和对艺术的热爱将永远留在人们心中。

他的绘画给予了人们许多美的享受,也带给了人们对生命和自然的思考。

石黑一雄的艺术成就将永远被铭记。

日本猥琐男优都有哪些

日本猥琐男优都有哪些

日本猥琐男优都有哪些日本猥琐男优是指在色情影片中扮演男主角或表演者的男性演员,他们以猥亵、淫乱的形象出现。

下面是对一些日本猥琐男优的简要描述:1. 秋元光晴(Akimoto Mitsuharu):他在色情影片中以表现出各种猥亵、冷酷的形象而出名。

2. 永田愛一(Nagata Aikichi):他以扮演淫乱、邪恶的男人形象而知名,作品中经常出现强奸、调教等内容。

3. 丰田家信(Toyota Ienobu):他的角色通常是既猥亵又愚蠢的男人,擅长演绎色情喜剧。

4. 泷本实波(Sasamoto Minami):他是一位经验丰富的男优,以扮演淫乱、邪恶的角色而闻名。

5. 三原香奈(Mihara 楓):他是一位魁梧的男优,以其阳刚的形象和强烈的性欲而受到观众的喜爱。

6. 高野县弘(Takano Hiromu):他通常出演调教和SM相关的影片,以演绎变态的角色而闻名。

7.桐生佳奈(Kiryu Yoshihisa):他在色情影片中经常扮演猥亵男人的角色,尤其擅长演绎强奸和迷奸的场景。

8.樱庭川秀明(Sakuraba 川 Hideto ):他通常扮演猥亵恶男的角色,以其特殊的表演风格而受到观众的喜爱。

9.佐藤贺一(Satou Kazuichi):他经常演绎各种特殊的角色,如变态医生、恶劣老板等,以独特的演技获得了认可。

10.木下二郎(Kinoshita Jiro):他的角色常常是猥亵、卑劣的男人形象,擅长扮演色情片中的反派。

这只是对一些日本猥琐男优的简要描述,实际上,日本色情产业中存在许多其他的男优,他们从事各种各样的表演角色。

尽管这些男优的形象和表演风格多样,但他们都在色情影片中扮演引人注目且不同寻常的角色,带给观众强烈的色情刺激。

对于这些男优的评价因人而异,但无论如何,他们都是日本色情产业中不可忽视的一部分。

堀 辰雄

堀 辰雄

堀 辰雄(ほり たつお、1904年(明治37年)12月28日 - 1953年(昭和28年)5月28日)は、昭和初期に活躍した日本の作家。

東京出身。

目次[非表示]∙ 1 経歴 ∙ 2 脚注 ∙ 3 主な作品 ∙ 4 著書 ∙ 5 翻訳∙6 外部リンク経歴 [編集]東京麹町区平河町とうきょうこうじまちくひらかわちょう生まれ。

実父じっぷ・堀浜之助ほりはまのすけは、広島藩の士族で、維新後上京、裁判所に勤めていた。

母・西村志気にしむらしきは、東京の町家の娘。

浜之助には妻こうがいたが子がなく、堀家ほりけの嫡男ちゃくなんとして届けられる。

辰雄二歳の時、志気が辰雄を連れて堀家を去り、四歳の時、彫金師ちょうきんしの上條松吉かみじょうまつきちに嫁かした[1]。

府立三中から第一高等学校へ入学。

入学とともに神西清かみにしきよしと知り合い、終生の友人となる。

また、高校在学中に室生犀星むろうさいせいや芥川龍之介あくたがわりゅうのすけの知遇ちぐうを得る。

一方で、関東大震災の際に母を失うという経験もあり、その後の彼の文学を形作かたちづくったのがこの期間きかんであったといえる。

東京帝国大学文学部国文科入学後、中野重治なかのしげはるや窪川鶴次郎くぼかわつるじろうたちと知しり合あうかたわら、小林秀雄こばやしひでおや永井龍男ながいたつおらの同人誌どうじんし『(山繭やままゆ』)にも関係かんけいし、プロレタリゕぷろれたりあ文学派ぶんがくはと芸術派げいじゅつはという、昭和文学しょうわぶんがくを代表だいひょうする流れの両方とのつながりをもった。

堀の作品の独特の雰囲気は、この両者からの影響をうけたことともつながっている。

1926年に中野重治なかのしげはるらと同人誌どうじんし『(驢馬ろば』)を創刊そうかん。

このころは、『、(水族館すいぞくかん』)などのモダニズムの影響えいきょうを強つよくもった作品さくひんもある。

1927年、芥川龍之介が自殺し、大きなショックを受ける。

名人责任心的小故事

名人责任心的小故事

名人责任心的小故事有一种力量是从你那个跳动的心中发出的,它会指引你去做你认为重要的事,并且一定会竭尽全力,这就是责任心。

下面是店铺为您整理的名人责任心的小故事,希望对你有所帮助!名人责任心的小故事篇一周恩来12岁那年,因家里贫困,只好离开苏北老家,跟伯父到沈阳去读书。

伯父带他下火车时,指着一片繁华的市区说:“没事不要到这里来玩,这里是外国租界地,惹出麻烦,没处说理啊!”周恩来奇怪地问:“这是为什么?”伯父沉重地说:“中华不振啊!”周恩来一直想着伯父的话,为什么在中国土地上的这块地方,中国人却不能去?他偏要进去看个究竟。

一个星期天,他约了一个好朋友,一起到租界地去了。

这里确实与其他地方不同,楼房样子奇特。

街上的行人中,中国人很少。

忽然,从前面传来喧嚷声,他俩跑过去看。

在巡警局门前,一个衣衫褴褛的妇女,正在向两个穿黑制服的中国巡警哭诉,旁边还站着两个趾高气扬的洋人。

他俩听了一阵就明白了,这位妇女的丈夫被洋人的汽车轧死了,中国巡警不但不扣住洋人,还说中国人妨碍了交通。

周围的中国人都忿忿不平,心怀正义感的周恩来拉着同学上前质问巡警:“为什么不制裁洋人?”巡警气势汹汹地说:“小孩子懂什么?这是治外法权的规定!”说完走进巡警局,砰的一声把门死死关上。

从租界地回来,周恩来心情很沉重,他常常站在窗前向租界地方向远远地望着,沉思着。

一次,校长来给大家上课,问同学们:“你们为什么读书?”有的说:“为明礼而读书。

”有的说:“为做官而读书。

”有的说:“为父母而读书。

”有的说:“为挣钱而读书。

”当问到周恩来的时候,他清晰有力地回答:“为中华之崛起而读书!”校长震惊了,他没料到,一个十几岁的孩子,竟有这样大的志气。

周恩来在沈阳读小学的三年中,学习成绩始终名列前茅。

他的作文曾被送到省里,作为小学生的模范作文,还被编进两本书里。

15岁那年,周恩来以优异成绩考进天津南开中学。

那时,伯父的生活也很困难,他就利用节假日,给学校抄写材料,挣一点钱来做饭费。

八年级语文上册第6课《藤野先生》课件(2)

八年级语文上册第6课《藤野先生》课件(2)
写我离开仙台后对藤野先 生的怀念之情,以及先生 的崇高精神对我的激励与 鼓励。
你认为课文的叙述线索是什么?课文式环绕什么中心选材的?
叙事线 索
作者与藤野先生的交往 (相识-相处-离别-怀念)
中心选 材
环绕表现藤野先生的崇高品质这一中心组织材料
双线结构 明线:作者与藤野先生的交往。 暗线:作者思想感情的变化(作者的爱国情 感-弃医从文)
(1)表明地点转换的语句: 东京也无非是这样 我就往仙台的医学专门学校去 我离开仙台之后。 重点写了在仙台与藤野先生的交往
东京
仙台
北京
相识
相处
离别
根据时间的推移、地点的转换和事件产生的先后顺序,全文共分三段:
第一部分(1-3) 写我在东京的见闻及感受,以及转到仙台求学 的原因。
第二部分(4-35) 这是全文的主体部分,写我在仙 台结识藤野先生,受先生教益, 赞扬先生的崇高品质,以及我弃 医学文的原因。
板书设计
初识藤野——衣着简朴
添改讲义——认真负责
藤 藤野先生 纠正解剖图——严谨治学
野 先 生
关心解剖实习——尊重关心 了解女人裹脚——探究求实
鲁迅:专心求学 爱国 有很强的自尊心
课文除直接写藤野先生外,还写了哪些内容?
1、在东京清国留学生赏樱花、学跳舞的恶浊、庸俗的生活。 2、赴仙台途中对日暮里和水户的深刻印象。 3、受到仙台医专的职员的有待。 4、日本爱国青年的寻衅和看电影事件 5、弃医从文的思想的转变
“我”是一个东渡 日本留学、专心求学、 有较强的自尊心和爱国 情怀的学生。
6 藤野先生
学习目标
知识与技能:了解文章环绕中心取材,以时间为顺序,明暗 两条线索相结合进行记叙的特点。学习选择典型事例突出人 物品质的写法。

2010fns歌谣祭

2010fns歌谣祭

2010fns歌谣祭2010 FNS 歌谣祭每年的 FNS 歌谣祭都是日本音乐界最具影响力和备受瞩目的音乐盛事之一。

2010 年 FNS 歌谣祭作为其中一届,同样给人们带来了难以忘怀的视听盛宴。

本文将详细回顾2010 FNS 歌谣祭的盛况,并介绍一些当年的经典演出。

2010 FNS 歌谣祭于12月1日和12月8日在日本东京巨蛋举行,共有两个晚上的演出。

每一晚的演出都掀起了一轮又一轮的音乐狂潮,吸引了无数乐迷和观众的关注。

首先,我们来回顾一下开场表演。

2010 FNS 歌谣祭的开场表演可谓非常精彩。

由 SMAP、嵐、东方神起、草食男子、A.B.C-Z 和Sexy Zone 组成的巨大联合军团齐聚一堂,共同以一曲《LIVE! 生命假设》开启了整场演出的序幕。

这是一首富有朝气和正能量的歌曲,充满了对音乐和生活的热爱,完美地配合了开场的氛围。

由六个团体的成员们热情四溢的演出让整个巨蛋都沸腾了起来,瞬间将所有观众都带入了歌舞的世界。

随后,2010 FNS 歌谣祭还为观众带来了许多精彩的合作演出。

其中一次备受瞩目的合作演出是三浦大知与 JUJU 的表演。

这个出乎意料的组合给观众带来了一场完全不同寻常的视听盛宴。

他们合作演唱的《Hello, Again ~昔からある場所~》展现了两位艺人魅力十足的歌声,将这首经典的日本流行曲演绎得更加动情。

他们的表演充满了感情的交融,舞台上的互动更是让观众们目不转睛。

这次合作演出也引起了观众们的一片赞叹和掌声。

除了精彩的合作表演,2010 FNS 歌谣祭还展示了许多艺人们个人的实力。

例如,当年以其独特嗓音和个人魅力而闻名的绚香,在歌曲《勇气》中完美展现了她的演唱实力。

她的独特嗓音透过歌曲表达出的情感让人动容。

此外,知名歌手福山雅治也在当晚带来了一场令人印象深刻的演出。

他演唱的《桜坂》以其悠扬的旋律和深情的演唱风格触动了观众的心弦,赢得了全场一致的赞誉。

当然,2010 FNS 歌谣祭的亮点之一还是颁奖环节。

东京工业大学

东京工业大学
建筑学(Architecture & Building Engineering):华盛顿大学建筑与城市规划学院(Dept. of Architecture, School of Architecture & Urban Planning, University of Washington);墨尔本皇家 理工大学建筑与设计学院(School of Architecture and Design, Faculty of Infrastructure and Environment, Royal Melbourne Institute of Technology)
白川英树为2000年诺贝尔化学奖得主,获奖时为筑波大学名誉教授,也是20世纪最后一位日本人诺贝尔奖得 主。大隅良典为2016年诺贝尔生理学或医学奖得主。细野秀雄名列诺贝尔物理学奖的有力候选人。另有5人曾名 列诺贝尔奖的有力候选人。
东京工业大学同世界多所大学有交流合作事宜。 各领域的学术合作校如下:
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
办学条件
院系专业
办学模式
2016年4月,东京工业大学首次将本科生学院和研究生院合并为一所“学院”。 院系设置
产学研结合 TOKYO TECH 2030(2张)东京工业大学十分注重产学研结合,并且持有很多专利。在日本专利厅最新发表的 统计数据中,作为理工大学(没有文学部,法学部,医学部等)的东京工业大学,在日本所有大学(包括综合性 大学)中专利注册数量排名第1 。 学分互换 庆应义塾大学(辅修学位制度、学分互换、学生交流) 四大学联合协定大学:一桥大学,东京医科牙科大学,东京外国语大学 联合培养 与清华大学研究生(硕士、博士)联合培养项目
机械科学(Mechanical Engineering):斯坦福大学工学院(Dept.

超导体

超导体

(3) “111”体系
“111”体系, 成员包括AfeAs (A = Li, Na)等。“111”体 系最开始被发现的时候被认为不存在类似于“1111”和 “122”体系中的结构相变和反铁磁相变. 相反,一些研 究结果建议它很可能在未掺杂的情况下就已经处于超 导态. 然而对于NaFeAs粉末和单晶的中子散射实验表 明 ,NaFeAs 样品( Tc = 23 K) 仍然存在着正方相到正交相 的结构相变以及与“122”体系具有相同磁结构的反铁 磁相变,而后者比前者的转变温度要低超过10 K. 但是无 论是结构畸变的大小还是反铁磁布拉格峰的强度都很 弱. 实际上, 其铁自旋的磁矩只有0. 09 ±0. 04μB . NaFeAs 与极度欠掺杂的“122”体系有很多相似之处, 这也暗示着其超导相和反铁磁相的共存很可能来源于 某种自掺杂, 例如Na 缺陷.需要指出的是, 这一结果并未 排除LiFeAs 仍然不存在结构和反铁磁相变的可能, 尤其 是考虑到它具有所有体系中最短的Fe - Fe 键长, 从而很 可能导致其Fe - Fe 之间的相互作用非常强烈, 抑制反铁 磁的形成 . 而最终可能还是需要LiFeAs 单晶样品才能够 成功地解决这一问题.
(2)“122”体系
“122”体系, 成员包括AFe2As2 (A = Ba, Sr, K, Cs, Ca, Eu)等。由于 “122”体系的大块单晶很容易生长, 因此目前很多研究都集中在该 体系当中. “122”体系的磁性质在很大程度上和“1111”非常接近. 其晶体结构随着温度降低也经历了从正方相到正交相的相变,其磁 有序的结构也和La2“1111”体系一致, 而其磁矩方向也是沿着a 轴的, 尽管其磁矩大小没有像在“1111”体系中在不同的样品里面非常不 同, 而是维持在1μB 左右.“122”体系和“1111”体系最大的不同也许 体现在磁相变上. 首先, 该系统的磁相变温度和晶格相变温度是相 同的. 其次, 磁布拉格峰强度的温度依赖关系暗示着其磁相变很可 能是一级相变, 尽管在此问题上还有一定的争议。

东京工大细野秀雄-氧化物TFT报告

东京工大细野秀雄-氧化物TFT报告

TAOS-TFTs to drive FPDS Features and Current StatusFPD International in china@ Beijing(Dec 10)Frontier Research Center & Materials and Structures Laboratory (MSL) Tokyo Institute of Technology, Yokohama, JAPAN 1. 2. 3. 4. Large mobility(10-20cm2/Vs) Easy fabrication by sputtering at LT Homogenous (no grain boudary) Optically transparentHideo HOSONOOutline‡ History of Oxide TFT ‡ Unique Characteristics of TAOS How unique and why cf. a-Si:H ‡ Features of a-InGaZnOx-TFT mobility, controllability, stabilization, tail state , negative bias-light illumination(NBL) instability ‡ FPD application ‡ Future issuesOxide TFTs and FPDs1950 1960 1970 1980 1990 2000 20101948 W. Shockley 1951 1960 pn JFET Si MOSFET High Tc Oxide Electronics Amorphous TCO Oxide TFT revival1975 a-Si:H 1979 a-Si:H TFT Commercialization 1983 5“ B/W LCD 1985 10” Color LCD 1961 CdS TFT 1996 Epi-SnO2:Sb (μeff ~1 cm2/Vs) ~1964 poly-SnO2 FET 2003 poly-ZnO TFT rush poly-In2O3 FET (gm=0.3mhos) 2005 LCD panel (Casio) 1968 ZnO FET 2006 AMOLED panel (ETRI) (gm=10mhos) 1995 TAOS 2004/11 TAOS –TFT(TIT) 2005/12 Flexible B/W E-Paper(Toppan) (TIT) 2006/12 Color E-Paper AMOLED panel (LG) 2007/8 AMOLED panel (Samsung) Flexible OLED(LG) 2008/1 AMLCD panel (Samsung)History of amorphous semiconductor and device application1950. 1960. 1970. 1980. 1990. 2000Photoconductivity in a-Se(Xerography) Glassy semicond.(V2O5 based oxide) Chalcogenide glass DVD) Switching and memory effect in a-chal. film a-Si:H ‘Giant-Microelectronics’Flexible electronics ( novel a-sc)Material design concept (electron pathway)covalent semicon. ionic oxide semicon. M:(n-1)d10ns0 (n≥5)crystalamorphousJNCS(1996),Nature(2004)Designing TAOS with a large e-Hall mobilityA TAOS Material : In2O3-Ga2O3-ZnO (IGZO)(Ne x1018cm-3)μHall5s04s04s0Glass substrate @ RTStructureIn-Zn-O (IZO) : > 30 cm2(Vs)-1) In-Ga-Zn-O (IGZO) : > 15 cm2(Vs)-1) J.Non-Cryst.Sol.(2006)Electron Transport Properties of a-IGZOEF>Emobility @ Ne>2x1018cm-3Mobility increases with Ne cf.c-SiTAOS is a first a-semiconductor in which Ef exceeds the mobility gapAPL(2004)Carrier doping in a-Si:HStreet Model(CBM)(PRL 1982)impossible(VBM)ArrowedP SiForbiddenP+ Si-EF cannot exceed the mobility gap by dopingSpear & LeComber, SSC(1975)Carriers are NOT generatedTail State Density from Device simulationa-IGZOAssumption: Constant mobility & two-step subgap DOSsa-Si:H10211018(depletion)(enhancement type)10161016EcDit=0.9×1011 cm-2/eV a-IGZO/a-SiO2 (annealed): S=0.12 V/dec (Dit=2.5x1011 cm-2) a-Si:H/a-SiNx:H (typical) : S=0.4 V/decEcR.A. Street (Ed.), Technology and Applications of Amorphous Silicon, Springer-Verlag, Berlin, 2000APL(2007)a-IGZO TFT on GlassField Effect Mobility μ= 14 cm 2(Vs)-1Cf. a=Si:Hμ=~1cm 2(Vs)-1Deposited by DC sputteringNature (2004), JJAP(2006), J.SID(2006)by substitutional doping a-Si:HglowdischargedSolid State Commun. J.Non-Cryst.Sol.Electron.Lett.sputtered evaporatede O2In-Zn-Ga-O (IGZO)form an extended conduction band by percolation of In 5s orbitals. form an extended conduction band bottom Phys.Rev.B(2006)In 5s 3D-connectedby percolation of In 5s orbitals.as-deposited as-deposited 300◦C annealedUnannealed Dry annealed Wet annealedEc Defect modelSubgap DOS (ATLAS)Wet annealing is effective to reduce subgap DOS.μexp : ~6.0 ~9.5 ~12 (cm 2/Vs)μcalc : ~6.5 ~9.0 ~11 (cm 2/Vs)N TA :~2.5 ~2.8 ~ 3.0(x1017 cm W TA : ~0.15 ~0.115 ~ 0.065 (eV)(a) (b)to λ>460nm Insensitive Cf. Bang gap ~390nmExcitation : hν= 7935.2 eVDetector : Gammadata Scienta Co., R4000-10KV Resolution : ~180 meVFilm surfaceSubgap defect(Peak energy ~2.7eV, width ~1.5eV) d < 2nm: 1020 cm-3VBM(CBM)Subgap state for a-IGZO・Exponential tail and deep states・Tail state DOS (~ 1017 cm-3)Small S-Value (0.1V/dec.)・Localized state (before annealing)・Deep state DOS (~ 1016 cm-3)・High density VB-DOS (> 1020 cm-3)Difficulty of inversion operation Low valence stateBy Hard X-ray PEAsian Mater.(2010)P h ~10cm s P h ~10cm sΔV th ~0 V ΔV th ~-1 V ΔV th >10 V Large V th shift under subgap light illuminationNegative V th shift by light illuminated NBSPositive charges at interface (ΔD it ) for L-NBS (3hours ): Unpassivated : ~3.2×1012 cm -2eV -1Passivated: ~3.7×1011 cm -2eV -1 Photo-induced hole trapping at channel / GI interfacehole or H +Prototype displays using a-IGZO-TFTs Front Drive StructureFront Drive StructureColor Filter ArrayTransparent TFTTransparent TFTArrayDisplay can be viewedDisplay can be viewedthrough transparent TFT array.M. Ito et.al., IEICE Trans. Electron, 90-C, 2105 (2007)IGZO sputter target for G8 26’ LCD (FPD International @Yokohama 2009)@FPD International at Makuhari (Nov.10)Oxide TFTs can be fabricated by heating in ambient atmosphere cf. Si, organicsHow realize the dense amorphous thin films at LT ? The key is the precursor. Collaboration with organic chemistswould be effective.for C-MOS: SnOTogo et al, PRB (2006)P-channel TFTSn5s -O2pO2p Sn5sSRAPL(2008)。

名人事迹小故事5篇

名人事迹小故事5篇

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福田繁雄个人简介及作品赏析

福田繁雄个人简介及作品赏析

平面设计教父-----福田繁雄我最喜欢的设计师是日本的平面设计师福田繁雄。

福田繁雄于1932年出生于东京,1956年毕业于东京艺术大学设计系.日本JAGDA副会长,东京ADC委员,GAI、RDI会员.曾在纽约的IBM画廓、旧金山亚洲博物馆、法国的Quimper近代美术馆等地举办个展.。

福田是继龟仓雄策、早川良雄等日本平面设计大师之后的第二代平面设计师。

无论是在日本,还是在欧洲、美国等地,他都被视为一名设计天才。

福田繁雄与德国设计师岗特兰堡、美国设计师切瓦斯特并称为“世界三大平面设计师。

福田繁雄被誉为“五位一体的视觉创意大师”,即:多才多艺的全能设计人、变幻莫测的视觉魔术师、推陈出新的方法实践家、热情机智的人道关怀者、幽默灵巧的老顽童。

福田的每一种新观念都是他不断探索,尝试不同可能性的方法的结晶。

他总是弃旧图新,并系统地将各种创意、革新加以融会贯通。

每一批作品都反映出他主观想象力的飞跃以及他控制和营造作品的匠心。

他在看似荒谬的视觉形象中透射出一种理性的秩序感和连续性。

由于他在设计理念及实践上的卓越成就,福田繁雄教授被西方设计界誉为“平面设计教父”。

福田的创作范围相当广泛,除了书籍装帧设计、海报、月历、插图、标志设计等之外,也涉及工艺品、雕塑艺术、玩具、建筑壁画、景观造型等各种专业领域。

他所涉及的设计领域,均能将其创作灵感发挥到极至,给人一种印象深刻的视觉美感与艺术表现力,流露其独特的创作魅力。

他的大量的"福田式"的海报作品更为世人所熟知,现在的平面设计书籍中几乎都会出现他的作品。

他善于运用图底转换、矛盾空间等错视原理,以单纯简洁的元素,诙谐幽默的形式,创造出富有哲理性思维的视觉世界。

福田的海报语言简洁、幽默、巧妙并深刻,常以简练的线和面构成,具有强烈的视觉张力,充分显示了他对图形语言的驾驭能力。

福田繁雄先生曾经指出:“设计中不能有多余”。

从这个观点中不难看出他的设计理念与中国传统美学讲究的“恰倒好处”有某一个共通的契合点。

关东军历任司令官和参谋长副参谋长

关东军历任司令官和参谋长副参谋长

关东军历任司令官和参谋长副参谋长历任司令官[1]立花小一郎中将(1919年-1921年)河合操中将(1921年-1922年)尾野実信中将(1922年-1923年)白川义则中将(1923年-1926年)武藤信义大将(1926年-1927年)村冈长太郎中将(1927年-1929年)-皇姑屯事件畑英太郎中将(1929年-1930年)菱刈隆中将(1930年-1931年)本庄繁中将(1931年-1932年)九一八事变武藤信义大将(1932年-1933年)日本承认“满洲国”菱刈隆大将(1933年-1934年)“满洲帝国”成立南次郎大将(1934年-1936年)植田谦吉大将(1936年-1939年)七七事变梅津美治郎大将(1939年-1944年)关东军升格为总军山田乙三大将(1944年-1945年)日本投降时任总司令官,后被苏联红军押到伯力审判。

历任参谋长[1]浜面又助少将(陆士4期:1919年4月12日~1921年3月11日)福原佳哉少将(陆士5期:1921年3月11日~1923年8月6日)川田明治少将(陆士10期:1923年8月6日~1925年12月2日)关东军指挥官斎藤恒少将(陆士10期:1925年12月2日~1928年8月10日)三宅光治少将(陆士13期1928年8月10日~1932年4月11日)桥本虎之助少将(陆士14期1932年4月11日~1932年8月8日)小矶国昭中将(陆士12期1932年8月8日~1934年3月5日)西尾寿造中将(陆士14期1934年3月5日~1936年3月23日)板垣征四郎少将(陆士16期1936年3月23日~1937年3月1日)东条英机中将(陆士17期1937年3月1日~1938年5月30日)矶谷廉介中将(陆士16期1938年6月18日~1939年9月7日)饭村穣中将(陆士21期1939年9月7日~1940年10月22日)木村兵太郎中将(陆士20期1940年10月22日~1941年4月10日)吉本贞一中将(陆士20期1941年4月10日~1942年8月1日)笠原幸雄中将(陆士22期1942年8月1日~1945年4月7日)秦彦三郎中将(陆士24期:1945年4月7日~终战)历任副参谋长冈村宁次少将(陆士16期:1932年8月8日~1934年12月10日)板垣征四郎少将(陆士16期:1934年12月10日~1936年3月23日)今村均少将(陆士19期:1936年3月23日~1937年8月2日)笠原幸雄少将(陆士22期:1937年8月2日~1937年9月27日)石原莞尔少将(陆士21期:1937年9月27日~1938年12月5日)矢野音三郎少将(陆士22期:1938年12月5日~1939年9月7日)远藤三郎少将(陆士26期:1939年9月7日~1940年3月9日)秦彦三郎少将(陆士24期:1940年3月9日~1942年5月9日)吉冈安直少将(陆士25期:1941年5月13日~1941年7月7日)绫部橘树少将(陆士27期:1941年7月7日~1942年7月1日)秦彦三郎少将(陆士24期:1941年7月23日~1942年7月1日)池田纯久少将(陆士28期:1942年7月1日~1945年7月28日;负责情报和政策)田村义富少将(陆士31期:1943年8月2日~1945年2月25日;负责作战部署)松村知胜少将(陆士33期:1945年3月1日~终战;作战担当)四手井纲正中将(陆士27期:1945年7月29日~1945年8月18日;负责情报和政策)其他人事编制高级参谋第1课长※昭和6年10月5日(1931年10月5日)起,任第一课长香椎秀一(陆士6期:大正8年4月12日~大正8年6月28日)高桥小藤治(陆士9期:大正8年6月28日~大正9年4月1日)竹森正一(陆士11期:大正9年4月1日~大正11年8月15日)松井七夫(陆士11期:大正11年8月15日~大正12年11月10日)黒田周一(陆士14期:大正12年11月10日~大正15年3月2日)河本大作(陆士15期:大正15年3月2日~昭和4年5月14日)板垣征四郎(陆士16期:昭和4年5月14日~昭和6年10月5日)石原莞尔(陆士21期:昭和6年10月5日~昭和7年8月8日)斎藤弥平太(陆士19期:昭和7年8月8日~昭和8年8月1日)冢田攻(陆士19期:昭和8年8月1日~昭和10年3月15日)下村定(陆士20期:昭和10年3月15日~昭和10年12月2日)坂西一良(陆士23期:昭和10年12月2日~昭和12年3月1日)绫部橘树(陆士27期:昭和12年3月1日~昭和12年10月30日)安倍克巳(陆士28期:昭和12年10月30日~昭和14年3月9日)寺田雅雄(陆士29期:昭和14年3月9日~昭和14年9月7日)有末次(陆士31期:昭和14年9月7日~昭和15年10月10日)田村义富(陆士31期:昭和15年10月10日~昭和18年8月2日)松村知胜(陆士33期:昭和18年8月2日~终战)作战主任参谋浦澄江中佐(陆士16期:大正12年4月~大正15年3月)役山久义中佐(陆士19期:大正15年8月6日~昭和3年10月10日)石原莞尔少佐(陆士21期:昭和3年10月10日~昭和7年8月8日)远藤三郎少佐(陆士26期:昭和7年8月8日~昭和9年8月1日)河辺虎四郎中佐(陆士24期:昭和9年8月1日~昭和10年8月1日)绫部橘树中佐(陆士27期:昭和10年8月1日~昭和12年10月30日)欠员(昭和12年10月30日~昭和13年3月1日)冈部重一中佐(陆士31期:昭和13年3月1日~昭和14年3月9日)服部卓四郎中佐(陆士34期:昭和14年3月9日~昭和14年9月7日)中山源夫中佐(陆士32期:昭和14年9月7日~昭和15年8月1日)武居清太郎中佐(陆士35期:昭和15年8月1日~昭和18年8月2日)草地贞吾中佐(陆士39期:昭和18年8月2日~终战)情报主任参谋第2课长※昭和16年10月5日(1941年)起,任第2课长桜田武(陆士25期:大正14年8月7日~昭和3年8月10日)花谷正(陆士26期:昭和3年8月10日~昭和4年8月)新井匡夫(陆士26期:昭和4年8月~昭和6年10月5日)板垣征四郎(陆士16期:昭和6年10月5日~昭和7年8月8日)喜多诚一(陆士19期:昭和7年8月8日~昭和9年8月1日)石本寅三(陆士23期:昭和9年8月1日~昭和10年8月1日)河辺虎四郎(陆士24期:昭和10年8月1日~昭和11年6月19日)武藤章(陆士25期:昭和11年6月19日~昭和12年3月1日)冨永恭次(陆士25期:昭和12年3月1日~昭和13年3月1日)山冈道武(陆士30期:昭和13年3月1日~昭和14年4月20日)矶村武亮(30期:昭和14年4月20日~昭和15年11月9日)西村敏雄(陆士32期:昭和16年2月4日~昭和17年8月20日)武田功(陆士34期:昭和17年8月20日~昭和19年10月31日)大越兼二(陆士36期:昭和19年10月31日~昭和20年4月10日)浅田三郎(陆士36期:昭和20年4月10日~日本宣布投降)后方主任参谋第3课长※昭和16年10月5日(1941年)起,任第3课长竹下义晴(陆士23期:昭和6年10月5日~昭和7年8月8日)原田熊吉(陆士22期:昭和7年8月8日~昭和10年8月1日)永津佐比重(陆士23期:昭和10年8月1日~昭和11年3月15日)竹下义晴(陆士23期:昭和11年3月15日~昭和12年10月13日)矶矢伍郎(陆士29期:昭和14年4月20日~昭和15年8月1日)青木一枝(陆士33期:昭和15年8月1日~昭和16年9月11日)村中嘉二郎(陆士33期:昭和16年9月11日~昭和18年8月2日)中岛义雄(陆士36期:昭和18年8月2日~昭和19年2月7日)谷岩蔵(陆士37期:昭和20年1月12日~日本宣布投降)政策主任参谋第4课长※昭和16年10月5日起担任第4课长松井太久郎(陆士22期:昭和6年10月5日~昭和7年2月17日)坂田义郎(陆士21期:昭和7年2月17日~昭和8年8月28日)秋山义隆(陆士24期:昭和8年8月28日~昭和9年8月1日)欠员(昭和9年8月1日~昭和12年3月1日)片仓衷少佐(陆士31期:昭和12年3月1日~昭和14年8月1日)黒川邦辅中佐(陆士32期:昭和14年8月1日~昭和17年2月14日)小尾哲三大佐(陆士34期:昭和17年2月14日~昭和19年10月14日)原善四郎中佐(陆士40期:昭和19年10月14日~昭和20年8月7日)宫本悦雄大佐(陆士38期:昭和20年8月7日~终战)经理部长佐野会辅:主计总监(昭和5年12月22日~昭和8年8月1日)铃木熊太郎:一等主计正(昭和8年8月1日~昭和11年12月1日)矢部润二:主计监(昭和11年12月1日~昭和14年8月1日)古野好武:主计少将(昭和14年8月1日~昭和20年7月5日)栗桥保正:主计中将(昭和20年7月5日~)军医部长伊藤贤三:军医监(昭和6年8月1日~昭和9年3月5日)梶井贞吉:军医监(昭和9年3月5日~昭和10年8月1日)石黒大介:军医监(昭和10年8月1日~昭和11年8月1日)出井淳三:军医总监(昭和11年8月1日~昭和13年3月1日)斎藤干城:军医少将(昭和13年3月1日~昭和14年12月1日)梶冢隆二:军医少将(昭和14年12月1日~)法务部长大山文雄(昭和4年6月21日~昭和7年12月19日)竹沢卯一(昭和7年12月19日~?)匂坂春平(昭和13年1月20日~昭和15年3月29日)松本倭文雄:法务少将(昭和15年3月29日~昭和20年4月20日)小幡通徳:法务少将(昭和20年4月20日~终战)补给监※昭和17年10月20日(1941年10月20日)新增补给监,由参谋长兼任补给监部参谋长高田清秀大佐(陆士29期:昭和17年10月20日~昭和18年8月2日)田村义富少将(陆士31期:昭和18年8月2日~昭和19年2月25日)佐藤杰少将(陆士29期:昭和19年2月25日~终战)特种情报部长※昭和13年8月1日设立“特种情报部”,当时隶属于参谋部第2课,俗称“研究部”。

福田繁雄简介[1]1

福田繁雄简介[1]1

色彩运用具有象征意义表达深 刻内涵
注重色彩的情感表达引发观众 共鸣
简洁明快的线条注重画面的视觉效 果
作品特点
善于运用几何图形和抽象元素表现 形式感
添加标题
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添加标题
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运用对比、对称等手法强调画面的 冲击力
作品主题多样涵盖了抽象、具象、 幽默等风格
作品分类
作品风格:简洁明快色彩鲜明
福田繁雄的作品风格对当代平面设计师的创作理念和设计手法产生了重要影响推动了平面设 计的发展。
福田繁雄的作品风格对当代平面设计的影响不仅体现在设计理念上还体现在设计手法和表现 形式上为平面设计的发展注入了新的活力。
设计的本质
福田繁雄的设计 哲学强调设计的 核心是传达信息 而非仅关注形式 的美观。
《F系列海报》: 以几何图形和黑 白色彩为主呈现 出独特的视觉效 果展现出福田繁 雄的创意和设计 才华。
《福田繁雄招贴 海报》:以简洁 的线条和色彩创 造出独特的视觉 效果展现出福田 繁雄的创意和设 计才华。
对后世的影响
福田繁雄的作品风格对当代平面设计产生了深远影响成为许多设计师的灵感来源。
他的作品风格独特注重简洁、明快、幽默和创意对平面设计的发展起到了推动作用。
贡献和影响
对现代设计教育的影响
福田繁雄担任多 所知名设计的客 座教授和讲师为 现代设计教育做 出了贡献。
福田繁雄的作品 和设计理念被广 泛引入到现代设 计教育中成为教 学案例和学生学 习的典范。
福田繁雄通过自 己的实践和创作 推动了现代设计 教育的发展为培 养优秀设计师做 出了杰出的贡献。
福田繁雄的设计 思想和教育理念 对现代设计教育 产生了深远的影 响为设计教育的 发展注入了新的 活力。

透明氧化物中形成电流的原因在于电子云架桥

透明氧化物中形成电流的原因在于电子云架桥
因为 , 明和 有 电流 流 动这 两 种 是 例 外 ,它 基 本 呈 透 明状 态 ,同时 起 来 ( 图 A一 ) 透 见 2。 性 质 多 少有 些 矛 盾 。
却 具有 很高 的导 电性 。在许 多 氧 化
虽 然 aI —GZO是 非 晶 体 ,但
材 料在 可见 光领 域 中呈 现透 物 中 ,为 了形 成 电流 ,必 须 适 当地 其 载 流 子 迁 移 率 却 高 达 几 十 明状 态需 要 具 备 两 个 条 件 ( 图 掺 入 杂 质 来提 供 载 流 子 。比如 I O 见 T C / 。 硅 在 晶 体 状 态 下 的 载 m VS
带 隙 的大 小 关系 到材 料容 易 吸 收
的是 哪 一 种 波 长 的 电磁 波 , 载 而
利 用 球 状 电子 云 确 保 通 路
1 m VS 下 。东 京 工 业 大 学 的 / 以 c
这 材 料 aI —GZO 是 业 界 在 为 了 细 野 秀 雄 解 释 说 :“ 是 因 为 硅
A一) 1 :首 先 ,该 材 料 的 带 隙要 大 中就 是 通过 添 加 锡 (n 而 将 载 流子 流 子 迁 移 率 高 达 30 0Cm / s)
于 3 V;其 次 ,材 料 中 自 由电 子 浓 度 提 高 到 了 1 c 。 e 0 /m 的 载 流 子 浓 度 要 低 于 1 / m 0‘ c 。 Vs 5 0 m Vs 但 当 变 成 非 晶 ~1 0 c / , 硅 时 , 载 流 子 迁 移 率 却 跌 落 到

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透 明氧化物 中形成 电流 的原 因 在于 电子云架桥
具有 导 电性 的透 明氧 化物 是 成 为绝 缘 体 。 多 含有 玻璃 的 透 明 球 状 的 电子 云 非 常 大 ,因 此 ,电 许

日本开发出新的LED用CL_MS荧光体

日本开发出新的LED用CL_MS荧光体
现代材料动态
车和 大 型 固定式 蓄 电池 等 。
2 0 1 3年 第 3 期 ຫໍສະໝຸດ ( 杨晓 婵摘译)
日本开发 出新的 L E D用 C L _ M S荧光 体
日本 小 系制 作所 和 东京 工业 大 学细 野 秀雄 教授 、 名 古屋 大 学泽 博 教授 的研 究 小组 共 同 开 发 出一种 新 的 L E D用 C L _ M s荧光 体 。 新荧 光 体 是添加 了铕 的 ( ( C a , S r ) ( S i O 。 ) C 1 : E u ( 0 . 1 6 7
( 杨 晓婵 摘译 )
日本福 田金属箔粉 工业 开发 出电子 电路用 铜纳米粒 子等
日本福 田金 属箔粉 工业公 司 开发 出制作 电子 电路 用 的铜 纳 米 粒子 S F C P — I O A 、S F C P — I O A X
和铜系纳米粒子高浓度分离墨水,并 已出厂样品。 溶 剂 高分 散型 铜纳 米粒 子 S F C P — I O A X最 适用 于 配线 用铜 纳 米 墨水 ,可在 低温 、还原 气氛 中短 时 间形 成 铜 导 电薄膜 。溶 剂润 湿 颗粒 型 铜纳 米粒 子 S F C P - I O A最 适用 于 导 电 、散热 等各 种功能性复合材料及导 电膏的填料 。 铜 系纳米粒子高浓度分离墨水是一种可长期 、 稳定地维
该c L _ M s 荧光体的特征是,发光光谱 宽,颜色再现性好,可高效地将紫色光转换为黄色光。 在 与 蓝 色荧 光体 混合 制 成 白色光 时 ,由于对 蓝 色 光不 吸 收 、 不转 换 , 因此 不会 产 生颜 色偏 移 。
新开 发 的 白色 L E D ,是 将蓝 色 荧光 体 和 C L - M s荧光 体混 合 的荧 光 体低 浓度 地 弥散 于 透 明 硅树脂中, 通 过 紫色 芯 片装 在足 够 大 的半 球型 灯泡 内 。 使用 c L _ M S荧 光体 的 白色 L E D的特 征 是 ,荧光 体 浓度 低 ,亮 度增 强 ,因发 光 面积 增大 而 减轻 刺 眼程 度 ,由于 是无 指 向性 发 光 ,因 而 照 射角 度广 。另外 ,由于 可在 大面 积 范 围 内发 同一 颜色 的光 ,因此 L E D灯可 做 成长 条 、圆 锥 或 蜡烛 等各 种 形状 ,提 高 了 L E D照 明的设 计 自由度 。由于发 光颜 色 稳 定 ,因此 在制 造 时不 需要 进行 光色 离 散控 制 、分选 、分 级等 。

广告鬼才吉田秀雄

广告鬼才吉田秀雄

广告鬼才xx一说到广告大师,我的脑海中就会闪过许多以前了解的一些广告大师的名字,首先想到的是大卫·奥格威,他的著作《一个广告人的自白》,可以说是广告界的经典,我也曾经拜读过,他的一些观点让我受益匪浅。

接着我又想到了广告奠堂六位巨人,比如亚尔伯特·拉斯克、史丹利·雷梭等。

可是发现居然没有一位亚洲人。

于是我上网查找,找到了一位亚洲广告大师—广告鬼才吉田秀雄。

吉田秀雄(1903—1963)出生于日本小仓市,孩童时代是在无忧无虑中渡过的,一家人的生活虽算不上富裕有余,但衣食无忧,比之贫苦家庭又不知好了多少。

可是天有不测风云,吉田秀雄十多岁时父亲因公去世,美满平静的家庭生活成为过去,全家人陷入困境。

年少的吉田秀雄在困境中明白了什么叫做坚强,什么叫做责任。

为了维持生计,上小学的他曾给当地报社做过报纸派送员。

后被小仓市的一个富商叫吉田一次的收养。

并在吉田一次的帮助下完成了学业。

20岁的吉田秀雄来到东京大学经济学部商业学科学习,并于1928年顺利毕业。

这时的日本经济萎靡不振,处于萧条时期,失业人口不断增加,找工作是难上加难。

在历经诸多挫折之后,吉田秀雄到了株式会社日本电报通信社(现在的日本电通)应聘,当场录用,被安置在营业部的地方内勤科工作。

从此他把生命交给了电通,直到病逝。

吉田秀雄接手前的电通公司已经沦落到朝不保夕的境地,任何一件看似微不足道的政治事件都有可能让电通立刻倒闭,1945年,吉田秀雄为电通做了两件大事,不仅让电通支撑下去,而且对于将来构筑电通在日本广告市场的霸主地位起到非常关键性的作用。

第一件事是促成当局制订媒介公开的广告价格标准,这是正当竞争的前提条件。

第二件事是借整顿广告业为名,实质是巩固电通的经营地盘。

这两件事直接把吉田秀雄推上了电通的最高宝座。

1947年,吉田秀雄以绝对的优势和影响力被推选为电通社长。

凭借着吉田秀雄的远见卓识,像一盘散沙的电通渐渐凝聚起来,许多优秀人才都争相来到电通,电通公司重新焕发出勃勃生机。

实用类文本阅读冈野信雄,日本神户的小工匠,30多年来只做一件事:

实用类文本阅读冈野信雄,日本神户的小工匠,30多年来只做一件事:

实用类文本阅读冈野信雄,日本神户的小工匠,30多年来只做一件事:阅读下面的文字,完成下列小题。

材料一冈野信雄,日本神户的小工匠,30多年来只做一件事:旧书修复。

在别人看来,这件事实在枯燥无味,而冈野信雄乐此不疲,最后做出了奇迹:任何污损严重、破烂不堪的旧书,只要经过他的手即光复如新,就像施了魔法。

在日本,类似冈野信雄这样的工匠灿若繁星,竹艺、金属网编、蓝染、铁器等,许多行业都存在一批对自己的工作有着近乎神经质般追求的匠人。

他们对自己的出品几近苛刻,对自己的手艺充满骄傲甚至自负,对自己的工作从无厌倦并永远追求尽善尽美。

如果任凭质量不好的产品流通到市面上,这些日本工匠会将之看成是一种耻辱,与收获多少金钱无关。

德国制造最值得信赖。

他们制定的标准严谨至苛刻,他们对细节的固执早已成为习惯。

即使一支铅笔、一把餐勺、一提菜篮,也都彰显着细腻的心思、独到的创意和恒久的品质实用类文本阅读冈野信雄,日本神户的小工匠,30多年来只做一件事:。

很多人都梦想成就百年品牌,但百年品牌的打造需要全力以赴:对每一处细节的关注、对目标达成的坚持、对科技创新的执著以及对消费者需求的洞察。

如同众多德国百年品牌,凭借精益品质在各自领域一骑绝尘的同时,更以创新的实践为行业带来深远的影响。

这就是工匠精神最完美的诠释,也是基业长青唯一的道路。

培养工匠精神,是从孩子就开始的。

我曾经多次到海外游学,你从孩子们的身上,可以感受到他们快乐的心灵对未来的憧憬,他们的想象力没有被世俗的东西破坏和束缚实用类文本阅读冈野信雄,日本神户的小工匠,30多年来只做一件事:。

这样的孩子从小没有被沾染上功利心,无论长大成人以后从事的工作是什么,他们都会倾注精力,认真做好,而不会以功利之心去衡量这份工作是让他卑微还是能够在人前炫耀。

这不正是培养工匠精神的土壤吗?――时寒冰《中国怎样才能培养出工匠精神》材料二‚追求卓越‛‚创造新鲜事物‛,是‚工匠精神‛的核心。

中国有一个词可以与‚工匠精神‛匹配――匠心。

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TAOS-TFTs to drive FPDS Features and Current StatusFPD International in china@ Beijing(Dec 10)Frontier Research Center & Materials and Structures Laboratory (MSL) Tokyo Institute of Technology, Yokohama, JAPAN 1. 2. 3. 4. Large mobility(10-20cm2/Vs) Easy fabrication by sputtering at LT Homogenous (no grain boudary) Optically transparentHideo HOSONOOutlineHistory of Oxide TFT Unique Characteristics of TAOS How unique and why cf. a-Si:H Features of a-InGaZnOx-TFT mobility, controllability, stabilization, tail state , negative bias-light illumination(NBL) instability FPD application Future issuesOxide TFTs and FPDs1950 1960 1970 1980 1990 2000 20101948 W. Shockley 1951 1960 pn JFET Si MOSFET High Tc Oxide Electronics Amorphous TCO Oxide TFT revival1975 a-Si:H 1979 a-Si:H TFT Commercialization 1983 5“ B/W LCD 1985 10” Color LCD 1961 CdS TFT 1996 Epi-SnO2:Sb (μeff ~1 cm2/Vs) ~1964 poly-SnO2 FET 2003 poly-ZnO TFT rush poly-In2O3 FET (gm=0.3mhos) 2005 LCD panel (Casio) 1968 ZnO FET 2006 AMOLED panel (ETRI) (gm=10mhos) 1995 TAOS 2004/11 TAOS –TFT(TIT) 2005/12 Flexible B/W E-Paper(Toppan) (TIT) 2006/12 Color E-Paper AMOLED panel (LG) 2007/8 AMOLED panel (Samsung) Flexible OLED(LG) 2008/1 AMLCD panel (Samsung)History of amorphous semiconductor and device application1950. 1960. 1970. 1980. 1990. 2000Photoconductivity in a-Se(Xerography) Glassy semicond.(V2O5 based oxide) Chalcogenide glass DVD) Switching and memory effect in a-chal. film a-Si:H ‘Giant-Microelectronics’Flexible electronics ( novel a-sc)Material design concept (electron pathway)covalent semicon. ionic oxide semicon. M:(n-1)d10ns0 (n≥5)crystalamorphousJNCS(1996),Nature(2004)Designing TAOS with a large e-Hall mobilityA TAOS Material : In2O3-Ga2O3-ZnO (IGZO)(Ne x1018cm-3)μHall5s04s04s0Glass substrate @ RTStructureIn-Zn-O (IZO) : > 30 cm2(Vs)-1) In-Ga-Zn-O (IGZO) : > 15 cm2(Vs)-1) J.Non-Cryst.Sol.(2006)Electron Transport Properties of a-IGZOEF>Emobility @ Ne>2x1018cm-3Mobility increases with Ne cf.c-SiTAOS is a first a-semiconductor in which Ef exceeds the mobility gapAPL(2004)Carrier doping in a-Si:HStreet Model(CBM)(PRL 1982)impossible(VBM)ArrowedP SiForbiddenP+ Si-EF cannot exceed the mobility gap by dopingSpear & LeComber, SSC(1975)Carriers are NOT generatedTail State Density from Device simulationa-IGZOAssumption: Constant mobility & two-step subgap DOSsa-Si:H10211018(depletion)(enhancement type)10161016EcDit=0.9×1011 cm-2/eV a-IGZO/a-SiO2 (annealed): S=0.12 V/dec (Dit=2.5x1011 cm-2) a-Si:H/a-SiNx:H (typical) : S=0.4 V/decEcR.A. Street (Ed.), Technology and Applications of Amorphous Silicon, Springer-Verlag, Berlin, 2000APL(2007)a-IGZO TFT on GlassField Effect Mobility μ= 14 cm 2(Vs)-1Cf. a=Si:Hμ=~1cm 2(Vs)-1Deposited by DC sputteringNature (2004), JJAP(2006), J.SID(2006)by substitutional doping Success in TFT operationa-Si:HglowdischargedSolid State Commun.J.Non-Cryst.Sol.Electron.Lett.sputtered evaporatede O2In-Zn-Ga-O (IGZO)In 5s 3D-connected form an extended conduction bandform an extended conduction band bottomby percolation of In 5s orbitals.Phys.Rev.B(2006)as-deposited as-deposited 300◦C annealedUnannealed Dry annealed Wet annealedEc Defect modelSubgap DOS (ATLAS)Wet annealing is effective to reduce subgap DOS.μexp :~6.0 ~9.5 ~12 (cm 2/Vs)μcalc :~6.5 ~9.0 ~11 (cm 2/Vs)N TA :~2.5 ~2.8 ~3.0(x1017cm W TA : ~0.15 ~0.115 ~0.065 (eV)(a)(b)図11.a-IGZO -TFT の光照射下での特性。

照射フォトン数は1013cm-2s -1.to λ>460nm Insensitive Cf. Bang gap ~390nmExcitation : hν= 7935.2 eV Detector : Gammadata Scienta Co., Resolution : ~180 meVFilm surfaceSubgap defect(Peak energy ~2.7eV, width ~1.5eV)d < 2nm: 1020cm-3VBM(CBM)Subgap state for a-IGZO・Exponential tail and deep states・Tail state DOS (~ 1017 cm-3)Small S-Value (0.1V/dec.)・Localized state (before annealing)・Deep state DOS (~ 1016 cm-3)・High density VB-DOS (> 1020 cm-3)Difficulty of inversion operation Low valence stateBy Hard X-ray PEAsian Mater.(2010)P h~10cm s P h~10cm sΔV th~0 VΔV th~-1 VΔV th>10 V Large V th shift under subgap light illuminationNegative V th shift by light illuminated NBS Photo-induced hole trapping at channel / GI interfacePositive charges at interface (ΔD it) for L-NBS (3hours ):Unpassivated: ~3.2×1012cm-2eV-1Passivated: ~3.7×1011cm-2eV-1Prototype displays using a-IGZO-TFTs Front Drive StructureFront Drive StructureM. Ito et.al., IEICE Trans. Electron, 90-C, 2105 (2007)Transparent TFTArrayColor Filter ArrayDisplay can be viewedthrough transparent TFT array.IGZO sputter target for G8 26’LCD (FPD International @Yokohama 2009)@FPD International at Makuhari(Nov.10)Oxide TFTs can be fabricated by heating in ambient atmosphere cf. Si, organicsHow realize the dense amorphous thin films at LT ? The key is the precursor. Collaboration with organic chemistswould be effective.Togo et al, PRB (2006)P-channel TFTO2p Sn5s -O2pSRAPL(2008)。

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